JPH0290671A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPH0290671A JPH0290671A JP63245047A JP24504788A JPH0290671A JP H0290671 A JPH0290671 A JP H0290671A JP 63245047 A JP63245047 A JP 63245047A JP 24504788 A JP24504788 A JP 24504788A JP H0290671 A JPH0290671 A JP H0290671A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 14
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000617708 Homo sapiens Pregnancy-specific beta-1-glycoprotein 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000617725 Homo sapiens Pregnancy-specific beta-1-glycoprotein 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100022019 Pregnancy-specific beta-1-glycoprotein 2 Human genes 0.000 description 1
- TZHYBRCGYCPGBQ-UHFFFAOYSA-N [B].[N] Chemical group [B].[N] TZHYBRCGYCPGBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体！４積回路の製造方法に関し、特に相補
型半導体集積回路の製造方法に関する。
型半導体集積回路の製造方法に関する。
従来、相補型半導体集積回路の製造における不純物の導
入は、二回のホトリソグラフィとイオン注入工程とから
なっていた。それは半導体基板表面に形成されたｐ型及
びｐ型の不純物拡散領域上の層間絶縁膜に開口するコン
タクト工程に続き、ｎ型領域のコンタクト部のみレジス
トが除去された状態で、ヒ素、リン等のｎ型不純物をイ
オン注入で導入する第１のホトリソグラフィ、ｎ型領域
のコンタクト部のみ除去された状態でホウ素等のｐ型の
不純物をイオン注入で導入する第２のホトリソグラフィ
、及びそれに続くＡｉＩ域はその合金の被着形成工程と
からなっていた。
入は、二回のホトリソグラフィとイオン注入工程とから
なっていた。それは半導体基板表面に形成されたｐ型及
びｐ型の不純物拡散領域上の層間絶縁膜に開口するコン
タクト工程に続き、ｎ型領域のコンタクト部のみレジス
トが除去された状態で、ヒ素、リン等のｎ型不純物をイ
オン注入で導入する第１のホトリソグラフィ、ｎ型領域
のコンタクト部のみ除去された状態でホウ素等のｐ型の
不純物をイオン注入で導入する第２のホトリソグラフィ
、及びそれに続くＡｉＩ域はその合金の被着形成工程と
からなっていた。
上述した従来の不純物導入方法は、二回のホトリソグラ
フィ工程を行っているので工程が長いということと、イ
オン注入法で不純物を導入する際、静電破壊が起り易い
という欠点があった。
フィ工程を行っているので工程が長いということと、イ
オン注入法で不純物を導入する際、静電破壊が起り易い
という欠点があった。
本発明の半導体集積回路の製造方法は、半導体基板にｐ
型及びｎ型拡散領域を形成する工程と、前記半導体基板
を絶縁膜で覆う工程と、前記ｐ型及びｎ型拡散領域上の
前記絶縁膜を選択除去してコンタクト用開口部を形成す
る工程と、全面に導電性のマスク材を堆積する工程と、
前記マスク材の上にリンを含む珪酸ガラス膜を堆積する
工程と、前記ｎ型拡散領域のコンタクト形成部の前記珪
