JPH027454A - 電子部品実装構造 - Google Patents
電子部品実装構造Info
- Publication number
- JPH027454A JPH027454A JP63156766A JP15676688A JPH027454A JP H027454 A JPH027454 A JP H027454A JP 63156766 A JP63156766 A JP 63156766A JP 15676688 A JP15676688 A JP 15676688A JP H027454 A JPH027454 A JP H027454A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- electronic component
- alumina substrate
- substrate
- insulating plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子部品が実装された絶縁板を放熱板に半田付
けする電子部品実装構造に係り、特に内燃機関点火装置
に用いられるパワートランジスタチップを９両面に金属
被膜が形成された絶縁板を介して放熱板に半田付けする
に好適な電子部品実装構造に関する。
けする電子部品実装構造に係り、特に内燃機関点火装置
に用いられるパワートランジスタチップを９両面に金属
被膜が形成された絶縁板を介して放熱板に半田付けする
に好適な電子部品実装構造に関する。
例えば、内燃機関点火装置に用いられるパワートランジ
スタを、両面に金属被膜が形成された絶縁板を介して放
熱板に半田付けする実装構造としては、従来は特開昭５
５−１１８６４１号公報に記載された提案が公知である
。この提案は第７図に示すように、両面に金属被膜１，
２が形成された絶縁物であるアルミナ基板３の下面を放
熱板４上に半田５により接合し、アルミナ基板３の上面
の金属被膜１上に銀ろう６によりモリブデンシート７を
接合し、さらにこのモリブデンシート７上に半田８によ
りパワートランジスタチップ９を接合して構成されてい
る。そしてアルミナ基板３の両面に形成された金属被膜
１，２の周縁端部は、アルミナ基板３の外周端部より０
．３１１Ｉｍ乃至０．５ｍｎ１ｌｌＥれており、その間
には金属被膜を形成せず９両面の絶縁耐圧を充分にとる
ようにしている。また放熱板４の一端にはモールドケー
ス１０が接着剤１１により接合されている。
スタを、両面に金属被膜が形成された絶縁板を介して放
熱板に半田付けする実装構造としては、従来は特開昭５
５−１１８６４１号公報に記載された提案が公知である
。この提案は第７図に示すように、両面に金属被膜１，
２が形成された絶縁物であるアルミナ基板３の下面を放
熱板４上に半田５により接合し、アルミナ基板３の上面
の金属被膜１上に銀ろう６によりモリブデンシート７を
接合し、さらにこのモリブデンシート７上に半田８によ
りパワートランジスタチップ９を接合して構成されてい
る。そしてアルミナ基板３の両面に形成された金属被膜
１，２の周縁端部は、アルミナ基板３の外周端部より０
．３１１Ｉｍ乃至０．５ｍｎ１ｌｌＥれており、その間
には金属被膜を形成せず９両面の絶縁耐圧を充分にとる
ようにしている。また放熱板４の一端にはモールドケー
ス１０が接着剤１１により接合されている。
しかしながら上記従来技術によると、例えば放熱板４と
モールドケース１ｏとを接合する接着剤１１が、アルミ
ナ基板３の下面の金属被膜２が形成されていない周縁部
に侵入し、冷熱サイクルによりアルミナ基板３と放熱板
４とを接合している半田５の接合強度が低下するという
問題があった。
モールドケース１ｏとを接合する接着剤１１が、アルミ
ナ基板３の下面の金属被膜２が形成されていない周縁部
に侵入し、冷熱サイクルによりアルミナ基板３と放熱板
４とを接合している半田５の接合強度が低下するという
問題があった。
この問題は放熱板４上に前記アルミナ基板３に近接して
ハイブリッドＩＣ基板などの電子部品を接着した場合に
も発生する。
ハイブリッドＩＣ基板などの電子部品を接着した場合に
も発生する。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ｗＡＩ
Ｉ板と放熱板との間への接着剤の侵入を防止し、放熱サ
イクルによる半田の接合強度の劣化を防止することので
きる電子部品実装構造を提供することを目的とする。
Ｉ板と放熱板との間への接着剤の侵入を防止し、放熱サ
イクルによる半田の接合強度の劣化を防止することので
きる電子部品実装構造を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために１両面に金属被膜が
形成された絶縁板の一方の面が放熱板に半田付けされ、
他方の面に電子部品が実装されてなる電子部品実装構造
において、前記Ｍｅ板の前記放熱板に接合される側の前
記金属被膜を、前記絶縁板の端部まで延設するとともに
、前記絶縁板の前記電子部品が実装された側の金属被膜
の端部を、前記絶縁板の端部から離して形成したもので
ある。
形成された絶縁板の一方の面が放熱板に半田付けされ、
他方の面に電子部品が実装されてなる電子部品実装構造
において、前記Ｍｅ板の前記放熱板に接合される側の前
記金属被膜を、前記絶縁板の端部まで延設するとともに
、前記絶縁板の前記電子部品が実装された側の金属被膜
の端部を、前記絶縁板の端部から離して形成したもので
ある。
上記の祷成によると、！１！縁版下面に金属被膜が端部
まで形成されているので、放熱板との半田接合時に半田
