JPH02851B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH02851B2 JPH02851B2 JP55145465A JP14546580A JPH02851B2 JP H02851 B2 JPH02851 B2 JP H02851B2 JP 55145465 A JP55145465 A JP 55145465A JP 14546580 A JP14546580 A JP 14546580A JP H02851 B2 JPH02851 B2 JP H02851B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor device
- protrusions
- coating
- semiconductor devices
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用ウエーハの平坦化方法に
関する。特に、半導体装置の製造工程においてし
ばしば使用される、多結晶シリコン（Si）層、窒
化シリコン（Si3N4）層、シリケートガラス層等
の気相成長工程の施こされた直後の半導体装置用
ウエーハの表面に往々発生する突起等を除去し、
そのウエーハ表面を平坦化する方法に関する。
関する。特に、半導体装置の製造工程においてし
ばしば使用される、多結晶シリコン（Si）層、窒
化シリコン（Si3N4）層、シリケートガラス層等
の気相成長工程の施こされた直後の半導体装置用
ウエーハの表面に往々発生する突起等を除去し、
そのウエーハ表面を平坦化する方法に関する。
一般に半導体装置用ウエーハに所望の物質を気
相成長させる工程は清浄な真空容器中で施こされ
るから、巨視的には異物の侵入はありえないが、
反応条件が微妙であるため、微視的に検査すると
その表面は必らずしも平坦とは云い難いことが
往々である。すなわち、シリコン（Si）や窒化シ
リコン（Si3N4）等の高さ５乃至10μｍの突起が
存在したり、時には全く異質の物質片の存在を発
見することもある。
相成長させる工程は清浄な真空容器中で施こされ
るから、巨視的には異物の侵入はありえないが、
反応条件が微妙であるため、微視的に検査すると
その表面は必らずしも平坦とは云い難いことが
往々である。すなわち、シリコン（Si）や窒化シ
リコン（Si3N4）等の高さ５乃至10μｍの突起が
存在したり、時には全く異質の物質片の存在を発
見することもある。
従来は、かゝる平坦不良性の詳細内容が必らず
しも明らかではなかつた事実及びかゝる平坦不良
性を補修する有効な方法がなかつた事実等によ
り、そのまゝ次工程を施こしており、結果的に歩
留り低下の原因、更には、信頼性低下の原因をな
していた。
しも明らかではなかつた事実及びかゝる平坦不良
性を補修する有効な方法がなかつた事実等によ
り、そのまゝ次工程を施こしており、結果的に歩
留り低下の原因、更には、信頼性低下の原因をな
していた。
本発明の目的は、かゝる不良な平坦性を有する
半導体装置用ウエーハの表面を平坦化する方法を
提供することであり、気相成長工程完了後その表
面に粘性を有する被覆膜の薄層をまづ形成した後
高硬度で平坦かつ平滑な平板を押圧して不良な平
坦性の原因をなしている突起物等を物理的に破壊
して細粒となし、これを洗浄剤をもつて洗い流し
た後乾燥した不活性気体を用いて乾燥する工程を
要旨とする。
半導体装置用ウエーハの表面を平坦化する方法を
提供することであり、気相成長工程完了後その表
面に粘性を有する被覆膜の薄層をまづ形成した後
高硬度で平坦かつ平滑な平板を押圧して不良な平
坦性の原因をなしている突起物等を物理的に破壊
して細粒となし、これを洗浄剤をもつて洗い流し
た後乾燥した不活性気体を用いて乾燥する工程を
要旨とする。
以下、本発明に係る好ましい一実施例を図面に
従つて説明し、本発明の構成と特有の効果とを明
らかにする。
従つて説明し、本発明の構成と特有の効果とを明
らかにする。
第１図参照
第１の工程は、多結晶シリコン（Si）層、窒化
シリコン（Si3N4）層、シリケートガラス層等所
望の気相成長膜２が設けられた、シリコン（Si）
等よりなる半導体装置用ウエーハ１の表面に、例
えばポリビニルアルコール（CH2CHOH）ｎ等
粘度が高く化学的に安定でかつ水等によつて洗い
流しやすい物質をエチルアルコール（C2H5OH）
等適当な溶剤で稀釈した液体（以下減摩剤３とい
う。）を薄く数μｍの厚さに塗布して被覆膜を形
成する工程である。またポリビニルアルコール
（CH2CHOH）ｎ等の他にネガ型フオトレジスト
に代表されるゴム系ポリマー等を利用することも
可能である。この液体の機能は次工程における減
摩剤又は緩衝材としてのそれであるから、できる
だけ平坦に塗布することが必要である。そのた
め、スピンコート方式を採用することが望まし
い。従つて、この工程の実施に使用する装置は、
通常のウエーハカセツト式ウエーハ送り装置又は
ベルトコンベア式ウエーハ送り装置等のウエーハ
