JPH03112975A - 光学活性δラクトン化合物 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Pyrane Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はアクチノボリンやバクトポリン等のδラクトン
系抗生物質の母核をなす式(9)(式中*は不斉炭素を
表わす。) で表わされる光学活性δラクトン化合物を製造する際の
中間体に関する。
系抗生物質の母核をなす式(9)(式中*は不斉炭素を
表わす。) で表わされる光学活性δラクトン化合物を製造する際の
中間体に関する。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課題)上記式
(9)で表わされるδラクトン化合物の製造に関しては
、ラセミ体についてはR,C0rdOVa等(Tetr
ahedron Lett、、25.2945(198
4) ) 、 K、)1゜PietruSieWiCZ
等(J、Org、Chcm、、53.2837(198
8) )が報告しているが光学活性体についてはに、H
oriW(Tetrahedron、 、41.529
5(1985) )が知られているのみである。
(9)で表わされるδラクトン化合物の製造に関しては
、ラセミ体についてはR,C0rdOVa等(Tetr
ahedron Lett、、25.2945(198
4) ) 、 K、)1゜PietruSieWiCZ
等(J、Org、Chcm、、53.2837(198
8) )が報告しているが光学活性体についてはに、H
oriW(Tetrahedron、 、41.529
5(1985) )が知られているのみである。
光学純度の高い該化合物を容易に収率よく得る方法は未
だ知られていない。
だ知られていない。
(課題を解決するための手段)
本発明者は上記の点に鑑み、効率よく、ラセミ化を起す
ことなく簡単な反応経路で、収率よくδラクトン化合物
を得る目的で鋭意検問した結果、下記反応経路(n)に
従い、光学活性δラクトン化合物(6)から光学純度の
高い光学活性δラクトン化合物(9)が容易に得られる
ことを見出した。
ことなく簡単な反応経路で、収率よくδラクトン化合物
を得る目的で鋭意検問した結果、下記反応経路(n)に
従い、光学活性δラクトン化合物(6)から光学純度の
高い光学活性δラクトン化合物(9)が容易に得られる
ことを見出した。
反応経路(If)
(6)
(A)
(7)
本発明はこの反応経路(n)において得られる中間体を
提供するもので必る。
提供するもので必る。
すなわち、本発明は
一般式(A)
(×は水酸基、フェニルチオ基若しくは一〇RIを、Y
は水素原子若しくは一〇〇2R3を表わす。R1はアラ
ルキル基、アルキルオキシアルキル基、アルケニル基及
び環内に異項原子を含むシクロアルキル基から選ばれた
容易に脱離可能な保護基を、R3は低級アルキル基、ア
ルケニル基若しくはベンジル基を表わす。*は不斉炭素
を表わす。) で表わされる光学活性δラクトン化合物(A)を提供す
るものである。
は水素原子若しくは一〇〇2R3を表わす。R1はアラ
ルキル基、アルキルオキシアルキル基、アルケニル基及
び環内に異項原子を含むシクロアルキル基から選ばれた
容易に脱離可能な保護基を、R3は低級アルキル基、ア
ルケニル基若しくはベンジル基を表わす。*は不斉炭素
を表わす。) で表わされる光学活性δラクトン化合物(A)を提供す
るものである。
一般式(A)及び一般式(6)で表わされる化合物にお
けるR1としては容易に脱離可能な保護基、例えばペン
シル、p−メトキシベンジル。
けるR1としては容易に脱離可能な保護基、例えばペン
シル、p−メトキシベンジル。
p−クロルベンジル基等のアラルキル基、メトキシメチ
ル、t−ブトキシメヂル、1−エトキシエチル、 1−
イソプロポキシエチル基等のアルキルオキシアルキル基
、アリル、メタリル基等のアルケニル基又はテトラヒド
ロフラニル、テトラヒドロピラニル基等の環内に異項原
子を含むシクロアルキル基などが挙げられ、R3として
は、メチル。
ル、t−ブトキシメヂル、1−エトキシエチル、 1−
イソプロポキシエチル基等のアルキルオキシアルキル基
、アリル、メタリル基等のアルケニル基又はテトラヒド
ロフラニル、テトラヒドロピラニル基等の環内に異項原
子を含むシクロアルキル基などが挙げられ、R3として
