JPH0296908A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0296908A JPH0296908A JP63249056A JP24905688A JPH0296908A JP H0296908 A JPH0296908 A JP H0296908A JP 63249056 A JP63249056 A JP 63249056A JP 24905688 A JP24905688 A JP 24905688A JP H0296908 A JPH0296908 A JP H0296908A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、更に詳述すれば、磁性
層上に積層される保護層が改良された薄膜磁気ヘッドに
関する。
層上に積層される保護層が改良された薄膜磁気ヘッドに
関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕薄膜磁
気ヘッドは、フェライト或いはサファイア等の耐摩耗性
材料より成る基板上に、センダスト、アモルファス等に
より形成した複数の（下部、上部）磁性層、この磁性層
間に導電性金属から成るコイル導体層及び絶縁層等を成
膜及びエツチングを繰返して所定の形状にパターニング
し。
気ヘッドは、フェライト或いはサファイア等の耐摩耗性
材料より成る基板上に、センダスト、アモルファス等に
より形成した複数の（下部、上部）磁性層、この磁性層
間に導電性金属から成るコイル導体層及び絶縁層等を成
膜及びエツチングを繰返して所定の形状にパターニング
し。
最後に記録媒体の走行による摩耗等から前記磁性層を保
護する目的で保護層を形成して設けられている。保護層
としてはアルミナやＳ ｉＯ２が用いられていた。
護する目的で保護層を形成して設けられている。保護層
としてはアルミナやＳ ｉＯ２が用いられていた。
処で、上記のような構成において、保護層が磁性層に較
べて充分に硬いと、記録媒体の走行による摩耗が磁性層
側に早、く及び、磁性層に偏摩耗が生じてスペーシング
拳ロスを発生することは良く知られている。
べて充分に硬いと、記録媒体の走行による摩耗が磁性層
側に早、く及び、磁性層に偏摩耗が生じてスペーシング
拳ロスを発生することは良く知られている。
一方、前記保護層は軟らか過ぎると全体の摩耗が早くな
り、ヘッド寿命を短かくする。従って。
り、ヘッド寿命を短かくする。従って。
保護層の硬度は磁性層と路間じか、これよりも幾分低い
硬さに設けられていることが望ましい。
硬さに設けられていることが望ましい。
例えば、磁性層のビッカース硬度がＨｖ−８００〜６５
０ｋｇ／−のとき、保護層はＨｖｍ ４００〜８００ｋ
ｇ／−の範囲に設定されていることが望ましい。
０ｋｇ／−のとき、保護層はＨｖｍ ４００〜８００ｋ
ｇ／−の範囲に設定されていることが望ましい。
また、前記保護層の厚みは、記録媒体の摺動性、耐偏摩
耗の点から２０〜４０μｍ程度以上を必要とする。しか
しこの程度の厚みになると２通常、累積された内部応力
により保護層が剥離又は保護層に亀裂を生じる。このた
め内部応力を極力小さくする必要がある。この問題を解
決する１つの有効手段は、ヘッドを構成する各材料の熱
膨張係数を合わせることである。しかしながら、一般に
従来は金属磁性材料と保護層の熱膨張係数を合わせるこ
とは難しかった。
耗の点から２０〜４０μｍ程度以上を必要とする。しか
しこの程度の厚みになると２通常、累積された内部応力
により保護層が剥離又は保護層に亀裂を生じる。このた
め内部応力を極力小さくする必要がある。この問題を解
決する１つの有効手段は、ヘッドを構成する各材料の熱
膨張係数を合わせることである。しかしながら、一般に
従来は金属磁性材料と保護層の熱膨張係数を合わせるこ
とは難しかった。
特開昭８２− １６２１８号公報には、偏摩耗の発生を
効果的に抑制できる保護層としてＭｇＯとＳ ｉＯ２の
混合物が開示されている。更に。
効果的に抑制できる保護層としてＭｇＯとＳ ｉＯ２の
混合物が開示されている。更に。
ＭｇＯとＳｉＯの組成比をＳ ｉＯ２を濃度にして１０
〜７０％とすることにより、適度な硬さ（Ｈｖ−４５０
〜８５０）と所望の熱膨張係数が得られることが記載さ
れている。
〜７０％とすることにより、適度な硬さ（Ｈｖ−４５０