フィレットが絶縁板の端部まで形成される。また絶縁板
上面に形成された金属被膜の端部は、絶縁板の端部から
内側に離れて形成されているので、上下面の金属被膜間
の絶縁耐圧を確保することができる。
まで形成されているので、放熱板との半田接合時に半田
フィレットが絶縁板の端部まで形成される。また絶縁板
上面に形成された金属被膜の端部は、絶縁板の端部から
内側に離れて形成されているので、上下面の金属被膜間
の絶縁耐圧を確保することができる。
以下、本発明に係る電子部品実装構造の一実施例を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第１図乃至第４図に本発明の一実施例を示す。
図において、第７図に示す従来例と同一または同等部分
には同一符号を付して示し、説明を省略する。第１図は
放熱板４上にアルミナ基板３及びモリブデンシート７を
介してパワートランジスタチップ９を実装するとともに
、このパワートランジスタチップ９を駆動する回路であ
るハイブリッドＩＣ基板１２を、接着剤１１によって放
熱板４上に接合した場合を示す。またこの放熱板４の外
周にはモールドケース１０が接着剤１１により接合され
ており、このモールドケース１０には外部端子１３が一
体に装着されている。そしてハイブリッドＩＣ基板１２
はそれぞれリード線１４．１５を介して前記パワートラ
ンジスタチップ９及び外部端子１３に接続されている。
には同一符号を付して示し、説明を省略する。第１図は
放熱板４上にアルミナ基板３及びモリブデンシート７を
介してパワートランジスタチップ９を実装するとともに
、このパワートランジスタチップ９を駆動する回路であ
るハイブリッドＩＣ基板１２を、接着剤１１によって放
熱板４上に接合した場合を示す。またこの放熱板４の外
周にはモールドケース１０が接着剤１１により接合され
ており、このモールドケース１０には外部端子１３が一
体に装着されている。そしてハイブリッドＩＣ基板１２
はそれぞれリード線１４．１５を介して前記パワートラ
ンジスタチップ９及び外部端子１３に接続されている。
第２図にパワートランジスタチップ９の接合部の断面を
示す。
示す。
本実施例の特徴は、アルミナ基板３の下面に形成された
金属被膜２を、第４図に斜線で示すようにアルミナ基板
３の端部まで全面に形成し、アルミナ基板３の上面に形
成された金属被膜１を、第３図に斜線で示すようにアル
ミナ基板３の端部から所定の距離だけ離して形成した点
にある。すなわちアルミナ基板３の上面の非斜線部分が
金属被覆されておらず、上下面間の絶縁耐圧を確保して
いる。
金属被膜２を、第４図に斜線で示すようにアルミナ基板
３の端部まで全面に形成し、アルミナ基板３の上面に形
成された金属被膜１を、第３図に斜線で示すようにアル
ミナ基板３の端部から所定の距離だけ離して形成した点
にある。すなわちアルミナ基板３の上面の非斜線部分が
金属被覆されておらず、上下面間の絶縁耐圧を確保して
いる。
第５図に放熱板４とパワートランジスタチップ９との間
の一４０℃乃至１３０℃の発熱、冷却のくりかえしによ
る冷熱サイクル試験を行なったときの、半田５の劣化状
況を示す。このグラフから判るように、１００サイクル
の冷熱を行なったとき、従来例の場合はアルミナ基板３
と放熱板４との間の界面に接着剤１１が侵入するため、
半田５に発生するクラック率が上昇し、パワートランジ
スタチップ９の寿命に影響する。一方、本実施例によれ
ば、前記界面に接着剤１１が侵入することがないので、
１００サイクルの冷熱のくりかえしを行なった後も、半
田５のクラック率が上昇することはない。
の一４０℃乃至１３０℃の発熱、冷却のくりかえしによ
る冷熱サイクル試験を行なったときの、半田５の劣化状
況を示す。このグラフから判るように、１００サイクル
の冷熱を行なったとき、従来例の場合はアルミナ基板３
と放熱板４との間の界面に接着剤１１が侵入するため、
半田５に発生するクラック率が上昇し、パワートランジ
スタチップ９の寿命に影響する。一方、本実施例によれ
ば、前記界面に接着剤１１が侵入することがないので、
１００サイクルの冷熱のくりかえしを行なった後も、半
田５のクラック率が上昇することはない。
本実施例によれば、放熱板４とアルミナ基板３とを接合
している半田５がアルミナ基板３の端部まで被覆してい
るので、半田５がアルミナ基板３と放熱板４との間に侵
入することはない。またパワートランジスタチップ９と
放熱板４との間の絶縁抵抗は、アルミナ基板３の上面の
端部から金属被膜１の端部までの距離を長くすることに
よって、十分に樽ることができる。この結果パワートラ
ンジスタチップ９を装着した装置の寿命を伸ばすことが
できる。
している半田５がアルミナ基板３の端部まで被覆してい
るので、半田５がアルミナ基板３と放熱板４との間に侵
入することはない。またパワートランジスタチップ９と
放熱板４との間の絶縁抵抗は、アルミナ基板３の上面の
端部から金属被膜１の端部までの距離を長くすることに
よって、十分に樽ることができる。この結果パワートラ
ンジスタチップ９を装着した装置の寿命を伸ばすことが
できる。
上記実施例ではアルミナ基板３の下面の全面に金属被膜
２を形成した場合について説明したが。
２を形成した場合について説明したが。
第６図に示すように例えば十字状のアルミナ基板３を形
成してもよい。この場合は半田接合時に発生するボイド
を抑えて、半田接合強度の低下を防止することができる
。また上記実施例では電子部品がパワートランジスタチ
ップ９であり、絶縁板がアルミナ基板３である場合につ
いて説明したが、これらの電子部品及び絶縁板はそれぞ
