JPH029107B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH029107B2 JPH029107B2 JP22306882A JP22306882A JPH029107B2 JP H029107 B2 JPH029107 B2 JP H029107B2 JP 22306882 A JP22306882 A JP 22306882A JP 22306882 A JP22306882 A JP 22306882A JP H029107 B2 JPH029107 B2 JP H029107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- alloy
- vapor deposition
- evaporation
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は蒸着装置に係り、特に蒸着温度を異に
した２種の金属の薄膜を被蒸着物の表面に重ねて
形成できるようにした蒸着装置に関する。
した２種の金属の薄膜を被蒸着物の表面に重ねて
形成できるようにした蒸着装置に関する。
〔従来の技術〕
一般に真空蒸着は物体の表面に金属の薄膜を形
成する手段として広く知られており、金属または
その化合物を真空中でで加熱蒸発させることによ
り行われる。この真空蒸着方法は各方面で多用さ
れており、例えば電子写真用感光体の感光層とし
てセレンやセレンヒ素合金を導電性基板の上に形
成する際にも使用されている。
成する手段として広く知られており、金属または
その化合物を真空中でで加熱蒸発させることによ
り行われる。この真空蒸着方法は各方面で多用さ
れており、例えば電子写真用感光体の感光層とし
てセレンやセレンヒ素合金を導電性基板の上に形
成する際にも使用されている。
セレンヒ素系感光体を使つた電子写真用感光体
においては、導電性基板に近い側をセレン含有量
の高い組成とし、その上に三セレン化二ヒ素
（As2Se3）の化学量論的組成を重ねて形成し、表
面にピンホールやスジ不良等が生じないようにし
ている。このような２層構造を有する光導電層を
真空蒸着法によつて形成する場合、従来は第１図
に示されるように、内部を真空とした蒸着容器１
内に被蒸着物としてのドラム状の基体２を配置
し、この基体２の下方に一層のセレン含有量の高
いセレンヒ系組成のAs2Se3組成の二層目蒸発源
４を配置している。そして、２つの蒸発源３，４
の加熱温度を個別的に制御できるようにするとと
もに、それぞれ異なる組成のセレンヒ素合金を適
切な蒸発温度にそれれ時間をずらして到達させる
ことによりそれぞれ対応するる一層目と二層目を
形成していた。
においては、導電性基板に近い側をセレン含有量
の高い組成とし、その上に三セレン化二ヒ素
（As2Se3）の化学量論的組成を重ねて形成し、表
面にピンホールやスジ不良等が生じないようにし
ている。このような２層構造を有する光導電層を
真空蒸着法によつて形成する場合、従来は第１図
に示されるように、内部を真空とした蒸着容器１
内に被蒸着物としてのドラム状の基体２を配置
し、この基体２の下方に一層のセレン含有量の高
いセレンヒ系組成のAs2Se3組成の二層目蒸発源
４を配置している。そして、２つの蒸発源３，４
の加熱温度を個別的に制御できるようにするとと
もに、それぞれ異なる組成のセレンヒ素合金を適
切な蒸発温度にそれれ時間をずらして到達させる
ことによりそれぞれ対応するる一層目と二層目を
形成していた。
しかしながら、このような従来の方法による時
には、加熱温度を異にした蒸発源が２つあつて、
それぞれ別個に温度制御されるため基体２の表面
に与える熱的変化の影響が大きく基体２の表面温
度がそれぞれの蒸着時にに一定になりにくく、こ
れが原因で膜厚にもバラツキを生じる傾向があつ
た。また、蒸発源が２つ、即ち熱源も別個に必要
になるのでそれだけ大きな熱量を消費することに
なり基体２のみならず蒸着容器１にも熱的影響を
及ぼし内壁にあらかじめ付着したセレンが剥離し
て塵となつて基体２の表面に付着することが多く
なり、これがピンホールの原因ともなつていた。
さらには熱エネルギーの使用効率も良くないとい
う問題があつた。
には、加熱温度を異にした蒸発源が２つあつて、
それぞれ別個に温度制御されるため基体２の表面
に与える熱的変化の影響が大きく基体２の表面温
度がそれぞれの蒸着時にに一定になりにくく、こ
れが原因で膜厚にもバラツキを生じる傾向があつ
た。また、蒸発源が２つ、即ち熱源も別個に必要
になるのでそれだけ大きな熱量を消費することに
なり基体２のみならず蒸着容器１にも熱的影響を
