JPH0283802A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JPH0283802A JPH0283802A JP23604588A JP23604588A JPH0283802A JP H0283802 A JPH0283802 A JP H0283802A JP 23604588 A JP23604588 A JP 23604588A JP 23604588 A JP23604588 A JP 23604588A JP H0283802 A JPH0283802 A JP H0283802A
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- magnetic
- magnetic disk
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は磁気ディスク装置、とくにビーカス硬度が1
500程度の薄膜ヘッドに対する磁気ディスクの構成に
関するものである。
500程度の薄膜ヘッドに対する磁気ディスクの構成に
関するものである。
〔従来の技術]
近年、コンピュータシステムにおける磁気ディスク装置
などの外部記憶装置の重要性が増大し、高記録密度に対
する要求がまずまず高まっている。
などの外部記憶装置の重要性が増大し、高記録密度に対
する要求がまずまず高まっている。
磁気ディスク装置は記録再生へノドおよび磁気ディスク
の主構成部から構成され、磁気ディスクは高速で回転し
、記録再生ヘッドすなわち、磁気ヘッドは磁気ディスク
より微小間隔浮上している。
の主構成部から構成され、磁気ディスクは高速で回転し
、記録再生ヘッドすなわち、磁気ヘッドは磁気ディスク
より微小間隔浮上している。
磁気ディスクの高記録密度化、高性能化を図るためには
、磁気記録媒体の薄層化、均−一様化、磁気特性の改良
(保磁力、角形比の向上)、磁気へノドの低浮上化など
が挙げられる。
、磁気記録媒体の薄層化、均−一様化、磁気特性の改良
(保磁力、角形比の向上)、磁気へノドの低浮上化など
が挙げられる。
これまで磁気ディスクは塗布形といい、バインダーなど
の高分子材料とr−FezCz磁気記録媒体粒子を混合
して塗布して製作していた。この方法では、磁気記録媒
体の薄層化、均−一様化に限界がある。このため最近で
は、磁気記録媒体をスパンクリングなどの方法により連
続薄膜として基材上に設けるようになってきた。γ−F
ezesを連続薄膜媒体とした磁気ディスクの構成の一
例を第9図に示す。第9図は例えば電電公社研究実用化
報告第31巻第9号の1731〜1744頁に報告され
た薄膜磁気ディスクの断面を示す図である。図において
、fl+はディスク状のアルミニウム合金基材、(2)
はアルマイトから成る磁気記録媒体の下地層、(3)は
磁気記録媒体となるγ−Fe、O,薄膜である。
の高分子材料とr−FezCz磁気記録媒体粒子を混合
して塗布して製作していた。この方法では、磁気記録媒
体の薄層化、均−一様化に限界がある。このため最近で
は、磁気記録媒体をスパンクリングなどの方法により連
続薄膜として基材上に設けるようになってきた。γ−F
ezesを連続薄膜媒体とした磁気ディスクの構成の一
例を第9図に示す。第9図は例えば電電公社研究実用化
報告第31巻第9号の1731〜1744頁に報告され
た薄膜磁気ディスクの断面を示す図である。図において
、fl+はディスク状のアルミニウム合金基材、(2)
はアルマイトから成る磁気記録媒体の下地層、(3)は
磁気記録媒体となるγ−Fe、O,薄膜である。
現在、磁気ディスク装置では、起動および停止時に磁気
ディスクと磁気ヘッドが接触するコンタクト・スタート
・ストンプ(C3S)方式を採用しており、起動および
停止時には磁気ヘッドと磁気ディスク表面が接触したま
ま回転する。この接触摩擦状態における磁気ヘッドと磁
気ディスクの間に生じる摩擦力は、磁気ヘッドと磁気デ
ィスク表面を摩耗させ、ついには磁気ヘッドおよび磁気
記録媒体膜に傷を作ることがある。磁気記録媒体に連続
薄膜を用いた場合、わずがな傷であっても記録媒体の欠
如となり、記録信号の消失につながる。このことは、磁
気ディスク装置の外部記憶装置としての信顧性に関わる
重大な問題である。
ディスクと磁気ヘッドが接触するコンタクト・スタート
・ストンプ(C3S)方式を採用しており、起動および
停止時には磁気ヘッドと磁気ディスク表面が接触したま
ま回転する。この接触摩擦状態における磁気ヘッドと磁
気ディスクの間に生じる摩擦力は、磁気ヘッドと磁気デ
ィスク表面を摩耗させ、ついには磁気ヘッドおよび磁気
記録媒体膜に傷を作ることがある。磁気記録媒体に連続
薄膜を用いた場合、わずがな傷であっても記録媒体の欠
如となり、記録信号の消失につながる。このことは、磁
気ディスク装置の外部記憶装置としての信顧性に関わる
重大な問題である。
このため、磁気ディスクの表面に、磁気ヘッドと磁気記
録媒体との接触摩擦および接触破壊から磁気記録媒体を
保護するために、Sin、膜、カーボン膜、A1□0.
膜のような保護膜を設けることが考案されている(例え
ば、田子章男ら、第8凹口本応用磁気学会学術講演概要
集(1984)、222頁i木町良弘ら、昭和61年度
電子通信学会総合全国大会Y稿集(1986) 、l−
166頁;刈木博保ら、日本潤滑学会筒30期春期研究
発表回予稿集(+986)、14] 頁などに発表され
ている。)。また、磁気記録媒体が金属の場合、この保
jI膜は金属膜の腐食を防く保護も兼ねる役目がある。
録媒体との接触摩擦および接触破壊から磁気記録媒体を
保護するために、Sin、膜、カーボン膜、A1□0.
膜のような保護膜を設けることが考案されている(例え
ば、田子章男ら、第8凹口本応用磁気学会学術講演概要
集(1984)、222頁i木町良弘ら、昭和61年度
電子通信学会総合全国大会Y稿集(1986) 、l−
166頁;刈木博保ら、日本潤滑学会筒30期春期研究
発表回予稿集(+986)、14] 頁などに発表され
ている。)。また、磁気記録媒体が金属の場合、この保
jI膜は金属膜の腐食を防く保護も兼ねる役目がある。
一方、磁気−・ノドの低浮上化も進められている。
低浮上量における安定したヘット浮上状態を確保し、磁
気ヘッドと磁気ディスクの衝突(ヘッドクラッシュ)を
防止するためのディスク表面精度の向」二、耐ヘツドク
ラツシユ性の向上が検討されている。特にディスク表面
精度の向」二は著しく、従来のディスクのRmaχは2
000人Ail後以上あったのが、現在ではRmaxが
100人前後と1桁以上小さくなっている。このように
ディスクの表面精度が年々向上するので、磁気ヘッドが
磁気ディスク表面に吸着し、磁気ディスクが回転を始め
ても磁気ヘッドが浮上できず磁気ヘッドなどが破損する
問題が起きてきた(例えば、ジャーナル・オブ・ア(4
ン ブライド・フィジフクス(J 、 Appl、 Phy
s、) 55巻、6号、2254頁(E、M、Ross
i他)。このため、一端鏡面のように仕上げられた基板
表面に微粉末を塗布する、再度研磨あるいはエツチング
して微小な突起を表面に設けるといった手法が考えられ
ている(例えば、59−1177’35.60−387
20.60−40528.61−29418.6120
3259.61−261820)。そしてこの後に磁気
記録媒体及び保護膜が設けられる。
気ヘッドと磁気ディスクの衝突(ヘッドクラッシュ)を
防止するためのディスク表面精度の向」二、耐ヘツドク
ラツシユ性の向上が検討されている。特にディスク表面
精度の向」二は著しく、従来のディスクのRmaχは2
000人Ail後以上あったのが、現在ではRmaxが
100人前後と1桁以上小さくなっている。このように
ディスクの表面精度が年々向上するので、磁気ヘッドが
磁気ディスク表面に吸着し、磁気ディスクが回転を始め
ても磁気ヘッドが浮上できず磁気ヘッドなどが破損する
問題が起きてきた(例えば、ジャーナル・オブ・ア(4
ン ブライド・フィジフクス(J 、 Appl、 Phy
s、) 55巻、6号、2254頁(E、M、Ross
i他)。このため、一端鏡面のように仕上げられた基板
表面に微粉末を塗布する、再度研磨あるいはエツチング
して微小な突起を表面に設けるといった手法が考えられ
ている(例えば、59−1177’35.60−387
20.60−40528.61−29418.6120