〜８５０）と所望の熱膨張係数が得られることが記載さ
れている。
しかし、この保護層も、上述のような保護層に基本的に
要求される特性を備えつつ、さらに耐食性、加工性まで
をも十分に満足するものではなかった。
要求される特性を備えつつ、さらに耐食性、加工性まで
をも十分に満足するものではなかった。
本発明は、上記従来技術の問題点を飛躍的に改良した薄
膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
本発明によれば、基板と、基板上に下部磁性層、絶縁層
及び上部磁性層を順次有し、該上部磁性層上に形成され
記録媒体走行面に露出する端面を備えた保護層を含む薄
膜磁気ヘッドにおいて。
及び上部磁性層を順次有し、該上部磁性層上に形成され
記録媒体走行面に露出する端面を備えた保護層を含む薄
膜磁気ヘッドにおいて。
前記保護層の主成分を、２０〜７５ ｍｏ１％のＺｒＯ
３と、２５〜８０ ｍｏ１％のｗｏ 及びＭ ｏ Ｏ
ａの１種又は２種としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドにより上記目的を達成できる。
３と、２５〜８０ ｍｏ１％のｗｏ 及びＭ ｏ Ｏ
ａの１種又は２種としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドにより上記目的を達成できる。
好ましくは、Ｙ ２Ｏ３、ＭｇＯ，ＣａＯ及び希土類
酸化物の１種以上で前記Ｚ ｒ Ｏ２の２０ ｍｏｌ％
以下を置き換える。これらの元素はＺ ｒ ０２の安定
化剤として作用する。
酸化物の１種以上で前記Ｚ ｒ Ｏ２の２０ ｍｏｌ％
以下を置き換える。これらの元素はＺ ｒ ０２の安定
化剤として作用する。
本発明の薄膜磁気ヘッドの保護層は、２０〜７５ｍｏ１
％のＺｒＯと、 ２５〜８０ ｍｏ１％のＷＯ３及びＭ
ｏ Ｏ３の１種又は２種を主成分とする。
％のＺｒＯと、 ２５〜８０ ｍｏ１％のＷＯ３及びＭ
ｏ Ｏ３の１種又は２種を主成分とする。
ｗｏ 及びＭ ｏ Ｏ３の１種又は２ｓが２５ ｍｏ
１％未満の場合には、保護層が通常用いられる磁性層に
比し硬くなり（ビッカース硬度で７ＱＯｋｇ ／−を越
える）、磁性層に偏摩耗が生じ、逆に８０ ｍｏ１％を
越える場合には、保護層の硬度が不適当に軟らかくなり
（ビッカース硬度で４００ｋｇ／−未満）。
１％未満の場合には、保護層が通常用いられる磁性層に
比し硬くなり（ビッカース硬度で７ＱＯｋｇ ／−を越
える）、磁性層に偏摩耗が生じ、逆に８０ ｍｏ１％を
越える場合には、保護層の硬度が不適当に軟らかくなり
（ビッカース硬度で４００ｋｇ／−未満）。
早く摩耗する。そのため、ＷＯ及びＭ ｏ Ｏａの１種
又は２種が４０〜７０ ｌｌｌｏｌ％の範囲は好ましい
。
又は２種が４０〜７０ ｌｌｌｏｌ％の範囲は好ましい
。
一方、保護層はスパッタ法、電子ビーム蒸着法等の気相
積着法により形成することができるが。
積着法により形成することができるが。
ｗｏ 及びＭ２Ｏ３の１種又は２種を２５ ｍｏ１％
以上含有するので２例えばスパッタ法を用いた場合でも
歪が少なく残留応力が小さい（約０．３５０Ｐａ以下の
）保護層を形成できる。従って、保護層は。
以上含有するので２例えばスパッタ法を用いた場合でも
歪が少なく残留応力が小さい（約０．３５０Ｐａ以下の
）保護層を形成できる。従って、保護層は。
前記方法により磁性層に直接安定して形成することがで
きる。
きる。
保護層をスパッタ法により形成する場合。
ターゲットを製造ないし入手しやすいように。
ターゲットの安定化剤としてＹ ２Ｏ３、Ｍｇ０゜Ｃ
ａＯ及び希土類酸化物の１種以上を添加することができ
る。希土類酸化物としては、Ｙｂ。
ａＯ及び希土類酸化物の１種以上を添加することができ
る。希土類酸化物としては、Ｙｂ。
Ｓｃ、Ｎｄ、Ｓｍ等の酸化物がある。そのため。
保護層にも前記安定化剤が含有されることがある。前記
安定化剤の保護層への含有は、保護層の主成分全体の２
０ ｍｏ１％以下（好ましくは１０ ｆｌｌｏ１％以下
）の前記安定化剤で、前記Ｚ ｒ Ｏ２の一部をＺ ｒ
Ｏ２の安定化ないし部分安定化に十分な程度の量で置
き換える程度であれば問題はない。
安定化剤の保護層への含有は、保護層の主成分全体の２
０ ｍｏ１％以下（好ましくは１０ ｆｌｌｏ１％以下
）の前記安定化剤で、前記Ｚ ｒ Ｏ２の一部をＺ ｒ
Ｏ２の安定化ないし部分安定化に十分な程度の量で置