酸ガラス膜をレジストのマスクを用いて選択除去する工
程と、前記珪酸ガラス膜または前記レジストをマスクと
して前記ｎ型拡散領域にｐ型不純物を導入する工程と、
前記ｎ型拡散領域上の前記珪酸ガラス膜を選択除去する
工程と、熱処理して前記珪酸ガラス膜中のリンを前記ｎ
型拡散領域に熱拡散する工程と、前記ｐ型及びｎ型拡散
領域にそれぞれ接続する配線を形成する工程とを含んで
構成される。
型及びｎ型拡散領域を形成する工程と、前記半導体基板
を絶縁膜で覆う工程と、前記ｐ型及びｎ型拡散領域上の
前記絶縁膜を選択除去してコンタクト用開口部を形成す
る工程と、全面に導電性のマスク材を堆積する工程と、
前記マスク材の上にリンを含む珪酸ガラス膜を堆積する
工程と、前記ｎ型拡散領域のコンタクト形成部の前記珪
酸ガラス膜をレジストのマスクを用いて選択除去する工
程と、前記珪酸ガラス膜または前記レジストをマスクと
して前記ｎ型拡散領域にｐ型不純物を導入する工程と、
前記ｎ型拡散領域上の前記珪酸ガラス膜を選択除去する
工程と、熱処理して前記珪酸ガラス膜中のリンを前記ｎ
型拡散領域に熱拡散する工程と、前記ｐ型及びｎ型拡散
領域にそれぞれ接続する配線を形成する工程とを含んで
構成される。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、ｐ型中、結晶シリコ
ン基板１に周知の方法によってｎウェル２を形成する。
ン基板１に周知の方法によってｎウェル２を形成する。
ｎチャネル側チャネルストッパー３、ｎチャネル側チャ
ネルストッパー４を形成した後、選択酸化法を用いてフ
ィールド酸化ｐｌＡ５を形成して素子領域を分解する。
ネルストッパー４を形成した後、選択酸化法を用いてフ
ィールド酸化ｐｌＡ５を形成して素子領域を分解する。
ヒ素を導入してｎ“拡散領域６、ホウ素を拡散してｐ＋
拡散領域７を形成する。表面にホウリン珪酸ガラス（以
下Ｂ Ｐ Ｓ Ｇと記す）の層間絶縁膜８を堆積し、ｎ
＋拡散頒域６及びｐ＋拡散頒域７上にコンタクト用の開
口部９，１０を設ける。
拡散領域７を形成する。表面にホウリン珪酸ガラス（以
下Ｂ Ｐ Ｓ Ｇと記す）の層間絶縁膜８を堆積し、ｎ
＋拡散頒域６及びｐ＋拡散頒域７上にコンタクト用の開
口部９，１０を設ける。
次に、第１図（ｂ）に示すように、全面に多結晶シリコ
ン膜１１を減圧の化学的気相成長法（ＬＰＧＶＤ）によ
り１０〜１００ ｎ ｍ厚さに、続いてリン珪酸ガラス
（以下ＰＳＧと記す）膜１２を化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ）により１００〜２００ｎｍの厚さに堆積する。
ン膜１１を減圧の化学的気相成長法（ＬＰＧＶＤ）によ
り１０〜１００ ｎ ｍ厚さに、続いてリン珪酸ガラス
（以下ＰＳＧと記す）膜１２を化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ）により１００〜２００ｎｍの厚さに堆積する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、ホトレジスト１３を
マスクとする周知のホトリソグラフィ工程によってｐ＋
拡散領域７及びその周辺の上のＰ Ｓ Ｇ膜１２を除去
し、同じホトレジストをマスクにしてホウ素１４をｐ＋
拡散領域７及び多結晶シリコン！１１の表面にイオン注
入する。多結晶シリコン膜１１は弱い導電性を有するの
で、イオン注入による静電破壊が起りにくい。ＰＳＧ膜
１膜上２去は、緩衝弗酸（弗酸と弗化アンモニウムとの
混合液）、で行なう、この時、多結晶シリコンＭ１１は
ＦＪ！ｆｆｊ弗酸によるエツチング速度がＰＳＧｆｉに
較べて非常に小さいので、エツチングのストッパーとし
ての役割を果し、ＢＰＳＧの層間絶縁Ｊｌ！８がエツチ
ング液に晒されることはない。
マスクとする周知のホトリソグラフィ工程によってｐ＋
拡散領域７及びその周辺の上のＰ Ｓ Ｇ膜１２を除去
し、同じホトレジストをマスクにしてホウ素１４をｐ＋
