JPH03106062A - 半導体集積回路装置の冷却構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置の冷却技術に関するもの
である。

〔従来の技術〕

近年、ゲートアレイやマイクロコンピュータなどの論理
ＬＳＩにおいては、集積度の向上に伴って半導体チップ
あたりの消費電力が著し《増大しており、そのため回路
動作時にチップから発生する熱を如何に効率よく外部に
放出するかがチップの動作信頼性を確保する上で大きな
問題となっている。特にチップが基板に面実装（フェイ
スダウンボンディング）される場合は、チップと基板と
が小径のバンプ電極（ＣＣＢバンブ）を介して接続され
るので、チップの熱が効率よく基板側に伝達されず、チ
ップが過熱状態となる結果、回路が誤動作したり、チッ
プの寿命が短くなったりする虞れがある。

ＣＣＢバンブを介してチップを基板に実装した半導体集
積回路装置の放熱対策の一つに、チップの背面に金Ｒ製
のスプリング付きピストンを接触させ、このピストンを
通じてチップの熱を水冷の金属冷却板に伝達する冷却構
造が知られてぃる（株式会社サイエンスフォーラム発行
、「高密度実装技術ハンドブックＪＰ２４０）。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来技術はチップから発生した熱が
冷却媒体に到るまでの経路が長いために冷却効率が低い
という欠点がある。特に、一枚の基板上に多数のチップ
をフェイスダンウンボンディングする、いわゆるマルチ
チップモジュールの場合は、チップの過熱を充分に抑制
することが困難である。

本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的はチップから発生した熱を効率よく外部に
放出することのできる冷却技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本願の一発明である半導体集積回路装置の冷却Ｉ造は、
パッケージ基板の主面にフェイスダウンボンディングし
た半導体チップをキャップで気密封止してなるパッケー
ジをモジュール基板の主面にボンディングし、前記キャ
ップの背面に冷却管の一端を接続するとともに、前記冷
却管の内部に内管を挿入してその一端を前記キャップの
背面近傍に配置することによって、冷媒供給用ジャケッ
トから前記内管を通じてキャップの背面領域に供給され
る冷媒を前記冷却管の内壁と前記内管の外壁との隙間を
通じて冷媒排出用ジャケットに排出するようにしたもの
である。

本願の他の発明である半導体集積回路装置の冷却構造は
、パッケージ基板の主面にフェイスダウンボンディング
した半導体チップをキャップで気密封止してなるパッケ
ージをモジュール基板の主面にボンディングし、前記キ
ャップの背面に多孔質板を接合するとともに、前記多孔
質板を囲むようにして排気管の一端を接続することによ
って、前記パフケージの上方に設けた冷媒供給用ジャケ
ットから前記多孔質板に滴下される液体状の冷媒の蒸気
を前記排気管を通じて冷媒排出用ジャケットに排出する
ようにしたものである。

〔作用〕

前記第一の発明によれば、内管を通じてキャップの背面
領域に供給される冷媒がキャップの背面に直接接触する
ので、半導体チップから発生した熱がキャップの背面か
ら効率よく外部に放出される。

前記第二の発明によれば、表面積の極めて大きい多孔質
板の表面から冷媒が大量に気化され、その気化熱によっ
て多孔質板の熱が急速に奪われるので、半導体チップか
ら発生した熱がキャップの背面から効率よく外部に放出
される。

以下、実施例を用いて本発明を詳述する。

〔実施例ｌ〕

本実施例ｌにおける半導体集積回路装置のパッケージは
、第３図および第４図に示すようなチップキャリャ１で
ある。このチップキャリャ１は、ＣＣＢバンブ２を介し
てパッケージ基板３の電極４上にフエイスダウンボンデ
ィングした半導体チップ５をキャップ６で気密封止した
構造を有している。