は、メチル。
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、1−ブチル
、ペンデル基等炭素数1〜5のアルキル基、アリル、2
−メチルアリル、2−ブテニル、3ブテニル、2−ペン
テニル基等炭素数3〜5のアルケニル基又はベンジル基
を挙げることができる。
、ペンデル基等炭素数1〜5のアルキル基、アリル、2
−メチルアリル、2−ブテニル、3ブテニル、2−ペン
テニル基等炭素数3〜5のアルケニル基又はベンジル基
を挙げることができる。
本発明の化合物(A)は化合物(6)から合成され、化
合物(6)は、反応経路(I>に従って、グリシジルエ
ーテル(2)から合成される。
合物(6)は、反応経路(I>に従って、グリシジルエ
ーテル(2)から合成される。
すなわら、光学活性なα、β不飽和δラクトン化合物(
6)は、既に本発明者らにより開示された方法(有機合
成化学協会誌45巻、 1157頁(1987))によ
りグリシジルエーテル(2)から、反応経路(I)に示
すようにして製造することができる。
6)は、既に本発明者らにより開示された方法(有機合
成化学協会誌45巻、 1157頁(1987))によ
りグリシジルエーテル(2)から、反応経路(I)に示
すようにして製造することができる。
反応経路(工〉
(2)
(3)
(4)
(5) <6)反
応経路(I>においてR1は前記と同一の−bのを表わ
す。またR2はn−ブチル、イソブチル。
応経路(I>においてR1は前記と同一の−bのを表わ
す。またR2はn−ブチル、イソブチル。
t−ブチル、メチルなどの低級アルキル基を表わす。
以下詳細反応経路(IIa>、(IIb>に従って、こ
の化合物′(6)より本発明の化合物(A)を合成する
方法を詳細に説明する。
の化合物′(6)より本発明の化合物(A)を合成する
方法を詳細に説明する。
詳細反応経路(I[a)
詳細反応経路(nb)
(9)
a)δラクトン化合物Aの合成
光学活性α、β不飽和δラクトン化合物(6)に不活性
溶媒、例えばテトラヒドロフラン、エチレングリコール
ジメチルエーテル、トルエン、ジメチルホルムアミドな
どの溶媒中シアノ酢酸エステルく式CH2(CN)CO
2R3中のR3は前記と同一のものを表わす。)のアニ
オンを1.4−付加さセテ化合物(A−1>(X=OR
1、Y=CO2R3)を合成し、これから工程1)エス
テルの加水分解と脱炭酸、工程2)保護基の脱離。
溶媒、例えばテトラヒドロフラン、エチレングリコール
ジメチルエーテル、トルエン、ジメチルホルムアミドな
どの溶媒中シアノ酢酸エステルく式CH2(CN)CO
2R3中のR3は前記と同一のものを表わす。)のアニ
オンを1.4−付加さセテ化合物(A−1>(X=OR
1、Y=CO2R3)を合成し、これから工程1)エス
テルの加水分解と脱炭酸、工程2)保護基の脱離。
工程3)生じた水酸基のフェニルチオ基への変換を行い
、化合物(A−4>(X=SCa Hs、Y=ト1)を
合成する。
、化合物(A−4>(X=SCa Hs、Y=ト1)を
合成する。
1)エステルの加水分解と脱炭酸、2)保護基の脱離、
3)生じた水酸基のフェニルチオ基への変換の工程の順
序は1)→2)→3)でも2)→1)→3)でも、2)
→3)→1)でも良い。
3)生じた水酸基のフェニルチオ基への変換の工程の順
序は1)→2)→3)でも2)→1)→3)でも、2)
→3)→1)でも良い。
1)、2>、3)の工程は各々それ自体公知の方法によ
って行うことができる。
って行うことができる。
工程1)はアルカリあるいは酸触媒を用い、含水溶媒中
で加熱還流して行う。アルカリとしては炭酸ナトリウム
、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムな
どを用いることができる。
で加熱還流して行う。アルカリとしては炭酸ナトリウム
、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムな
どを用いることができる。
酸としては硫酸、塩酸、臭化水素酸、リン酸などの鉱酸
あるいは塩化マグネシウム、塩化亜鉛、硫酸銅なとのル
イス酸を用いることができる。溶媒としては極性溶媒、
例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、アセトニトリル。
あるいは塩化マグネシウム、塩化亜鉛、硫酸銅なとのル