供給装置に接続して、通常のスピンコート装置と
全く同一の構造を有する減摩剤塗布装置を設けれ
ば足りる。もつとも、この工程の実施のために
は、他の如何なる形式の減摩剤塗布装置を使用し
てもさしつかえないことは云うまでもない。更
に、次工程において使用される押圧板４との粘着
性はなるべく制限しながら減摩剤又は緩衝材とし
ての機能を十分大きくするため、150℃で10分間
程度ベークし、減摩剤３の表面のみを乾燥塗膜に
しておくことが望ましい。
シリコン（Si3N4）層、シリケートガラス層等所
望の気相成長膜２が設けられた、シリコン（Si）
等よりなる半導体装置用ウエーハ１の表面に、例
えばポリビニルアルコール（CH2CHOH）ｎ等
粘度が高く化学的に安定でかつ水等によつて洗い
流しやすい物質をエチルアルコール（C2H5OH）
等適当な溶剤で稀釈した液体（以下減摩剤３とい
う。）を薄く数μｍの厚さに塗布して被覆膜を形
成する工程である。またポリビニルアルコール
（CH2CHOH）ｎ等の他にネガ型フオトレジスト
に代表されるゴム系ポリマー等を利用することも
可能である。この液体の機能は次工程における減
摩剤又は緩衝材としてのそれであるから、できる
だけ平坦に塗布することが必要である。そのた
め、スピンコート方式を採用することが望まし
い。従つて、この工程の実施に使用する装置は、
通常のウエーハカセツト式ウエーハ送り装置又は
ベルトコンベア式ウエーハ送り装置等のウエーハ
供給装置に接続して、通常のスピンコート装置と
全く同一の構造を有する減摩剤塗布装置を設けれ
ば足りる。もつとも、この工程の実施のために
は、他の如何なる形式の減摩剤塗布装置を使用し
てもさしつかえないことは云うまでもない。更
に、次工程において使用される押圧板４との粘着
性はなるべく制限しながら減摩剤又は緩衝材とし
ての機能を十分大きくするため、150℃で10分間
程度ベークし、減摩剤３の表面のみを乾燥塗膜に
しておくことが望ましい。
第２図参照
第２の工程は、表面のみが乾燥状態で内部は液
体状の減摩剤の薄層で覆われた、シリコン（Si）
等よりなる半導体装置ウエーハ１の表面に、例え
ばエツチングマスク等硬度が高く平坦でかつ平滑
な平板４（以下押圧板という。）を押圧して、半
導体装置用ウエーハ１の表面の平坦性を阻害して
いる突起２０等を破壊しこれを細粒とする工程で
ある。半導体装置用ウエーハ１は一般に１mm以下
の薄層であるから、これを破壊せず、しかも突起
２０等は破壊するに十分な圧力で押圧することが
重要である。この工程においては、表面のみが乾
燥状態にあり内部は液体状の減摩剤が介在してい
るから、半導体装置用ウエーハ１の表面が突起２
０等が破壊されてできた粒状体によつて損傷を受
けることはなく、かつ、押圧板４が減摩剤３で汚
染されることもない。この工程の実施に使用する
押圧板押圧装置はエツチング用位置合わせ装置類
似の構造を有し、たゞ、マスクすなわち押圧板と
ウエーハとの間に僅少の圧力が印加しうるように
改造されていれば足りる。もつとも、この工程の
実施のためには、他の如何なる形式の押圧板押圧
装置を使用してもさしつかえないことは云うまで
もない。
体状の減摩剤の薄層で覆われた、シリコン（Si）
等よりなる半導体装置ウエーハ１の表面に、例え
ばエツチングマスク等硬度が高く平坦でかつ平滑
な平板４（以下押圧板という。）を押圧して、半
導体装置用ウエーハ１の表面の平坦性を阻害して
いる突起２０等を破壊しこれを細粒とする工程で
ある。半導体装置用ウエーハ１は一般に１mm以下
の薄層であるから、これを破壊せず、しかも突起
２０等は破壊するに十分な圧力で押圧することが
重要である。この工程においては、表面のみが乾
燥状態にあり内部は液体状の減摩剤が介在してい
るから、半導体装置用ウエーハ１の表面が突起２
０等が破壊されてできた粒状体によつて損傷を受
けることはなく、かつ、押圧板４が減摩剤３で汚
染されることもない。この工程の実施に使用する
押圧板押圧装置はエツチング用位置合わせ装置類
似の構造を有し、たゞ、マスクすなわち押圧板と
ウエーハとの間に僅少の圧力が印加しうるように
改造されていれば足りる。もつとも、この工程の
実施のためには、他の如何なる形式の押圧板押圧
装置を使用してもさしつかえないことは云うまで
もない。
第３の工程は、突起等が破壊されて平坦性が実
現された半導体装置用ウエーハ１の表面に減摩剤
中に浮遊して存在する異物粒子を、例えば純粋な
水等流動性が高く化学的に不活性な液体（洗浄
剤）をもつて洗い流す工程である。半導体装置用
ウエーハ１を水平面内で高速で回転させておきそ
の表面に洗浄剤を垂直方向に高速で噴射しても、
又、半導体装置用ウエーハ１を垂直に近い角度に
保持しておいて洗浄剤を水平方向に噴射してもそ
の目的は達せられる。この工程の実施に使用され
る洗浄装置は通常のスピンコート装置と類似の構
造を有し、たゞ、上方から高速をもつてする洗浄
剤の噴射を可能とすることと、法線方向に飛散し
た洗浄剤の排出系を設ければ足りる。これ以外の
装置が使用可能なことは繰り返すまでもない。
