JPH0276839A - フエニレンジカルボン酸エステル化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 〔従来の技術〕 結晶性ポリエステルの弾性率向上及び液晶性ポリエステ
ルの流動性向上の高分子可塑剤として下記液晶性化合物
が知られている（特公昭６２−７９４９号公報、ＵＳＰ
　４６５０８３６号公報）。

しかしながらこの液晶性化合物とて上記目的を達成する
には必ずしも十分ではなく、より一１１の弾性率及び流
動性の向上の期待できる液晶性化合物が望まれている。

〔発明が解決しようとする課ｊ部〕

従って本発明はポリエステルの弾性率及び流動性を向上
することができる剛直分子構造でしかも液晶性の優れた
化合物を得ることを課題とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果本
発明に到達した。すなわち本発明は（１）　　一般式中 を示し、Ｒは炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル
基を示し、ｎは２または３を示す。）で表わされるフェ
ニレンジカルボン酸エステＴ　ｇ　ｔ＜　４　（１）　
ｔａｇ’　ａ）　　フェニレンジカルボン酸エステル化
合物。

（３）　　（１）　項記ｆｔ１ｆのフェニレンジカルボ
ン酸エステル化合物のうち液晶性を示す化合物である。

本発明のフェニレンジカルボン酸エステル化合物は、一
般式（１）で表わされ、 フェニレンジカルボン酸ユニットを中心とした対称構造
を有している。式中のＸは今 である。

ｎ　＝　ｌの場合には本発明の液晶性化合物よりも液晶
を形成する温度領域が狭く本発明の目的を達成するのに
不十分である。

またＲは炭素数１〜８のアルキル基であり、好ましい態
様としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基
、ペンチル基、ヘキシル基、ヘゲチル基、オクチル基、
■−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｌ−メチル
ペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチ
ル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、
３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、ｌ−メ
チルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘ
プチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル
基など挙げることができる。

分岐したアルキル基で光学異性体が存在する場合には、
ラセミ体と共に光学活性体も好ましく使用可能である。

本発明の液晶性化合物は構造成分として、アゾメチン基
、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など水分や光に対し
て不安定な官能基を持たず安定なエステル基構造のみか
ら成り立っているので、非常に優れた耐候性を有する。

また、かかる化合物は他の液晶性化合物との相互溶解性
に優れているため、液晶組成物の１成分として用いれば
、液晶温度範囲の拡張や、特性向上にも効果的である。

本発明の一般式（１）のフェニレンジカルボン酸エステ
ル化合物は例えば以下に述べる反応式に従って合成する
ことができる。

ＨＯ−Ｘ−Ｃ（ＪＯＨ（Ｖ）＋　ＲＯＨ＠　−ＨＯ−Ｘ
−ＣＯＯＲ（ｖＭ）（ト）＋２（ＹＩ［）　−（１） 即チ市販のビフェニル又はｐ−ターフェニル（ＩＩ）を
二硫化炭素溶媒中で所定量のシュウ涜クロリドと無水塩
化アルミニウムにより水冷下でＦｒ１ｅｄｅｌ　−Ｃｒ
ａｆＬｓ　　反応によりフェニルカルボン酸（２）が得
られる。これを大過剰量の塩化チオニル中数時間還流し
この後塩化チオニルを留去することにより対応の酸クロ
リド■が生成できる。

一方、ｒ−ヒドロキシ安息香酸又は４−ヒドロキシビフ
ェニルカルボン酸（Ｖ）と過剰のアルキルアルコール■
とを硫酸触媒のもとて常法によ’ｌ対応のヒドロキシフ
ェニルカルボン酸エステル（’Ｖｊｌ）が生成できる。

そして■と（■）をピリジン又はトリエチルアミン存在
下適当な溶媒中で反応させることによって容易に（１）
を得ることができる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ ４．４′−ジフェニルジカルボン酸２４．２１Ｃ０，１
モル）を塩化チオニル２００ｍ１とＮ、Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド２　ｄに加えて、１１時間加熱還流した後、
未反応の塩化チオニルとＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
を減圧留去した。得られた１ｉｆｔｓの酸塩化物をモノ
クロルベンゼン４００　ａｔ　トベンゼン１００＊／の
混合溶媒に加え溶解した後、と−ヒドロキシ安息香酸エ
チルエステル３４．９ｆ（０，２１モル）とトリエチル
アミン２００ｍ１の溶液に加えて、６時間加熱還流した
。反応混合物から液状物を減圧留去し、得られた固形物
を水、エタノール、ベンゼンの順で洗浄し、トルエン溶
媒により再結晶精製することにより下記化合物を得た。

