JPH0269965A - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0269965A JPH0269965A JP63221672A JP22167288A JPH0269965A JP H0269965 A JPH0269965 A JP H0269965A JP 63221672 A JP63221672 A JP 63221672A JP 22167288 A JP22167288 A JP 22167288A JP H0269965 A JPH0269965 A JP H0269965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- package
- groove
- wall
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、耐湿性、加工性に優れ、また高集積化大型素
子の搭載に好適な中空の熱可塑性樹脂製半導体パッケー
ジに関する。
子の搭載に好適な中空の熱可塑性樹脂製半導体パッケー
ジに関する。
（従来の技術）
近年、半導体装置の素子密度か高くなり、今後もメモリ
ーの記憶容量でみると１６メガビツト、６４メガビツト
と集積度がまずまず高くなり、ベレットは大型化する傾
向にある。 現在多用されているエポキシ樹脂封止材に
よる半導体の封止方法は、第５図に示したように、半導
体素子２０とリード端子２１とをワイヤボンディングし
、それを封止材２２で封止したり、第６図に示したよう
に、予じめ熱可塑性樹脂でリードフレーム２１を一体に
成形したプリモールドパッケージλユをつくり、半導体
素子２０を実装後、封止材２２で封止してＭ２４をした
ものであるが、いずれも限界に近づきつつある。 従っ
て今後は、高集積度素子の搭載に好適であり、また撮像
素子用にも利用できるものにするなめ、素子を直接樹脂
封止しない中空型あるいはカス封止型の半導体パッケー
ジになると思われる。 この型式のものは、従来がら種
々なものが開発されているが、満足すべきものがない。
ーの記憶容量でみると１６メガビツト、６４メガビツト
と集積度がまずまず高くなり、ベレットは大型化する傾
向にある。 現在多用されているエポキシ樹脂封止材に
よる半導体の封止方法は、第５図に示したように、半導
体素子２０とリード端子２１とをワイヤボンディングし
、それを封止材２２で封止したり、第６図に示したよう
に、予じめ熱可塑性樹脂でリードフレーム２１を一体に
成形したプリモールドパッケージλユをつくり、半導体
素子２０を実装後、封止材２２で封止してＭ２４をした
ものであるが、いずれも限界に近づきつつある。 従っ
て今後は、高集積度素子の搭載に好適であり、また撮像
素子用にも利用できるものにするなめ、素子を直接樹脂
封止しない中空型あるいはカス封止型の半導体パッケー
ジになると思われる。 この型式のものは、従来がら種
々なものが開発されているが、満足すべきものがない。
（発明が解決しようとする課題）
従来、中空型パッケージとしてセラミックパッケージが
あるが、非常に高価であり、多量に生産されるメモリー
等には経済的でない。 これに対して合成樹脂によるプ
リモールドパッケージもあるが、それぞれ欠点をもって
いる。 すなわち、熱硬化性樹脂製のものは、パッケー
ジ成形の際にパリが発生して、リードの樹脂かぶりが起
こる笠の欠点がある。 また、熱可塑性樹脂製のものは
、生産性が高く優れているものの、リードフレームと熱
可塑性樹脂との密着性が悪く、水分等の湿気の浸入によ
り半導体素子が損傷する等の欠点かある。
あるが、非常に高価であり、多量に生産されるメモリー
等には経済的でない。 これに対して合成樹脂によるプ
リモールドパッケージもあるが、それぞれ欠点をもって
いる。 すなわち、熱硬化性樹脂製のものは、パッケー
ジ成形の際にパリが発生して、リードの樹脂かぶりが起
こる笠の欠点がある。 また、熱可塑性樹脂製のものは
、生産性が高く優れているものの、リードフレームと熱
可塑性樹脂との密着性が悪く、水分等の湿気の浸入によ
り半導体素子が損傷する等の欠点かある。
本発明は、これらの事情に鑑みてなされたもので、リー
ドフレームとパッケージとの密着が良くて耐湿性に優れ
、従ってまた半導体素子の損傷がなくて信頼性の高い、
かつ加工性、生産性が良くて安価な半導体パッケージ及
びその製造方法を提供しようとするものである。
ドフレームとパッケージとの密着が良くて耐湿性に優れ
、従ってまた半導体素子の損傷がなくて信頼性の高い、
かつ加工性、生産性が良くて安価な半導体パッケージ及
びその製造方法を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、熱可塑性樹脂のもつ良好な加工性と高い生産
性、熱硬化性樹脂のもつ優れた密着性を組み合わせ、か
つパッケージとしての優れた構造の採用から、上記目的
を達成できることを見いだし本発明を完成したものであ
る。
