JPH028054U - - Google Patents
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- JPH028054U JPH028054U JP1988085714U JP8571488U JPH028054U JP H028054 U JPH028054 U JP H028054U JP 1988085714 U JP1988085714 U JP 1988085714U JP 8571488 U JP8571488 U JP 8571488U JP H028054 U JPH028054 U JP H028054U
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- electrical resistor
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
第１図は本考案の平面図であり、第２図は第１
図の線−に沿つて見た本考案の断面図であり
、第３図は従来構造の平面図であり、第４図は第
３図の線−に沿つて見た従来構造の断面図で
ある。 ２……シリコン単結晶、４……絶縁層、６……
シリコン膜（ｓｉｌｉｃｏｎｆｉｌｍ）、８……
保護薄膜層、１０……電気抵抗体、１２……接触
面、１４……絶縁体、１６……接触点、１８……
接触体。
図の線−に沿つて見た本考案の断面図であり
、第３図は従来構造の平面図であり、第４図は第
３図の線−に沿つて見た従来構造の断面図で
ある。 ２……シリコン単結晶、４……絶縁層、６……
シリコン膜（ｓｉｌｉｃｏｎｆｉｌｍ）、８……
保護薄膜層、１０……電気抵抗体、１２……接触
面、１４……絶縁体、１６……接触点、１８……
接触体。
Claims (1)
- 金属もしくはその合金を利用して電気抵抗体の
接触面と接続して、接触体を負荷抵抗に接続させ
導電接続を形成し、電気抵抗の長さを縮小するこ
とによりメモリ配列密度を向上させたスタチツク
ランダムアクセスメモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988085714U JPH028054U (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988085714U JPH028054U (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028054U true JPH028054U (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=31310367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988085714U Pending JPH028054U (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH028054U (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207652A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JPS6076157A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-04-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS6245167A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Hitachi Ltd | 半導体メモリ装置 |
| JPS62118569A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP1988085714U patent/JPH028054U/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59207652A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JPS6076157A (ja) * | 1983-10-03 | 1985-04-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS6245167A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Hitachi Ltd | 半導体メモリ装置 |
| JPS62118569A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |