JPH0284795A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPH0284795A JPH0284795A JP63237144A JP23714488A JPH0284795A JP H0284795 A JPH0284795 A JP H0284795A JP 63237144 A JP63237144 A JP 63237144A JP 23714488 A JP23714488 A JP 23714488A JP H0284795 A JPH0284795 A JP H0284795A
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- Japan
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- integrated circuit
- circuit device
- glass
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、多層構造を成した集積回路装置に関するも
のである。
のである。
［従来技術］
従来、混成集積回路装置（ハイブリッドＩＣ）の小型・
軽団化のために厚膜多周構造が採用されている。これは
、第３図に示すように、アルミナ基板１上に厚膜回路（
導体）２を形成し、この上に層間絶縁材料としての結晶
質あるいは非晶質より成るガラス３を形成し、その上に
導体４．抵抗体５を形成し、保護ガラス（はうけい酸鉛
を主成分とする非結晶系ガラス）６にてその表面を保護
している。尚、第３図おいては、ピアホール７により層
間（導体２，４間〉を電気接続するとともに、導体４上
に半導体チップ８を配置している。
軽団化のために厚膜多周構造が採用されている。これは
、第３図に示すように、アルミナ基板１上に厚膜回路（
導体）２を形成し、この上に層間絶縁材料としての結晶
質あるいは非晶質より成るガラス３を形成し、その上に
導体４．抵抗体５を形成し、保護ガラス（はうけい酸鉛
を主成分とする非結晶系ガラス）６にてその表面を保護
している。尚、第３図おいては、ピアホール７により層
間（導体２，４間〉を電気接続するとともに、導体４上
に半導体チップ８を配置している。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、第３図中にカッコ内に示したように各材料の
熱膨張係数が異なり、アルミナ基板１よりその熱膨張係
数が小さな結晶化ガラス３が基板全面に形成されている
ので、両部材１．３による熱膨張係数と保護ガラス６の
熱膨張係数との差により保護ガラス６の焼成時の冷却工
程で保護ガラス６に引張り応力が強く働くことになる。
熱膨張係数が異なり、アルミナ基板１よりその熱膨張係
数が小さな結晶化ガラス３が基板全面に形成されている
ので、両部材１．３による熱膨張係数と保護ガラス６の
熱膨張係数との差により保護ガラス６の焼成時の冷却工
程で保護ガラス６に引張り応力が強く働くことになる。
この応力により第４図に示すように導体４と抵抗体５の
境界付近における保護ガラス６の表面にクラックＣが発
生する。このクラックＣが抵抗体５内部にまで進行する
と抵抗体５の抵抗値が変化してしまうという問題があっ
た。
境界付近における保護ガラス６の表面にクラックＣが発
生する。このクラックＣが抵抗体５内部にまで進行する
と抵抗体５の抵抗値が変化してしまうという問題があっ
た。
このとき、保護ガラス６の熱膨張係数を層間絶縁層とし
てのガラス３の熱膨張係数に近づけるだけではクラック
を防止できない。
てのガラス３の熱膨張係数に近づけるだけではクラック
を防止できない。
この発明の目的は、多層＠造を成す集積回路装置におい
てその材料の熱膨張係数に基因する保護ガラスのクラッ
クの発生を抑制し信頼性の高い集積回路装置を提供する
ことにある。
てその材料の熱膨張係数に基因する保護ガラスのクラッ
クの発生を抑制し信頼性の高い集積回路装置を提供する
ことにある。
［課題を解決するための手段］
この発明は、基板上に導体と絶縁材料を積層して多層構
造とし、その表面を保護ガラスにて覆うようにした集積
回路装置において、前記保護ガラス中に混入物を分散さ
けた集積回路装置をその要旨とする。
造とし、その表面を保護ガラスにて覆うようにした集積
回路装置において、前記保護ガラス中に混入物を分散さ
けた集積回路装置をその要旨とする。
［作用］
各材料の熱膨張係数に基因して保護ガラスに応力が加わ
るが、保護ガラス中に分散させた混入物がクラックの進
行を阻止する。
るが、保護ガラス中に分散させた混入物がクラックの進
行を阻止する。
［実施例コ
この発明を具体化した一実施例を図面に従って説明する
。
。
本実施例の混成集積回路装置は、前記第３図に示したも
のに比べ、第１図に示すように前記保護ガラス（非結晶
系ガラス）６に混入物としてのセラミックフィラー又は
結晶質ガラス９を分散させた部分のみ異なっており、他
の部分は第３図に示したものと同じである。
のに比べ、第１図に示すように前記保護ガラス（非結晶
系ガラス）６に混入物としてのセラミックフィラー又は
結晶質ガラス９を分散させた部分のみ異なっており、他
の部分は第３図に示したものと同じである。
第２図にはその実験結果を示し、第２図の横軸は保護ガ
ラス６の熱膨張係数（混入物９を分散ざぜた場合はみか
け上の熱膨張係数）を、縦軸には抵抗体５の保護ガラス
６の焼成前後での抵抗値の変化を示す。その第２図にお
いて、プロット点Ａは、熱膨張係数が８．１Ｄｐｍ／”
Ｃの保護ガラス６に何も分散させない場合を示す。
