JPH0372152B2 - - Google Patents

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JPH0372152B2
JPH0372152B2 JP15424282A JP15424282A JPH0372152B2 JP H0372152 B2 JPH0372152 B2 JP H0372152B2 JP 15424282 A JP15424282 A JP 15424282A JP 15424282 A JP15424282 A JP 15424282A JP H0372152 B2 JPH0372152 B2 JP H0372152B2
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JP
Japan
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evaporation
concentration
evaporation material
surface area
source
Prior art date
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Expired
Application number
JP15424282A
Other languages
English (en)
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JPS5943876A (ja
Inventor
Hiroyuki Moriguchi
Masanori Matsumoto
Akira Nishiwaki
Yasuo Morohoshi
Hiroyuki Nomori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP15424282A priority Critical patent/JPS5943876A/ja
Publication of JPS5943876A publication Critical patent/JPS5943876A/ja
Publication of JPH0372152B2 publication Critical patent/JPH0372152B2/ja
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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、組成の異なるセレン合金からなる2
種以上の蒸発材料を各熱源によつて加熱、蒸発さ
せるように構成された蒸発源に関するものであ
る。
セレン−テルル合金からなる感光体を製造する
際、いわゆるオープンボートや、クヌートセンセ
ル型と称される蒸発源が使用されることがある。
後者の蒸発源は、蒸発材料を収容した容器(ボー
ト)の上部開口を蒸発面積より狭く絞ることによ
り、蒸着速度が効果的に制御され、かつ突沸で飛
出した蒸発物が上部開口に至るまでの間に壁部に
付着して外方(即ち被蒸着基体側)へ飛翔するこ
とはない等の点で優れたものである。
こうしたクヌートセンセル型蒸発源としては、
構成が比較的簡素化しかつ操作性、蒸発安全性を
改良した単一ボート方式が例えば特開昭55−
176361号で提案されている。この公知の蒸発源
は、第1図の如く、1つのボート1の内空間を隔
壁2で2分し、これらの区分された各空間内に互
いに異なる成分濃度のセレン−テルル合金3,4
を配して、各セレン−テルル合金をヒーター5,
6で加熱、蒸発させ、上部開口7から導出させる
ことができる。この場合、各合金の温度を個々に
制御し、各蒸気を混合しながら例えばドラム状の
被蒸着基体8に蒸着することによつてテルルの濃
度プロフアイルをコントロールしている。
しかしながら、この公知の装置及び方法には次
の如き欠点があることが判明した。即ち、各蒸発
材料の蒸発速度をコントロールするのに各温度を
個別に制御しているので、伝熱効果を無視でき
ず、温度の制御性に難がある。これを防止するた
めに伝熱を遮蔽することが考えられるが、遮蔽手
段の配置等の点で装置の構造が複雑となり、操作
性が劣る。
本発明は、上記とは全く相違した制御方式の適
用によつて、上記の如き問題点を効果的に解消し
たものであつて、組成の異なるセレン合金からな
る2種以上の蒸発材料を加熱、蒸発させるように
構成された蒸発源において、各容器内に収容され
る各蒸発材料の蒸発表面積が互いに異なつてい
て、各蒸発材料が単一の容器内に夫々収容され、
各蒸発材料の混合蒸気を導出させるための開口部
を有し、各蒸発材料を加熱するためのヒーターが
夫々に配され、これらのヒーターが同時にオンす
るように構成したことを特徴とする蒸発源に係る
ものである。
本発明の蒸発源によれば、各蒸発材料の蒸発表
面積を互いに異ならせているので、その蒸発表面
積に対応した各蒸発速度(蒸発量)を制御性良く
得ることができる。従つて、常に所望の蒸発組成
で安定に蒸着することが可能となり、適切な濃度
プロフアイルの蒸着膜を得ることができるのであ
る。
本発明においては、第1の蒸発材料の蒸発表面
積をAL、第2の蒸発材料の蒸発表面積をAHとす
れば、0.1AL≦AM≦2ALであるのが望ましい。蒸
発速度の小さい材料のAMが、蒸発速度の大きい
材料のALの0.1倍未満であると、第2の蒸発材料
の蒸発中の濃度が少なすぎ、またAM>2ALであ
ると、逆に第1の蒸発材料の蒸発量が少なすぎ、
いずれにしても目的とする濃度プロフアイルは得
られ難くなる。好ましくは、蒸発速度の大きい第
1の蒸発材料の蒸発表面積が蒸発速度の小さい第
2の蒸発材料の蒸発表面積より大(AL>AM)と
するのがよい。
以下、本発明を実施例について図面参照下に詳
細に説明する。
第2図に示す蒸発源11はクヌートセンセル型
に構成されるが、これによれば、容器本体10内
には、その内空間を実質的に区分する如き隔壁2
を設け、これにより区分された内空間2a及び2
bでは、濃度の異なる第1のSe−Te蒸発材料3
と第2のSe−Te蒸発材料4とが各内容器13,
14に夫々収容されている。各蒸発材料上には同
時にオンされるヒーターランプ5,6が夫々配さ
れ、更に上部には突沸防止板15,16、蒸気加
速及び凝縮防止用のヒーターランプ17,18が
配されている。
記第1の蒸発材料3としては蒸発速度の大きい
例えばTe濃度4重量%のSe−Teを装填し、上記
第2の蒸発材料4として蒸発速度の小さい例えば
Te濃度20重量%のSe−Teを別々に装填した。そ
して、ここで注目すべき構成は、蒸発速度の大き