上記パッケージ基板３は、ムライトなどのセラミック材
料からなり、その内部には、例えばＷ（タングステン）
からなる内部配線７が形成されている。キャップ６は、
例えば窒化アルミニウム（ＡＡＮ＞からなり、封止用半
田８を介してパッケージ基板３の主面に固着されている
。半導体チッブ５の背面は、伝熱用半田９を介してキャ
ップ６の下面に固着されており、半導体チップ５から発
生した熱が伝熱用半田９を通じてキャップ６に伝達され
るようになっている。キャップ６の背面には、後述する
冷却管ｌＯを接続するためのソケット１１が設けられて
いる。このソケット１１は、例えばキャップ６と一体に
或形されている。なお、キャップ６の寸法は、例えば１
　４　ｍｍ　Ｘ　ｌ　４　ｍｍ程度である。ＣＣＢバン
ブ２は、例えば２重量％程度０）Ｓｎを含有するＰ　ｂ
　／　Ｓ　ｎ合金（融点＝３２０〜３３０℃程度）で構
成されており、封止用半田８および伝熱用半田９は、例
えば１０重量％程度のＳｎを含有するＰ　ｂ　／　Ｓ　
ｎ合金（融点＝２９０〜３００℃程度）で構成されてい
る。

パッケージ基板３の下面の電極４には、前記ＣＣＢバン
ブ２よりも大径のＣＣＢバンブ１２が接合されている。

ＣＣＢバンプｌ２は、パッケージ基坂３の内部配線７を
通じてＣＣＢバンプ２、さらには半導体チップ５と電気
的に接続されている。

ＣＣＢバンブ１２は、例えば３０重量％程度のＳｎを含
有するＰｂ／Ｓｎ合金〈融点＝２５０〜２６０℃程度）
で構成されている。

本実施例ｌの半導体集積回路装置は、以上のような構成
からなるチップキャリャ１の所定数をＣＣＢバンブ１２
を介して第３図、第４図には図示されていないモジュー
ル基板１３の主面にボンディングして回路システムを構
成したものである。

次に、この半導体集積回路装置の冷却構造を第１図およ
び第２図を用いて説明する。

図示したように、モジュール基板１３の下面ニは、複数
のチップキャリャｌが所定の間隔を置いてボンディング
されている。チップキャリャ１のそれぞれは、ＣＣＢバ
ンブ１２を介してモジュール基板１３にフェイスダウン
ボンディングされている。モジュール基板ｌ３は、例え
ばセラミックで構威され、その内部には図示しない多層
配線が形戊されている。

上記モジュール基板１３の下方には、冷媒供給用ジャケ
ットｌ４および冷媒排出用ジャケット１５がそれぞれ配
置されている。冷媒供給用ジャケット１４には、その一
端に設けられた供給ロエ６を通じて液体状の冷媒（例え
ば純水）Ｃが供給される。一方、冷媒排出用ジャケット
１５の一端には、冷媒Ｃを外部に排出する排出口１７が
設けられている。

モジ一−ル基板ｌ３の下面にボンディングされたチップ
キャリャ１と前記冷媒排出用ジャケット１５との間には
、冷却管１０が設；ナられてぃる。

この冷却管１０の上端は、チップキャリャｌのキャップ
６に設けられたソケットｌ１に接続されている。冷却管
ｌＯは、例えばＯリング１８を備えたカブラー１９を介
して着脱自在に接続される。

一方、冷却管１０の下端は、冷媒排出用ジャケット１５
の排出ポート２０に接続されている。冷却管１０は、例
えばアラミド繊維のような可撓性材料からなり、その径
は、例えば１２印程度である。

チップキャリャ１と冷媒排出用ジャケット′１５との間
に冷却管１０を配設する際は、第１図に示すように、冷
却管１０の中途に若干のたるみを持たせるとよい。この
ようにすると、回路動作時に半導体チップ５から発生す
る熱に起因して冷却管１０に引張り応力が加わった場合
でも冷却管ＩＯが伸縮できるので、冷却管１０がソケ７
｝１１や排出ポート２０から脱落したり、チップキャリ
ャ１とモジュール基板１３との接合部であるＣＣＢバン
ブ１２に応力が集中したりする虞れがない。

