JPH03132006A - 多層磁性膜およびこれを用いた磁気ヘツド - Google Patents
多層磁性膜およびこれを用いた磁気ヘツドInfo
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- JPH03132006A JPH03132006A JP26892389A JP26892389A JPH03132006A JP H03132006 A JPH03132006 A JP H03132006A JP 26892389 A JP26892389 A JP 26892389A JP 26892389 A JP26892389 A JP 26892389A JP H03132006 A JPH03132006 A JP H03132006A
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高飽和磁束密度、高透磁率を有する多層磁性膜
に関し、特に磁気ディスク装置やＶＴＲなどに用いられ
る磁気ヘッドや磁気ヘッドのコア材に適した熱安定性の
高い多層磁性膜に関する。
に関し、特に磁気ディスク装置やＶＴＲなどに用いられ
る磁気ヘッドや磁気ヘッドのコア材に適した熱安定性の
高い多層磁性膜に関する。
磁気記録の高密度化に伴い、高保磁力媒体にも十分な書
き込みが可能なＭ Ｉ Ｇ （Ｍｅｔａｌ ｉｎ Ｇａ
ｐ）ヘッドが最近注目されている。ＭＩＧヘッドはガラ
スボンディングという高温プロセスを必要とするため、
熱安定性の高い（熱処理によって軟磁気特性が劣化しな
い）磁性膜が要求される。ＭＩＧヘッドに用いられる比
較的熱安定性の高い磁性膜としてはＣｏ系の非晶質合金
、センダスト合金さらには特開昭６２−２１０６０７に
示されている（Ｆｅ。
き込みが可能なＭ Ｉ Ｇ （Ｍｅｔａｌ ｉｎ Ｇａ
ｐ）ヘッドが最近注目されている。ＭＩＧヘッドはガラ
スボンディングという高温プロセスを必要とするため、
熱安定性の高い（熱処理によって軟磁気特性が劣化しな
い）磁性膜が要求される。ＭＩＧヘッドに用いられる比
較的熱安定性の高い磁性膜としてはＣｏ系の非晶質合金
、センダスト合金さらには特開昭６２−２１０６０７に
示されている（Ｆｅ。
Ｃｏ、Ｎｉ）ＭＮで表されるような窒素を含む磁性合金
などが知られている。ここで、ＭはＺｒ。
などが知られている。ここで、ＭはＺｒ。
Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｗより成る群か
ら選択された金属である。
ら選択された金属である。
上記従来技術に述べられているようなＣｏ系の非晶質合
金、センダスト合金（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）ＭＮ合金など
では、磁気ヘッドに供されるような特性を示す磁性膜の
飽和磁束密度は最大で１．４〜１．５Ｔである。
金、センダスト合金（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）ＭＮ合金など
では、磁気ヘッドに供されるような特性を示す磁性膜の
飽和磁束密度は最大で１．４〜１．５Ｔである。
本発明の目的は、上記従来技術と同等あるいはそれ以上
の熱安定性を有し、しかもさらに優れた高飽和磁束密度
を有する磁性膜およびこれを用いた高密度磁気記録用の
磁気ヘッドを提供することにある。
の熱安定性を有し、しかもさらに優れた高飽和磁束密度
を有する磁性膜およびこれを用いた高密度磁気記録用の
磁気ヘッドを提供することにある。
上記目的はＦｅ系合金薄膜と窒化物系非磁性薄膜とから
多層磁性膜を構成することにより達成される。
多層磁性膜を構成することにより達成される。
また１本発明の多層磁性膜を磁気ヘッドの磁気回路の少
なくとも一部に用いることにより、優れた記録再生特性
を有する磁気ヘットを得ることができる。
なくとも一部に用いることにより、優れた記録再生特性
を有する磁気ヘットを得ることができる。
ＶＮ、ＴａＮ、ＴｉＮなどの窒化物系非磁性薄膜は膜形
成時には非晶質であり、高温で熱処理すると、準安定な