及ぼし内壁にあらかじめ付着したセレンが剥離し
て塵となつて基体２の表面に付着することが多く
なり、これがピンホールの原因ともなつていた。
さらには熱エネルギーの使用効率も良くないとい
う問題があつた。
そこで、本発明の目的は上述した従来技術が有
する欠点を解消し、蒸着膜の膜厚のバラツキが少
なくかつ表面にピンホールを生じない、特に電子
写真用感光層の形成に好適な蒸着装置を提供する
ことにある。
する欠点を解消し、蒸着膜の膜厚のバラツキが少
なくかつ表面にピンホールを生じない、特に電子
写真用感光層の形成に好適な蒸着装置を提供する
ことにある。
上記目的を達成するために本発明は、内部を真
空下に保持される蒸着容器内に被蒸着物を配置
し、この被蒸着物の下方に蒸発源を配置し、この
蒸発源は天壁の一部を開口した保温カバーと、こ
の保温カバー内に収容され、蒸気圧の異なる二種
の合金をそれぞれ収容するための第１および第２
のボートと、これらのボートのまわりに配置され
た加熱ヒータとを備える蒸着装置において、第１
および第２のボートのそれぞれは石英からなると
ともに、円筒の軸方向に平行な面で切り欠かれた
開口部を上部に備えた形状を有し、さらに上記第
１のボートと第２のボートとは保温カバーの開口
部直下に置かれたヒータの下方に第１ボートを上
側にして上下方向に重ね合わせるように配置され
ていることを特徴とするものである。
空下に保持される蒸着容器内に被蒸着物を配置
し、この被蒸着物の下方に蒸発源を配置し、この
蒸発源は天壁の一部を開口した保温カバーと、こ
の保温カバー内に収容され、蒸気圧の異なる二種
の合金をそれぞれ収容するための第１および第２
のボートと、これらのボートのまわりに配置され
た加熱ヒータとを備える蒸着装置において、第１
および第２のボートのそれぞれは石英からなると
ともに、円筒の軸方向に平行な面で切り欠かれた
開口部を上部に備えた形状を有し、さらに上記第
１のボートと第２のボートとは保温カバーの開口
部直下に置かれたヒータの下方に第１ボートを上
側にして上下方向に重ね合わせるように配置され
ていることを特徴とするものである。
以下、本発明による蒸着装置の実施例を第２図
および第３図を参照して説明する。
および第３図を参照して説明する。
第２図において、符号１１は内部を真空雰囲気
とした蒸着容器を示し、この蒸着容器１１の内側
には被蒸着物としての基体１２が配置されてい
る。この基体１２は本実施例においては電子写真
用のドラムであつてその表面に光導電層を形成し
ようとするものである。この基体１２の直下には
単一の蒸発源１３が配置されている。この蒸発源
１３は、第３図に拡大して示したように、保温カ
バー１４を有し、保温カバー１４の天壁の一部に
はスリツト１５が開口してている。本実施例にお
いては保温カバー１４はステンレス板を二重構成
することによつて構成されている。また、保温カ
バー１４の内側には第１のボート１６と第２のボ
ート１７とが上下に積み重ねられるように配置さ
れている。これらのボート１６，１７は不透明な
石英で構成するのが好ましく断面がほぼ円の上方
の一部を切り欠いて開口部とした形態をなしてい
る。そして、第１のボート１６内には一層目の蒸
発源として、例えばばSe濃度の高い75原子％Se
合金（以下Ａ合金という）が所定量だけ装填され
ており、一方第２のボート１７内には二層目の蒸
発源として三セレン化二ヒ素（As2Se3）の化学
量論的組成からなる合金（以下Ｂ合金という）が
所定量だけ装填されている。これらの合金につい
てはＢ合金よりＡ合金の蒸気圧の方が低いので、
同一真空条件下においては、Ａ合金の方が早く蒸
着が始まることになる。さらに保温カバー１４内
には上記第１のボート１６と第２のボート１７と
を包囲するように５個のヒータ装置１８，１８…
１８が配置されている。これらのヒータ装置１８
は赤外線ヒータを使用することが好ましくこれら
のヒータによつて保温カバー１４内の温度を調節
することができる。また、上記第２のボート１７
内には外部より温度を検出するためのセンサとし
て熱電対１９が差し込まれている。
とした蒸着容器を示し、この蒸着容器１１の内側
には被蒸着物としての基体１２が配置されてい
る。この基体１２は本実施例においては電子写真
用のドラムであつてその表面に光導電層を形成し
ようとするものである。この基体１２の直下には
単一の蒸発源１３が配置されている。この蒸発源
１３は、第３図に拡大して示したように、保温カ
バー１４を有し、保温カバー１４の天壁の一部に
はスリツト１５が開口してている。本実施例にお
いては保温カバー１４はステンレス板を二重構成
することによつて構成されている。また、保温カ