上記冷却管１０の内部には、内管２１が挿入されている
。内管２ｌは、例えばアラミド繊維のような可撓性材料
からなり、その径は、例えば３〜４叩程度である。すな
わち内管２１は、その外壁と冷却管１０の内壁との間に
充分な量の冷媒Ｃが流通する隙間ができるような状態で
挿入されている。内管２１の上端は、キャップ６の背面
近傍に配置されており、固定冶具２２などによって支持
されている。一方、内管２１の下端は、冷媒排出用ジャ
ケットｌ５と冷媒供給用ジャケット１４とを隔てる壁面
に設けられた供給ポート２３に接続されている。

以上のように構成された本実施例１の半導体集積回路装
置においては、冷媒供給用ジャケット１４から内管２１
を通ってキャップ６の背面領域に供給される冷媒Ｃがキ
ャップ６の背面に直接接触し、続いて内管２１の外壁と
冷却管１０の内壁との隙間を通って速やかに冷媒排出用
ジャケット１５に排出されるので、回路動作時に半導体
チップ５から発生した熱はキャップ６の背面から速やか
に放出され、半導体チップ５が効率よく冷却される。

また、本実施例１の半導体集積回路装置においては、冷
媒供給用ジャケット１４および冷媒排出用ジャケットｌ
５をチップキャリャ１がボンディングされたモジュール
基板１３の下方に配置したので、万一冷却管１０の継目
やジャケット１４，１５から冷媒Ｃが漏れた場合でも、
チップキャリャ１やモジュール基板ｌ３が濡れる虞れは
ない。

以上の説明では液体状の冷媒を使用する場合について説
明したが、本実施例１の冷却構造は、冷媒にガスを使用
することもできる。この場合は、モジュール基板の上面
にチップキャリャをボンディングし、さらにその上方に
冷媒供給用ジャケットや冷媒排出用ジャケットを配置し
てもよい。

〔実施例２〕 本実施例２の半導体集積回路装置は、チップヰヤリャ１
の所定数をモジュール基板１３の主面にフェイスダウン
ボンディングして所定の回路システムを構成したもので
ある。このチップヰヤリャ１は、前記実施例１と同じ＜
ＣＣＢバンブ２を介してパッケージ基板３の電極４上に
フエイスダウンボンディングした半導体チップ５をキャ
ップ６で気密封止した構造を有している。

上記キャップ６の背面には、第６図に示すような円筒状
の冷却管工０が接続されている。この冷却管１０は、例
えばＣｕ−Ｗ合金、Ｃｕ，Ｍａ、Ｎｉのような熱伝導性
の大きい材料で構成されており、半田、Ａｕ−Ｓｎ合金
などのろう材２４を介してキャップ６の背面に固着され
ている。冷却管１０の径は、例えば１２ｍａ＋程度であ
る。

次に、本実施例２における半導体集積回路装置の冷却構
造を第５図を用いて説明する。

前記実施例１の場合と同じく、複数のチップキャリャ１
は、モジュール基板ｌ３の下面に所定のｖＪ隔を置いて
ボンディングされており、冷媒供給用ジャケット１４お
よび冷媒排出用ジャケット１５は、モジュール基板１３
の下方に配置されている。冷媒Ｃは、純水などの液体か
らなり、供給口ｌ６を通じて冷媒供給用ジャケット１４
に供給され、冷媒排出用ジャケット１５の排出口１７を
通じて外部に排出される。

チップキャリャｌのキャップ６の背面に固着された冷却
管１０の下端は、冷媒排出用ジャケット１５の上壁面に
設けられた開孔２５を通じて冷媒排出用ジャケット１５
内に遊挿されている。すなわち冷却管１０は、その外壁
と開孔２５との間に適度の隙間ができるような状態で冷
媒排出用ジャケット１５内に挿入されている。このよう
に、冷却管１０の外壁と開孔２５との間に隙間を設けた
ことにより、回路動作時に半導体チップ５から発生する
熱に起因して冷却管１０が膨張した場合でも、冷却管１
０は自由に伸長できるので、チップキャリャ１とモジュ
ール基板１３との接合部であるＣＣＢバンブ１２に応力
が集中する虞れはない。

