JPH0273823U - - Google Patents

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JPH0273823U
JPH0273823U JP15269288U JP15269288U JPH0273823U JP H0273823 U JPH0273823 U JP H0273823U JP 15269288 U JP15269288 U JP 15269288U JP 15269288 U JP15269288 U JP 15269288U JP H0273823 U JPH0273823 U JP H0273823U
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effect transistor
drain electrode
electrode
grounded
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例の構成を示す接続
図、第2図はFETの簡略等価回路図、第3図は
従来のPINダイオードを用いた反射形定位相可
変減衰器の構成を示す接続図、第4図はPINダ
イオードの簡略等価回路である。 図において1は90度位相差ハイブリツト、2
は第1の電界効果トランジスタ、3は第2の電界
効果トランジスタ、4は第1のインダクタ、5は
第2のインダクタ、6はグランド、7は第1の抵
抗、8は第2の抵抗、9は第3の抵抗、10は第
N+1の抵抗、11は第3の電界効果トランジス
タ、12は第4の電界効果トランジスタ、13は
第N+3の電界効果トランジスタ、14はドレイ
ンソース間抵抗、15はドレインソース間容量、
16は第1のPINダイオード、17は第2のP
INダイオード、18は接触抵抗、19は接合抵
抗、20は接合容量である。なお、図中同一符号
は同一または相当部分を示すものとする。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 90度位相差ハイブリツトと、前記90度位相
    差ハイブリツトの出力2端子の1端子とドレイン
    電極が接続されソース電極が接地された第1の電
    界効果トランジスタと、上記90度位相差ハイブ
    リツトの他の出力端子とドレイン電極が接続され
    ソース電極が接地された第2の電界効果トランジ
    スタと、上記第1の電界効果トランジスタのドレ
    イン電極とソース電極間に接続された第1のイン
    ダクタと、上記第2の電界効果トランジスタのド
    レイン電極とソース電極間に接続された第2のイ
    ンダクタとからなる反射形定位相減衰器と、1端
    が上記第1及び第2の電界効果トランジスタのゲ
    ート電極に接続された第1の抵抗と、1端がそれ
    ぞれソース接地された電界効果トランジスタのド
    レイン電極と接続され、他の1端が上記第1及び
    第2の電界効果トランジスタのゲート電極に接続
    されたN個の抵抗群からなるデイジタルアナログ
    変換回路とを、該GaAs基板上に一体形成した
    ことを特徴とする定位相デイジタル可変減衰器。
JP15269288U 1988-11-24 1988-11-24 Pending JPH0273823U (ja)

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