3259.61−261820)。そしてこの後に磁気
記録媒体及び保護膜が設けられる。
従来の磁気ディスクは以」二のように構成され、保護膜
として酸化膜を設ける簡便な方法として、溶液から成膜
することが知られている。ゾルゲル法などのように溶液
からS jOz膜、A l z Os膜などを成膜する
場合熱処理を行うが、磁気記録媒体の特性を変質させな
い程度の熱処理(約400℃以下)では、十分ガラス化
せず、通常のセラミックに比べて硬度、強度などがかな
り劣る(柳沢雅弘、日本潤滑学会創立30周年記念全国
大会予稿集(1985) 、45頁)。例えば金属アル
コキシドからガラスを合成する場合、金属アルコキシド
を加水分解させたゲルをガラス化させるのに必要な熱処
理温度は600〜I(10(1′Cであり、溶融法によ
るシリカガラスと同一の性質を示すのは900〜l00
0℃の熱処理をした場合であると言われている(作花済
夫「ガラス非晶質の化学」、内田老鶴田(1,983)
147〜164頁)。このため、溶液から作成した酸化
膜では硬度、強度共に十分ではなかった。
として酸化膜を設ける簡便な方法として、溶液から成膜
することが知られている。ゾルゲル法などのように溶液
からS jOz膜、A l z Os膜などを成膜する
場合熱処理を行うが、磁気記録媒体の特性を変質させな
い程度の熱処理(約400℃以下)では、十分ガラス化
せず、通常のセラミックに比べて硬度、強度などがかな
り劣る(柳沢雅弘、日本潤滑学会創立30周年記念全国
大会予稿集(1985) 、45頁)。例えば金属アル
コキシドからガラスを合成する場合、金属アルコキシド
を加水分解させたゲルをガラス化させるのに必要な熱処
理温度は600〜I(10(1′Cであり、溶融法によ
るシリカガラスと同一の性質を示すのは900〜l00
0℃の熱処理をした場合であると言われている(作花済
夫「ガラス非晶質の化学」、内田老鶴田(1,983)
147〜164頁)。このため、溶液から作成した酸化
膜では硬度、強度共に十分ではなかった。
この点では、スパッタリングなどによって成膜される酸
化膜やカーボン膜は、強度的には優れたものができる(
例えば、本町良弘ら、昭和61年度電子通信学会総合全
国大会予稿集(1986) 1166頁)。しかし
、現在のように表面に微小な突起を設けである基材にお
いては、多くの学会発表例にみられるようなSiO□膜
、A1□03膜、カボン膜などの保#!膜では硬いが脆
いという欠点があった。すなわち微小な突起の上を磁気
ヘッドが接触するため、突起部に相当する保護膜部が脆
いために折れて削り取られてしまう。この性質について
は、薄膜酸化物であってもバルクのセラミツクL同様で
ある。このため、ビッカース硬度が1500程度の、例
えばA1□Oy / T i Cを用いた硬い薄膜ヘッ
ドに対しては、保護膜が削られてさらに磁気記録媒体ま
で削られて記録された信号が消えてしまうという問題点
が生じた。
化膜やカーボン膜は、強度的には優れたものができる(
例えば、本町良弘ら、昭和61年度電子通信学会総合全
国大会予稿集(1986) 1166頁)。しかし
、現在のように表面に微小な突起を設けである基材にお
いては、多くの学会発表例にみられるようなSiO□膜
、A1□03膜、カボン膜などの保#!膜では硬いが脆
いという欠点があった。すなわち微小な突起の上を磁気
