JPS5933565B2 - 1−シクロヘキシル−2−シクロヘキシルビフエニルエタン誘導体 - Google Patents

1−シクロヘキシル−2−シクロヘキシルビフエニルエタン誘導体

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JPS5933565B2
JPS5933565B2 JP10624681A JP10624681A JPS5933565B2 JP S5933565 B2 JPS5933565 B2 JP S5933565B2 JP 10624681 A JP10624681 A JP 10624681A JP 10624681 A JP10624681 A JP 10624681A JP S5933565 B2 JPS5933565 B2 JP S5933565B2
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JP
Japan
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compound
liquid crystal
formula
viscosity
monosubstituted
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JP10624681A
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JPS588022A (ja
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晴義 高津
久人 佐藤
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DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気光学的表示材料として有用なエタンネR□
CH2CH2(〔式中、R4及びR2は夫々炭素数1〜
7の直鎖状アルキル基を表わす。
〕で表わされる1−(トランス(エカトリアルーエカト
リアル)−4’−n−アルキルシクロヘキシル)−2−
4″一(トランス(エカトリアルーエカトリアル)−4
″′−n−アルキルシクロヘキシルビフェニル)エタン
である。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャツト(M−S
ehadt)等〔APPL1EDPHY51C5LET
TER518127〜128(1971)〕によつて提
案された電界効果型セル(フィールド・エフェクト・モ
ード・セル)又はジー・エイチ・ハイルマイャー(G−
HHeilmeier)等〔PROCEEDINGOF
THEI、E、E、E。
誘導体の新規ネマチツク液晶化合物に関する。本発明に
よつて提供される新規ネマチツク液晶は一般式5611
62〜1171(1968)〕によつて提案された動的
光散型セル(ダイミツク・スキャツタリング・モード・
セル)又はジー・エイチ・ハイルマイヤー(G−HHe
ilmeier)等〔APPLIEDPHYSICSL
ETTERS13、91(1968)〕あるいはデイー
・エル・ホワjイト(DLWhite)等〔JOURN
ALOFAPPLIEDPHYSICS口、4718(
1974)〕によつて提案されたゲスト・ホスト型セル
などがある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ツク相を有することは各種表示セルに共通して要求され
ている重要な特性である。
このような特性を有する実用可能な材料の多くは、通常
、室温付近にネマチツク相を有する化合物と室温より高
い温度領域にネマツク相を有する化合物から成る数種又
はそれ以上の成分を混合することによつて調製される。
現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多くは、
少なくとも−30℃〜+65℃の全温度範囲に亘つてネ
マチツク相を有することが要求されている。かかる要求
を満すために、室温より高い温度領域にネマチツク相を
有する化合物として、4・4′一置換ターフエニル、4
・47一置換ビフエニルシクロヘキサン、4・4/一置
換ベンゾイルオキシ安息香酸フエニルエステルの如き、
約100′Cの結晶相−ネマチツク相転移温度(C−N
点)を有すると共に約200℃のネマチツク相一等方性
液体相転移温度(N−1点)を有する化合物が使用され
る場合が多い。しかしながら、これらの化合物は、得ら
れる混合液晶の粘度を上昇せしめ、このことによつて応
答速度を低下せしめる好ましからざる性質を有している
。本発明に係る式(1)の化合物は、この性質が改良さ
れた新規な化合物である。
即ち、他の1種又は2種以上のネマチツク液晶化合物と
混合することによつて65℃以上のN−1点を有する実
用可能な混合液晶を調製する際、前記公知の液晶化合物
に比べて混合液晶の粘度上昇を遥かに小幅に抑えること
ができる。本発明に係る式(1)の化合物は例えば次の
製造方法に従つて製造することができる。
第1段階一式()の化合物に二硫化炭素あるいはニトロ
ベンゼン中で式()の化合物と無水塩化アルミニウムを
反応させて式()の化合物を製造する。
第2段階一第1段階で製造された式()の化合物にジエ
チレングリコールあるいはトリエチレングリコール中で
ヒドラジンと水酸化カリウムを反応させて式(I)の化
合物を製造する。
斯くして製造させた式(I)の化合物の転移温度を第1
表に掲げる。本発明に係る式(1)の化合物は弱い負の
誘電率異方性を有するネマチツク液晶化合物であり、従
つて例えば、負又は弱い正の誘電率異方性を有する他の
ネマチツク液晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型
表示セルの材料として使用することができ、また強い正
の誘電率異方性を有する他のネマチツク液晶化合物との
混合物の状態で電界効果型表示セルの材料として使用す
ることができる。
このように、式(1)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4・4′一置
換安息香酸フエニルエステル、4・4′一置換シクロヘ
キサンカルボン酸フエニルエステル、4・41一置換シ