ラス６の熱膨張係数（混入物９を分散ざぜた場合はみか
け上の熱膨張係数）を、縦軸には抵抗体５の保護ガラス
６の焼成前後での抵抗値の変化を示す。その第２図にお
いて、プロット点Ａは、熱膨張係数が８．１Ｄｐｍ／”
Ｃの保護ガラス６に何も分散させない場合を示す。
これに対し、プロワ１〜点Ｂ、Ｃ，Ｄは、熱膨張係数が
８．’ｌｐｍ／’Ｃの保冷ガラス６にセラミックフィラ
ーを分散させた場合を示す。この場合のセラミックフィ
ラーは、成分が酸化ジルコニアで、粒子径が０．５〜２
μｍに成形したものを使用している。この酸化ジルコニ
アは、保護ガラス（非結晶系ガラス）６の成分の一つで
ある鉛酸化物と製品の製造温度である５ ００ ’Ｃ付
近でも化学的な反応をしない。
８．’ｌｐｍ／’Ｃの保冷ガラス６にセラミックフィラ
ーを分散させた場合を示す。この場合のセラミックフィ
ラーは、成分が酸化ジルコニアで、粒子径が０．５〜２
μｍに成形したものを使用している。この酸化ジルコニ
アは、保護ガラス（非結晶系ガラス）６の成分の一つで
ある鉛酸化物と製品の製造温度である５ ００ ’Ｃ付
近でも化学的な反応をしない。
又、プロット点Ｅは、保護ガラス６の一部の組成を変更
することによって結晶させた場合を示す。
することによって結晶させた場合を示す。
この結晶化ガラスの径は０．５〜２μｍである。
この第２図から明らかなように、保護ガラス６に何も分
散させない場合（プロット点Ａ）に比べ保護ガラス６に
レラミックフィラーの分散あるいはガラスの一部を結晶
化ガラスとすることによって（プロプ１へ点Ｂ−Ｅ）、
保護ガラス６のみかけ上の熱膨張係数を低下させること
ができるとともに、抵ル体５の抵抗値変化を少なく゛す
ることができる。
散させない場合（プロット点Ａ）に比べ保護ガラス６に
レラミックフィラーの分散あるいはガラスの一部を結晶
化ガラスとすることによって（プロプ１へ点Ｂ−Ｅ）、
保護ガラス６のみかけ上の熱膨張係数を低下させること
ができるとともに、抵ル体５の抵抗値変化を少なく゛す
ることができる。
この現象を考察してみると、保護ガラス６のみかけ上の
熱膨張係数を低下させることができるために材料の熱膨
張係数に基因する保護ガラス６への引張り応力を減少も
しくはガラスの有する強い耐圧縮応力特性のためクラッ
クＣの発生を抑１１ｉ１ ｕ抵抗体５の抵抗値変化を減
少させることができる。
熱膨張係数を低下させることができるために材料の熱膨
張係数に基因する保護ガラス６への引張り応力を減少も
しくはガラスの有する強い耐圧縮応力特性のためクラッ
クＣの発生を抑１１ｉ１ ｕ抵抗体５の抵抗値変化を減
少させることができる。
又、第１図に示すように、保護ガラス６の表面でクラッ
クＣの核が発生しても、セラミックフィラー又は結晶化
ガラスによりその進行が抑制されそれ以上クラックＣが
広がらず抵抗体５にまで至らないと考えられる。
クＣの核が発生しても、セラミックフィラー又は結晶化
ガラスによりその進行が抑制されそれ以上クラックＣが
広がらず抵抗体５にまで至らないと考えられる。
このように本実施例においては、保護ガラス６の表面で
クラックＣの核が発生しても、セラミックフィラー又は
結晶化ガラスによりその進行が抑制され、その材料の熱
膨張係数に基因する保護ガラスのクラックの発生を抑制
し信頼性の高いものとすることができる。
クラックＣの核が発生しても、セラミックフィラー又は
結晶化ガラスによりその進行が抑制され、その材料の熱
膨張係数に基因する保護ガラスのクラックの発生を抑制
し信頼性の高いものとすることができる。
この発明は上記実施例に限定されることなく、保護ガラ
ス６中に分散させる混入物としては、酸化ジルコニアの
他のセラミックフィラーを使用したり、気泡を分散させ
てもよい。
ス６中に分散させる混入物としては、酸化ジルコニアの
他のセラミックフィラーを使用したり、気泡を分散させ
てもよい。
［発明の効果］
以上詳述したようにこの発明によれば、多層構造を成す
集積回路装置においてその材料の熱膨張係数に基因する
保護ガラスのクランクの発生を抑制し信頼性の高いもの
とすることができる優れた効果を発揮する。
集積回路装置においてその材料の熱膨張係数に基因する
保護ガラスのクランクの発生を抑制し信頼性の高いもの
とすることができる優れた効果を発揮する。
第１図は実施例の混成集積回路装置における保護ガラス
の断面図、第２図は実験結果を示す図、第３図は混成集
積回路装置の断面図、第４図は従来技術を説明するため
の混成集積回路装置の断面図である。 １はアルミナ基板、２は厚膜回路（導体）、３は結晶質
あるいは非晶質より成るガラス、４は導体、６は保護ガ
ラス、９は混入物。 特許出願人 日本電装 株式会社代 理 人
弁理士 恩１）博宣第１図 第４図 熱伺久椋改（ρ門Ａ）
の断面図、第２図は実験結果を示す図、第３図は混成集
積回路装置の断面図、第４図は従来技術を説明するため
の混成集積回路装置の断面図である。 １はアルミナ基板、２は厚膜回路（導体）、３は結晶質
あるいは非晶質より成るガラス、４は導体、６は保護ガ
ラス、９は混入物。 特許出願人 日本電装 株式会社代 理 人
弁理士 恩１）博宣第１図 第４図 熱伺久椋改（ρ門Ａ）
Claims (1)
- １．基板上に導体と絶縁材料を積層して多層構造とし、
その表面を保護ガラスにて覆うようにした集積回路装置
において、 前記保護ガラス中に混入物を分散させたことを特徴とす