膜中の窒素が膜外に放出される。
成時には非晶質であり、高温で熱処理すると、準安定な
膜中の窒素が膜外に放出される。
このため、上述のようなＦｅ系合金薄膜と窒化物系非磁
性薄膜とからなる多層磁性膜を高温で熱処理すると、Ｆ
ｅ系合金薄膜中に窒素が拡散し、膜中に窒化物の微結晶
を析出する。このような微結晶が析出すると結晶粒成長
が抑制されるため、膜の熱安定性が向上する。また、上
記多層磁性膜は高飽和磁束密度で、しかも高透磁率を有
するため磁気ヘッドの磁気回路の一部に用いることによ
り、優れた記録再生特性を有する磁気ヘッドを得ること
ができる。
性薄膜とからなる多層磁性膜を高温で熱処理すると、Ｆ
ｅ系合金薄膜中に窒素が拡散し、膜中に窒化物の微結晶
を析出する。このような微結晶が析出すると結晶粒成長
が抑制されるため、膜の熱安定性が向上する。また、上
記多層磁性膜は高飽和磁束密度で、しかも高透磁率を有
するため磁気ヘッドの磁気回路の一部に用いることによ
り、優れた記録再生特性を有する磁気ヘッドを得ること
ができる。
以下に本発明の一実施例について１図表を参照しながら
説明する。
説明する。
［実施例１コ
多層磁性膜の作製にはデュアル・イオンビームスパッタ
リング装置を用いた。スパッタリングは以下の条件で行
った。
リング装置を用いた。スパッタリングは以下の条件で行
った。
イオンガス ＡｒＡｒガス圧力
２．５Ｘ１０−２Ｐａ蒸着用イオンガン加
速電圧 １２００Ｖ蒸着用イオンガンイオン電流
１２０ｍＡ基板照射用イオンガン加速電圧 ２０
０Ｖ基板照射用イオンガンイオン電流 ４０ｍＡター
ゲット・基板間距離 １２７ｍｍ作製した多層
磁性膜の断面構造を第１図に示す。
２．５Ｘ１０−２Ｐａ蒸着用イオンガン加
速電圧 １２００Ｖ蒸着用イオンガンイオン電流
１２０ｍＡ基板照射用イオンガン加速電圧 ２０
０Ｖ基板照射用イオンガンイオン電流 ４０ｍＡター
ゲット・基板間距離 １２７ｍｍ作製した多層
磁性膜の断面構造を第１図に示す。
本実施例では磁性膜１１として膜厚４５０人のＦｅ−３
ａｔ％Ｃ合金、窒化物系非磁性薄膜１２として膜厚５０
人のＴｉＮ膜、基板１３としてコニング社製７０５９ガ
ラスとホトセラムを用いた。ここで、熱処理温度が７０
０℃の膜の特性評価はホトセラムで行なった。磁性膜層
数は１０層で、多層磁性膜の総膜厚を約０．５μｍ と
した。
ａｔ％Ｃ合金、窒化物系非磁性薄膜１２として膜厚５０
人のＴｉＮ膜、基板１３としてコニング社製７０５９ガ
ラスとホトセラムを用いた。ここで、熱処理温度が７０
０℃の膜の特性評価はホトセラムで行なった。磁性膜層
数は１０層で、多層磁性膜の総膜厚を約０．５μｍ と
した。
また、本実施例と比較するために磁性膜１１として膜厚
４５０人のＦ ｅ −３ａ ｔ％Ｃ合金、窒化物系非磁
性薄膜１２の変わりに膜厚５０人のパーマロイ膜を用い
た磁性膜層数が１０層で、総膜厚が約０．５μｍの多層
膜も同時に作製した。これらの膜について熱安定性を調
べるために３００〜７００℃の範囲内で熱処理を行ない
軟磁気特性の変化を調べた。熱処理条件はアルゴンガス
雰囲気中で、上記の各温度に１時間保持である。実験結
果を第１表に示す。
４５０人のＦ ｅ −３ａ ｔ％Ｃ合金、窒化物系非磁
性薄膜１２の変わりに膜厚５０人のパーマロイ膜を用い
た磁性膜層数が１０層で、総膜厚が約０．５μｍの多層
膜も同時に作製した。これらの膜について熱安定性を調
べるために３００〜７００℃の範囲内で熱処理を行ない
軟磁気特性の変化を調べた。熱処理条件はアルゴンガス
雰囲気中で、上記の各温度に１時間保持である。実験結
果を第１表に示す。
第 １ 表
上表に示すように、Ｆｅ−３ａｔ％Ｃ／ＴｉＮの多層磁
性膜は熱処理温度が５００℃以上まで優れた軟磁気特性
を示し、熱処理温度が５５０ ’Ｃにおいてでさえも膜
の比透磁率は１０００以上の幀を示した。これに対し、
Ｆｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅの多層磁性膜では熱処理温
度が５００℃までは暎の比透磁率が１０００以上の値を
