JPH0287639A - 回路基板構造 - Google Patents
回路基板構造Info
- Publication number
- JPH0287639A JPH0287639A JP63240406A JP24040688A JPH0287639A JP H0287639 A JPH0287639 A JP H0287639A JP 63240406 A JP63240406 A JP 63240406A JP 24040688 A JP24040688 A JP 24040688A JP H0287639 A JPH0287639 A JP H0287639A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- lead
- circuit board
- bump
- tip
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は回路基板のリード形状に関する。
［従来の技術］
従来の集積回路素子をシリコンウェハに搭載して、回路
システムを作る技術は、第２図に示す如く、アルミ配線
１を設けられたウェハ２に、集積回路素子（以下ＩＣと
称す）６を接着剤４で接着し、金ワイヤ５によるワイヤ
ポンディングでアルミバッド６とアルミ配線していた。
システムを作る技術は、第２図に示す如く、アルミ配線
１を設けられたウェハ２に、集積回路素子（以下ＩＣと
称す）６を接着剤４で接着し、金ワイヤ５によるワイヤ
ポンディングでアルミバッド６とアルミ配線していた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、ワイヤボンディングの為
に、１本１本配線しており接合に多くの時間を要した。
に、１本１本配線しており接合に多くの時間を要した。
又、ワイヤ間隔も１４０μ〜２００μに限定され、高密
度実装ができなかった。ウェハ側のボンディング時、ワ
イヤボンディングの原理上、ステッチボンディング側は
金線５を切る為にキャピラリー７をウェハ２に強（あて
る為、ウェハが割れる事があった。そこで本発明の目的
は、この様な問題点を解決するものでその目的とすると
ころは、ボンディングの時間を短縮し、高密度実装を可
能にし、さらにボンディング時のウェハ割れを防止する
ところにある。
度実装ができなかった。ウェハ側のボンディング時、ワ
イヤボンディングの原理上、ステッチボンディング側は
金線５を切る為にキャピラリー７をウェハ２に強（あて
る為、ウェハが割れる事があった。そこで本発明の目的
は、この様な問題点を解決するものでその目的とすると
ころは、ボンディングの時間を短縮し、高密度実装を可
能にし、さらにボンディング時のウェハ割れを防止する
ところにある。
［課題を１（Ｉ（決するための手段］
本発明の回路基板構造は、バンプ付基板によるテープキ
ャリア方式の回路基板において、そのフィンガーリード
の先端部には、接合されるＩＣのアルミパッドに対応し
て突起状の接合バンプが股げられ、アウターリード先端
部には、外部基板電極に対応して、突起状の接合用バン
プが設けられている事を特徴としている。
ャリア方式の回路基板において、そのフィンガーリード
の先端部には、接合されるＩＣのアルミパッドに対応し
て突起状の接合バンプが股げられ、アウターリード先端
部には、外部基板電極に対応して、突起状の接合用バン
プが設けられている事を特徴としている。
なお、外部基板はアルミ配線されたシリコンウェハ、あ
るいは金属薄膜で配線されたガラス基板を用いてもよい
。
るいは金属薄膜で配線されたガラス基板を用いてもよい
。
また、フィンガーリード部の接合用バンプと、アウター
リード部の接合用バンプが、それぞれリードの反対面に
設けられ、工Ｃのアルミパッド面と外部基板の配線面を
向かい合わせて接合したことを特徴とする。
リード部の接合用バンプが、それぞれリードの反対面に
設けられ、工Ｃのアルミパッド面と外部基板の配線面を
向かい合わせて接合したことを特徴とする。
［実施例］
第１図は本発明の断面図であって、ｌ０１３のアルミバ
ッド１６に対してフィンガーリード１７の先端には接合
用バンプ１８が設けられ、外部基板１２上に設けられた
配線１１に対応してアウターリード１９の先端にも接合
用バンプ２ｏが設けられている。また、２１はポリイミ
ド等の基板ベースフィルムでありリード全体を固定して
おく。
ッド１６に対してフィンガーリード１７の先端には接合
用バンプ１８が設けられ、外部基板１２上に設けられた
配線１１に対応してアウターリード１９の先端にも接合
用バンプ２ｏが設けられている。また、２１はポリイミ
ド等の基板ベースフィルムでありリード全体を固定して
おく。
第３図はフィンガーリード部と工０１３を接合した状態
である。基板ベースフィルム２１上に形成されたフィン
ガーリード１７に設けられた接合用バンプ１８を介し接
合されている。工０１５を接続後、基板ベースフィルム
をＡ−Ａ 、 Ｂ−Ｂ 、 Ｃ−Ｏ，Ｄ−Ｄで切断する
。その後、第４図に示す如く、アウターリード１９の先
端部の突起２０と、外部基板１２上に設けられた配線１
１と位置合わせを行ない、ヒーター５０を組み込んだボ
ンディングツール３１にてアウターボンディンクヲ行な
う。もちろん、工０は外部基板上に複数個搭載してよい
。
である。基板ベースフィルム２１上に形成されたフィン
ガーリード１７に設けられた接合用バンプ１８を介し接
合されている。工０１５を接続後、基板ベースフィルム
をＡ−Ａ 、 Ｂ−Ｂ 、 Ｃ−Ｏ，Ｄ−Ｄで切断する
。その後、第４図に示す如く、アウターリード１９の先
端部の突起２０と、外部基板１２上に設けられた配線１
１と位置合わせを行ない、ヒーター５０を組み込んだボ
ンディングツール３１にてアウターボンディンクヲ行な