る集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237144A JPH07101774B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237144A JPH07101774B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284795A true JPH0284795A (ja) | 1990-03-26 |
| JPH07101774B2 JPH07101774B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=17011059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237144A Expired - Lifetime JPH07101774B2 (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101774B2 (ja) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337856A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-07 | Hitachi Ltd | Thick film circuit and method of producing same |
| JPS5482700A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Nec Corp | Paste compound for insulator forming |
| JPS55111152A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing multilayer thin film circuit board |
| JPS55113641A (en) * | 1979-02-22 | 1980-09-02 | Asahi Glass Co Ltd | Insulating glass composition |
| JPS5734046A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-24 | Asahi Glass Co Ltd | Dielectric glass composition |
| JPS5817695A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | 株式会社日立製作所 | 多層回路板とその製造方法 |
| JPS59193096A (ja) * | 1983-04-16 | 1984-11-01 | 株式会社日立製作所 | 厚膜混成集積回路板 |
| JPS6150395A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | 日立化成工業株式会社 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
| JPS6265956A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Fujitsu Ltd | ガラスセラミツクス絶縁ペ−ストの製造方法 |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP63237144A patent/JPH07101774B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337856A (en) * | 1976-09-20 | 1978-04-07 | Hitachi Ltd | Thick film circuit and method of producing same |
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| JPS5734046A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-24 | Asahi Glass Co Ltd | Dielectric glass composition |
| JPS5817695A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | 株式会社日立製作所 | 多層回路板とその製造方法 |
| JPS59193096A (ja) * | 1983-04-16 | 1984-11-01 | 株式会社日立製作所 | 厚膜混成集積回路板 |
| JPS6150395A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | 日立化成工業株式会社 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
| JPS6265956A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-25 | Fujitsu Ltd | ガラスセラミツクス絶縁ペ−ストの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07101774B2 (ja) | 1995-11-01 |
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Legal Events
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