JPH0290671U - - Google Patents
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- JPH0290671U JPH0290671U JP17079688U JP17079688U JPH0290671U JP H0290671 U JPH0290671 U JP H0290671U JP 17079688 U JP17079688 U JP 17079688U JP 17079688 U JP17079688 U JP 17079688U JP H0290671 U JPH0290671 U JP H0290671U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- crystal growth
- growth chamber
- ion gauge
- beam crystal
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案の分子線強度分布測定機構を備
えた分子線結晶成長室の概略縦断面図。第２図は
実験の配置を示す概略図。 １……シヤツタ、２……イオンゲージ、３……
液体窒素シユラウド、４……分子線源、５……ベ
ローズ、６……分子線シヤツタ、７……分子線結
晶成長室、８……支持棒、９……端板、１０……
穴、１１……ルツボ、１２……ヒータ、１３……
反射板、１４……原料、１５……超高真空フラン
ジ。
えた分子線結晶成長室の概略縦断面図。第２図は
実験の配置を示す概略図。 １……シヤツタ、２……イオンゲージ、３……
液体窒素シユラウド、４……分子線源、５……ベ
ローズ、６……分子線シヤツタ、７……分子線結
晶成長室、８……支持棒、９……端板、１０……
穴、１１……ルツボ、１２……ヒータ、１３……
反射板、１４……原料、１５……超高真空フラン
ジ。
Claims (1)
- 超高真空に引く事のできる分子線結晶成長室と
、分子線結晶成長室の壁面に設けられる適数の分
子線源と、基板を保持するマニピユレータを有し
、分子線を照射して基板面上に薄膜を成長させる
分子線結晶成長装置において、イオンゲージ２と
、穴１０を有するシヤツタ１とを、分子線結晶成
長室内を三次元的に移動できるように設け、穴１
０を通つた分子線のみがイオンゲージ２に入射す
るようにし、イオンゲージ２を移動させる事によ
り空間的な分子線強度を測定できるようにした事
を特徴とする分子線強度分布測定機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17079688U JPH0290671U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17079688U JPH0290671U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290671U true JPH0290671U (ja) | 1990-07-18 |
Family
ID=31462049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17079688U Pending JPH0290671U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290671U (ja) |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP17079688U patent/JPH0290671U/ja active Pending
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