れパワートランジスタチップ９及びアルミナ基板３に限
定されるものではない。
成してもよい。この場合は半田接合時に発生するボイド
を抑えて、半田接合強度の低下を防止することができる
。また上記実施例では電子部品がパワートランジスタチ
ップ９であり、絶縁板がアルミナ基板３である場合につ
いて説明したが、これらの電子部品及び絶縁板はそれぞ
れパワートランジスタチップ９及びアルミナ基板３に限
定されるものではない。
上述したように本発明によれば、絶縁板が放熱板に接合
される側に形成された金属被膜を、この絶縁板の端部ま
で延設し、絶縁板の電子部品が実装される側に形成され
た金属被膜の端部から絶縁板上面の端部までの距離を長
くしたので、放熱板と絶縁板との間に接着剤が侵入する
ことを防止し、絶縁板を放熱板に接合する半田の劣化を
防止することができる。同時に電子部品と放熱板との間
の絶縁効果も十分に得ることができる。この結果、電子
部品を実装した装置の寿命を伸ばすことができる。
される側に形成された金属被膜を、この絶縁板の端部ま
で延設し、絶縁板の電子部品が実装される側に形成され
た金属被膜の端部から絶縁板上面の端部までの距離を長
くしたので、放熱板と絶縁板との間に接着剤が侵入する
ことを防止し、絶縁板を放熱板に接合する半田の劣化を
防止することができる。同時に電子部品と放熱板との間
の絶縁効果も十分に得ることができる。この結果、電子
部品を実装した装置の寿命を伸ばすことができる。
第１図は本発明に係る電子部品実装構造の一実施例を示
す側面図、第２図は第１図の電子部品実装部を示す縦断
面図、第３図は第１図のアルミナ基板のモリブデンシー
ト側を示す平面図、第４図は同じく放熱板側を示す平面
図、第５図は冷熱サイクル数と半田クラック率との関係
を示すグラフ、第６図は本発明の他の実施例によるアル
ミナ基板の放熱板側を示す平面図、第７図は従来の電子
部品実装構造を示す縦断面図である。 １．２・・・金属被膜、３・・・アルミナ基板（絶縁板
）。 ４・・・放熱板、５，８・・・半田、９・・・パワート
ランジスタチップ（電子部品）。 嶌２日 第３図 第４図 第５図 杢６図 ３ ヱルミナ１肱η支百ｂ
す側面図、第２図は第１図の電子部品実装部を示す縦断
面図、第３図は第１図のアルミナ基板のモリブデンシー
ト側を示す平面図、第４図は同じく放熱板側を示す平面
図、第５図は冷熱サイクル数と半田クラック率との関係
を示すグラフ、第６図は本発明の他の実施例によるアル
ミナ基板の放熱板側を示す平面図、第７図は従来の電子
部品実装構造を示す縦断面図である。 １．２・・・金属被膜、３・・・アルミナ基板（絶縁板
）。 ４・・・放熱板、５，８・・・半田、９・・・パワート
ランジスタチップ（電子部品）。 嶌２日 第３図 第４図 第５図 杢６図 ３ ヱルミナ１肱η支百ｂ
Claims (1)
- １、両面に金属被膜が形成された絶縁板の一方の面が放
熱板に半田付けされ、他方の面に電子部品が実装されて
なる電子部品実装構造において、前記絶縁板の前記放熱
板に接合される側の前記金属被膜を、前記絶縁板の端部
まで延設するとともに、前記絶縁板の前記電子部品が実
装された側の金属被膜の両部を、前記絶縁板の端部から
離して形成したことを特徴とする電子部品実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156766A JPH027454A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 電子部品実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156766A JPH027454A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 電子部品実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027454A true JPH027454A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15634846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156766A Pending JPH027454A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 電子部品実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027454A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0846080A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Nippondenso Co Ltd | 混成集積回路装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63156766A patent/JPH027454A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0846080A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Nippondenso Co Ltd | 混成集積回路装置及びその製造方法 |
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