JPH029549Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH029549Y2 JPH029549Y2 JP1982094245U JP9424582U JPH029549Y2 JP H029549 Y2 JPH029549 Y2 JP H029549Y2 JP 1982094245 U JP1982094245 U JP 1982094245U JP 9424582 U JP9424582 U JP 9424582U JP H029549 Y2 JPH029549 Y2 JP H029549Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- convex curved
- plasma cvd
- curved surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は集積回路基板に絶縁膜または金属膜を
生成させる平行平板電極型プラズマCVD装置に
係り、該基板上に均一な膜厚分布を得るのに有効
となる平行平板型電極の形状改良に関する。
生成させる平行平板電極型プラズマCVD装置に
係り、該基板上に均一な膜厚分布を得るのに有効
となる平行平板型電極の形状改良に関する。
(b) 技術の背景
プラズマCVD法により成長したSiN膜、SiON
膜、SiO膜は半導体素子の最終カバー膜または層
間絶縁膜として広く使用されはじめてきた。従来
集積回路の最終カバー膜には主としてCVD−
PSG膜が用いられ、特にナトリウムイオン汚染
に対して優れたパツシベーシヨン効果を得ること
ができたが、膜中のリン濃度によつては吸湿性が
あり、下層のAl電極、配線を腐食し、断線など
の不良を招くと云つた問題を含んでいる。これに
代つてナトリウムイオン汚染に優れた遮蔽効果を
有するCVD−SiN膜、SiON膜、SiO膜が使用さ
れつつありプラズマSiN膜の高温高湿試験では従
来のPSG膜に比して信頼性が約３倍と高い。
膜、SiO膜は半導体素子の最終カバー膜または層
間絶縁膜として広く使用されはじめてきた。従来
集積回路の最終カバー膜には主としてCVD−
PSG膜が用いられ、特にナトリウムイオン汚染
に対して優れたパツシベーシヨン効果を得ること
ができたが、膜中のリン濃度によつては吸湿性が
あり、下層のAl電極、配線を腐食し、断線など
の不良を招くと云つた問題を含んでいる。これに
代つてナトリウムイオン汚染に優れた遮蔽効果を
有するCVD−SiN膜、SiON膜、SiO膜が使用さ
れつつありプラズマSiN膜の高温高湿試験では従
来のPSG膜に比して信頼性が約３倍と高い。
(c) 従来技と問題点
第１図は従来のプラズマCVD装置を示す構成
図である。
図である。
図中、１はチヤンバ、２は上部電極、３はガス
導出口、４は下部電極、５は集積回路基板（ウエ
ハ）、６は排気口、７はシールド、８はガス誘導
管、９はヒータをそれぞれ示す。
導出口、４は下部電極、５は集積回路基板（ウエ
ハ）、６は排気口、７はシールド、８はガス誘導
管、９はヒータをそれぞれ示す。
チヤンバ１に化合物ガスを供給するガス誘導管
８及び導出口３からなる上部電極２に高周波電源
を印加する高周波電極系と、ウエハ５を載置する
下部電極４からなる電極系を設け高周波電圧を二
極間に印加してプラズマを誘起させ、導入する化
合物ガスのイオン化を促進させ、ガス反応により
ウエハ５上に所定の絶縁膜又は金属膜を生成させ
る。チヤンバ１内は一定圧に減圧するために排気
口６を介して排気減圧される。また成膜速度を加
速させ、良質の膜質を得るため加熱用ヒータ９を
備える。
８及び導出口３からなる上部電極２に高周波電源
を印加する高周波電極系と、ウエハ５を載置する
下部電極４からなる電極系を設け高周波電圧を二
極間に印加してプラズマを誘起させ、導入する化
合物ガスのイオン化を促進させ、ガス反応により
ウエハ５上に所定の絶縁膜又は金属膜を生成させ
る。チヤンバ１内は一定圧に減圧するために排気
口６を介して排気減圧される。また成膜速度を加
速させ、良質の膜質を得るため加熱用ヒータ９を
備える。
またガス誘導管を支持し、チヤンバ１の気密性
を保持するためシールド７で固定される。
を保持するためシールド７で固定される。
このように構成される平行平板電極型プラズマ
CVD装置を用いて、低域の高周波電圧例えば数
10KHzで励起される印加電源を与えた場合、結晶
性に優れた良質の膜質が得られる。
CVD装置を用いて、低域の高周波電圧例えば数
10KHzで励起される印加電源を与えた場合、結晶
性に優れた良質の膜質が得られる。
しかしこの際生膜される膜厚分布は中心より周
辺部にかけて厚くなる傾向がありドライエツチン
グ後の実測値で中央が5000Å（0.5μｍ）に対し周
辺部では1000Å〜2000Å（0.1〜0.2μｍ）厚くな
る。
辺部にかけて厚くなる傾向がありドライエツチン
グ後の実測値で中央が5000Å（0.5μｍ）に対し周
辺部では1000Å〜2000Å（0.1〜0.2μｍ）厚くな
る。
(d) 考案の目的
本考案は上記の点に鑑み、平行平板電極型プラ
ズマCVD装置において、平均した膜厚分布が得
られるる電極構造の提供を目的とする。
ズマCVD装置において、平均した膜厚分布が得
られるる電極構造の提供を目的とする。
(e) 考案の構成
上記目的は本考案によれば試料上に絶縁膜又は
金属膜を生成させる平行平板電極型プラズマ
CVD装置であつて、該装置の上部、下部電極の
対向する両端面の周辺を凸状曲面に形成すること
によつて達せられる。
金属膜を生成させる平行平板電極型プラズマ
CVD装置であつて、該装置の上部、下部電極の
対向する両端面の周辺を凸状曲面に形成すること
によつて達せられる。
(f) 考案の実施例
以下、本考案の実施例を図面により詳述する。
第２図は本考案の一実施例であるプラズマ
CVD装置の構成図である。
CVD装置の構成図である。
一定圧に減圧されるチヤンバ２１内で高周波電
圧が印加される上部電極２２及びウエハ２４を載
置する下部電極２３の対向する両端面の周辺を凸
状曲面２５に形成する。所定位置に設置した電極
間に高周波印加時の薄膜生成は前述したように周
辺部が厚くなるため電極周辺部を凸状曲面２５に
端面形成することにより、周辺部の電界強度は弱
まり薄膜が形成される。従つてウエハ上には均一
した膜厚が得られることになる。
圧が印加される上部電極２２及びウエハ２４を載
置する下部電極２３の対向する両端面の周辺を凸
状曲面２５に形成する。所定位置に設置した電極