バー１４の内側には第１のボート１６と第２のボ
ート１７とが上下に積み重ねられるように配置さ
れている。これらのボート１６，１７は不透明な
石英で構成するのが好ましく断面がほぼ円の上方
の一部を切り欠いて開口部とした形態をなしてい
る。そして、第１のボート１６内には一層目の蒸
発源として、例えばばSe濃度の高い75原子％Se
合金（以下Ａ合金という）が所定量だけ装填され
ており、一方第２のボート１７内には二層目の蒸
発源として三セレン化二ヒ素（As2Se3）の化学
量論的組成からなる合金（以下Ｂ合金という）が
所定量だけ装填されている。これらの合金につい
てはＢ合金よりＡ合金の蒸気圧の方が低いので、
同一真空条件下においては、Ａ合金の方が早く蒸
着が始まることになる。さらに保温カバー１４内
には上記第１のボート１６と第２のボート１７と
を包囲するように５個のヒータ装置１８，１８…
１８が配置されている。これらのヒータ装置１８
は赤外線ヒータを使用することが好ましくこれら
のヒータによつて保温カバー１４内の温度を調節
することができる。また、上記第２のボート１７
内には外部より温度を検出するためのセンサとし
て熱電対１９が差し込まれている。
このように構成された蒸着装置において、高真
空下でヒータ１８を加熱すると、各蒸発源の温度
カーブ第４図に示したようになる。線１は第１ボ
ート１６内のＡ合金の温度上昇カーブ、線２は第
２ボート１７内のＢ合金の温度上昇カーブを示
す。線２のうち、蒸発源温度の平坦部は第３図の
熱電対１９の先端部での温度であり、平坦に制御
されていることを示す。線１は熱電対１９による
制御によれば、温度上昇速度が大きいことを示す
推測線である。この場合、第１のボート１６内の
Ａ合金は装填量が少なく、また開口部上のヒータ
１８にＢ合金より近いので、温度上昇が大きく、
また蒸気圧の関係からＢ合金よりも時間的に早く
蒸発を開始し、装填した量が少ないためにＢ合金
の温度が蒸気圧に達するまでに蒸着が終了してし
まうように加熱が制御されている。したがつて、
第５図に示すとおり、基体１２の表面にはまずＡ
合金による蒸着膜が一様に形成される。次いで、
Ｂ合金の蒸発が開始されＡ合金による薄膜の上に
Ｂ合金による薄膜が重ねて形成されるわけであ
る。
空下でヒータ１８を加熱すると、各蒸発源の温度
カーブ第４図に示したようになる。線１は第１ボ
ート１６内のＡ合金の温度上昇カーブ、線２は第
２ボート１７内のＢ合金の温度上昇カーブを示
す。線２のうち、蒸発源温度の平坦部は第３図の
熱電対１９の先端部での温度であり、平坦に制御
されていることを示す。線１は熱電対１９による
制御によれば、温度上昇速度が大きいことを示す
推測線である。この場合、第１のボート１６内の
Ａ合金は装填量が少なく、また開口部上のヒータ
１８にＢ合金より近いので、温度上昇が大きく、
また蒸気圧の関係からＢ合金よりも時間的に早く
蒸発を開始し、装填した量が少ないためにＢ合金
の温度が蒸気圧に達するまでに蒸着が終了してし
まうように加熱が制御されている。したがつて、
第５図に示すとおり、基体１２の表面にはまずＡ
合金による蒸着膜が一様に形成される。次いで、
Ｂ合金の蒸発が開始されＡ合金による薄膜の上に
Ｂ合金による薄膜が重ねて形成されるわけであ
る。
なお、上述した実施例においては第１のボート
１６と第２のボート１７とを不透明な石英ボート
で構成したが第１のボート１６を透明の石英で構
成するととももに第２のボート１７を不透明な石
英で構成するようにすると、さらにそれぞれの温
度上昇に差もたせ、異なる金属の二層蒸着を完全
なものとすることができる。
１６と第２のボート１７とを不透明な石英ボート
で構成したが第１のボート１６を透明の石英で構
成するととももに第２のボート１７を不透明な石
英で構成するようにすると、さらにそれぞれの温
度上昇に差もたせ、異なる金属の二層蒸着を完全
なものとすることができる。
また、上記実施例においてAs2Se3合金を使用
したが、これ以外に例えばSe−Te合金等につい
ても応用可能であることはもちろんである。
したが、これ以外に例えばSe−Te合金等につい
ても応用可能であることはもちろんである。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば蒸発源からの輻射熱を小さくして基本に付着し
た合金の再蒸発を防ぐようにしたために基体の表
面に形成される膜厚のバラツキをおさえることが
できる。また、熱エネルギーの使用効率が改善さ
れるので、蒸着容器の壁に付着したセレン等への
加熱時の熱影響が少なくなつてセレン合金が壁か
ら剥離して被蒸着物の表面に付着することも少な
