JPH0332353U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0332353U JPH0332353U JP9311289U JP9311289U JPH0332353U JP H0332353 U JPH0332353 U JP H0332353U JP 9311289 U JP9311289 U JP 9311289U JP 9311289 U JP9311289 U JP 9311289U JP H0332353 U JPH0332353 U JP H0332353U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- ion source
- scanner
- supporting
- manufacturing apparatus
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
図面はいずも本考案装置に関するもので、第１
図は一実施例の構成模式図、第２図、第３図はそ
れぞれ他の実施例の構成模式図である。
図は一実施例の構成模式図、第２図、第３図はそ
れぞれ他の実施例の構成模式図である。
Claims (1)
- イオン源と、該イオン源から放出されるイオン
を受ける半導体ウエハを支持する手段と、前記イ
オン源と前記支持手段の間に設備されており、前
記支持手段によつて支持された半導体ウエハに対
して前記イオン源からのイオンを走査させるよう
に制御するイオンビーム制御手段を備える半導体
装置の製造装置において、前記イオンビーム制御
手段は、前記イオンビームに一軸方向の偏位を付
与するスキヤナと、該スキヤナにドライブ信号を
付与する信号発生器とを備えており、該信号発生
器は前記ドライブ信号が走査ビームの偏角に起因
する上記半導体ウエハ表面へのビーム密度の変化
を相殺するように生成すべく構成されていること
を特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9311289U JPH0332353U (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9311289U JPH0332353U (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0332353U true JPH0332353U (ja) | 1991-03-28 |
Family
ID=31642511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9311289U Pending JPH0332353U (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0332353U (ja) |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP9311289U patent/JPH0332353U/ja active Pending