間に高周波印加時の薄膜生成は前述したように周
辺部が厚くなるため電極周辺部を凸状曲面２５に
端面形成することにより、周辺部の電界強度は弱
まり薄膜が形成される。従つてウエハ上には均一
した膜厚が得られることになる。
(g) 考案の効果
以上詳細に説明したように本考案のプラズマ
CVD装置における電極形状を凸状曲面に形成す
ることにより、均一な膜厚の絶縁膜又は金属膜等
が得られその効果は著しい。
CVD装置における電極形状を凸状曲面に形成す
ることにより、均一な膜厚の絶縁膜又は金属膜等
が得られその効果は著しい。
第１図は従来のプラズマCVD装置を示す構成
図、第２図は本考案の一実施例であるプラズマ
CVD装置を示す構成図である。 図中、２１……チヤンバ、２２……上部電極、
２３……下部電極、２４……ウエハ、２５……凸
状曲面。
図、第２図は本考案の一実施例であるプラズマ
CVD装置を示す構成図である。 図中、２１……チヤンバ、２２……上部電極、
２３……下部電極、２４……ウエハ、２５……凸
状曲面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 表面に多数のガス導出口を配設し、背面にガス
誘導管を接続した平板電極の表面側の周辺端部を
凸状曲面２５に形成した上部電極２２と、 表面にウエハ２４を載置する平板電極の表面側
の周辺端部を凸状曲面２５に形成した下部電極２
３とを、一定の間隔を離して平行に対面配置して
プラズマCVD電極を構成したことを特徴とする
プラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9424582U JPS58196838U (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9424582U JPS58196838U (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196838U JPS58196838U (ja) | 1983-12-27 |
| JPH029549Y2 true JPH029549Y2 (ja) | 1990-03-09 |
Family
ID=30225682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9424582U Granted JPS58196838U (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196838U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5817646B2 (ja) * | 2012-05-29 | 2015-11-18 | 株式会社島津製作所 | サンプルホルダ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55115336A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Anelva Corp | Plasma cvd electrode |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP9424582U patent/JPS58196838U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58196838U (ja) | 1983-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW307027B (en) | Process for reducing circuit damage during pecvd in single wafer pecvd system | |
| JPS5772321A (en) | Manufacture of seiconductor device | |
| JPS62189725A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH02268430A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2794183B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JPS6248759B2 (ja) | ||
| JPS58151031A (ja) | プラズマ化学気相堆積装置 | |
| JPS58171822A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS603128A (ja) | プラズマ酸化装置 | |
| JPS5856339A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS62219912A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS619577A (ja) | プラズマ化学気相成長法 | |
| JPH0620156B2 (ja) | 太陽電池製造装置 | |
| JPS62224029A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0622215B2 (ja) | プラズマエツチング方法 | |
| JPS583635A (ja) | プラズマ中化学気相成長装置 | |
| JPH0451473Y2 (ja) | ||
| JP2797351B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH01238120A (ja) | エッチング装置 | |
| JPH03129821A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62150829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62274725A (ja) | エツチング装置 | |
| JPH0267726A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59161828A (ja) | 反応装置 | |
| JPH0579940U (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |