JPH0269986A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH0269986A JPH0269986A JP22190588A JP22190588A JPH0269986A JP H0269986 A JPH0269986 A JP H0269986A JP 22190588 A JP22190588 A JP 22190588A JP 22190588 A JP22190588 A JP 22190588A JP H0269986 A JPH0269986 A JP H0269986A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ装置の製造方法に関するもので
ある。
ある。
第２図（ａ）〜（ｂ）は従来の半導体レーザ装置の製造
方法を示す断面図である。図において、（１）はＳ。
方法を示す断面図である。図において、（１）はＳ。
Ｉ Ｇａ人ｓ基板、（２）はｎ−ＡｌＧａＡｓ層、（３
）はｎ−ＧａＡｓ活性層、（４）はＰ−ＡＩＧａＡｓ層
、（５）はｎ−ＧａＡｓ層、（６）はＰ１拡散領域、（
７）はＳｉＮマスク、（９）はＰ拡散領域、００）はＰ
電極、（１１）はＮ電極である。
）はｎ−ＧａＡｓ活性層、（４）はＰ−ＡＩＧａＡｓ層
、（５）はｎ−ＧａＡｓ層、（６）はＰ１拡散領域、（
７）はＳｉＮマスク、（９）はＰ拡散領域、００）はＰ
電極、（１１）はＮ電極である。
次に動作について説明する。
第２図（ａ）において、ＳｉＮ膜（７）をマスクとし、
Ｐ型不純物を拡散しＰ＋（６１領域を形成する。次に、
第２図（ｂ）において、Ｐ＋領域（６）の不純物を拡散
源として、Ｐ＋領域（６）を形成したときよりも高い高
度で熱処理を行うことによってＰ拡散領域（９）を形成
する。次いで、第２図（ｃ）においてＰ−Ｎ接合部分の
上部のｎ−ＧａＡｓ層（５）をエツチングにより除去し
、Ｐ電極αＯ）及びＮ電極（１１）を形成する。
Ｐ型不純物を拡散しＰ＋（６１領域を形成する。次に、
第２図（ｂ）において、Ｐ＋領域（６）の不純物を拡散
源として、Ｐ＋領域（６）を形成したときよりも高い高
度で熱処理を行うことによってＰ拡散領域（９）を形成
する。次いで、第２図（ｃ）においてＰ−Ｎ接合部分の
上部のｎ−ＧａＡｓ層（５）をエツチングにより除去し
、Ｐ電極αＯ）及びＮ電極（１１）を形成する。
Ｐ＋拡散領域（６）に流入した電流はｎ−ＧａＡｓ活性
層（３）のＰ拡散領域（９）で光出力に変換されるが、
Ｐ拡散領域（９）の屈折率が周囲の屈折率よりも高いた
め、光出力はｎ−ＧａＡｓ活性層（３）内のＰ拡散領域
（９）部分内で導波され、発振する。
層（３）のＰ拡散領域（９）で光出力に変換されるが、
Ｐ拡散領域（９）の屈折率が周囲の屈折率よりも高いた
め、光出力はｎ−ＧａＡｓ活性層（３）内のＰ拡散領域
（９）部分内で導波され、発振する。
従来の半導体レーザ装置の製造方法は以上のように構成
されていたので、Ｐ拡散領域を形成する際に、９００℃
以上の高温の熱処理を行うことが必要で、ウェハの表面
が熱変成し、０ＥＩＣ化に問題点があった。
されていたので、Ｐ拡散領域を形成する際に、９００℃
以上の高温の熱処理を行うことが必要で、ウェハの表面
が熱変成し、０ＥＩＣ化に問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、Ｐ拡散領域を比較的低い温度で形成し、ウェ
ハ表面の熱変成を防ぐ乙とのできる半導体レーザ装置の
製造方法を得ることを目的とする。
たもので、Ｐ拡散領域を比較的低い温度で形成し、ウェ
ハ表面の熱変成を防ぐ乙とのできる半導体レーザ装置の
製造方法を得ることを目的とする。
乙の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法はＰ＋拡散
領域の形成後、同領域の境界部分（ＰＮ接合）近傍に、
Ｐ＋拡散領域を形成したときよりも低い温度でＰ型不純
物の拡散を行うようにしｔこものである。
領域の形成後、同領域の境界部分（ＰＮ接合）近傍に、
Ｐ＋拡散領域を形成したときよりも低い温度でＰ型不純
物の拡散を行うようにしｔこものである。
この発明における半導体レーザ装置の製造方法はＰ拡散
領域の形成を比較的低い温度で行うことにより、ウェハ
表面の熱変成を防ぐことができ、０ＥＩＣ化が容易にな
る。
領域の形成を比較的低い温度で行うことにより、ウェハ
表面の熱変成を防ぐことができ、０ＥＩＣ化が容易にな
る。
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図（、）〜（ｅ）はこの発明の一実施例による半導
体レーザ装置の製造方法を示ず断面図であり、図におい
て（１）〜（７）、（９）〜（１１）は従来技術と同一
であり、説明は省略する。（８）ばＺｎＯ／５ｉ０２ス
パツタ膜である。
体レーザ装置の製造方法を示ず断面図であり、図におい
て（１）〜（７）、（９）〜（１１）は従来技術と同一
であり、説明は省略する。（８）ばＺｎＯ／５ｉ０２ス
パツタ膜である。
次に動作について説明する。固相拡散法を用いてＺｎを
６６０℃の拡散温度で基板内に選択拡散を行ないＰ＋拡
散領域（６）を形成する（第１図（ａ））。
６６０℃の拡散温度で基板内に選択拡散を行ないＰ＋拡
散領域（６）を形成する（第１図（ａ））。
次いで、ＳｉＮ膜（７）を堆積し、Ｐ４拡散領域（６）
境界部分でパターニングを行なう（第１図（ｂ））。次
にＺｎＯ／ＳｉＯ□膜（８）をスパッタによって形成す
る。次いで６６０℃以下の温度（例えば６３０℃）て熱
処理を行なうことにより、Ｚｎをピ拡散領域（６）より
も低い濃度で拡散することができ、Ｐ拡散領域（９）が