き換える程度であれば問題はない。
なお、保護層として必要とされる特性を満たすことがで
きれば、他の成分をターゲットの焼結助剤として含有さ
せることもできるが、安定化剤との合量はＺ「０２に対
して２０ ｍｏ１％以下とすることが好ましい。例えば
Ｓ ｉ２Ｏ３、Ａ ｉＯ＋粘上等である。
きれば、他の成分をターゲットの焼結助剤として含有さ
せることもできるが、安定化剤との合量はＺ「０２に対
して２０ ｍｏ１％以下とすることが好ましい。例えば
Ｓ ｉ２Ｏ３、Ａ ｉＯ＋粘上等である。
以下１図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は１本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例の構造を
示す断面図であり、製造プロセスをこの図に基づいて説
明する。
示す断面図であり、製造プロセスをこの図に基づいて説
明する。
図において、フェライト基板１０上にスパッタ法により
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金の強磁性体を１０μｍ付着し、下
部磁性層１１を形成する。次に下部磁性層１１上の所定
の位置にＳ ｉｏ ２等よりなる非磁性絶縁層１２及び
Ｃｕ、ＡＩ等よりなるコイル導体層１３を適宜形成した
後、コイル導体層１３を含む非磁性絶縁層１２の断面を
図に示すように略台形状にイオンミリングにより加工す
る。次にギャップ層１４を形成し、後に形成する上部磁
性層１５と直接接合する所定の位置（図示せず）よりギ
ャップ層１４を除去して、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金の金属
磁性材料をスパッタ法で１５μｍ付着し、所定の位置（
図示せず）で下部磁性層１１に接合した上部磁性層１５
を形成する。
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金の強磁性体を１０μｍ付着し、下
部磁性層１１を形成する。次に下部磁性層１１上の所定
の位置にＳ ｉｏ ２等よりなる非磁性絶縁層１２及び
Ｃｕ、ＡＩ等よりなるコイル導体層１３を適宜形成した
後、コイル導体層１３を含む非磁性絶縁層１２の断面を
図に示すように略台形状にイオンミリングにより加工す
る。次にギャップ層１４を形成し、後に形成する上部磁
性層１５と直接接合する所定の位置（図示せず）よりギ
ャップ層１４を除去して、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ合金の金属
磁性材料をスパッタ法で１５μｍ付着し、所定の位置（
図示せず）で下部磁性層１１に接合した上部磁性層１５
を形成する。
次に２本発明の要部である保護層１６を上部磁性層１５
の上に形成する。
の上に形成する。
保護層１６は二極ＲＦマグネトロンスパッタ装置により
形成した。ターゲットとしては、その組成が（Ｚ ｒ
０２ ） ９７ （Ｙ２０ａ ） ３であるものを用い
そのターゲット上にＷＯ３の小片（５ｍｍ角）を面積で
１１％になるように配置してＡｒ（５％０２含有）ガス
圧を０．４Ｐａ、陰極電力を３５０Ｗ、電極間距離を５
５ｍｍとし、基板を水冷して厚さ４０μｍの保護層を成
形した。この保護層は、 ４７．２ ｍｏ１％のＺ ｒ
０ 、５１．２ ｍｏ１％のＷ２Ｏ３、及びターゲ
ットの安定化剤である １．８ ｍｏ１％のＹ２Ｏ３を
含有していた。
形成した。ターゲットとしては、その組成が（Ｚ ｒ
０２ ） ９７ （Ｙ２０ａ ） ３であるものを用い
そのターゲット上にＷＯ３の小片（５ｍｍ角）を面積で
１１％になるように配置してＡｒ（５％０２含有）ガス
圧を０．４Ｐａ、陰極電力を３５０Ｗ、電極間距離を５
５ｍｍとし、基板を水冷して厚さ４０μｍの保護層を成
形した。この保護層は、 ４７．２ ｍｏ１％のＺ ｒ
０ 、５１．２ ｍｏ１％のＷ２Ｏ３、及びターゲ
ットの安定化剤である １．８ ｍｏ１％のＹ２Ｏ３を
含有していた。
上述のようにして保護層１６が形成された後、従来と同
様、前記保護層１６を平坦化し、接着剤層（エポキシ）
１８を介して保護板１９と接着し記録媒体走行面２０を
平滑にして２本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドを
製作した。