示しているが、熱処理温度が４００℃の時に軟磁気特性
が最大値を示す。この結果、本発明により膜の熱安定性
は約１００℃向上した。また、ＴｉＮによる多層化はＮ
ｉＦｅにより多層化を行った膜に比べて軟磁気特性が良
く、しかも熱処理により軟磁気特性がより向上すること
も分かった。本発明に用いた窒化物系非磁性薄膜は膜形
成時には非晶質であるため、凹凸の無い平坦な膜が形成
され、これがＮ１Ｆａのような結晶質材料を挿入した多
層磁性膜に比べて軟磁気特性が優れている原因の一つと
も考えられる。発明では窒化物系非磁性薄膜としてＴｉ
Ｎを用いたが、Ｔ ａ Ｎ 、 Ｚ ｒ Ｎ 、 Ｎ
ｂ Ｎ 、 Ａ Ｑ Ｎ 。
性膜は熱処理温度が５００℃以上まで優れた軟磁気特性
を示し、熱処理温度が５５０ ’Ｃにおいてでさえも膜
の比透磁率は１０００以上の幀を示した。これに対し、
Ｆｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅの多層磁性膜では熱処理温
度が５００℃までは暎の比透磁率が１０００以上の値を
示しているが、熱処理温度が４００℃の時に軟磁気特性
が最大値を示す。この結果、本発明により膜の熱安定性
は約１００℃向上した。また、ＴｉＮによる多層化はＮ
ｉＦｅにより多層化を行った膜に比べて軟磁気特性が良
く、しかも熱処理により軟磁気特性がより向上すること
も分かった。本発明に用いた窒化物系非磁性薄膜は膜形
成時には非晶質であるため、凹凸の無い平坦な膜が形成
され、これがＮ１Ｆａのような結晶質材料を挿入した多
層磁性膜に比べて軟磁気特性が優れている原因の一つと
も考えられる。発明では窒化物系非磁性薄膜としてＴｉ
Ｎを用いたが、Ｔ ａ Ｎ 、 Ｚ ｒ Ｎ 、 Ｎ
ｂ Ｎ 、 Ａ Ｑ Ｎ 。
Ｃｒ ２ Ｎ ＋ Ｖ Ｎ ＋ Ｈｆ Ｎ ２Ｍ Ｏ２
Ｎなどその他の窒化物についても同様の効果が有ること
が確認された。ここでは、窒化物系非磁性薄膜の価数を
例えばＴｉＮのように表示したが、必ずしもこのような
一定の組成の膜のみができるわけではないことは明らか
であり、本発明では代表してこのような表示の仕方を行
なった。本発明ではＦｅ系合金薄膜に窒化物系非磁性薄
膜を挿入したため膜の飽和磁束密度はわずかに減少する
が、上記検討を行ったＦｅ−３ａｔ％Ｃ／ Ｔ ｉ Ｎ
多層磁性膜の飽和磁束密度は１．９Ｔと高い値を示した
。参考までにＦｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層磁性膜の
飽和磁束密度は２．ＯＴであった。
Ｎなどその他の窒化物についても同様の効果が有ること
が確認された。ここでは、窒化物系非磁性薄膜の価数を
例えばＴｉＮのように表示したが、必ずしもこのような
一定の組成の膜のみができるわけではないことは明らか
であり、本発明では代表してこのような表示の仕方を行
なった。本発明ではＦｅ系合金薄膜に窒化物系非磁性薄
膜を挿入したため膜の飽和磁束密度はわずかに減少する
が、上記検討を行ったＦｅ−３ａｔ％Ｃ／ Ｔ ｉ Ｎ
多層磁性膜の飽和磁束密度は１．９Ｔと高い値を示した
。参考までにＦｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層磁性膜の
飽和磁束密度は２．ＯＴであった。
［実施例２］
本実施例では磁性膜１１として膜厚４５０人のＦｅ−３
ａｔ％Ｃ−１ａｔ％Ｔａ合金、窒化物系非磁性薄膜１２
として膜厚５０人のＴｉＮ膜、基板１３としてコーニン
グ社製７０５９ガラスとホトセラムを用いた。磁性膜層
数は１０届で、多層磁性膜の総膜厚を約０．５μｍとし
た。実施例１と同様に膜の熱安定性を調へるために３０
０〜７００℃の範囲内で熱処理を行ない軟磁気特性の変
化を調べた。第２表は測定結果で、比較のために実施例
１に示したＦｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層膜の結果も
同時に示した。
ａｔ％Ｃ−１ａｔ％Ｔａ合金、窒化物系非磁性薄膜１２
として膜厚５０人のＴｉＮ膜、基板１３としてコーニン
グ社製７０５９ガラスとホトセラムを用いた。磁性膜層