う。もちろん、工０は外部基板上に複数個搭載してよい
。
以上の説明では、フィンガーリード部の接合用バンプと
アウターリード部の接合用バンプが、それぞれリードの
反対面に設けられた集積回路について説明したが、同じ
側の面に合っても良い。又、外部基板はアルミ配線され
たシリコンウェハ、又は金属薄膜を形成されたガラス基
板であっても良い。
アウターリード部の接合用バンプが、それぞれリードの
反対面に設けられた集積回路について説明したが、同じ
側の面に合っても良い。又、外部基板はアルミ配線され
たシリコンウェハ、又は金属薄膜を形成されたガラス基
板であっても良い。
［発明の効果コ
以上述べた様に、本発明によればバンプ付き基板による
テープキャリア方式の回路基板においてフィンガーリー
ド先端部とアウターリード先端部両方に突起状接合用バ
ンプを設けた回路基板構造にすることにより、工Ｃをシ
リコンウェハ上に搭載し回路システムを作る場合におい
て、ワイヤボンディング方式に比べ、ボンディングの時
間を短縮し、高密度実装を可能にし、さらに、ボンディ
ング時のウェハ割れを防止するという効果を有する。
テープキャリア方式の回路基板においてフィンガーリー
ド先端部とアウターリード先端部両方に突起状接合用バ
ンプを設けた回路基板構造にすることにより、工Ｃをシ
リコンウェハ上に搭載し回路システムを作る場合におい
て、ワイヤボンディング方式に比べ、ボンディングの時
間を短縮し、高密度実装を可能にし、さらに、ボンディ
ング時のウェハ割れを防止するという効果を有する。
第１図；本発明の回路基板構造の主要断面図。
第２図；従来の回路基板構造を示す主要断面図第５図、
第４図；本発明の一実施例を示す図。 １１・・・・・・・・・配 線 １２・・・・・・・・・外部基板 １３ ・・・・・・ ・・・ 工 ０・・・・・・
・・・アルミパッド ・・・・・・・・・フィンガーリード ・・・・・・・・・アウターリード 、２０・・・・・・接合用バンプ
第４図；本発明の一実施例を示す図。 １１・・・・・・・・・配 線 １２・・・・・・・・・外部基板 １３ ・・・・・・ ・・・ 工 ０・・・・・・
・・・アルミパッド ・・・・・・・・・フィンガーリード ・・・・・・・・・アウターリード 、２０・・・・・・接合用バンプ
Claims (4)
- （１）集積回路素子とバンプ付リードと外部基板からな
るテープキャリア方式の回路基板構造において、上記バ
ンプ付リードのフィンガーリード先端部には接合される
集積回路素子のアルミパッドに対応して突起状の接合用
バンプが設けられ、アウターリード先端部には外部基板
電極に対応して、突起状の接合用バンプが設けられてい
ることを特徴とする回路基板構造。 - （２）外部基板が、アルミ配線されたシリコンウェハで
ある事を特徴とする請求項１記載の回路基板構造。 - （３）外部基板が、金属薄膜で配線されたガラスである
事を特徴とする請求項１記載の回路基板構造。 - （４）フィンガーリード部の突起状接合用バンプと、ア
ウターリード部の突起状接合用バンプがそれぞれリード
の反対面に設けられ、集積回路のアルミパッド面と外部
基板の配線面を向かい合わせて接合したことを特徴とす
る請求項１又は請求項２又は請求項３記載の回路基板構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63240406A JPH0287639A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 回路基板構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63240406A JPH0287639A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 回路基板構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287639A true JPH0287639A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17058992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63240406A Pending JPH0287639A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 回路基板構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287639A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192681A (en) * | 1990-08-31 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Low cost erasable programmable read only memory package |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63240406A patent/JPH0287639A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192681A (en) * | 1990-08-31 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Low cost erasable programmable read only memory package |
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