様、前記保護層１６を平坦化し、接着剤層（エポキシ）
１８を介して保護板１９と接着し記録媒体走行面２０を
平滑にして２本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッドを
製作した。
なお前記実施例ではターゲット上に小片を配して複合酸
化物を形成しているが、複合酸化物から成るターゲット
を用いてもよいことは勿論である。
化物を形成しているが、複合酸化物から成るターゲット
を用いてもよいことは勿論である。
〔評価〕
に） ［（ＺｒＯ） （Ｙ Ｏ） １２
０．９７ ２ ３ ０．０３ １−ｘ［ＷＯ３］ 、
を成分とした保護層の硬度をマイクロビッカース硬度測
定法（２５ｇ荷重）により測定した結果を第２図に実線
で示す。
０．９７ ２ ３ ０．０３ １−ｘ［ＷＯ３］ 、
を成分とした保護層の硬度をマイクロビッカース硬度測
定法（２５ｇ荷重）により測定した結果を第２図に実線
で示す。
また、ＺｒＯ２−ＷＯ３−ＭｏＯ３を主体とした保護層
の硬度も同様に測定した。この結果を第３図に示す。
の硬度も同様に測定した。この結果を第３図に示す。
これらの図により２本発明で特定する範囲内の保護層の
硬度が、磁性層として一般的に用いられているものに対
して良好であることがわかる。
硬度が、磁性層として一般的に用いられているものに対
して良好であることがわかる。
（ロ）厚さ ０．３關のサファイア基板に、［（ＺｒＯ
） （Ｙ Ｏ） ］ ［ＷＯ３］ｘ２ ０．
９７ ２ ３ ０．０３ １−ｘを成分とした厚さ５
辱の保護層を、ＲＦマグネトロンスパッタ装置により形
成し、サファイア基板のソリを測定し、これを保護層の
残留応力に換算した。成膜条件は前記実施例と同様にし
て行なった。この結果を第２図に破線で示す。
） （Ｙ Ｏ） ］ ［ＷＯ３］ｘ２ ０．
９７ ２ ３ ０．０３ １−ｘを成分とした厚さ５
辱の保護層を、ＲＦマグネトロンスパッタ装置により形
成し、サファイア基板のソリを測定し、これを保護層の
残留応力に換算した。成膜条件は前記実施例と同様にし
て行なった。この結果を第２図に破線で示す。
また、前記保護層の主成分をＺｒＯ２−ｗｏ３Ｍ ｏ
Ｏａとする以外は上記方法と同様にして残留応力を求め
た。この結果を第４図に示す。
Ｏａとする以外は上記方法と同様にして残留応力を求め
た。この結果を第４図に示す。
これらの図により２本発明で特定する範囲内の保護層を
形成した前記基板の残留応力は、極めて小さいことがわ
かる。
形成した前記基板の残留応力は、極めて小さいことがわ
かる。
（ハ）前記実施例の製造プロセスと同様に製作された本
発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドのいくつかを、フロッ
ピー・ディスク装置に装着し記録媒体（Ｐｕｊｌｘ Ｖ
Ｆ −ＨＲ）とｔｏｏｏ時間接触走行させて、偏摩耗
を観察した。偏摩耗はオプティカルフラットにより干渉
縞を観察し、磁性層と保護層との段差を調べることによ
り行った。その結果１本発明で特定する範囲内の保護層
で１段差は認められず偏摩耗は生じていなかった。
発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドのいくつかを、フロッ
ピー・ディスク装置に装着し記録媒体（Ｐｕｊｌｘ Ｖ
Ｆ −ＨＲ）とｔｏｏｏ時間接触走行させて、偏摩耗
を観察した。偏摩耗はオプティカルフラットにより干渉
縞を観察し、磁性層と保護層との段差を調べることによ
り行った。その結果１本発明で特定する範囲内の保護層
で１段差は認められず偏摩耗は生じていなかった。
に）本発明の薄膜磁気ヘッドの保護層を、４０’Ｃ。
湿度９０％で１週間放置して耐食性を試験したが。
全く変化しなかった。
本発明の薄膜磁気ヘッドの保護層は、そのビッカース硬
度Ｈｖが約４００〜約７０ｏｋｇ／ｒＭｉノ範囲内にあ
るため、軟らかすぎることがなく、また磁性層として通
常用いられているＣｏ系アモルファス、センダスト等（
Ｈｖは８５０ｋｇ ／−程度）との摩耗性のマツチング
が良好であり、磁性層に偏摩耗が生じない。
度Ｈｖが約４００〜約７０ｏｋｇ／ｒＭｉノ範囲内にあ
るため、軟らかすぎることがなく、また磁性層として通
常用いられているＣｏ系アモルファス、センダスト等（
Ｈｖは８５０ｋｇ ／−程度）との摩耗性のマツチング
が良好であり、磁性層に偏摩耗が生じない。