数は１０届で、多層磁性膜の総膜厚を約０．５μｍとし
た。実施例１と同様に膜の熱安定性を調へるために３０
０〜７００℃の範囲内で熱処理を行ない軟磁気特性の変
化を調べた。第２表は測定結果で、比較のために実施例
１に示したＦｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層膜の結果も
同時に示した。
第
表
上表に示すように、Ｆｅ−３ａｔ％Ｃ−１ａｔ％Ｔ ａ
／ Ｔ ｉ Ｎの多層磁性膜は熱処理温度が６００°
Ｃ以上まで優れた軟磁気特性を示し、熱処理温度が６５
０℃においてでさえも瞑の比透磁率は１０００という高
い値を示した。この結果から、本発明により膜の熱安定
性は１５０〜２００℃向上した。本発明では窒化物系非
磁性薄膜としてＴｉＮを用いたが、Ｔ ａ Ｎ、 Ｚ
ｒ Ｎ、 Ｎ ｂ Ｎ。
／ Ｔ ｉ Ｎの多層磁性膜は熱処理温度が６００°
Ｃ以上まで優れた軟磁気特性を示し、熱処理温度が６５
０℃においてでさえも瞑の比透磁率は１０００という高
い値を示した。この結果から、本発明により膜の熱安定
性は１５０〜２００℃向上した。本発明では窒化物系非
磁性薄膜としてＴｉＮを用いたが、Ｔ ａ Ｎ、 Ｚ
ｒ Ｎ、 Ｎ ｂ Ｎ。
ＡＱＮ、ＶＮ、Ｉ（ｆＮ、ＣｒｚＮ＋ ＭＯ２Ｎなどそ
の他の窒化物についても同様の効果が有ることが確認さ
れた。また本発明では磁性膜中にＴａを添加したが、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｔｚ Ｗ、Ｍｏ、Ｂ。
の他の窒化物についても同様の効果が有ることが確認さ
れた。また本発明では磁性膜中にＴａを添加したが、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｔｚ Ｗ、Ｍｏ、Ｂ。
Ｃｒ、Ｈｆなどの添加も本発明による多層磁性膜の熱安
定性を高めるために有効であることが分かった。第２表
において、本発明による多層磁性膜（Ｆｅ−３ａｔ％Ｃ
−１ａｔ％Ｔａ／ＴｉＮ）の軟磁気特性が７００℃の熱
処理で、急激に劣化したように見えるが、これは基板に
ガラスに比べて表面性の悪い結晶化ガラスのホトセラム
を用いたことが影響しているものと思われる。ちなみに
、膜形成時の軟磁気特性はガラス基板に比べてホ１、セ
ラム基板上に形成した膜の方が悪い。
定性を高めるために有効であることが分かった。第２表
において、本発明による多層磁性膜（Ｆｅ−３ａｔ％Ｃ
−１ａｔ％Ｔａ／ＴｉＮ）の軟磁気特性が７００℃の熱
処理で、急激に劣化したように見えるが、これは基板に
ガラスに比べて表面性の悪い結晶化ガラスのホトセラム
を用いたことが影響しているものと思われる。ちなみに
、膜形成時の軟磁気特性はガラス基板に比べてホ１、セ
ラム基板上に形成した膜の方が悪い。
本発明による多層磁性膜で熱安定性が向上した原因を調
べるために６００°Ｃで熱処理した膜についてＡＥＳと
ＳＩＭＳにより膜深さ方向の組成分析を行った。その結
果、本発明による多層磁性膜では、Ｆｅ系合金薄膜と窒
化物系非磁性薄膜間で相互拡散が起こってはいるが、高
温で熱処理しても多層膜構造が保たれていることが確認
された。
べるために６００°Ｃで熱処理した膜についてＡＥＳと
ＳＩＭＳにより膜深さ方向の組成分析を行った。その結
果、本発明による多層磁性膜では、Ｆｅ系合金薄膜と窒
化物系非磁性薄膜間で相互拡散が起こってはいるが、高
温で熱処理しても多層膜構造が保たれていることが確認
された。
また、わずかではあるが磁性膜中に窒素の濃度分布が確
認された。これに対し、Ｆｅ−３ａｔ％Ｃ／ Ｎ ｘ
Ｆ ｅ多層磁性膜では相互拡散のためか膜中の濃度分布
が均一化され、多層膜構造がほとんど確認できない。熱
処理による多層膜構造のこのような変化は、結晶粒径に
も影響することが考えられるため、Ｘ線回折法と電子顕
微鏡による断面構造ｉ察から膜の平均結晶粒径を求めた
。第２図は熱処理温度に対する結晶粒径の変化を調べた
結果である。本発明による多層磁性膜の結晶粒径は熱処
理温度が３００℃で約１２０人で、熱処理温度が６００