ヘッドが接触するため、突起部に相当する保護膜部が脆
いために折れて削り取られてしまう。この性質について
は、薄膜酸化物であってもバルクのセラミツクL同様で
ある。このため、ビッカース硬度が1500程度の、例
えばA1□Oy / T i Cを用いた硬い薄膜ヘッ
ドに対しては、保護膜が削られてさらに磁気記録媒体ま
で削られて記録された信号が消えてしまうという問題点
が生じた。
また、磁気記録媒体にまで損傷が及ばなくとも、表面の
微小な突起が消失するために磁気ヘッドが吸着して、磁
気ヘッドが浮上できなくなるという問題点が生じた。
微小な突起が消失するために磁気ヘッドが吸着して、磁
気ヘッドが浮上できなくなるという問題点が生じた。
この発明は上記のような問題点を解決するためのなされ
たもので、磁気ヘッドによる磁気ディスクへの損傷を防
ぎ、保護膜の剥離を防止して、磁気ヘッドの磁気ディス
ク基板に対する吸着を防止し、信軌性の高い磁気ディス
ク装置を得ることを目的とする。
たもので、磁気ヘッドによる磁気ディスクへの損傷を防
ぎ、保護膜の剥離を防止して、磁気ヘッドの磁気ディス
ク基板に対する吸着を防止し、信軌性の高い磁気ディス
ク装置を得ることを目的とする。
C課題を解決するための手段〕
この発明に係る磁気ディスク装置は、ビッカース硬度が
1400〜1550の薄膜へンドに対し、磁気記録媒体
層の保護膜として、酸化イツトリウムを6mo1%以上
含有する、100〜1ooo人厚さの酸化ジルコニウム
膜を用いるものである。
1400〜1550の薄膜へンドに対し、磁気記録媒体
層の保護膜として、酸化イツトリウムを6mo1%以上
含有する、100〜1ooo人厚さの酸化ジルコニウム
膜を用いるものである。
この発明に係る磁気ディスク装置は、表面に硬度と靭性
に冨む酸化ジルコニウム膜を設けることにより、ビッカ
ース硬度が1500程度の硬い薄膜ヘッドに対して、磁
気ディスク表面の膜の耐久性が従来の酸化物膜やカーボ
ン膜に比べ格段に強化され、(、t eN性が増加する
。
に冨む酸化ジルコニウム膜を設けることにより、ビッカ
ース硬度が1500程度の硬い薄膜ヘッドに対して、磁
気ディスク表面の膜の耐久性が従来の酸化物膜やカーボ
ン膜に比べ格段に強化され、(、t eN性が増加する
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例に係る磁気ディスクを示す断面
図で、図において(1)はA I −Mg合金基板、(
2)は磁気記録媒体層の下地層、(3)は磁気記録媒体
層、(4)は酸化ジルコニウム膜よりなる保護膜である
。
図はこの発明の一実施例に係る磁気ディスクを示す断面
図で、図において(1)はA I −Mg合金基板、(
2)は磁気記録媒体層の下地層、(3)は磁気記録媒体
層、(4)は酸化ジルコニウム膜よりなる保護膜である
。
A l−Mg合金基板(11の表面にN1−Pあるいは
N1−Cu−Pメツキ膜よりなる下地層(2)を成膜し
、鏡面加工しである基板に対して、テープ研磨機を用い
、ラッピングテープW A #6000、押し圧1kg
、基板回転数200rpm 、テープ送り速度20m/
urnの条件でテクスチャ加工を行った。これによりR
wax 500人程度の基板が得られる。この基板上に
磁気記録媒体をスパッタリングにより成膜した。