前記保護層をスパッタ法等により磁性層に直接形成して
も歪が小さく、残留応力がほとんど生じないので、保護
層の剥離や亀裂は生じない。
も歪が小さく、残留応力がほとんど生じないので、保護
層の剥離や亀裂は生じない。
前記保護層は、高温高湿の条件下においても変質せず、
耐食性が良好である。
耐食性が良好である。
前記保護層を磁性層に形成した後に機械的に加工しても
、保護層の剥離や亀裂が生じない。また、フロン系ガス
による反応性エツチングも可能である。
、保護層の剥離や亀裂が生じない。また、フロン系ガス
による反応性エツチングも可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に基づいて構成される薄膜磁気ヘッドの
断面図、第２図はｗｏ３のモル％とビッカース硬度Ｈｖ
、及び内部応力との関係を示した図、第３図及び第４図
はＺｒＯ２−ｗｏ３Ｍ ｏ Ｏ３を主体とした保護層の
夫々ビッカース硬度及び残留応力の測定結果を示す図で
ある。 ｌＯ・・・フェライト基板。 １１・・・下部磁性層。 １３・・・コイル導体層。 １５・・・上部磁性層。 １７・・・フロントギヤ １８・・・接着剤層。 ２ト・・記録媒体走行面 １２・・・非磁性絶縁層。 １４・・・ギャップ層。 １６・・・保護層。 ツブ部。 １９・・・保護板。
断面図、第２図はｗｏ３のモル％とビッカース硬度Ｈｖ
、及び内部応力との関係を示した図、第３図及び第４図
はＺｒＯ２−ｗｏ３Ｍ ｏ Ｏ３を主体とした保護層の
夫々ビッカース硬度及び残留応力の測定結果を示す図で
ある。 ｌＯ・・・フェライト基板。 １１・・・下部磁性層。 １３・・・コイル導体層。 １５・・・上部磁性層。 １７・・・フロントギヤ １８・・・接着剤層。 ２ト・・記録媒体走行面 １２・・・非磁性絶縁層。 １４・・・ギャップ層。 １６・・・保護層。 ツブ部。 １９・・・保護板。
Claims (2)
- （１）基板と、基板上に下部磁性層、絶縁層及び上部磁
性層を順次有し、該上部磁性層上に形成され記録媒体走
行面に露出する端面を備えた保護層を含む薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記保護層の主成分を、２０〜７５ｍｏｌ
％のＺｒＯ＿２と、２５〜８０ｍｏｌ％のＷＯ＿３及び
ＭｏＯ＿３の１種又は２種としたことを特徴とする薄膜
磁気ヘッド。 - （２）Ｙ＿２Ｏ＿３、ＭｇＯ、ＣａＯ及び希土類酸化物
の１種以上で前記ＺｒＯ＿２の２０ｍｏｌ％以下を置き
換えることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63249056A JPH0762890B2 (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 薄膜磁気ヘッド |
| US07/413,503 US4983465A (en) | 1988-10-04 | 1989-09-27 | Thin film magnetic head |
| DE3933176A DE3933176A1 (de) | 1988-10-04 | 1989-10-04 | Duennfilm-magnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63249056A JPH0762890B2 (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0296908A true JPH0296908A (ja) | 1990-04-09 |
| JPH0762890B2 JPH0762890B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17187354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63249056A Expired - Fee Related JPH0762890B2 (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4983465A (ja) |
| JP (1) | JPH0762890B2 (ja) |
| DE (1) | DE3933176A1 (ja) |