上記冷却管１０の内部には、内管２１の一部が挿入され
ている。内管２１は、金属、セラミック等の硬質材料で
構威されており、その径は、例えば３〜４　ｍｍ程度で
ある。すなわち内管２１は、その外壁と冷却管１０の内
壁との間に充分な量の冷媒Ｃが流通する隙間ができるよ
うに挿入されている。内管２１の上端は、キャップ６の
背面近傍に配置されており、その下端は、冷媒排出用ジ
ャケット１５と冷媒供給用ジャケット１４とを隔てる壁
面をＸ通して冷媒供給用ジャケット１４内に通じている
。

冷媒排出用ジャケット１５内の冷媒Ｃが開孔２５と冷却
管１０の外壁との隙間から溢れ出てチップキャリャ１が
濡れるのを防止するため、冷媒排出用ジャケット１５の
上壁面と冷媒Ｃの液面との間には空間が形戊される。こ
の空間を形或するには、冷媒排出用ジャケット１５の容
積を冷媒供給用ジャケット１４の容積よりも大きくする
か、あるいは排出口１７の径を供給口１６の径よりも大
きくすればよい。

以上のように構成された本実施例２の半導体集積回路装
置においては、冷媒供給用ジャケット１４から内管２１
を通ってチップキャリャ１のキャップ６の背面領域に供
給される冷媒Ｃがキャップ６の背面に直接接触し、続い
て内管２１の外壁と冷却管１０の内壁との隙間を通って
速やかに冷媒排出用ジャケット１５に排出されるので、
前記実施例ｌの場合と同様、回路動作時に半導体チップ
５から発生した熱はキャップ６の背面から速やかに放出
され、半導体チップ５が効率よく冷却される。

また、本実施例２の半導体集積回路装置においては、必
要に応じて冷媒排出用ジャケット１５の一部に吸気口２
６を設けて冷媒排出用ジャケット１５内の大気を吸引す
るとよい。このようにすると、冷媒排出用ジャケット１
５内の気圧がモジュール基板１３と冷媒排出用ジャケッ
ト１５とで隔或された空間の気圧よりも低くなり、モジ
ュール基板Ｉ３と冷媒排出用ジャケット１５とで隔或さ
れた空間から開孔２５の隙間を通って冷媒排出用ジャケ
ット１５内に流入する大気流が形戊されるので、チップ
キャリャ１の防水、防湿効果を高めることができる。ま
た、上記手段に代えて、モジュール基板１３と冷媒排出
用ジャケッ｝１５とで隔或された空間を密閉し、その内
部に高圧の空気を送り込むことによっても同様の効果が
得られる。

なお、モジュール基仮１３と冷媒排出用ジャケット１５
とで隔成された空間と冷媒排出用ジャケット１５の内部
空間との気圧差は、例えば０．　０　０　１〜０，Ｏｌ
ｋｇ／ｃｄ程度あればよい。

〔実施例３〕 第８図に示すように、本実施例３のチップキャリャ１は
、そのキャップ６の背面に円筒状の冷却管１０が接続さ
れている。この冷却管１０は、前記実施例２のそれと同
様、例えばＣｕ−Ｗ合金、Ｃｕ，Ｍｏ、Ｎｉのような熱
伝導性の大きい材料で構戊されており、半田、Ａｕ−Ｓ
ｎ合金などのろう材２４を介してキャップ６の背面に固
着されている。冷却管１０の径は、例えば１２一程度で
ある。

上記冷却管１０の内部には、例えば有底円筒状をなす多
孔質板２７が挿入されている。多孔質板２７は、例えば
Ａｊ！Ｎ，ＳｉＣのような熱伝導性の大きい材料で構戊
されている。多孔質板２７の底面はろう材２４を介して
キャップ６の背面に固着されており、これにより回路動
作時に半導体チップ５から発生した熱がヰヤップ６の背
面からろう材２４を経て速やかに多孔質坂２７に伝達さ
れるようになっている。

次に、本実施例３における半導体集積回路装置の冷却構
造を第７図を用いて説明する。

図示したように、モジュール基板１３の上面には、複数
のチップキャリャ１が所定の間隔を置いてボンディング
されており、その上方には、冷媒供給用ジャケット１４
および冷媒排出用ジャケット１５がそれぞれ配置されて
いる。