N1−Cu−Pメツキ膜よりなる下地層(2)を成膜し
、鏡面加工しである基板に対して、テープ研磨機を用い
、ラッピングテープW A #6000、押し圧1kg
、基板回転数200rpm 、テープ送り速度20m/
urnの条件でテクスチャ加工を行った。これによりR
wax 500人程度の基板が得られる。この基板上に
磁気記録媒体をスパッタリングにより成膜した。
実施例1
磁気記録媒体としてγ−F et Osを用いた。
この磁気記録媒体層【3)の上に酸化インドリウム8m
o1%含有の酸化ジルコニウムをスパッタリングにより
成膜した。スパッタ条件はRFパワー300W/8イン
チ、A「圧力3mTorrで基板加熱は行わなかった。
o1%含有の酸化ジルコニウムをスパッタリングにより
成膜した。スパッタ条件はRFパワー300W/8イン
チ、A「圧力3mTorrで基板加熱は行わなかった。
酸化ジルコニウムの膜厚は500人であった。
実施例2
磁気記録媒体としてCo−Ni−Crを用いた。
この磁気記録媒体層の上に酸化イツトリウム8mo1%
含をの酸化ジルコニウムを電子ビーム蒸着により成膜し
た。蒸着条件は加速電圧10にν、電流1+AS基板温
度150℃、酸素圧力]mTorrにした。
含をの酸化ジルコニウムを電子ビーム蒸着により成膜し
た。蒸着条件は加速電圧10にν、電流1+AS基板温
度150℃、酸素圧力]mTorrにした。
酸化ジルコニウムの膜厚は600人であった。
比較例1
磁気記録媒体としてr FezOzを用いた。
この磁気記録媒体層の上にSin、膜をスパッタにより
成膜した。スパッタ条件はほぼ実施例1と同様である。
成膜した。スパッタ条件はほぼ実施例1と同様である。
S r Oz の膜厚は500人にした。
比較例2
磁気記録媒体としてγ−FezOzを用いた。
この磁気記録媒体層の上に酸化イツトリウム3mo1%
含有の酸化ジルコニウムをスパッタリングにより成膜し
た。スパッタ条件はRFパワー300/8インチ、Ar
圧力3mTorrで基板加熱は行わなかった。酸化ジル
コニウムの膜厚は500人であった。
含有の酸化ジルコニウムをスパッタリングにより成膜し
た。スパッタ条件はRFパワー300/8インチ、Ar
圧力3mTorrで基板加熱は行わなかった。酸化ジル
コニウムの膜厚は500人であった。
これらの比較例を含めた磁気ディスクの初期特性を以下
に示す。
に示す。
実施例1による磁気ディスクの表面粗さを触針式表面粗
ざ計で測定した特性図を第2図に示した。
ざ計で測定した特性図を第2図に示した。
実施例2、比較例1.2とも同様の特性を示したので、
特性図は省略する。ディスクの表面には微小な凹凸が認
められた。
特性図は省略する。ディスクの表面には微小な凹凸が認
められた。
実施例1.2?こよる磁気ディスクと比較例1、2によ
る磁気ディスクの表面に、3380形薄膜ヘツドを接触
させ静摩擦計数を測定した。実施例1による磁気ディス
クでは0.19、実施例2による磁気ディスクでは0.
20、比較例1による磁気ディスクでは0.20、比較
例2による磁気ディスクでは0.19であった。すべて
良好な特性を示した。
る磁気ディスクの表面に、3380形薄膜ヘツドを接触
させ静摩擦計数を測定した。実施例1による磁気ディス
クでは0.19、実施例2による磁気ディスクでは0.