イス酸を用いることができる。溶媒としては極性溶媒、
例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコー
ル、アセトニトリル。
アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ドなどが使用できる。
ドなどが使用できる。
工程2)の保護基の脱離は選択させるR1により適宜様
々の方法を使いわけることができる。例えばR1がベン
ジル、アリル基のときはパラン「クム触媒を用いて水素
化分解あるいは異性化分解の手法が、メトキシメチルや
1−エトキシエチルの場合は鉱酸ヤ有機酸、ルイス酸を
用いて含水溶媒中で加水分解する手法が使用できる。水
11をフェニルチオ基に変換する工程3)はトリフェニ
ルホスフィン、トリー〇−ブチルホスフィン、1,2−
ビス(ジフェニルホスフォ)エタンなどの三級ホスフィ
ンの存在下ジフェニルスルフィドと原料のアルコールを
ピリジン、トリエチルアミンなどを溶媒として反応させ
ることにより達成できる。
々の方法を使いわけることができる。例えばR1がベン
ジル、アリル基のときはパラン「クム触媒を用いて水素
化分解あるいは異性化分解の手法が、メトキシメチルや
1−エトキシエチルの場合は鉱酸ヤ有機酸、ルイス酸を
用いて含水溶媒中で加水分解する手法が使用できる。水
11をフェニルチオ基に変換する工程3)はトリフェニ
ルホスフィン、トリー〇−ブチルホスフィン、1,2−
ビス(ジフェニルホスフォ)エタンなどの三級ホスフィ
ンの存在下ジフェニルスルフィドと原料のアルコールを
ピリジン、トリエチルアミンなどを溶媒として反応させ
ることにより達成できる。
また化合物(A−1)(X=OR1、Y=CO2R3)
を工程2)→3)→1)の経路で反応させると化合物(
A−5>(X=OH,Y−CO2R3)、(A−6)(
X=SCa Hs、Y=CO2R3)を経て化合物(A
−4>(X=SCs Hs 、Y=H)に導くこともで
きる。
を工程2)→3)→1)の経路で反応させると化合物(
A−5>(X=OH,Y−CO2R3)、(A−6)(
X=SCa Hs、Y=CO2R3)を経て化合物(A
−4>(X=SCs Hs 、Y=H)に導くこともで
きる。
化合物(A−1>(X=OR1,Y=CO2R3)から
化合物(A−4> (X=SCe Hs 。
化合物(A−4> (X=SCe Hs 。
Y=H>への変換の具体例を以下に示すが、製法はこの
具体例に限られるものではない。
具体例に限られるものではない。
化合物(A−1)(X=OBn、Bnはベンジル基を示
す。Y=CO2C2Hs )を塩化マグネシウムとジメ
チルアセトアミド中で加熱し、加水分解・脱炭酸し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで分離、精製し、化
合物(A−2)(X=OBn、Y=H)の1〜ランス体
、シス体を各々得ることができる。このものをパラジウ
ム触媒を用い、水素化分解し、化合物(A−3>(X=
OH。
す。Y=CO2C2Hs )を塩化マグネシウムとジメ
チルアセトアミド中で加熱し、加水分解・脱炭酸し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで分離、精製し、化
合物(A−2)(X=OBn、Y=H)の1〜ランス体
、シス体を各々得ることができる。このものをパラジウ
ム触媒を用い、水素化分解し、化合物(A−3>(X=
OH。
Y=H)とし、トリー〇−ブチルホスフィン、ジフェニ
ルスルフィドとピリジン中で反応させて化合物(A−4
)(X=SCe Hs 、Y=H)を得る。
ルスルフィドとピリジン中で反応させて化合物(A−4
)(X=SCe Hs 、Y=H)を得る。
本発明の化合物Aは前記反応経路(n)に従って、光学
活性δラクトン化合物(9)とすることができる。以下
順に説明する。
活性δラクトン化合物(9)とすることができる。以下
順に説明する。
b)ヘミアセタール化合物(7)の合成化合物(A−4
)(X=SCe Hs 、Y=H)をジイソブチルアル
ミニウムハイドライドなどの水素化アルミニウム試剤で
還元するとヘミアセタール(7−1)が得られる。反応
はテトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル。
)(X=SCe Hs 、Y=H)をジイソブチルアル
ミニウムハイドライドなどの水素化アルミニウム試剤で
