JPS6265956A - ガラスセラミツクス絶縁ペ−ストの製造方法 - Google Patents
ガラスセラミツクス絶縁ペ−ストの製造方法Info
- Publication number
- JPS6265956A JPS6265956A JP60205621A JP20562185A JPS6265956A JP S6265956 A JPS6265956 A JP S6265956A JP 60205621 A JP60205621 A JP 60205621A JP 20562185 A JP20562185 A JP 20562185A JP S6265956 A JPS6265956 A JP S6265956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- powder
- paste
- temp
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ガラスで被覆したセラミック粒子をバインダおよび溶剤
と混練することにより作られる低温焼成用ガラスセラミ
ック絶縁ペースト。
と混練することにより作られる低温焼成用ガラスセラミ
ック絶縁ペースト。
本発明は低温焼成用ガラスセラミックス絶縁ペーストの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
電子機器の小形化と高性能化を目的として集積回路が実
用化されている。
用化されている。
ここで集積回路はモノリシック（Ｍｏｎｏｌ ｉ ｔｈ
ｉｃ）集積回路とハイブリッド（Ｈｙｂｒｉｄ）４Ａ積
回路に大別することができ、前者は所謂る半導体集積回
路であり、後者は厚膜集積回路と薄膜集積回路とに分類
されている。
ｉｃ）集積回路とハイブリッド（Ｈｙｂｒｉｄ）４Ａ積
回路に大別することができ、前者は所謂る半導体集積回
路であり、後者は厚膜集積回路と薄膜集積回路とに分類
されている。
すなわち厚膜集積回路はアルミナ（α−Ａ１２０、）で
代表されるセラミック基板の上にスクリーン印刷法を用
いて導電ペースト、抵抗ペースト或いは絶縁ペーストを
印刷して配線パターン、抵抗体パターン或いはコンデン
サの誘電体パターンなどを作り、電子回路を形成するも
のである。
代表されるセラミック基板の上にスクリーン印刷法を用
いて導電ペースト、抵抗ペースト或いは絶縁ペーストを
印刷して配線パターン、抵抗体パターン或いはコンデン
サの誘電体パターンなどを作り、電子回路を形成するも
のである。
また薄膜集積回路は真空蒸着法、スパッタ法などの薄膜
形成技術と写真食刻技術（ホトリソグラフィまたは電子
線リソグラフィ）などの方法で微細パターンを形成する
方法である。
形成技術と写真食刻技術（ホトリソグラフィまたは電子
線リソグラフィ）などの方法で微細パターンを形成する
方法である。
ここで厚膜集積回路は構成部品がＬＣＲなどの受動素子
を用いて電子回路が構成されることが多いが、このよう
な電子回路の劣化防止特に抵抗体パターン或いはコンデ
ンサ電極パターンのトリミングを行った後の劣化防止の
ために回路パターンを含む全域にガラス或いはガラスセ
ラミックからなる絶縁ペーストを被覆してオーバコート
層を形成することが行われている。
を用いて電子回路が構成されることが多いが、このよう
な電子回路の劣化防止特に抵抗体パターン或いはコンデ
ンサ電極パターンのトリミングを行った後の劣化防止の
ために回路パターンを含む全域にガラス或いはガラスセ
ラミックからなる絶縁ペーストを被覆してオーバコート
層を形成することが行われている。
本発明はこのオーバコートに使用するガラスセラミック
ス絶縁ペーストの製造方法に関するものである。
ス絶縁ペーストの製造方法に関するものである。
厚膜集積回路を被覆しているオーバコート層は空隙やピ
ンホールなどがなく、完全に電子回路を大気から遮断し
ていることが必要である。
ンホールなどがなく、完全に電子回路を大気から遮断し
ていることが必要である。
ここで絶縁ペーストは無機の絶縁体微粉末とバインダお
よび溶剤とから構成されているが、絶縁体微粉末として
硼珪酸ガラスなどのガラス粉末を使用するガラス絶縁ペ
ーストと云われるものと、ガラス粉末とセラミック粉末
とを使用し、ガラスセラミックス絶縁ペーストと云われ
るものがある。
よび溶剤とから構成されているが、絶縁体微粉末として
硼珪酸ガラスなどのガラス粉末を使用するガラス絶縁ペ
ーストと云われるものと、ガラス粉末とセラミック粉末
とを使用し、ガラスセラミックス絶縁ペーストと云われ
るものがある。
この両者を比較すると前者は焼成温度が低くて済む利点
はあるが、空隙やピンホールができ易く、そのため二回
塗りが必要とされている。
はあるが、空隙やピンホールができ易く、そのため二回
塗りが必要とされている。
また後者は緻密で機械的強度の優れた層ができるが焼成
温度が約８００°Ｃと高く、この熱処理が集積回路の特
性に影響し、特性変化を生じ易いと云う問題がある。
温度が約８００°Ｃと高く、この熱処理が集積回路の特
性に影響し、特性変化を生じ易いと云う問題がある。
そこで後者について焼成温度を下げられるペースト組成
或いは処理方法が要望されている。
或いは処理方法が要望されている。
以上記したようにガラスセラミックス絶縁ペーストは空
隙やピンホールのない緻密なオーバコート層が形成でき
るが焼成温度が高いことが問題である。
隙やピンホールのない緻密なオーバコート層が形成でき
るが焼成温度が高いことが問題である。
そこで焼成温度を下げうる処理方法を見いだすことが問
題である。
題である。
上記の問題はガラス粉末とセラミック粉末とを混合した
後、該ガラスの溶融温度以上にまで加熱して焼結体を作
り、該焼結体を粉砕して得た粉末をバインダと混合し、
溶剤を加えて混練して形成するガラスセラミック絶縁ペ
ーストの製造方法により解決することができる。
後、該ガラスの溶融温度以上にまで加熱して焼結体を作
り、該焼結体を粉砕して得た粉末をバインダと混合し、
溶剤を加えて混練して形成するガラスセラミック絶縁ペ
ーストの製造方法により解決することができる。
従来のガラスセラミックス絶縁ペーストは粒径が数μｍ
のガラス粒子とセラミック粒子とを主構成分とし、これ