クロヘキサンカルボン酸ビフエニルエステル、4(4一
置換シクロヘキサンカルボニルオキシ)安息香酸4′一
置換フエニルエステル4(4一置換シクロヘキシル)安
息香酸4/イ★一置換フエニルエステル、4(4一置換
シクロヘキシル)安息香酸4′一置換シクロヘキシルエ
ステ5ル、4・4′−ビフエニル、4・4/−フエニル
シクロヘキサン、4・4′一置換ターフエニル、4・4
1ビフエニルシクロヘキサン、2(41−置換フエニル
)5−置換ピリミジンなどを挙げることができる。
第2表は時分割1駆動特性の優れたネマチツク液晶材
料として現在汎用されている母体液晶(A)の90重量
%と第1表に示した式(1)の化合物遡1、盃2、黒3
、黒4、黒5、黒6、黒7、黒.8の各々の10重量%
とから成る各混合液晶について測定されたN−1点と粘
度を掲示し、比較のために母体液晶(A)自体について
測定されたNI点と粘度を掲示したものである。
尚、母体液晶は、及び から成るものである。
第2表に掲示したデータから、式(1)の化合物は、混
合液晶の粘度をほとんど上昇させずに混合液晶のN−1
点を上昇せしめることが理解できよう。
第2表の約22センチポイズ/20℃なる粘度値は、現
在の平均的実用水準にある65℃以上のN−1点をもつ
各種の混合液晶の粘度値と比較してかなり低い値である
。このように低い粘度の混合液晶が得られるところに式
(1)の化合物の実用上の高い価値がある。本発明の効
果は、下記の比較実験によつても明らかにされる。
化学構造が本発明に係る式()の化合物に類似しており
、且つ混合液晶のN−1点を高める目的で広く使用され
ている式の公知化合物を前記の母体液晶(A)に種々の
割合で混合した。
同様に本発明に係る化合物の1つ、即ち式の化合物を母
体液晶(A)に種々の割合で混合した。
斯くして得られた2種類の混合液晶について、夫々のN
−1点と粘度を測定した。これらの測定結果に基いて、
添付図面の第1図にN−1点と添加量の関係を、第2図
に粘度と添加量の関係を、第3図には粘度とN−1点の
関係を示した。これらの結果、特に第3図に示す結果か
ら、代表的な公知の類似化合物を添加した場合、得られ
る混合液晶のN−1点の上昇に伴いその粘度が大幅に上
昇するのに対して、本発明に係る式(1)の化合物を添
加した場合、得られる混合液晶のN−I点の上昇に伴う
粘度の上昇が遥かに小さいことが理解できるであろう。
次に本発明を実施例をもつて具体的に説明する。
二硫化炭素100m1中に無水塩化アルミニウム16
.07(0.120m01)を加え室温で撹拌しながら
トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル酢酸クロラ
イド20.37(0.100m01)を滴下した。
これをO℃に冷却し、攪拌しながらトランス−4−n−
ペンチル一1−ビフエニルシクロヘキサン30.67(
0.100m01)を二硫化炭素50m1に溶解させた
溶液を滴下し、0℃で5時間反応させた後室温にもどし
て2時間反応させた。反応後、二硫化炭素を留去した後
、これを氷水中に加え60℃で1時間攪拌した。冷却後
エーテルで抽出し、水洗、乾燥し、エーテル留去後n−
ヘキサン−エタノールで再結晶精製し、下記化合物37
.37(0.0791m01)を得た。この化合物にト
リエチレングリコール100m11ヒドラジンハイドラ
イド6.337(0.126m01)、水酸化カリウム
13.1f7(0.234m01)を加え、攪拌しなが
ら温度を除々に上げ、180℃で3時間反応させた。冷
却後、水200m1を加えn−ヘキサンで抽出した。水
で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後n−ヘキサ
ンを留去し、n−ヘキサン−エタノールで再結晶精製し
、下記化合物26.4y(0.0576m01)を得た
。収率57.6%転移温度163℃(C−+S)209
℃(S=N)246℃(N=I) 実施例 2 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率52。4%転移温度133℃(C−+S)196℃
(S=N)228℃(N:I) 実施例 3 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率55,7%転移温度172℃(C→S)201℃(
S二N)258℃(N=I) 夫施例 4 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率51.9%転移温度137℃(C→S)198℃(
S=N)23「C(N=I) 実施例 5 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率54.0%転移温度125℃(C→S)192℃(
S=N)237℃(N=I) 実施例 6 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率53.6%転移温度145℃(C→S)199℃(
S=N)249℃(N=I) 実施例 7 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率57.2%転移温度17『C(C−>S)212℃
(S+:2N)261℃(N#I) 実施例 8 実施例1と同様の要領で下記化合物を得た。
収率 56.6% 転移温度 127℃(C−+S)2
15℃(S=N)262℃(N=I)
【図面の簡単な説明】
図面は本発明に係る化合物の1つである應5の化合物と
類似の化学構造を有する公知の化合物である黒9の化合
物を夫々現在汎用されている母体液晶(A)に種々の割
合で添加した場合に起る混合液晶の物性変化を示すもの
であり、第1図はN点と添加量、第2図は粘度と添加量
、第3図は粘度とN−1点との関係を示している。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1及びR_2は夫々炭素数1〜7の直鎖状
    アルキル基を表わす。 〕で表わされる化合物。
JP10624681A 1981-07-09 1981-07-09 1−シクロヘキシル−2−シクロヘキシルビフエニルエタン誘導体 Expired JPS5933565B2 (ja)

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