い低Te濃度の蒸発材料3の蒸発表面積が、蒸発
速度の小さい高Te濃度の蒸発材料4の蒸発表面
積より大きく(例えば2〜3倍)されていること
である。これによつて、各蒸発量はその蒸発表面
積に対応したものとなり、蒸気のSeとTeとの組
成比をコントロールすることができる。蒸気中の
Te濃度(YTe)は次式で表わされる。
YTe=GL/GTOT×YTeL+GM/GTOT×YTeM (但、GL:低Te濃度の蒸発材料の蒸気量、
GM:高Te濃度の蒸発材料の蒸発量、GTOT:全
蒸発量、YTeL:蒸気中の低Te濃度分、YTeH
蒸気中の高Te濃度分) 上記のGL,GM,GTOTは、 GL=υL×AL GM=υM×AM GTOT=GL+GM (但、υL:低Te濃度の蒸発材料の蒸発速度、
υH:高Te濃度の蒸発材料の蒸発速度、AL:低
Te濃度の蒸発材料の蒸発表面積、AH:高Te濃
度の蒸発材料の蒸発表面積) 従つて、 YTe=υL・AL/GTOT×YTeL+υM・AM/GTOT×YTeM となる。この式から、蒸気中のTe濃度(YTe)は
各蒸発材料の蒸発表面積に比例して変化し、蒸発
表面積の選択によつて精度良くコントロールでき
ることが分る。なお、他のパラメータは、蒸発材
料の合金組成、加熱温度によつて予め一定に設定
される。
本発明に従つて得られた蒸着膜、即ちSe−Te
感光体をX線マイクロアナライザーで解析した結
果、第3図に示す如き理想的なTe濃度プロフア
イルを示し、内層は主として第1の蒸発材料3の
蒸発により形成され、ほぼ一定の低Te濃度
(Te5重量%)であつて厚みの大きい電荷輸送層
として機能する。表層は第2の蒸発材料4の蒸発
により形成され、Te18重量%であり、テルルの
高含有量により特に長波長域の感度が良好となつ
た電荷発生層として機能する。また、この感光体
について、電子写真複写機U−BixV2(小西六写
真工業(株)製)で実写特性を調べたところ、カブリ
のない高濃度な画像が得られた。
上記の如く、本発明に従う蒸発源及びその使用
方法によれば、蒸発源自体の構造が簡素化される
上に、容易に所望の濃度コントロールを行なうこ
とができる。得られた濃度プロフアイル(第3図
参照)は非常に望ましいものであり、感光体の高
感度化、電位保持性、残留電位の低下、黒紙電位
の低下といつた優れた静電特性を奏し得るものと
なる。
なお、上記の各蒸発材料3及び4間におけるテ
ルル濃度は種々選択でき、例えば第1の蒸発材料
3ではTe濃度を0〜8重量%、第2の蒸発材料
4ではTe濃度を15〜25重量%の範囲で夫々選択
してよい。また、テルルに代えて他の成分元素、
例えばヒ素、アンチモン等を用い、これらを各蒸
発材料とも同一種類としてよいし、或いはその種
類を異ならせてもよい。
第4図は、別の例による蒸発源を示している
が、ここでは各蒸発材料3,4間には上述した如
き隔壁を設けておらず、共通の内空間12に各蒸
発材料を配し、共通の突沸防止板15、ヒーター
17を設けている。第4図の蒸発源によれば、隔
壁がないために、各蒸発材料を共通の空間中へ蒸
発させ得るために蒸気の混合を均一化し、均一若
しくは連続した濃度コントロールを行なうことが
できる。これに加えて、容器内に隔壁を設けない
もう一つの利点として、隔壁を設けた場合に生じ
る(テルルによる)隔壁の腐食や蒸着膜への不純
物の混入という事態も避けることができる。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明
の技術的思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、蒸発源の形状や構造、蒸発材料の配置
や個数は種々変更できる。蒸発材料の容器は種々
の形状にして、蒸発表面積をコントロールしてよ
い。また、使用する蒸発材料はSe−Teに限らず、
Se−S、等でもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例による真空蒸着装置の要部概略
図である。第2図〜第4図は本発明の実施例を示
すものであつて、第2図は蒸発源の断面図、第3
図は蒸着膜のテルル濃度プロフアイルを示す図、
第4図は別の蒸発源の断面図である。 なお、図面に示された符号において、2…隔
壁、3…低テルル濃度の蒸発材料、4…高テルル
濃度の蒸発材料、5,6,17,18…ヒータ
ー、7…上部開口、8…被蒸着基体、11…蒸発
源、15,16…突沸防止板、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 組成の異なるセレン合金からなる2種以上の
    蒸発材料を加熱、蒸発させるように構成された蒸
    発源において、各容器内に収容される各蒸発材料
    の蒸発表面積が互いに異なつていて、各蒸発材料
    が単一の容器内に夫々収容され、各蒸発材料の混
    合蒸気を導出させるための開口部を有し、各蒸発
    材料を加熱するためのヒーターが夫々に配され、
    これらのヒーターが同時にオンするように構成し
    たことを特徴とする蒸発源。
JP15424282A 1982-09-04 1982-09-04 蒸発源 Granted JPS5943876A (ja)

Priority Applications (1)

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JP15424282A JPS5943876A (ja) 1982-09-04 1982-09-04 蒸発源

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JP15424282A JPS5943876A (ja) 1982-09-04 1982-09-04 蒸発源

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JPS5943876A JPS5943876A (ja) 1984-03-12
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DE4104415C1 (ja) * 1991-02-14 1992-06-04 4P Verpackungen Ronsberg Gmbh, 8951 Ronsberg, De
US7166169B2 (en) * 2005-01-11 2007-01-23 Eastman Kodak Company Vaporization source with baffle

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