ねた結果、熱可塑性樹脂のもつ良好な加工性と高い生産
性、熱硬化性樹脂のもつ優れた密着性を組み合わせ、か
つパッケージとしての優れた構造の採用から、上記目的
を達成できることを見いだし本発明を完成したものであ
る。
すなわち、本発明の半導体パッケージは、半導体素子ペ
レットを内部に搭載するパッケージであって、リードフ
レームと一体にするとともに、内郭、該内郭の外周に内
郭より高く設けた外郭、及び内外郭間に該リードフレー
ムのリードが横断露出する外溝を有する熱可塑性樹脂製
プリモールド筐体と、外縁が筐体外溝側にはみ出すこと
なく筐体内郭に接してパッケージ内部を中空に形成する
蓋と、少くとも筺体外溝内をモールド充填するとともに
蓋を筐体に固着してパッケージ内部を気密に封止する熱
硬化性樹脂製モールド封止部とを具備することを特徴と
する。 さらの半導体パッケージの製造方法は、熱可塑
性樹脂製プリモールド筐体の内部中央に半導体素子ペレ
ットを搭載した後、筐体の内郭上部に蓋を配し、次いで
蓋を配した筐体を金型キャビティ内に装入して、筺体外
溝内及び該外溝上部を熱硬化性封止材でモールド封止部
を形成することを特徴とする。
レットを内部に搭載するパッケージであって、リードフ
レームと一体にするとともに、内郭、該内郭の外周に内
郭より高く設けた外郭、及び内外郭間に該リードフレー
ムのリードが横断露出する外溝を有する熱可塑性樹脂製
プリモールド筐体と、外縁が筐体外溝側にはみ出すこと
なく筐体内郭に接してパッケージ内部を中空に形成する
蓋と、少くとも筺体外溝内をモールド充填するとともに
蓋を筐体に固着してパッケージ内部を気密に封止する熱
硬化性樹脂製モールド封止部とを具備することを特徴と
する。 さらの半導体パッケージの製造方法は、熱可塑
性樹脂製プリモールド筐体の内部中央に半導体素子ペレ
ットを搭載した後、筐体の内郭上部に蓋を配し、次いで
蓋を配した筐体を金型キャビティ内に装入して、筺体外
溝内及び該外溝上部を熱硬化性封止材でモールド封止部
を形成することを特徴とする。
本発明に用いるリードフレームとしては、４２アロイ、
銅合金、又は銅張積層板を素材として用いたちのを挙げ
ることができる。
銅合金、又は銅張積層板を素材として用いたちのを挙げ
ることができる。
本発明に用いる熱可塑性樹脂としては、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリ
マー、ポリエーテルイミド、ポリアミド等が挙げられ、
これらは単独もしくは２種混合して使用することかでき
る。 この熱可塑性樹脂は筐体の樹脂部を形成するもの
で、通常射出成形によって形成する。
レフタレート、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリ
マー、ポリエーテルイミド、ポリアミド等が挙げられ、
これらは単独もしくは２種混合して使用することかでき
る。 この熱可塑性樹脂は筐体の樹脂部を形成するもの
で、通常射出成形によって形成する。
本発明の外溝に封入する熱硬化性封止材としては、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられ、これらは単独
もしくは２種以上混合して用いる。
キシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられ、これらは単独
もしくは２種以上混合して用いる。
本発明に用いる内郭上の蓋としては、熱可塑性樹脂或い
は金属板、また透明なガラス板でもよく特に限定されな
い。 透明なガラス板等を用いる場合は撮像素子用の半
導体パッケージとして使用することができる。
は金属板、また透明なガラス板でもよく特に限定されな
い。 透明なガラス板等を用いる場合は撮像素子用の半
導体パッケージとして使用することができる。
熱硬化性封止材で成形する場合に、パッケージの中空内
部に熱硬化性封止材が浸入するのを防止するために、蓋
と内郭との間を接着剤で固着させたり、弾性バッキング
を設けてもよい。 また熱硬化性樹脂封止材の成形は、
半導体素子を搭載し内郭上部に蓋をした後、パッケージ
を金型に挿入して射出成形、Ｉ・ランスファー成形、圧
縮成形等を行って成形する。
部に熱硬化性封止材が浸入するのを防止するために、蓋
と内郭との間を接着剤で固着させたり、弾性バッキング
を設けてもよい。 また熱硬化性樹脂封止材の成形は、
半導体素子を搭載し内郭上部に蓋をした後、パッケージ
を金型に挿入して射出成形、Ｉ・ランスファー成形、圧
縮成形等を行って成形する。
（作用）
内郭と外郭間に外溝を設け、熱硬化性封止材を封入した
ことによって、リードフレームと熱可塑性樹脂パッケー
ジとの密着性を向上させると共にリード端子側、内郭上
部蓋側からの湿気の浸入を防止し、半導体素子を保護す
ることかできる。
ことによって、リードフレームと熱可塑性樹脂パッケー
ジとの密着性を向上させると共にリード端子側、内郭上
部蓋側からの湿気の浸入を防止し、半導体素子を保護す
ることかできる。
また内溝と流止郭を設けたことによって、熱硬化性封止