を溶剤に溶けたバインダと均一に混合分散させて作った
ものである。
のガラス粒子とセラミック粒子とを主構成分とし、これ
を溶剤に溶けたバインダと均一に混合分散させて作った
ものである。
ここで焼成温度が約８００℃と高い理由はガラスが溶融
してセラミック粒子を被覆し、セラミック粒子の相互が
ガラスによって焼結し一体化させるのにこの程度の温度
を要するからである。
してセラミック粒子を被覆し、セラミック粒子の相互が
ガラスによって焼結し一体化させるのにこの程度の温度
を要するからである。
本発明は焼成温度を下げる方法としてセラミックスの表
面を予めガラスで被覆しておくものであり、被覆方法と
してはガラス粉とセラミック粉とを高温で焼成して焼結
体をつくり、これを粉砕することにより一部或５いは全
部がガラスにより被覆されたセラミック粉末を作るもの
である。
面を予めガラスで被覆しておくものであり、被覆方法と
してはガラス粉とセラミック粉とを高温で焼成して焼結
体をつくり、これを粉砕することにより一部或５いは全
部がガラスにより被覆されたセラミック粉末を作るもの
である。
軟化点が約６００℃で粒径が約３μｍの鉛硼硅酸ガラス
と粒径が約３μｍのアルミナ粉末をそれぞれ５０重量％
になるように秤量し、これをアルミナ坩堝に入れ、大気
中で温度９００℃で１時間に互って焼成して焼結体を作
った。
と粒径が約３μｍのアルミナ粉末をそれぞれ５０重量％
になるように秤量し、これをアルミナ坩堝に入れ、大気
中で温度９００℃で１時間に互って焼成して焼結体を作
った。
この焼結体を機械的に粉砕した後、ジェットミルを用い
て粉砕し、平均粒径が５μｍのガラスセラミックス粉末
を得た。
て粉砕し、平均粒径が５μｍのガラスセラミックス粉末
を得た。
これを用い、第１表に示す組成のペーストを作った。
第１表
この組成の混合物をボールミルを用いて８時間に互って
混練したのち播塊機に移し、アセトンを薫発させてガラ
スセラミック絶縁ペーストを調製した。
混練したのち播塊機に移し、アセトンを薫発させてガラ
スセラミック絶縁ペーストを調製した。
次にこのペーストを寸法が１２０ Ｘ１００龍、厚さ１
ｗｍのアルミナ基板上に７０μｍの厚さにスクリーン印
刷した後、大気中で温度７００°ｃ、３０分の焼成を行
い、ガラスセラミックス絶縁層を形成した。
ｗｍのアルミナ基板上に７０μｍの厚さにスクリーン印
刷した後、大気中で温度７００°ｃ、３０分の焼成を行
い、ガラスセラミックス絶縁層を形成した。
そして同様に厚膜焼成した従来の絶縁層と特性比較を行
った。
った。
第２表はこの結果である。
第２表
ここで硼硅酸ガラスは鉛硼硅酸ガラス粉末だけを用いる
ものであって、従来品と発明品は鉛硼硅酸ガラスとアル
ミナの組成比が５０重量％づつノモのである。
ものであって、従来品と発明品は鉛硼硅酸ガラスとアル
ミナの組成比が５０重量％づつノモのである。
この表から明らかなように本発明に係るガラスセラミッ
クス絶縁ペーストを用いた絶縁層は密度と曲げ強さは従
来品と変わらないにも拘わらず、焼成温度が１００℃も
低下できることが判る。
クス絶縁ペーストを用いた絶縁層は密度と曲げ強さは従
来品と変わらないにも拘わらず、焼成温度が１００℃も
低下できることが判る。
以上記したように本発明の実施より、焼成温度が従来よ
り約１００℃下げることが可能となり、これにより厚膜
集積回路の特性変化を無くすることができ、信頼性を向
上することができる。
り約１００℃下げることが可能となり、これにより厚膜
集積回路の特性変化を無くすることができ、信頼性を向
上することができる。
Claims (1)
- ガラス粉末とセラミック粉末とを混合した後、該ガラス
の溶融温度以上にまで加熱して焼結体を作り、該焼結体
を粉砕して得た粉末をバインダと混合し、溶剤を加えて
混練して形成することを特徴とするガラスセラミック絶
縁ペーストの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60205621A JPS6265956A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | ガラスセラミツクス絶縁ペ−ストの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60205621A JPS6265956A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | ガラスセラミツクス絶縁ペ−ストの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265956A true JPS6265956A (ja) | 1987-03-25 |
Family
ID=16509914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60205621A Pending JPS6265956A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | ガラスセラミツクス絶縁ペ−ストの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265956A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284795A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Nippon Denso Co Ltd | 集積回路装置 |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60205621A patent/JPS6265956A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284795A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Nippon Denso Co Ltd | 集積回路装置 |
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