JPH0279213A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0279213A JPH0279213A JP63233034A JP23303488A JPH0279213A JP H0279213 A JPH0279213 A JP H0279213A JP 63233034 A JP63233034 A JP 63233034A JP 23303488 A JP23303488 A JP 23303488A JP H0279213 A JPH0279213 A JP H0279213A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal thin
- ferromagnetic metal
- film
- incident angle
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
記録密度向上の要請に応えて、磁気記録層は、塗布膜か
ら強磁性金属薄膜へ移行する必要があり、特に垂直磁化
膜は短波長での損失が小さく、Ｃ。
ら強磁性金属薄膜へ移行する必要があり、特に垂直磁化
膜は短波長での損失が小さく、Ｃ。
−Ｃｒ 膜を中心に研究が盛んである〔アイイーイー
イートランザクションズ オン マグネティクス（ＩＥ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩ
Ｃ！５）Ｖｏｌ、ＭＡＧ−２３，Ｎｏ、 ５ 、 Ｐ、
Ｐ、 ２４４９ ′Ｐ、Ｐ。
イートランザクションズ オン マグネティクス（ＩＥ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩ
Ｃ！５）Ｖｏｌ、ＭＡＧ−２３，Ｎｏ、 ５ 、 Ｐ、
Ｐ、 ２４４９ ′Ｐ、Ｐ。
２４５４（１９８７））が、短波長記録を行うには、ヘ
ッド、媒体の直接摺動は避けがたく、摩擦、摩耗等に関
する改善課題が多く、実用に供し得るに至っていない。
ッド、媒体の直接摺動は避けがたく、摩擦、摩耗等に関
する改善課題が多く、実用に供し得るに至っていない。
一方Ｇｏ−Ｎｉの連続入射角変化蒸着法（以下ＣＶＩ法
と呼ぶ）は、酸素雰囲気で行うことにより、最高の記録
密度を達成できる磁気記録媒体を提供できる最短の位置
にある〔アイイーイーイー トランザクション オン
マグネティクス（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
ＯＮＭＡＧＮＥＴＩＣ３）Ｖｏｌ、ＭＡＧ−２０，Ｐ
、Ｐ、 ８２４〜Ｂ２６ （１９８４） 〕。
と呼ぶ）は、酸素雰囲気で行うことにより、最高の記録
密度を達成できる磁気記録媒体を提供できる最短の位置
にある〔アイイーイーイー トランザクション オン
マグネティクス（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
ＯＮＭＡＧＮＥＴＩＣ３）Ｖｏｌ、ＭＡＧ−２０，Ｐ
、Ｐ、 ８２４〜Ｂ２６ （１９８４） 〕。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、ＣＶＩ法で形成したＣｏ−Ｎｉ−０膜は
、ディジタル記録に於て、エラー率が不安定なことで記
録密度をあまり高くできないといった課題があり、改善
が望まれていた。
、ディジタル記録に於て、エラー率が不安定なことで記
録密度をあまり高くできないといった課題があり、改善
が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、ディジタ
ル記録での高密度記録に適した低エラー率の磁気記録媒
体を提供するものである。
ル記録での高密度記録に適した低エラー率の磁気記録媒
体を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明の磁気記録媒体は上記した課題を解決するため、
微粒子を配した高分子クイｌレム上に連続入射角変化蒸
着法により形成した強磁性金属薄膜が１５０人から５０
０Åまでの膜厚単位の多層体で構成したものである。
微粒子を配した高分子クイｌレム上に連続入射角変化蒸