くなり、その結果、ピンホール等を大幅に減少す
ることができる。
ば蒸発源からの輻射熱を小さくして基本に付着し
た合金の再蒸発を防ぐようにしたために基体の表
面に形成される膜厚のバラツキをおさえることが
できる。また、熱エネルギーの使用効率が改善さ
れるので、蒸着容器の壁に付着したセレン等への
加熱時の熱影響が少なくなつてセレン合金が壁か
ら剥離して被蒸着物の表面に付着することも少な
くなり、その結果、ピンホール等を大幅に減少す
ることができる。
第１図は従来の蒸着装置を示した断面図、第２
図は本発明による蒸着装置の一実施例を示した断
面図、第３図は第２図の蒸発源を拡大して示した
断面図、第４図は蒸着時間と蒸発源温度との関係
を示した線図、第５図は蒸着膜内におけるセレン
の濃度分布を示した線図である。 １１……蒸着容器、１２……基体、１３……蒸
発源、１４……保温カバー、１５……スリツト、
１６……第１のボート、１７……第２のボート、
１８……ヒータ装置。
図は本発明による蒸着装置の一実施例を示した断
面図、第３図は第２図の蒸発源を拡大して示した
断面図、第４図は蒸着時間と蒸発源温度との関係
を示した線図、第５図は蒸着膜内におけるセレン
の濃度分布を示した線図である。 １１……蒸着容器、１２……基体、１３……蒸
発源、１４……保温カバー、１５……スリツト、
１６……第１のボート、１７……第２のボート、
１８……ヒータ装置。
Claims (1)
- １ 内部を真空下に保持される蒸着容器内に被蒸
着物を配置し、この被蒸着物の下方に蒸発源を配
置し、この蒸発源は天壁の一部を開口した保温カ
バーと、この保温カバー内に収容され、蒸気圧の
異なる二種の合金をそれぞれ収容するための第１
および第２のボートと、これらのボートのまわり
に配置された加熱ヒータとを備える蒸着装置にお
いて、第１および第２のボートのそれぞれは石英
からなるとともに、円筒の軸方向に平行な面で切
り欠かれた開口部を上部に備えた形状を有し、さ
らに上記第１のボートと第２のボートとは保温カ
バーのの開口部直下に置かれたヒータの下方に第
１ボートを上側にして上下方向に重ね合わせるよ
うに配置されていることを特徴とする装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22306882A JPS59113180A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22306882A JPS59113180A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59113180A JPS59113180A (ja) | 1984-06-29 |
| JPH029107B2 true JPH029107B2 (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16792323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22306882A Granted JPS59113180A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59113180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3008091U (ja) * | 1994-06-13 | 1995-03-07 | オクス工業株式会社 | ハイヒールの踵の補修用張り付け部材 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN207398068U (zh) * | 2017-11-06 | 2018-05-22 | 北京汉能薄膜发电技术有限公司 | 一种制备铜铟镓硒化合物的装置 |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP22306882A patent/JPS59113180A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3008091U (ja) * | 1994-06-13 | 1995-03-07 | オクス工業株式会社 | ハイヒールの踵の補修用張り付け部材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59113180A (ja) | 1984-06-29 |
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