拡散領域７及び多結晶シリコン！１１の表面にイオン注
入する。多結晶シリコン膜１１は弱い導電性を有するの
で、イオン注入による静電破壊が起りにくい。ＰＳＧ膜
１膜上２去は、緩衝弗酸（弗酸と弗化アンモニウムとの
混合液）、で行なう、この時、多結晶シリコンＭ１１は
ＦＪ！ｆｆｊ弗酸によるエツチング速度がＰＳＧｆｉに
較べて非常に小さいので、エツチングのストッパーとし
ての役割を果し、ＢＰＳＧの層間絶縁Ｊｌ！８がエツチ
ング液に晒されることはない。
次に、第１図（ｄ）に示すように、ホトレジスト１３を
除去した後、全面にＣＶＤ法により厚さ１１００ｎのシ
リコン酸化膜１５を堆積し、不活性雰囲気中で熱処理を
行うことによりｐ＋拡散領域７においてはイオン注入し
たホウ素がｎ″″拡散領域６においてはＰＳＧＭ！Ａ１
２からリンが多結晶シリコン膜１１を通して、基板内部
に拡散されてそれぞれｐ＋拡散領域１７．ｎ＋拡散領域
が形成される。
除去した後、全面にＣＶＤ法により厚さ１１００ｎのシ
リコン酸化膜１５を堆積し、不活性雰囲気中で熱処理を
行うことによりｐ＋拡散領域７においてはイオン注入し
たホウ素がｎ″″拡散領域６においてはＰＳＧＭ！Ａ１
２からリンが多結晶シリコン膜１１を通して、基板内部
に拡散されてそれぞれｐ＋拡散領域１７．ｎ＋拡散領域
が形成される。
次に、第１図（ｅ）に示すように、シリコン酸化膜１５
とＰＳＧ膜１膜上２緩衝弗酸で除去した後、全面にアル
ミニウム層１８を被着する。
とＰＳＧ膜１膜上２緩衝弗酸で除去した後、全面にアル
ミニウム層１８を被着する。
次に、第１図（ｆ）に示すように、ホトリングラフィ技
術によりアルミニウム層１８を選択エツチングしてアル
ミニウム配線１つを形成する。
術によりアルミニウム層１８を選択エツチングしてアル
ミニウム配線１つを形成する。
上記の製造方法によると、０＋拡散領域１６とｐ＋拡散
領域１７とは開口部９，１０と自己整合的に形成される
ため、ホトリングラフィ工程における目金せずれによっ
て開口部９．１０がｎ＋拡散領域６及びｐ＋拡散領域７
をずれた場合でも、アルミニウム配線１９とシリコン基
板１あるいはｒｌウェル２とが直接接触してリークを起
すことはない。
領域１７とは開口部９，１０と自己整合的に形成される
ため、ホトリングラフィ工程における目金せずれによっ
て開口部９．１０がｎ＋拡散領域６及びｐ＋拡散領域７
をずれた場合でも、アルミニウム配線１９とシリコン基
板１あるいはｒｌウェル２とが直接接触してリークを起
すことはない。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示した断面図である。
るための工程順に示した断面図である。
第１の実施例との相違点は、本実施例にあってはＭＯＳ
ＦＥＴのゲート電極又は配線としてリンをドープした多
結晶シリコン層２１、第１の層間絶縁ＷＡ８の上に第２
の配線層としてタングステンシリサイド層２２が形成さ
れ、さらにＢＰＳＧの第２の層間絶縁８２３を堆積して
、開口部９゜１０の他に、タングステンシリサイド層上
の開口部２４、及び多結晶シリコン層上の開口部２５を
周知の方法で設けて、これらをＡ、＆で相互に結線して
いる点であってその為にコンタクト用開口部形成後、全
面にタングステンシリサイド２６及びＰＳＧ膜２７被着
形成し、ホトリソグラフィ工程により、開口部１０上の
ＰＳＧ膜２７を除去する。次に、ホウ素を不純物として
含むシリカフィルム或はホウ素−窒素骨格のポリマー層
２８をスピンコードした後、不活性雰囲気中で熱処理を
行って、開口部１０の基板表面にはｐ“拡散領域１７、
開口部９の基板表面にはｎ＋拡散領域１６を形成し、ホ
トリソグラフィ工程における目金せずれによるコンタク
トの外抜きの問題を解決する。
ＦＥＴのゲート電極又は配線としてリンをドープした多
結晶シリコン層２１、第１の層間絶縁ＷＡ８の上に第２
の配線層としてタングステンシリサイド層２２が形成さ
れ、さらにＢＰＳＧの第２の層間絶縁８２３を堆積して