現された半導体装置用ウエーハ１の表面に減摩剤
中に浮遊して存在する異物粒子を、例えば純粋な
水等流動性が高く化学的に不活性な液体（洗浄
剤）をもつて洗い流す工程である。半導体装置用
ウエーハ１を水平面内で高速で回転させておきそ
の表面に洗浄剤を垂直方向に高速で噴射しても、
又、半導体装置用ウエーハ１を垂直に近い角度に
保持しておいて洗浄剤を水平方向に噴射してもそ
の目的は達せられる。この工程の実施に使用され
る洗浄装置は通常のスピンコート装置と類似の構
造を有し、たゞ、上方から高速をもつてする洗浄
剤の噴射を可能とすることと、法線方向に飛散し
た洗浄剤の排出系を設ければ足りる。これ以外の
装置が使用可能なことは繰り返すまでもない。
第４の工程は、平坦化されかつ減摩剤の洗い流
された半導体装置用ウエーハ１を、例えば乾燥窒
素（N2）ガス等化学的に不活性な乾燥気体中で
例えば150℃程度の比較的低温で５乃至10分程度
の適当な時間ベークして、表面酸化等を防ぎなが
ら乾燥する工程である。洗浄剤に純水を使用する
ときは表面酸化の危険性が懸念されるから、この
工程は重要である。この工程の実施に使用する乾
燥装置は半導体装置の製造工程において通常使用
されるベーキング炉と同一の構造を有すれば足り
る。又、ウエーハ送り出し装置が接続されること
は云うまでもない。
された半導体装置用ウエーハ１を、例えば乾燥窒
素（N2）ガス等化学的に不活性な乾燥気体中で
例えば150℃程度の比較的低温で５乃至10分程度
の適当な時間ベークして、表面酸化等を防ぎなが
ら乾燥する工程である。洗浄剤に純水を使用する
ときは表面酸化の危険性が懸念されるから、この
工程は重要である。この工程の実施に使用する乾
燥装置は半導体装置の製造工程において通常使用
されるベーキング炉と同一の構造を有すれば足り
る。又、ウエーハ送り出し装置が接続されること
は云うまでもない。
以上説明せる一連の工程完了の後、半導体製造
工程における通常の次工程例えばエツチング工程
等に進めればよい。
工程における通常の次工程例えばエツチング工程
等に進めればよい。
以上説明せるとおり、本発明によれば、多結晶
シリコン（Si）層、窒化シリコン（Si3N4）層、
シリケートガラス層等の気相成長工程の施された
半導体装置用ウエーハの表面に往々発生する突起
等平坦性を阻害する物を極めて簡単な方法で、し
かも特別に設計された複雑な装置を必要とするこ
となく、完全に除去して、半導体装置用ウエーハ
の表面を平坦化する方法を提供することができ
る。この発明を使用することにより半導体装置の
製造歩留りが向上し、更に、半導体装置の信頼性
が向上する利益は非常に大きい。
シリコン（Si）層、窒化シリコン（Si3N4）層、
シリケートガラス層等の気相成長工程の施された
半導体装置用ウエーハの表面に往々発生する突起
等平坦性を阻害する物を極めて簡単な方法で、し
かも特別に設計された複雑な装置を必要とするこ
となく、完全に除去して、半導体装置用ウエーハ
の表面を平坦化する方法を提供することができ
る。この発明を使用することにより半導体装置の
製造歩留りが向上し、更に、半導体装置の信頼性
が向上する利益は非常に大きい。
なお、上記の説明中に述べた減摩剤、押圧板、
洗浄剤等が一例にすぎず、同様な機能を有する他
の物によつて置換しうることは云うまでもない。
洗浄剤等が一例にすぎず、同様な機能を有する他
の物によつて置換しうることは云うまでもない。
第１，２図は本発明の一実施例を説明するため
の断面図である。 図中、１：半導体装置用ウエーハ、２：気相成
長膜、３：減摩剤、４：押圧板。
の断面図である。 図中、１：半導体装置用ウエーハ、２：気相成
長膜、３：減摩剤、４：押圧板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (イ) 突起を表面に有する気相成長膜を設けた
半導体装置用ウエーハの表面に高い粘度を有す
る被覆膜を塗布により形成する工程と、 (ロ) 該被覆膜の薄層を表面に有する前記半導体装
置用ウエーハの表面に平坦で平滑な表面を有す
る押圧板を押圧し前記突起を破壊する工程と、 (ハ) 該表面を洗浄し前記破壊された突起の粒子を
除去する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置用ウエーハの平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55145465A JPS5769746A (en) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | Flattening method for wafer for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55145465A JPS5769746A (en) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | Flattening method for wafer for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5769746A JPS5769746A (en) | 1982-04-28 |