℃でも約１７０人、７００°Ｃで約２００人と結晶粒成
長が抑制されているようにも思われる。これに対し、Ｆ
ｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層磁性膜では熱処理温度が
３００℃で約１５０人の結晶粒径が、熱処理温度が６０
０℃になると約４００人と２〜３倍に結晶粒成長するこ
とが分かった。また、断面の観察結果から本発明による
多層磁性膜では多層膜構造が確認されたが、Ｆｅ−３ａ
ｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層磁性膜では多層膜構造がほとんど
確認できず、これは組成分析結果とも一致する。これら
の結果から、結晶粒成長および相互拡散が膜の軟磁気特
性の変化の原因と考えられる。本発明による多層磁性膜
において結晶粒成長が抑制される原因は、高温熱処理に
よって磁性膜中に窒化物の微結晶が析出し、これが結晶
粒成長を抑制するためと考えられる。そこで、高分解能
ＥＰＭＡにより分析した結果、磁性膜を構成する結晶粒
の周辺にＴａＮが観察された。また、透過電子顕微鏡に
よる回折パターンからもＴａＮと思われる回折線が見ら
れることから、このような窒化物の微結晶の析出が股の
熱安定性と関係しているものと考えられる。
認された。これに対し、Ｆｅ−３ａｔ％Ｃ／ Ｎ ｘ
Ｆ ｅ多層磁性膜では相互拡散のためか膜中の濃度分布
が均一化され、多層膜構造がほとんど確認できない。熱
処理による多層膜構造のこのような変化は、結晶粒径に
も影響することが考えられるため、Ｘ線回折法と電子顕
微鏡による断面構造ｉ察から膜の平均結晶粒径を求めた
。第２図は熱処理温度に対する結晶粒径の変化を調べた
結果である。本発明による多層磁性膜の結晶粒径は熱処
理温度が３００℃で約１２０人で、熱処理温度が６００
℃でも約１７０人、７００°Ｃで約２００人と結晶粒成
長が抑制されているようにも思われる。これに対し、Ｆ
ｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層磁性膜では熱処理温度が
３００℃で約１５０人の結晶粒径が、熱処理温度が６０
０℃になると約４００人と２〜３倍に結晶粒成長するこ
とが分かった。また、断面の観察結果から本発明による
多層磁性膜では多層膜構造が確認されたが、Ｆｅ−３ａ
ｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層磁性膜では多層膜構造がほとんど
確認できず、これは組成分析結果とも一致する。これら
の結果から、結晶粒成長および相互拡散が膜の軟磁気特
性の変化の原因と考えられる。本発明による多層磁性膜
において結晶粒成長が抑制される原因は、高温熱処理に
よって磁性膜中に窒化物の微結晶が析出し、これが結晶
粒成長を抑制するためと考えられる。そこで、高分解能
ＥＰＭＡにより分析した結果、磁性膜を構成する結晶粒
の周辺にＴａＮが観察された。また、透過電子顕微鏡に
よる回折パターンからもＴａＮと思われる回折線が見ら
れることから、このような窒化物の微結晶の析出が股の
熱安定性と関係しているものと考えられる。
［実施例３］
第１図に示すような多層磁性膜を用いてＶＴＲ用磁気ヘ
ットを作製した。本実施例では磁性膜１１として膜厚９
５０人のＦｅ−３ａｔ％Ｃ−１ａｔ％Ｔａ合金、窒化物
系非磁性薄膜１２として膜厚５０人のＴｉＮを用いた。
ットを作製した。本実施例では磁性膜１１として膜厚９
５０人のＦｅ−３ａｔ％Ｃ−１ａｔ％Ｔａ合金、窒化物
系非磁性薄膜１２として膜厚５０人のＴｉＮを用いた。
磁性膜は２００周期積層し、膜厚は約２０μｍとした。
第３図に示すＶＴＲ用磁気ヘッド９０の作製工程を以下
に述べる。
に述べる。
第３図（ａ）に示す溝８１を有するＭ ｎ −Ｚ ｎフ
ェライトからなる基板８２を用意し、第３図（ｂ）に示
す如く基板８２の表面に膜厚約２０μｍの上記多層構造
を有する多層磁性膜８３をイオンビームスパッタリング
法により作製した。次に第３図（Ｃ）に示すとと＜ｐｂ
系ガラス８４を用いて溝８１を充填し、さらに第３図（