、開口部９゜１０の他に、タングステンシリサイド層上
の開口部２４、及び多結晶シリコン層上の開口部２５を
周知の方法で設けて、これらをＡ、＆で相互に結線して
いる点であってその為にコンタクト用開口部形成後、全
面にタングステンシリサイド２６及びＰＳＧ膜２７被着
形成し、ホトリソグラフィ工程により、開口部１０上の
ＰＳＧ膜２７を除去する。次に、ホウ素を不純物として
含むシリカフィルム或はホウ素−窒素骨格のポリマー層
２８をスピンコードした後、不活性雰囲気中で熱処理を
行って、開口部１０の基板表面にはｐ“拡散領域１７、
開口部９の基板表面にはｎ＋拡散領域１６を形成し、ホ
トリソグラフィ工程における目金せずれによるコンタク
トの外抜きの問題を解決する。
本実施例においては、開口部２４．２５からリンが導入
され、それぞれタングステンシリサイド層２６と同時に
形成されるアルミニウム配線１つとタングステンシリサ
イド層２２及び多結晶シリコ層２１とのコンタクト抵抗
の低減の役割も果している。アルミニウムの下に形成さ
れＰＳＧ膜２７のエツチング除去のマスク材の役割を果
したタングステンシリサイドＨ２６は導電性である為、
ｎ＋及びｐ＋拡散領域６，７、多結晶シリコン層２１及
びタングステンシリサイド層とアルミニウム配線とのコ
ンタクト抵抗は問題なく低くできるなど、各種配線層を
用いることができる。
され、それぞれタングステンシリサイド層２６と同時に
形成されるアルミニウム配線１つとタングステンシリサ
イド層２２及び多結晶シリコ層２１とのコンタクト抵抗
の低減の役割も果している。アルミニウムの下に形成さ
れＰＳＧ膜２７のエツチング除去のマスク材の役割を果
したタングステンシリサイドＨ２６は導電性である為、
ｎ＋及びｐ＋拡散領域６，７、多結晶シリコン層２１及
びタングステンシリサイド層とアルミニウム配線とのコ
ンタクト抵抗は問題なく低くできるなど、各種配線層を
用いることができる。
以上説明したように本発明は、ｎ＋側のコンタクト用開
口部へのｎ型不純物の導入をＰＳＧ膜からの拡散で行い
、ｐ＋側コンタクト用開口部へのｎ型不純物導入をＰＳ
Ｇ或はＰＳＧ及びホトレジストと層間絶縁膜とで自己整
合的に行うことによって、ホトリソグラフィの工程を一
つに減らすことができ、ＰＳＧ膜の下層に導電性を持ち
、ＰＳＧのエツチングに対して耐性を持っている多結晶
シリコン、シリサイドなどのマスク材をひいておくこと
により、ｎ型不純物をイオン注入で導入する際の静電破
壊を防ぎ、接触抵抗を下げる効果がある。
口部へのｎ型不純物の導入をＰＳＧ膜からの拡散で行い
、ｐ＋側コンタクト用開口部へのｎ型不純物導入をＰＳ
Ｇ或はＰＳＧ及びホトレジストと層間絶縁膜とで自己整
合的に行うことによって、ホトリソグラフィの工程を一
つに減らすことができ、ＰＳＧ膜の下層に導電性を持ち
、ＰＳＧのエツチングに対して耐性を持っている多結晶
シリコン、シリサイドなどのマスク材をひいておくこと
により、ｎ型不純物をイオン注入で導入する際の静電破
壊を防ぎ、接触抵抗を下げる効果がある。
６・・・ｎ＋拡散領域、７・・・ｐ＋拡散領域、８・・
・層間絶縁膜、９，１０・・・開口部、１０・・・素子
分離領域（シリコン酸化膜）、１１・・・多結晶シリコ
ン層、１２・・・ＰＳＧ膜、１３・・・ホトレジスト、
１４・・・ホウ素、１５・・・シリコン酸化膜、１６・
・・ｎ＋拡散領域、１７・・・ｐ“拡散領域、１８・・
・アルミニウム層、１９・・・アルミニウム配線、２１
・・・多結晶シリコン層、２２・・・タングステンシリ
サイド層、２３・・・第２の層間絶縁膜、２４．２５・
・・開口部、２７・・・タングステンシリサイド層、２
６・・・ＰＳＧ１％、２８・・・ポリマー層。
・層間絶縁膜、９，１０・・・開口部、１０・・・素子
分離領域（シリコン酸化膜）、１１・・・多結晶シリコ
ン層、１２・・・ＰＳＧ膜、１３・・・ホトレジスト、
１４・・・ホウ素、１５・・・シリコン酸化膜、１６・
・・ｎ＋拡散領域、１７・・・ｐ“拡散領域、１８・・
・アルミニウム層、１９・・・アルミニウム配線、２１