20、比較例1による磁気ディスクでは0.20、比較
例2による磁気ディスクでは0.19であった。すべて
良好な特性を示した。
ここで、磁気ディスクの耐久試験であるC3S試験を行
った。ヘッドとしてはスライダ材料がAltos/Ti
cである3380形薄膜ヘツドを使用した。第3図はC
8S試験を行った結果を示しており、縦軸は初期再生出
力を1とした規格化再生出力、横軸はC8S回数(X
10’)をとっである。
った。ヘッドとしてはスライダ材料がAltos/Ti
cである3380形薄膜ヘツドを使用した。第3図はC
8S試験を行った結果を示しており、縦軸は初期再生出
力を1とした規格化再生出力、横軸はC8S回数(X
10’)をとっである。
図中○印を結ぶ線はこの発明の実施例1,2によるディ
スクの場合、×印を結ぶ線は比較例、Δ印を結ぶ線は比
較例2によるディスクの場合を示している。
スクの場合、×印を結ぶ線は比較例、Δ印を結ぶ線は比
較例2によるディスクの場合を示している。
この発明の実施例1,2によるディスクの場合には、C
S S 20000回においても再生出力の低下は認め
られなかった。これに対し、比較例I、2では当初再生
出力の低下は認められないものの、c s 5sooo
回前後から次第に再生出力が低下し始め、比較例1.2
共にCS S 20000回では初期の50%になった
。
S S 20000回においても再生出力の低下は認め
られなかった。これに対し、比較例I、2では当初再生
出力の低下は認められないものの、c s 5sooo
回前後から次第に再生出力が低下し始め、比較例1.2
共にCS S 20000回では初期の50%になった
。
CS 55000回を行った磁気ディスクの表面粗さを
触針式表面粗さ計で測定した。第4図は実施例1による
磁気ディスクの表面粗さを示す特性図、第5図は実施例
2による磁気ディスクの表面粗さを示す特性図、第6図
は比較例1による磁気ディスクの表面粗さを示す特性図
、第7図は比較例2による磁気ディスクの表面粗さを示
す特性図である。図中の(5)は磁気ヘッドがコンタク
ト・スタート・ストップにより磁気ディスクに接触した
領域を表す。周辺の粗さとの比較から実施例1.2によ
る磁気ディスクでは初期の表面粗さを保っていることが
分かる。これに対して、比較例1.2による磁気ディス
クでは微小突起部に相当する部分が削り取られているこ
とが分かる。酸化イツトリウムの添加量により耐久性に
違いが出たことが明白である。
触針式表面粗さ計で測定した。第4図は実施例1による
磁気ディスクの表面粗さを示す特性図、第5図は実施例
2による磁気ディスクの表面粗さを示す特性図、第6図
は比較例1による磁気ディスクの表面粗さを示す特性図
、第7図は比較例2による磁気ディスクの表面粗さを示
す特性図である。図中の(5)は磁気ヘッドがコンタク
ト・スタート・ストップにより磁気ディスクに接触した
領域を表す。周辺の粗さとの比較から実施例1.2によ
る磁気ディスクでは初期の表面粗さを保っていることが
分かる。これに対して、比較例1.2による磁気ディス
クでは微小突起部に相当する部分が削り取られているこ
とが分かる。酸化イツトリウムの添加量により耐久性に
違いが出たことが明白である。
また、このc s s 5ooo回を行った磁気ディス
ク表面にヘッドを接触させ60℃、85%の状態で8時
間数1し、静摩擦係数を測定した。実施例1による磁気
ディスクでは0.22、実施例2による磁気ディスクで
は0.24、比較例1.2による磁気ディスクでは0.
9を越えており吸着現象が認められた。
ク表面にヘッドを接触させ60℃、85%の状態で8時
間数1し、静摩擦係数を測定した。実施例1による磁気
ディスクでは0.22、実施例2による磁気ディスクで
は0.24、比較例1.2による磁気ディスクでは0.