材が流出しても流止郭で流出が防止されて内溝に留り、
半導体素子に悪影響を及ばずことがない。
材が流出しても流止郭で流出が防止されて内溝に留り、
半導体素子に悪影響を及ばずことがない。
（実施例）
次に本発明を図面を用いて説明する。
第１図（ａ）は実施例のプリモールド筐体の正面図、第
１図（ｂ ）は第１図（ａ ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図
、第１図（Ｃ）は第１図（ａ ）のＹＹ線に沿う断面図
である。
１図（ｂ ）は第１図（ａ ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図
、第１図（Ｃ）は第１図（ａ ）のＹＹ線に沿う断面図
である。
第１図において、筐体上は内郭２の外周に、内郭２より
高い外郭３と、内郭２の内周に内郭２より低い流止郭４
か設けである。 内郭２と外郭３との間には外溝６があ
り、正面図でリードフレーム５の直角方向における外溝
６は底部に開口してリードフレーム５が横断露出する部
分６ａであり（第１図（ｂ））、正面図でリードフレー
ム５の平行方向の外溝６は底部にまで開口させる必要の
ない部分６ｂである（第１図（Ｃ））。 また内郭２と
流止郭４との間には、内溝７か形成されている。 また
筐体１の中央はリードフレーム面まで凹状となって、素
子搭載部とリードのボンディング部が露出している。
この筐体１は熱可塑性樹脂によってリードフレーム５か
一体に形成されている。
高い外郭３と、内郭２の内周に内郭２より低い流止郭４
か設けである。 内郭２と外郭３との間には外溝６があ
り、正面図でリードフレーム５の直角方向における外溝
６は底部に開口してリードフレーム５が横断露出する部
分６ａであり（第１図（ｂ））、正面図でリードフレー
ム５の平行方向の外溝６は底部にまで開口させる必要の
ない部分６ｂである（第１図（Ｃ））。 また内郭２と
流止郭４との間には、内溝７か形成されている。 また
筐体１の中央はリードフレーム面まで凹状となって、素
子搭載部とリードのボンディング部が露出している。
この筐体１は熱可塑性樹脂によってリードフレーム５か
一体に形成されている。
次に第２図乃至第４図を用いて本発明の半導体パッケー
ジの製造工程を説明する。
ジの製造工程を説明する。
第２図（ａ ）は構成体の１つである筐体に半導体素子
を搭載しワイヤーホンディングした状態を示した正面図
、第２図＜ｂ ＞は、第２図（ａ ）のＸ−Ｘ線に沿う
断面図、第２図（Ｃ）は第２図（ａ＞のＹ−Ｙ線に沿う
断面図である。 第２図（ａ ）ないし第２図（Ｃ）に
示したように筐体に半導体素子１０を搭載し、リードフ
レーム５とボンデインクワイヤー１１によって接続する
。
を搭載しワイヤーホンディングした状態を示した正面図
、第２図＜ｂ ＞は、第２図（ａ ）のＸ−Ｘ線に沿う
断面図、第２図（Ｃ）は第２図（ａ＞のＹ−Ｙ線に沿う
断面図である。 第２図（ａ ）ないし第２図（Ｃ）に
示したように筐体に半導体素子１０を搭載し、リードフ
レーム５とボンデインクワイヤー１１によって接続する
。
その後、第３図（ａ ）ないし第３図（Ｃ）に示したよ
うに内郭２の上部にＭ１３を設ける。 この藍は、プラ
スチック板や金属板、透明なカラス板でも良く、特に限
定されるものではない。 ガラス板やアクリル板等の透
明な蓋をすることによって撮像素子用の半導体パッケー
ジとすることができる。 内郭２と蓋１３との間に接着
剤や弾性バッキングを用いて仮着し、外溝等に封入成形
される熱硬化性封止材の浸入を防止させることかできる
。 また、万一熱硬化性封止材が浸入したとしても内溝
７と流出部４によって浸入がとめられる。 内郭２に蓋
１３をし、筐体を装入する金型１４の断面図を第３図（
ｂ）に−点鎖線で示した。
うに内郭２の上部にＭ１３を設ける。 この藍は、プラ
スチック板や金属板、透明なカラス板でも良く、特に限
定されるものではない。 ガラス板やアクリル板等の透
明な蓋をすることによって撮像素子用の半導体パッケー
ジとすることができる。 内郭２と蓋１３との間に接着
剤や弾性バッキングを用いて仮着し、外溝等に封入成形
される熱硬化性封止材の浸入を防止させることかできる
。 また、万一熱硬化性封止材が浸入したとしても内溝
７と流出部４によって浸入がとめられる。 内郭２に蓋
１３をし、筐体を装入する金型１４の断面図を第３図（
ｂ）に−点鎖線で示した。
なお、１５はスプルーである。 第４図（ａ ）ないし
第４図（Ｃ）は本発明の半導体パッケージを示した正面
図および断面図である。 第３図（ｂ）の状態で熱硬化
性封止材１２をスプルー１５からトランスファー成形し
て外溝を封入すると同時に外溝上部を熱硬化性封止材１
２で成形して諮１３を完全に密封して、パッケージ内部
を中空にした半導体パッケージを製造することができる
。
第４図（Ｃ）は本発明の半導体パッケージを示した正面
図および断面図である。 第３図（ｂ）の状態で熱硬化
性封止材１２をスプルー１５からトランスファー成形し