・・・多結晶シリコン層、２２・・・タングステンシリ
サイド層、２３・・・第２の層間絶縁膜、２４．２５・
・・開口部、２７・・・タングステンシリサイド層、２
６・・・ＰＳＧ１％、２８・・・ポリマー層。
第１図（ａ）〜（ｆ）及び第２図（ａ）、（ｂ）はそれ
ぞれ本発明の第１及び第２の実施例を説明するための工
程順に示した半導体チップの断面図である。
ぞれ本発明の第１及び第２の実施例を説明するための工
程順に示した半導体チップの断面図である。
Claims (1)
- 半導体基板にｐ型及びｎ型拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板を絶縁膜で覆う工程と、前記ｐ型及びｎ
型拡散領域上の前記絶縁膜を選択除去してコンタクト用
開口部を形成する工程と、全面に導電性のマスク材を堆
積する工程と、前記マスク材の上にリンを含む珪酸ガラ
ス膜を堆積する工程と、前記ｐ型拡散領域のコンタクト
形成部の前記珪酸ガラス膜をレジストのマスクを用いて
選択除去する工程と、前記珪酸ガラス膜または前記レジ
ストをマスクとして前記ｐ型拡散領域にｐ型不純物を導
入する工程と、前記ｐ型拡散領域上の前記珪酸ガラス膜
を選択除去する工程と、熱処理して前記珪酸ガラス膜中
のリンを前記ｎ型拡散領域に熱拡散する工程と、前記ｐ
型及びｎ型拡散領域にそれぞれ接続する配線を形成する
工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245047A JPH0290671A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245047A JPH0290671A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290671A true JPH0290671A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17127794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63245047A Pending JPH0290671A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290671A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5129937A (en) * | 1989-12-26 | 1992-07-14 | Mitsui Toatsu Chemicals Incorporated | Pyridyloxypyrimidine derivatives, preparation process thereof, and herbicidal compositions containing the same as active ingredients |
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1988
- 1988-09-28 JP JP63245047A patent/JPH0290671A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5129937A (en) * | 1989-12-26 | 1992-07-14 | Mitsui Toatsu Chemicals Incorporated | Pyridyloxypyrimidine derivatives, preparation process thereof, and herbicidal compositions containing the same as active ingredients |
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