9を越えており吸着現象が認められた。
第8図に酸化ジルコニウムの硬度と酸化インドリウムと
添加量の関係を示す。ビッカース硬度にして1500程
度のAIzO*/TiC等を材料とする薄膜ヘッドに対
する保護膜としては、高い硬度を実現するため酸化イツ
トリウムが6〜15mo1%の範囲がいいことが分かる
。
添加量の関係を示す。ビッカース硬度にして1500程
度のAIzO*/TiC等を材料とする薄膜ヘッドに対
する保護膜としては、高い硬度を実現するため酸化イツ
トリウムが6〜15mo1%の範囲がいいことが分かる
。
なお、酸化ジルコニウムの膜厚は100Å以下では均一
な膜にはなっておらず、1000Å以上では磁気ヘッド
と磁気ディスクの磁気記録媒体層までの距離が広がり再
生出力が低下するという悪影響が出てくる。このため、
酸化ジルコニウム膜は100〜1000人が適している
。成膜のしやすさ、均一性、再生出力からは300〜8
00人が望ましい。
な膜にはなっておらず、1000Å以上では磁気ヘッド
と磁気ディスクの磁気記録媒体層までの距離が広がり再
生出力が低下するという悪影響が出てくる。このため、
酸化ジルコニウム膜は100〜1000人が適している
。成膜のしやすさ、均一性、再生出力からは300〜8
00人が望ましい。
また、酸化ジルコニウムの添加成分として、酸化アルミ
ニウム、酸化セリウム、炭化ンリコン、炭化チタンなど
が考えられるが、靭性の高い酸化ジルコニウムの膜を実
現するには酸化イツトリウムの添加が必須である。
ニウム、酸化セリウム、炭化ンリコン、炭化チタンなど
が考えられるが、靭性の高い酸化ジルコニウムの膜を実
現するには酸化イツトリウムの添加が必須である。
また、基材の表面粗さはRmax100Å以下では吸着
が必ず発生し、1000Å以上では突起が浮上中の磁気
ヘッドに衝突するなど磁気へノドの浮上特性に悪影響を
与えるため好ましくない。静摩擦力を再現性よく小さく
安定させるためには、Rmax400〜800人が望ま
しい。
が必ず発生し、1000Å以上では突起が浮上中の磁気
ヘッドに衝突するなど磁気へノドの浮上特性に悪影響を
与えるため好ましくない。静摩擦力を再現性よく小さく
安定させるためには、Rmax400〜800人が望ま
しい。
上記実施例では磁気記録媒体層(3)がγ−F a、
O。
O。
の場合について説明したが、他のCr Otのような金
属酸化物媒体であってもよく上記実施例と同様の効果を
奏する。
属酸化物媒体であってもよく上記実施例と同様の効果を
奏する。
また、−F記実施例では磁気記録媒体層(3)がC0N
i−Crの場合について説明したが、他のC0Ni、C
o−Cr、Feなどの合金媒体、金属媒体であってもよ
く上記実施例と同様の効果を奏する。
i−Crの場合について説明したが、他のC0Ni、C
o−Cr、Feなどの合金媒体、金属媒体であってもよ
く上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では下地層(2)としてN1−Pメツ
キ膜、N1−Cu−Pメツキ膜の場合について説明した
が、他のアルマイト膜などあってもよく上記実施例と同
様の効果を奏する。
キ膜、N1−Cu−Pメツキ膜の場合について説明した
が、他のアルマイト膜などあってもよく上記実施例と同
様の効果を奏する。
また、上記実施例では下地層(2)に凹凸をつけて所定
の表面粗さを得るようにしたが、保護膜(4)に凹凸処
理を施すようにしてもよい。また、上記実施例では薄膜
ヘッドのビッカース硬度は1500程度のものを示した
が、1400〜1550の範囲のものでも同様の効果が
ある。
の表面粗さを得るようにしたが、保護膜(4)に凹凸処
理を施すようにしてもよい。また、上記実施例では薄膜
ヘッドのビッカース硬度は1500程度のものを示した
が、1400〜1550の範囲のものでも同様の効果が
ある。
さらに、上記実施例では保護膜(4)として、酸化イツ
トリウムが6〜15 m of%含有する酸化ジルコニ
ウムを示したが、酸化インドリウムの含有量は、酸化ジ
ルコニウムが成膜できる範囲において、これ以上のmo
1%であっても、上記薄膜ヘッドと同じ程度の硬度を示
し、上記実施例と同様の効果を示す。
トリウムが6〜15 m of%含有する酸化ジルコニ
ウムを示したが、酸化インドリウムの含有量は、酸化ジ
ルコニウムが成膜できる範囲において、これ以上のmo
1%であっても、上記薄膜ヘッドと同じ程度の硬度を示
し、上記実施例と同様の効果を示す。
以上のように、この発明によればビッカース硬度が14
00〜1550の薄膜ヘッドに対し、磁気記録媒体層の
保護膜として、酸化インドリウムを6mo1%以上含有
する100〜1000人厚さの酸化ジルコニウム膜を用
いたので、ヘッドに対応する高い硬度と靭性に冨む保護
膜が形成でき、磁気ディスクと磁気ヘノトスライタ間の
摩擦力、吸着力が小さく、十分に耐久性及び信較性の高
い磁気ディスク装置が得られる効果がある。