チップキャリャ１のキャップ６の背面に固着された冷却
管ｌＯの上端は、冷媒排出用ジャケット１５の下壁面に
設けられた開孔２５を通じて冷媒排出用ジャケットｌ５
内に遊挿されている。すなわち冷却管１０は、その外壁
と開孔２５との間に適度の隙間ができるような状態で冷
媒排出用ジャケット１５内に挿入されている。従って、
前記実施例２の場合と同様、回路動作時に半導体チツブ
５から発生する熱に起因して冷却管１０が膨張した場合
でも、冷却管１０は自由に伸長できるので、チップキャ
リャ１とモジュール基板１３との接合部であるＣＣＢバ
ンプ１２に応力が集中する虞れはない。

上記冷却管１０の内部には、例えば金属、セラミック等
の硬質材料で構威され、かつ微細な径を有する内管２１
の一部が挿入されている。この内管２１の下端は、キャ
ップ６の背面近傍に配置されており、その上端は、冷媒
排出用ジャケット１５と冷媒供給用ジャケット１４とを
隔てる壁面を貫通して冷媒供給用ジャケット１４内に通
じている。

供給口１６から冷媒供給用ジャケット１４内に供給され
た液体状の冷媒（例えば純水）Ｃは、内管２１を通って
その下端から前記多孔質板２７上に滴下されるようにな
っている。内管２１の径は、冷媒Ｃの滴下量と多孔質板
２７の表面で気化する冷媒Ｃの量とが釣り合うようにあ
らかじめ設定される。多孔質板２７の表面で気化した冷
媒Ｃは、冷却管１０、冷媒排出用ジャケット１５を通り
、その排出口ｌ７から外部に排出される。

以上のように構成された本実施例３の半導体集積回路装
置においては、内管２１の下端から滴下された冷媒Ｃが
、表面積の極めて大きい多孔質板２７の表面で大量に気
化されるので、その気化熱によって多孔質板２７の熱が
急速に奪われる。その結果、回路動作時に半導体チップ
５から発生した熱はキャップ６の背面から速やかに放出
され、半導体チップ５が効率よく冷却される。

また、本実施例３の半導体集積回路装置においては、冷
媒排出用ジャケット１５の内部を減圧するとよい。この
ようにすると、多孔質板２７の表面での気化が促進され
るので、半導体チップ５の冷却効率がより向上する。ま
た、このようにすると、モジュール基板ｌ３と冷媒排出
用ジャケット１５とで隔成された空間から開孔２５の隙
間を通って冷媒排出用ジャケット１５内に流入する大気
流が形戊されるので、チップキャリャ１の防水、防湿効
果も得られる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。

前記実施例１〜３では、チップキャリャの冷却技術Ｓこ
適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、半導体チップを実装した基板をキ
ャップで気密封止する各種の半導体集積回路装置に適用
することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

（１）．パッケージ基板の主面にフェイスダウンボンデ
ィングした半導体チップをキャップで気密封止してなる
パッケージをモジュール基板の主面にボンディングし、
前記キャップの背面に冷却管の一端を接続するとともに
、前記冷却管の内部に内管を挿入してその一端を前記キ
ャップの背面近傍に配置することによって、冷媒供給用
ジャケットから前記内管を通じてキャップの背面領域に
供給される冷媒を前記冷却管の内壁と前記内管の外壁と
の隙間を通じて冷媒排出用ジャケットに排出するように
した本発明の半導体集積回路装置の冷却構造によれば、
キャップの背面領域に供給される冷媒がキャップの背面
に直接接触するため、半導体チップから発生した熱をキ
ャップの背面から効率よく外部に放出させることができ
る。

（２）、パッケージ基板の主面にフェイスダウンボンデ
ィングした半導体チップをキャップで気密封止してなる
パッケージをモジュール基板の主面にボンディングし、
前記キャップの背面に多孔質板を接合するとともに、前
記多孔質板を囲むようにして排気管の一端を接続するこ
とによって、前記バ７ケージの上方に設けた冷媒供給用
ジャケットから前記多孔質板に滴下される液体状の冷媒
の蒸気を前記排気管を通じて冷媒排出用ジャケットに排
出するようにした本発明の半導体集積回路装置の冷却構
造によれば、多孔質板の表面で冷媒が速やかに気化され
、その気化熱によって多孔質板の熱が急速に奪われるの
で、半導体チップから発生した熱をキャップの背面から
効率よく外部に放出させることができる。