ｄ）に示すごと＜ｐｂ系ガラス８４の表面を研摩してギ
ャップ構成面８５を形成し、ヘッドコア半休ブロック８
６を作製した。さらに、ギャップ構成面８５にギャップ
材となる５ｉＯｚ膜をスパッタリング法により形成し、
第３図（ｅ）に示すごとく巻線窓８７を有するヘッドコ
ア半休ブロック８８と上記へラドコア半休ブロック８６
とをギャップ材を介して重ねあわせて５００℃の温度で
３０分間加熱してｐｂ系ガラス８４を再度溶融、固化し
て接合ブロック８９を作製した。さらに第３図（ｅ）に
示す２点鎖線部を切断して第３図（ｆ）に示すＶＴＲ用
磁気ヘッド９０を得た。
ェライトからなる基板８２を用意し、第３図（ｂ）に示
す如く基板８２の表面に膜厚約２０μｍの上記多層構造
を有する多層磁性膜８３をイオンビームスパッタリング
法により作製した。次に第３図（Ｃ）に示すとと＜ｐｂ
系ガラス８４を用いて溝８１を充填し、さらに第３図（
ｄ）に示すごと＜ｐｂ系ガラス８４の表面を研摩してギ
ャップ構成面８５を形成し、ヘッドコア半休ブロック８
６を作製した。さらに、ギャップ構成面８５にギャップ
材となる５ｉＯｚ膜をスパッタリング法により形成し、
第３図（ｅ）に示すごとく巻線窓８７を有するヘッドコ
ア半休ブロック８８と上記へラドコア半休ブロック８６
とをギャップ材を介して重ねあわせて５００℃の温度で
３０分間加熱してｐｂ系ガラス８４を再度溶融、固化し
て接合ブロック８９を作製した。さらに第３図（ｅ）に
示す２点鎖線部を切断して第３図（ｆ）に示すＶＴＲ用
磁気ヘッド９０を得た。
上記の工程によって作製した本発明の磁気ヘッドの記録
再生特性を保磁力１４０００ｅのメタルテープを用いて
測定した。この結果を第３表に示す。また、参考のため
にＦｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層磁性膜を用いた磁気
ヘッドについての結果も示す。
再生特性を保磁力１４０００ｅのメタルテープを用いて
測定した。この結果を第３表に示す。また、参考のため
にＦｅ−３ａｔ％Ｃ／ＮｉＦｅ多層磁性膜を用いた磁気
ヘッドについての結果も示す。
第 ３ 表
第３表に示すように、本発明による多層磁性膜を用いた
磁気ヘッドの再生出力は従来例の多層磁性膜を用いた磁
気ヘッドに比べて再生出力が高いことが分かった。これ
は従来例による多層磁性膜ではＰｂ系ガラスを用いたガ
ラスボンディングの工程で、第１表に示したように多層
磁性膜の軟磁気特性が劣化することが考えられるのに対
し、本発明による多層磁性膜では股の劣化はなく、むし
ろ軟磁気特性は向上するため、再生出力に差が見られた
ものと思われる。
磁気ヘッドの再生出力は従来例の多層磁性膜を用いた磁
気ヘッドに比べて再生出力が高いことが分かった。これ
は従来例による多層磁性膜ではＰｂ系ガラスを用いたガ
ラスボンディングの工程で、第１表に示したように多層
磁性膜の軟磁気特性が劣化することが考えられるのに対
し、本発明による多層磁性膜では股の劣化はなく、むし
ろ軟磁気特性は向上するため、再生出力に差が見られた
ものと思われる。
以上説明したごとく、Ｆｅ系合金薄膜と窒化物系非磁性
薄膜とを組み合わせた多層磁性膜は高飽和磁束密度で、
しかも優れた軟磁気特性と高い熱安定性を示す。また、
本発明の多層磁性膜を磁気ヘッドの磁気回路の少なくと
も一部に用いることにより、優れた記録再生特性を有す
る磁気ヘッドを得ることができる。
薄膜とを組み合わせた多層磁性膜は高飽和磁束密度で、
しかも優れた軟磁気特性と高い熱安定性を示す。また、
本発明の多層磁性膜を磁気ヘッドの磁気回路の少なくと
も一部に用いることにより、優れた記録再生特性を有す
る磁気ヘッドを得ることができる。
第１図は本発明の多層磁性膜の断面図、第２図は熱処理
温度と結晶粒径の関係、第３図は本発明の多層磁性膜を
用いたＶＴＲ用磁気ヘッドの作製工程を示す斜視図であ
る。 １１・・磁性膜、１２・・・窒化物系非磁性薄膜、１３
・・・基板、８１・・溝、８２・・基板、８３・・・多
層磁性膜、８４・・・ｐｂ系ガラス、８５・・・ヘッド
ギャップ構成面、８６・・ヘッドコア半休ブロック、８