形成される（第１図（ｃ） ） 、 Ｓ ｉＮ＃ （７
１、ＺｎＯ／Ｓ ｉＯ＋膜（８）を除去した後の工程及
び動作については、上記従来のものと同様であるので説
明は省略する。
境界部分でパターニングを行なう（第１図（ｂ））。次
にＺｎＯ／ＳｉＯ□膜（８）をスパッタによって形成す
る。次いで６６０℃以下の温度（例えば６３０℃）て熱
処理を行なうことにより、Ｚｎをピ拡散領域（６）より
も低い濃度で拡散することができ、Ｐ拡散領域（９）が
形成される（第１図（ｃ） ） 、 Ｓ ｉＮ＃ （７
１、ＺｎＯ／Ｓ ｉＯ＋膜（８）を除去した後の工程及
び動作については、上記従来のものと同様であるので説
明は省略する。
なお、上記実施例ではν拡散領域およびＰ拡散領域の形
成にＺｎの固相拡散法を用いた場合を示したが、他の拡
散源または他の拡散方法、例えば、気相拡散法などを用
いても同様の効果が得られる。
成にＺｎの固相拡散法を用いた場合を示したが、他の拡
散源または他の拡散方法、例えば、気相拡散法などを用
いても同様の効果が得られる。
また、上記実施例ではＳｉＮ膜（７１のパターニングを
ト拡散領域に合わせて行なったが、Ｐ＋拡散領域上でパ
ターニングしてもよく、また他の構造のウェハ例えばＭ
ＱＷ （Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構
造のウェハにこの方法を利用しても上記実施例と同様の
効果を奏する。
ト拡散領域に合わせて行なったが、Ｐ＋拡散領域上でパ
ターニングしてもよく、また他の構造のウェハ例えばＭ
ＱＷ （Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構
造のウェハにこの方法を利用しても上記実施例と同様の
効果を奏する。
以上のように、この発明によればＰ拡散領域の形成をＰ
＋拡散領域の形成温度より低い温度で行なう製造方法と
したので、ウェハ表面が熱変成により荒れることなく、
０ＥＩＣ化が容易になる効果がある。
＋拡散領域の形成温度より低い温度で行なう製造方法と
したので、ウェハ表面が熱変成により荒れることなく、
０ＥＩＣ化が容易になる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、この発明の一実施例による半
導体レーザ装置の製造方法を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は、従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す
断面図である。 図におイテ、（１）はＳ、Ｉ ＧａＡｓ基板、（２）は
ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、（３）はｎ−Ｇａ人Ｓ活性層、（
４）はＰ−ＡｌＧａＡｓ層、（５）はｎＧａＡｓ層、（
６）はＰ＋拡散領域、（７）はＳｉＮ膜マスク、（８）
ばＺｎＯ／Ｓｉ（＋＋スハッタ膜、（ｇ） ＋ｘ Ｐ
ｍ散領域、００１１ｆ Ｐ電極、（１１）はｎ電極であ
る。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
導体レーザ装置の製造方法を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は、従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す
断面図である。 図におイテ、（１）はＳ、Ｉ ＧａＡｓ基板、（２）は
ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、（３）はｎ−Ｇａ人Ｓ活性層、（
４）はＰ−ＡｌＧａＡｓ層、（５）はｎＧａＡｓ層、（
６）はＰ＋拡散領域、（７）はＳｉＮ膜マスク、（８）
ばＺｎＯ／Ｓｉ（＋＋スハッタ膜、（ｇ） ＋ｘ Ｐ
ｍ散領域、００１１ｆ Ｐ電極、（１１）はｎ電極であ
る。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板の主面に対し、垂直方向に第一のＰ型不純物
の拡散によってＰＮ接続が形成されたレーザ装置におい
て、前期ＰＮ接合の近傍に、Ｐ領域を形成したときより
も、低い温度で第二のＰ型不純物の拡散を行うことによ
って、第一の拡散で形成されたＰ領域よりも低い濃度の
Ｐ領域を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22190588A JPH0269986A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22190588A JPH0269986A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269986A true JPH0269986A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16773997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22190588A Pending JPH0269986A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269986A (ja) |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22190588A patent/JPH0269986A/ja active Pending
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