て外溝を封入すると同時に外溝上部を熱硬化性封止材１
２で成形して諮１３を完全に密封して、パッケージ内部
を中空にした半導体パッケージを製造することができる
。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体パッケ
ージは、熱可塑性樹脂の射出成形によって容易に成形加
工した特定構造のプリモード筐体をつくり、その外溝を
熱硬化性封止材で封止することによって、熱可塑性樹脂
およびリードフレームとの密着性を向上させたので、耐
湿性に優れ湿気等の浸入を防止して、半導体素子の損傷
をなくすことかでき、また加工性、生産性に優れている
ので、安価な信頼性の高い半導体パッケージを得ること
ができな。
ージは、熱可塑性樹脂の射出成形によって容易に成形加
工した特定構造のプリモード筐体をつくり、その外溝を
熱硬化性封止材で封止することによって、熱可塑性樹脂
およびリードフレームとの密着性を向上させたので、耐
湿性に優れ湿気等の浸入を防止して、半導体素子の損傷
をなくすことかでき、また加工性、生産性に優れている
ので、安価な信頼性の高い半導体パッケージを得ること
ができな。
第１図（ａ ）は本発明実施例における筐体の正面図、
第１図（ｂ ）は第１図＜ａ ）のＸ−Ｘ線に沿う断面
図、第１図（ｃ ）は第１図（ａ）のＹ−Ｙ線に沿う断
面図、第２図ないし第４図は本発明の一実施例である半
導体パッケージの製造工程を示すもので各国の公国＜ａ
）は正面図、公国（ｂ ）及び（Ｃ）はそれぞれ分区
（ａ ）のＸ−Ｘ線、ＹＹ線に沿う断面図、第５図及び
第６図は従来パッケージの断面図である。 １．２３・・・筐体、 ２・・・内郭、 ３・・・外郭
、４・・・流止郭、 ５．２１・・・リードフレーム、
６・・・外溝、 ７・・・内溝、 １０．２０・・
・半導体素子、１１・・・ボンディングワイヤー １
．２．２２・・・熱硬化性封止材、 １３・・・蓋、
１４・・・金型、１５・・・スプルー 特許出願人 東芝ケミカル株式会社
第１図（ｂ ）は第１図＜ａ ）のＸ−Ｘ線に沿う断面
図、第１図（ｃ ）は第１図（ａ）のＹ−Ｙ線に沿う断
面図、第２図ないし第４図は本発明の一実施例である半
導体パッケージの製造工程を示すもので各国の公国＜ａ
）は正面図、公国（ｂ ）及び（Ｃ）はそれぞれ分区
（ａ ）のＸ−Ｘ線、ＹＹ線に沿う断面図、第５図及び
第６図は従来パッケージの断面図である。 １．２３・・・筐体、 ２・・・内郭、 ３・・・外郭
、４・・・流止郭、 ５．２１・・・リードフレーム、
６・・・外溝、 ７・・・内溝、 １０．２０・・
・半導体素子、１１・・・ボンディングワイヤー １
．２．２２・・・熱硬化性封止材、 １３・・・蓋、
１４・・・金型、１５・・・スプルー 特許出願人 東芝ケミカル株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １半導体素子ペレットを内部に搭載するパッケージであ
って、リードフレームと一体にするとともに、内郭、該
内郭の外周に内郭より高く設けた外郭、及び内外郭間に
該リードフレームのリードが横断露出する外溝を有する
熱可塑性樹脂製プリモールド筺体と、外縁が筐体外溝側
にはみ出すことなく筺体内郭に接してパッケージ内部を
中空に形成する蓋と、少くとも筺体外溝内をモールド充
填するとともに蓋を筺体に固着してパッケージ内部を気
密に封止する熱硬化性樹脂製モールド封止部とを具備す
る半導体パッケージ。 ２請求項１の半導体パッケージを製造するにあたり、熱
可塑性樹脂製プリモールド筐体の内部中央に半導体素子
ペレットを搭載した後、筺体の内郭上部に蓋を配し、次
いで蓋を配した筺体を金型キャビティ内に装入して、筺
体外溝内及び該外溝上部を熱硬化性封止材でモールド封
止部を形成することを特徴とする半導体パッケージの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221672A JP2762418B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221672A JP2762418B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269965A true JPH0269965A (ja) | 1990-03-08 |