還元するとヘミアセタール(7−1)が得られる。反応
はテトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエ
ーテル。
ジオキサンなどの不活性溶媒中、O〜−80°の低温で
行う。化合物(7−2>(X’ −H)は化合物(7−
1> (X’ =−8Cs R5)をラネーニッケル
を用いて還元することにより得られる。
行う。化合物(7−2>(X’ −H)は化合物(7−
1> (X’ =−8Cs R5)をラネーニッケル
を用いて還元することにより得られる。
C)カルボン酸エステル化合物Bの合成化合物(7−1
)を−数式R30COCH−PZR4(8)で表わされ
るp−イリド(式(8)で7は酸素、(OR3)2また
は(C6H5)2を、R4はOR3またはCaHsを、
R3は前記と同一のものを表わす。)と反応させて化合
物(B−1>(D−E :CH−CH,X’ −3Cs
Hs)を得る。化合物(B−1>から化合物(C−2)
(X’ =R1)へは工程4)二重結合の還元。
)を−数式R30COCH−PZR4(8)で表わされ
るp−イリド(式(8)で7は酸素、(OR3)2また
は(C6H5)2を、R4はOR3またはCaHsを、
R3は前記と同一のものを表わす。)と反応させて化合
物(B−1>(D−E :CH−CH,X’ −3Cs
Hs)を得る。化合物(B−1>から化合物(C−2)
(X’ =R1)へは工程4)二重結合の還元。
工程5)フェニルチオ基の還元、工程6)ニトリルの加
水分解、工程7)δラクトン環への閉環の4つの工程を
行うことにより達成できる。尚、化合物(7−2)(X
’ −H)を原料とした場合は工程5)は必要ない。
水分解、工程7)δラクトン環への閉環の4つの工程を
行うことにより達成できる。尚、化合物(7−2)(X
’ −H)を原料とした場合は工程5)は必要ない。
この4つの工程は工程7)のまえに工程6)を行う事を
除き、各々独立しており、どの順序で行ってもよい。ま
た4)、5)の工程、6)、7)の工程を同時に行うこ
ともできる。各々の工程はそれ自体公知の方法により行
うことかできる。すなわち、工程4)二重結合の還元は
亜鉛−酢酸おるいはパラジウム、白金、ラネーニッケル
等による接触水素化により行うことができ、工程5)の
フェニルチオ基の還元はラネーニッケルによる接触還元
で達成できる。工程6)のニトリルの加水分解は塩酸、
硫酸、臭化水素酸なとの鉱酸を用いるか水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどの塩基を用いて含水溶媒中で加
熱すれば達成できる。
除き、各々独立しており、どの順序で行ってもよい。ま
た4)、5)の工程、6)、7)の工程を同時に行うこ
ともできる。各々の工程はそれ自体公知の方法により行
うことかできる。すなわち、工程4)二重結合の還元は
亜鉛−酢酸おるいはパラジウム、白金、ラネーニッケル
等による接触水素化により行うことができ、工程5)の
フェニルチオ基の還元はラネーニッケルによる接触還元
で達成できる。工程6)のニトリルの加水分解は塩酸、
硫酸、臭化水素酸なとの鉱酸を用いるか水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどの塩基を用いて含水溶媒中で加
熱すれば達成できる。
また工程7)のδラクトン環への閉環はニトリルの加水
分解で生じたカルボン酸を酸処理すれば達成できる。こ
れらの各工程を適宜選択すれば望ましい生成物を選択的
に得ることができる。
分解で生じたカルボン酸を酸処理すれば達成できる。こ
れらの各工程を適宜選択すれば望ましい生成物を選択的
に得ることができる。
例えば化合物(B−1>(D−E:CH=CH。
X’ =SCs Hs )を亜鉛−酢酸で還元すると化
合物(B−2> (D−E :CH2CH2、X’
=SCc+ Hs >が得られ、化合物(B−1)(D
−E :CH=CH,X’ −3Ca Hs )をラネ
ーニッケルで還元するとフェニルチオ基の還元と二重結
合の還元が同時におこり、化合物(B−3)(D−E
: CH2CH2、X’ =H>が得られる。
合物(B−2> (D−E :CH2CH2、X’
=SCc+ Hs >が得られ、化合物(B−1)(D
−E :CH=CH,X’ −3Ca Hs )をラネ
ーニッケルで還元するとフェニルチオ基の還元と二重結
合の還元が同時におこり、化合物(B−3)(D−E