| JPH02851B2 true JPH02851B2 (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15385861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55145465A Granted JPS5769746A (en) | 1980-10-17 | 1980-10-17 | Flattening method for wafer for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5769746A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128516A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエ−ハの突起物除去方法 |
-
1980
- 1980-10-17 JP JP55145465A patent/JPS5769746A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5769746A (en) | 1982-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0157675B1 (en) | Spinning device for processing a substrate, in particular a semiconductor wafer | |
| US6117778A (en) | Semiconductor wafer edge bead removal method and tool | |
| US5690749A (en) | Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material | |
| JPH03502255A (ja) | ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 | |
| US6893805B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| TWI228265B (en) | Laser cleaning process for semiconductor material and the like | |
| US11033929B2 (en) | Application method | |
| JPH04287922A (ja) | 回転式表面処理方法及びその方法を実施するための回転式表面処理装置 | |
| CN116252236B (zh) | 半导体器件和晶圆表面沉积层的去除方法 | |
| JPH1041222A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN1283375C (zh) | 晶圆清洗的旋转湿制程及其设备 | |
| JPH0774137A (ja) | 基板表面のパーティクル除去方法及びその装置 | |
| JPH02851B2 (ja) | ||
| CN114695084B (zh) | 一种晶圆片和玻璃载盘的贴附方法 | |
| JPH07240360A (ja) | 薬液塗布装置 | |
| JPS6190434A (ja) | 電子素子の製造方法 | |
| EP0416645B1 (en) | Use of cleaning plate for semiconductor fabricating device | |
| JP2752643B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6277747B1 (en) | Method for removal of etch residue immediately after etching a SOG layer | |
| JP2007207973A (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
| US7288465B2 (en) | Semiconductor wafer front side protection | |
| JPS5972725A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH03256328A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100369482B1 (ko) | 반도체소자의평탄화방법 | |
| JPS6143849B2 (ja) |