【図面の簡単な説明】

第ｌ図は、本発明の一実施例である半導体集積回路装置
の冷却構造を示す要部破断正面図、第２図は、第１図の
一部拡大図、 第３図は、チップキャリャの斜視図、 第４図は、第３図のｒＶ−１’Ｖ線断面図、第５図は、
本発明の他の実施例である半導体集積回路装置の冷却構
造を示す要部断面図、第６図は、チップヰヤリャの斜視
図、 第７図は、本発明のさらに他の実施例である半導体集積
回路装置の冷却構造を示す要部断面図、第８図は、チッ
プキャリャの要部破断斜視図である。 １・・・チップキャリャ、２．１２・・・ＣＣＢバンブ
、３・・・パッケージ基板、４・・・電極、５・・・半
導体チップ、６・・・キャップ、７・・・内部配線、８
・・・封止用半田、９・・・伝熱用半田、１０・・・冷
却管、１工・・・ソケット、１３・・・モジュール基板
、１４・・・冷媒供給用ジャケット、１５・・・冷媒排
出用ジャケット、１６・・・供給口、１７・・・排出口
、１８・・・０リング、工９・・・カブラー　２ａ・・
・排出ポート、２ｌ・・・内管、２２・・・固定冶具、
２３・・・供給ボート、２４・・・ろう材、２５・・・
開孔、２６・・・吸気口、２７・・・多孔質板、Ｃ・・
・冷媒。 代理人　弁理士　筒　井　大　和 第 図 第 ３図 第 図 第 図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. １．パッケージ基板の主面にフェイスダウンボンディン
   グした半導体チップをキャップで気密封止してなるパッ
   ケージをモジュール基板の主面にボンディングし、前記
   キャップの背面に冷却管の一端を接続するとともに、前
   記冷却管の内部に内管を挿入してその一端を前記キャッ
   プの背面近傍に配置することによって、冷媒供給用ジャ
   ケットから前記内管を通じて前記キャップの背面領域に
   供給される冷媒を前記冷却管の内壁と前記内管の外壁と
   の隙間を通じて冷媒排出用ジャケットに排出するように
   構成したことを特徴とする半導体集積回路装置の冷却構
   造。
2. ２．モジュール基板の下方に冷媒供給用ジャケットおよ
   び冷媒排出用ジャケットをそれぞれ配置するとともに、
   前記モジュール基板の下面にパッケージをボンディング
   したことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装
   置の冷却構造。
3. ３．冷媒排出用ジャケットの壁面に開孔を設け、前記開
   孔を通じて冷却管の一端を前記冷媒排出用ジャケット内
   に遊挿したことを特徴とする請求項２記載の半導体集積
   回路装置の冷却構造。
4. ４．モジュール基板と冷媒排出用ジャケットとで隔成さ
   れた空間を前記冷媒排出用ジャケットの内部空間よりも
   高圧にしたことを特徴とする請求項３記載の半導体集積
   回路装置の冷却構造。
5. ５．パッケージ基板の主面にフェイスダウンボンディン
   グした半導体チップをキャップで気密封止してなるパッ
   ケージをモジュール基板の主面にボンディングし、前記
   キャップの背面に多孔質板を接合するとともに、前記多
   孔質板を囲むようにして排気管の一端を接続することに
   よって、前記パッケージの上方に設けた冷媒供給用ジャ
   ケットから前記多孔質板に滴下される液体状の冷媒の蒸
   気を前記排気管を通じて冷媒排出用ジャケットに排出す
   るように構成したことを特徴とする半導体集積回路装置
   の冷却構造。
6. ６．冷媒排出用ジャケットの壁面に開孔を設け、前記開
   孔を通じて排気管の一端を前記冷媒排出用ジャケット内
   に遊挿したことを特徴とする請求項５記載の半導体集積
   回路装置の冷却構造。
7. ７．冷媒排出用ジャケットの内部を減圧することを特徴
   とする請求項６記載の半導体集積回路装置の冷却構造。