７・・・巻線窓、８８・・巻線窓を有するヘッドコア半
休ブロック、８９・・・接合ブロック、９０・・・ＶＴ
Ｒ用磁気ヘッド。 第 図 第 図 仏辷りｆ１及（°Ｃ） 手 〕 図
温度と結晶粒径の関係、第３図は本発明の多層磁性膜を
用いたＶＴＲ用磁気ヘッドの作製工程を示す斜視図であ
る。 １１・・磁性膜、１２・・・窒化物系非磁性薄膜、１３
・・・基板、８１・・溝、８２・・基板、８３・・・多
層磁性膜、８４・・・ｐｂ系ガラス、８５・・・ヘッド
ギャップ構成面、８６・・ヘッドコア半休ブロック、８
７・・・巻線窓、８８・・巻線窓を有するヘッドコア半
休ブロック、８９・・・接合ブロック、９０・・・ＶＴ
Ｒ用磁気ヘッド。 第 図 第 図 仏辷りｆ１及（°Ｃ） 手 〕 図
Claims (3)
- １．添加元素として、Ｃ，Ｂ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｈｆより選ばれる少なくとも１
種以上の元素を含むＦｅを主成分とする合金薄膜とＶＮ
，ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＮｂＮ，ＡｌＮ，ＨｆＮ，
Ｃｒ＿２Ｎ，Ｍｏ＿２Ｎより選ばれる少なくとも１種以
上の窒化物を含む窒化物系非磁性薄膜とを積層したこと
を特徴とする多層磁性膜。 - ２．前記合金薄膜の平均結晶粒径が２００Å以下である
請求項１記載の多層磁性膜。 - ３．特許請求の範囲第１項又は２項記載の多層磁性膜を
磁気回路の少なくとも一部に用いたことを特徴とする磁
気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26892389A JPH03132006A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 多層磁性膜およびこれを用いた磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26892389A JPH03132006A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 多層磁性膜およびこれを用いた磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03132006A true JPH03132006A (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=17465155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26892389A Pending JPH03132006A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 多層磁性膜およびこれを用いた磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03132006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115223783A (zh) * | 2021-04-21 | 2022-10-21 | 通用电气公司 | 具有磁性和非磁性双相的部件的制造方法 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP26892389A patent/JPH03132006A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115223783A (zh) * | 2021-04-21 | 2022-10-21 | 通用电气公司 | 具有磁性和非磁性双相的部件的制造方法 |
| CN115223783B (zh) * | 2021-04-21 | 2026-02-10 | 通用电气公司 | 具有磁性和非磁性双相的部件的制造方法 |
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