| JP2762418B2 JP2762418B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=16770461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63221672A Expired - Lifetime JP2762418B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2762418B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025177396A1 (ja) * | 2024-02-20 | 2025-08-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP63221672A patent/JP2762418B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025177396A1 (ja) * | 2024-02-20 | 2025-08-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2762418B2 (ja) | 1998-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5773323A (en) | Package for solid state image sensing device and method for manufacturing thereof | |
| US5523608A (en) | Solid state imaging device having a solid state image sensor and its peripheral IC mounted on one package | |
| US5264393A (en) | Solid state image pickup device and method of manufacturing the same | |
| US5034800A (en) | Hollow plastic package for semiconductor devices | |
| US6906403B2 (en) | Sealed electronic device packages with transparent coverings | |
| US4812420A (en) | Method of producing a semiconductor device having a light transparent window | |
| US6509636B1 (en) | Semiconductor package | |
| US6476469B2 (en) | Quad flat non-leaded package structure for housing CMOS sensor | |
| US5122861A (en) | Solid state image pickup device having particular package structure | |
| US6696752B2 (en) | Encapsulated semiconductor device with flash-proof structure | |
| US5534725A (en) | Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof | |
| JP2907914B2 (ja) | 電気又は電子デバイス又はモジユールの封止方法とパツケージ | |
| JP2004505450A (ja) | プラスチックパッケージのベース、エアキャビティ型パッケージ及びその製造方法 | |
| US6291263B1 (en) | Method of fabricating an integrated circuit package having a core-hollowed encapsulation body | |
| JPH11126865A (ja) | 半導体素子および製造方法 | |
| JPH0269965A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JP3141634B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止用金型 | |
| JPS6320120Y2 (ja) | ||
| JP2592051B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| GB2432457A (en) | Sensor arrangement and method for fabricating a sensor arrangement | |
| JPH0724272B2 (ja) | 光透過用窓を有する半導体装置の製造方法 | |
| JP2783612B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPH02231761A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6269674A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| KR940006183Y1 (ko) | 플라스틱 ccd반도체 패키지 |