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| JPH0782621B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1995-09-06 | 富士写真フイルム株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US5142768A (en) * | 1991-05-02 | 1992-09-01 | International Business Machines Corporation | Method for making magnetic head with enhanced poletip |
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| US5636092A (en) * | 1992-07-31 | 1997-06-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having chromium nitride protective film for use in magnetic recording and/or reproducing apparatus and method of manufacturing the same |
| US5750275A (en) * | 1996-07-12 | 1998-05-12 | Read-Rite Corporation | Thin film heads with insulated laminations for improved high frequency performance |
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|---|---|---|---|---|
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| US4711815A (en) * | 1985-03-07 | 1987-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Recording medium |
| US4777074A (en) * | 1985-08-12 | 1988-10-11 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Grooved magnetic substrates and method for producing the same |
| GB8521753D0 (en) * | 1985-09-02 | 1985-10-09 | Green M | Oxide bronze materials |
| JPH0758527B2 (ja) * | 1986-01-10 | 1995-06-21 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
| US4898774A (en) * | 1986-04-03 | 1990-02-06 | Komag, Inc. | Corrosion and wear resistant magnetic disk |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP63249056A patent/JPH0762890B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-27 US US07/413,503 patent/US4983465A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-04 DE DE3933176A patent/DE3933176A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0762890B2 (ja) | 1995-07-05 |
| US4983465A (en) | 1991-01-08 |
| DE3933176A1 (de) | 1990-04-05 |
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