00〜1550の薄膜ヘッドに対し、磁気記録媒体層の
保護膜として、酸化インドリウムを6mo1%以上含有
する100〜1000人厚さの酸化ジルコニウム膜を用
いたので、ヘッドに対応する高い硬度と靭性に冨む保護
膜が形成でき、磁気ディスクと磁気ヘノトスライタ間の
摩擦力、吸着力が小さく、十分に耐久性及び信較性の高
い磁気ディスク装置が得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例に係る磁気ディスクを示す
断面図、第2図は表面粗さ計による初期の表面粗さを示
す特性図、第3図はこの発明の実施例に係る磁気ディス
クと、従来の磁気ディスクそれぞれに加速試験を行った
結果を示し、C8S回数と再生出力の関係を示す特性図
、第4図、第5図及び第6図、第7図は各々CS 55
000回を行ったこの発明の実施例に係る磁気ディスク
及び従来の磁気ディスクの表面粗さ計による表面粗さを
示す特性図、第8図は酸化ジルコニウムの硬度を表す特
性図、並びに第9図は従来の薄膜磁気ディスクを示す断
面図である。 (1)・・・A l−Mg合金基板、(2)・・・下地
層、(3)・・・磁気記録媒体層、(4)・・・保護膜 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
断面図、第2図は表面粗さ計による初期の表面粗さを示
す特性図、第3図はこの発明の実施例に係る磁気ディス
クと、従来の磁気ディスクそれぞれに加速試験を行った
結果を示し、C8S回数と再生出力の関係を示す特性図
、第4図、第5図及び第6図、第7図は各々CS 55
000回を行ったこの発明の実施例に係る磁気ディスク
及び従来の磁気ディスクの表面粗さ計による表面粗さを
示す特性図、第8図は酸化ジルコニウムの硬度を表す特
性図、並びに第9図は従来の薄膜磁気ディスクを示す断
面図である。 (1)・・・A l−Mg合金基板、(2)・・・下地
層、(3)・・・磁気記録媒体層、(4)・・・保護膜 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 基板上に設けられた磁気記録媒体層、この磁気記録媒体
上に設けられ、酸化イットリウム6mol%以上含有す
る100〜1000Å厚さの酸化ジルコニウム膜よりな
る保護膜、及び上記磁気記録媒体に情報を記録または記
録された情報を再生する、ビッカース硬度が1400〜
1550の薄膜ヘッドを備えた磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23604588A JPH0283802A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23604588A JPH0283802A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283802A true JPH0283802A (ja) | 1990-03-23 |
Family
ID=16994942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23604588A Pending JPH0283802A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0283802A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366722A (ja) * | 1986-04-03 | 1988-03-25 | コ−マグ,インコ−ポレイテツド | 耐腐食及び耐摩耗磁気デイスク |
| JPS6398816A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-30 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘツド用基板およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23604588A patent/JPH0283802A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366722A (ja) * | 1986-04-03 | 1988-03-25 | コ−マグ,インコ−ポレイテツド | 耐腐食及び耐摩耗磁気デイスク |
| JPS6398816A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-30 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘツド用基板およびその製造方法 |
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