着法により形成した強磁性金属薄膜が１５０人から５０
０Åまでの膜厚単位の多層体で構成したものである。
作 用
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により、微粒子を
配した高分子フィルム上にＣＶＩ法で形成した強磁性金
属薄膜を構成する柱状粒子が磁気ヘッドの形成する磁界
で磁化される際、位相差が殆んど無視できるようになり
、いわゆるピークシフトも微小量となることでディジタ
ル記録でのエラー率を改善できることになる。
配した高分子フィルム上にＣＶＩ法で形成した強磁性金
属薄膜を構成する柱状粒子が磁気ヘッドの形成する磁界
で磁化される際、位相差が殆んど無視できるようになり
、いわゆるピークシフトも微小量となることでディジタ
ル記録でのエラー率を改善できることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら、本発明の一実施例について
説明する。図は本発明の磁気記録媒体の一実施例の拡大
断面図である。
説明する。図は本発明の磁気記録媒体の一実施例の拡大
断面図である。
図で１はポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレン
サルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミ
ド、ポリイミド等の高分子フィルムで、２はＡＮ２０３
．ＣｕＴｉ０ａ、Ｃｒ２Ｏ３，ＨｆＯ２゜Ｉ！１２０３
．Ｆｅ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＮｉＯ，Ｎｂ２Ｏ６，ＳｉＯ２
゜Ｓ ｒ Ｔ ｉＯ３，ＷＯ３，Ｖ２ Ｏ５、Ｚ ｎ
Ｏ、Ｎ ｂ Ｎ 、 Ｚ ｒ Ｎ 、 Ａ ６ Ｎ ＋
Ｔ ａ Ｓ Ｌ ３ 、 Ｚ ｒ Ｃ、Ｃｒ ３ Ｃ２
、Ｍ ｏ Ｂ ２等の微粒子層で、３．４．６は強磁性
金属薄膜で、１層の膜厚は１６０人から５００人で構成
するのが好ましい。
サルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミ
ド、ポリイミド等の高分子フィルムで、２はＡＮ２０３
．ＣｕＴｉ０ａ、Ｃｒ２Ｏ３，ＨｆＯ２゜Ｉ！１２０３
．Ｆｅ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＮｉＯ，Ｎｂ２Ｏ６，ＳｉＯ２
゜Ｓ ｒ Ｔ ｉＯ３，ＷＯ３，Ｖ２ Ｏ５、Ｚ ｎ
Ｏ、Ｎ ｂ Ｎ 、 Ｚ ｒ Ｎ 、 Ａ ６ Ｎ ＋
Ｔ ａ Ｓ Ｌ ３ 、 Ｚ ｒ Ｃ、Ｃｒ ３ Ｃ２
、Ｍ ｏ Ｂ ２等の微粒子層で、３．４．６は強磁性
金属薄膜で、１層の膜厚は１６０人から５００人で構成
するのが好ましい。
３．４．５は直径３ｏｃＩｌから１，６ｍの範囲の円筒
キャンに沿わせ、Ｃｏ 、Ｃｏ−Ｎｉ 、Ｃｏ−Ｃｒ
、Ｃｏ−Ｔｉ 。
キャンに沿わせ、Ｃｏ 、Ｃｏ−Ｎｉ 、Ｃｏ−Ｃｒ
、Ｃｏ−Ｔｉ 。
Ｃｏ −Ｗ、 Ｃｏ−Ｚｒ 、 Ｃｏ−３ｎ 、 Ｃｏ
−３ｉ 、 Ｃｏ −Ｍｏ 。
−３ｉ 、 Ｃｏ −Ｍｏ 。
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等を斜め蒸着して得られるもので、必
要に応じて酸素を導入する等して部分的酸化を行ったも
のも含まれる。６は保護潤滑層で、プラズマ重合膜、ダ
イヤモンド薄膜、脂肪酸、パーフルオロポリエーテル等
を適宜組合わせ５ｏ八から２００人の範囲で構成するの
が好ましい。
要に応じて酸素を導入する等して部分的酸化を行ったも
のも含まれる。６は保護潤滑層で、プラズマ重合膜、ダ
イヤモンド薄膜、脂肪酸、パーフルオロポリエーテル等
を適宜組合わせ５ｏ八から２００人の範囲で構成するの
が好ましい。
以下、更に具体的に実施例について比較例との対比で詳
しく説明する。
しく説明する。
実施例−１
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１００人のＢ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ ｆｌｉｔ粒子
を１６ケＩｃ ｌ１ｍ ）配し直径５０１ｍの円筒キャ
ンに沿わせて、最小入射角４６度、酸素分圧５ Ｘ １
０−５（Ｔｏｒｒ）でＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ ： ８０ｗｔ
％）を電子ビーム蒸着し３３０人のＣｏ−Ｎｉ−０膜を
形成・し、以下くり返し３回蒸着し、１０００人の多層
体を構成し、その上にパーフルオロアラキン酸を６０人
真空蒸着し、８ミリ幅の磁気テープを形成した。
に直径１００人のＢ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ ｆｌｉｔ粒子
を１６ケＩｃ ｌ１ｍ ）配し直径５０１ｍの円筒キャ
ンに沿わせて、最小入射角４６度、酸素分圧５ Ｘ １
０−５（Ｔｏｒｒ）でＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ ： ８０ｗｔ
％）を電子ビーム蒸着し３３０人のＣｏ−Ｎｉ−０膜を
形成・し、以下くり返し３回蒸着し、１０００人の多層
体を構成し、その上にパーフルオロアラキン酸を６０人
真空蒸着し、８ミリ幅の磁気テープを形成した。
実施例−２
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１５０人のＳｉＯ２微粒子を１０ケ／（μｍ）配
し、直径１ｍ円筒キャンに沿わせて最小入射角４０度酸
素分圧ｅ ｘ １Ｏ−５（Ｔｏｒｒ） でＣｏ−Ｎ１
（Ｃｏニア８ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し４５０人のＣ
ｏ−Ｎｉ−０膜を形成し、以下同様に蒸着を２回くシ返
し、計１３６０人の多層体を形成し、その上にステアリ
ン酸を６０入真空蒸着し、８ミリ幅の磁気テープを形成
した。
に直径１５０人のＳｉＯ２微粒子を１０ケ／（μｍ）配
し、直径１ｍ円筒キャンに沿わせて最小入射角４０度酸
素分圧ｅ ｘ １Ｏ−５（Ｔｏｒｒ） でＣｏ−Ｎ１
（Ｃｏニア８ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し４５０人のＣ
ｏ−Ｎｉ−０膜を形成し、以下同様に蒸着を２回くシ返
し、計１３６０人の多層体を形成し、その上にステアリ
ン酸を６０入真空蒸着し、８ミリ幅の磁気テープを形成
した。
実施例−３
実施例−１と同様のフィルム上に同様のＢ ａ Ｔ ｉ
Ｏａ微粒子を配し、直径１．２５ｍの円筒キャンに沿
わせて最小入射角６０度、酸素分圧３ Ｘ １０−５（
Ｔｏｒｒ）でＣＯを電子ビーム蒸着し、膜厚３ｏ○入、
４ｏＯ人、６００人の薄膜の多層体を形成し、その上に
パーフルオロミリスチン酸を４０人真空蒸着し８ミリ幅
の磁気テープを形成した。
Ｏａ微粒子を配し、直径１．２５ｍの円筒キャンに沿
わせて最小入射角６０度、酸素分圧３ Ｘ １０−５（
Ｔｏｒｒ）でＣＯを電子ビーム蒸着し、膜厚３ｏ○入、
４ｏＯ人、６００人の薄膜の多層体を形成し、その上に
パーフルオロミリスチン酸を４０人真空蒸着し８ミリ幅
の磁気テープを形成した。
実施例−４
実施例−３で、ＢａＴｉ０ 微粒子を直径６５人のＦ
ｅ５Ｏ４微粒子を１０ｏケ／（μｍ）２配し、最小入射
角６０度、酸素分圧４ Ｘ １０−”（Ｔｏｒｒ）でＧ
ｏ −Ｎ ｉ （Ｃｏ ： ８０ｗ ｔ％）を電子ビー
ム蒸着し４５０人の薄膜を２回重ねその上に最小入射角
６８度。
ｅ５Ｏ４微粒子を１０ｏケ／（μｍ）２配し、最小入射
角６０度、酸素分圧４ Ｘ １０−”（Ｔｏｒｒ）でＧ
ｏ −Ｎ ｉ （Ｃｏ ： ８０ｗ ｔ％）を電子ビー
ム蒸着し４５０人の薄膜を２回重ねその上に最小入射角
６８度。
酸素分圧２６Ｘ １０−５（Ｔｏｒｒ）でＣｏ−Ｎ１（
Ｃｏニア８ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、２００人の薄
膜を２回重ねて８ミリ幅の磁気テープを製造した。
Ｃｏニア８ｗｔ％）を電子ビーム蒸着し、２００人の薄
膜を２回重ねて８ミリ幅の磁気テープを製造した。
比較例−１
実施例−１でＣｏ−Ｎｉ−０膜を最小入射角６０度、酸
素分圧２．３ Ｘ １０−５（Ｔｏｒｒ）でＣｏ−Ｎ１
（Ｇｏ：８０ｗｔ％）を１０００人１回で電子ビーム蒸
着した以外は同一条件で構成した８ミリ幅の磁気テープ