この化合物の収量は４７．１１で収率８７％であった。

赤外吸収スペクトルを第１図に示す。

また、Ｉ）（ＮＭＲスペクトル（ＣＦ、　Ｃ０ＯＨ％Ｔ
ＭＳ内部標準）のδ−は下記の通りであった。

７〜９　　　（１６Ｈ，ベンゼン環） ４．０９　　　　（４Ｈ，０−咀一〇Ｈ，）０．７〜２
．、ｌ　　　（６Ｈ，−ＯＨ５）この化合物の元素分析
の結果は下記の通りであり、理論値とよく一致していた
。

理論値　（Ｃｓｚｌｔ（ｔ・０口として）：　Ｃ７１３
１％、Ｈ４，８７％分析値：　Ｃ７１３％、Ｈ４，９％ また、この化合物は、偏光顕微鏡観察の結果下記の液晶
相転移を示した。

１４６°　　　　　　　　２３５゜ 冥むユ例２ ターフェニル−４，４′−ジカルボンｆ１１５ｆ／（１
６ミリモル）を塩化チオニル１００ｍ１とＮ、　Ｎ　−
ジメチルホルムアミドｌ譚ｌに加えて７時間加熱還流し
た後、未反応の塩化チオニルとＮ、Ｎ−ジメチルホルム
アミドを減圧留去した。得られた酸塩化物をＮ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド２５０ｄに加え溶解した後、？−ヒ
ドロ午シ安息香酸エチルエステル７．８ｐ（４７ミリモ
ル）、！−）ＩＪエチルアミン２５　ｄの溶液に加え９
０℃３時間加熱攪拌した。反応混合物から液状物を減圧
留去し、得られた固形物を水、エタノール、ベンゼンの
順で洗浄し、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドにより再結
晶精製し、下記構造の化合物を得た。

→　　Ｃ００Ｃ，Ｈ。

この化合物の収量は２ｈ４１で収率２６％であった。赤
外吸収スペクトルを第２図に示す。

この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり理論値
とよく一致した。

理論値”　　（ＣｓｓＨｇＯ自として）Ｃ７４，２６％
、ｆ（４，９２５％分析値：Ｃ７４，４％、Ｈ４，９％ またこの化合物は偏光顕微鏡観察の結果下記の液晶相転
移を示した。

比較例 実施例１の４．４′−ジフェニルジカルボン酸に代えて
テレフタル酸を用いた以外は実施例１と同様の操作で合
成した下記化合物 の偏光顕微鏡観察における液晶相転移温度は次のとおり
であり、液晶形成範囲が本発明の化合器よりも狭いこと
がわかった。

１７１’　　　　　　　　２３４゜ 〔発明の効果〕 本発明の化合器は剛直構造でしかも優れた液晶安定性を
有しているのでポリエステルの可塑剤として用いること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１で得た４、４′−ジフェニルジカルボ
ン酸のエステル化合物の赤外吸収スペクトルの図であり
、第２図は実施例２で得なターフェニルジカルボン酸の
エステル化合物の赤外吸収スペクトルの図である。 特許出願人　工　業　技　術　院　長

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（ I
   ） （式中Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼ を示し、Ｒは炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル
   基を示し、ｎは２または３を示す。）で表わされるフェ
   ニレンジカルボン酸エステル化合物。
2. （２）一般式中においてＲが炭素数１〜３の直鎖アルキ
   ル基を示し、ｎが２または３を示す請求項（１）記載の
   フェニレンジカルボン酸エステル化合物。
3. （３）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（ I
   ） （式中Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼ を示し、Ｒは炭素数１〜８の直鎖または分岐のアルキル
   基を示し、ｎは２または３を示す。）で表わされる液晶
   性フエニレンジカルボン酸エステル化合物。