を準備した。
素分圧２．３ Ｘ １０−５（Ｔｏｒｒ）でＣｏ−Ｎ１
（Ｇｏ：８０ｗｔ％）を１０００人１回で電子ビーム蒸
着した以外は同一条件で構成した８ミリ幅の磁気テープ
を準備した。
比較例−２
実施例−２でＣｏ−Ｎｉ （Ｃｏ ： ７８ｗｔ％）を
最小入射角４４度、 ５，５ Ｘ １０ （Ｔｏｒｒ
）で６５０人電子ビーム蒸着を２回くり返し、１３００
人のＣｏ−Ｎｉ−０膜を形成した以外は同一条件で構成
した。
最小入射角４４度、 ５，５ Ｘ １０ （Ｔｏｒｒ
）で６５０人電子ビーム蒸着を２回くり返し、１３００
人のＣｏ−Ｎｉ−０膜を形成した以外は同一条件で構成
した。
上記したテープを改造した８ミリビデオによりＰＣＭ音
声記録を行い、エラー率を比較した。ヘッドはギャップ
長０．１８１膜ｍの積層型のアモルファスヘッドで、ト
ラップピッチ１０μｍ、ビット長は０．３μｍと０．２
２μｍとした。
声記録を行い、エラー率を比較した。ヘッドはギャップ
長０．１８１膜ｍの積層型のアモルファスヘッドで、ト
ラップピッチ１０μｍ、ビット長は０．３μｍと０．２
２μｍとした。
比較したエラー率の結果は表にまとめて示した。
上記した例を含め、多数の確認結果をまとめ、１５０Å
以下では磁気状態が不安定になるためと思われるノイズ
の増加により広帯域Ｃ／Ｎ がとれずエラー率が増大し
、５００Å以上では、位相差によると思われるエラーが
ビット長０．３μｍ以下で実用レベル以下に低下するこ
とにより好ましい結果が得られたものである。
以下では磁気状態が不安定になるためと思われるノイズ
の増加により広帯域Ｃ／Ｎ がとれずエラー率が増大し
、５００Å以上では、位相差によると思われるエラーが
ビット長０．３μｍ以下で実用レベル以下に低下するこ
とにより好ましい結果が得られたものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、高密度ディジタル記録で
エラーの少ない記録再生ができるといったすぐれた効果
がある。
エラーの少ない記録再生ができるといったすぐれた効果
がある。
図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の拡大断面図
である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・微粒子
層、３゜４．５・・・・・・強磁性金属薄膜、６・・・
・・・保護潤滑層。
である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・微粒子
層、３゜４．５・・・・・・強磁性金属薄膜、６・・・
・・・保護潤滑層。
Claims (1)
- 微粒子を配した高分子フィルム上に連続入射角変化蒸着
法により形成した強磁性金属薄膜が１５０Åから５００
Åまでの膜厚単位の多層体で構成されたことを特徴とす
る磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233034A JPH0279213A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63233034A JPH0279213A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0279213A true JPH0279213A (ja) | 1990-03-19 |
Family
ID=16948771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63233034A Pending JPH0279213A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0279213A (ja) |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63233034A patent/JPH0279213A/ja active Pending
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