: CH2CH2、X’ =H>が得られる。
d)δラクトン化合物Cの合成
上記化合物(B−3)のニトリル基を水酸化ナトリウム
存在下、エタノール中加熱還流して加水分解し、生じた
カルボン酸を塩酸で処理してδラクトン化合物(C−2
> (X’ =1−1. R3=H)とし、低級アル
コールと酸触媒存在下で反応させるか、ジアゾメタンと
反応させエステル化して化合物(C−2>(X’ =H
)とする。工程5)のフェニルチオ基の還元は化合物(
B)から(C)への変換の際行う代りに化合物(C)か
ら(9)への変換の際に行っても良い。この場合は化合
物(B)から(C)への工程4)を亜鉛−酢酸もしくは
パラジウムや白金による水素化で行い、工程6)、7)
を前述の方法で行って(E合物(C−1)(X’ =S
Cs Hs )を得、これをラネーニッケルで水素化し
、化合物(C−2)(X’ −ト1)としたのち最後の
分子内縮環反応を行う。
存在下、エタノール中加熱還流して加水分解し、生じた
カルボン酸を塩酸で処理してδラクトン化合物(C−2
> (X’ =1−1. R3=H)とし、低級アル
コールと酸触媒存在下で反応させるか、ジアゾメタンと
反応させエステル化して化合物(C−2>(X’ =H
)とする。工程5)のフェニルチオ基の還元は化合物(
B)から(C)への変換の際行う代りに化合物(C)か
ら(9)への変換の際に行っても良い。この場合は化合
物(B)から(C)への工程4)を亜鉛−酢酸もしくは
パラジウムや白金による水素化で行い、工程6)、7)
を前述の方法で行って(E合物(C−1)(X’ =S
Cs Hs )を得、これをラネーニッケルで水素化し
、化合物(C−2)(X’ −ト1)としたのち最後の
分子内縮環反応を行う。
ここで得られたδラクトン化合物(△)、ヘミアセター
ル化合物(7)、カルボン酸エステル化合物(B)及び
δラクトン化合物(C)はいずれも文献未記載の新規化
合物であり、次に述べる光学純度の高いδラクトン化合
物(9)を製造する上で重要な中間体である。
ル化合物(7)、カルボン酸エステル化合物(B)及び
δラクトン化合物(C)はいずれも文献未記載の新規化
合物であり、次に述べる光学純度の高いδラクトン化合
物(9)を製造する上で重要な中間体である。
e)δラクトン化合物(9)の合成
化合物((、−2)(X’ =H)の分子内縮環反応は
不活性溶媒、例えばテトラヒドロフランやエチレングリ
コールジメチルエーテル、 t−ブタノ−/し、ジメチ
ルホルムアミド ム−t−ブトキシド、水素化ナトリウム、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムなどの塩基と反応させて公知の目
的物質,光学活性δラクトン化合物(9)を光学純度よ
く高収率で1qる事ができる。
不活性溶媒、例えばテトラヒドロフランやエチレングリ
コールジメチルエーテル、 t−ブタノ−/し、ジメチ
ルホルムアミド ム−t−ブトキシド、水素化ナトリウム、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムなどの塩基と反応させて公知の目
的物質,光学活性δラクトン化合物(9)を光学純度よ
く高収率で1qる事ができる。
(発明の効果)
本発明の光学活性化合物はδラクトン系抗生物質の母核
をなす化合物を製造する際の中間体として重要な化合物
であって、この化合物を用いることにより光学純度の高
いδラクトン化合物(9)を効率よく製造することがで
きる。
をなす化合物を製造する際の中間体として重要な化合物
であって、この化合物を用いることにより光学純度の高
いδラクトン化合物(9)を効率よく製造することがで
きる。
(実施例)
以下具体例を実施例にもとづき、述べる。
実施例1
化合物(A−1>の合成
(6) (A−1>
(Bnはベンジル1,Etはエチル基を表わす。
(Bnはベンジル1,Etはエチル基を表わす。
以下同じ。)
アルゴン気流下、シアン酢酸エチルニスデル1、240
( 11mM)を鉱油でけんだくした60w/w%の
水素化ナトリウム440m(] (111111Mのテ
トラヒドロ7ラン15威けんだく液中に水冷下で加え1
0分間至温で撹拌した。次に8体のα,β不飽和δラク
トン(6) 2.0(1 (9.17m)l)のテトラ
ヒドロフラン、溶液5戒を水冷下ゆっくり加え、同温で
1時間撹拌した。反応液をジエチルエーテル50dで希
釈し、10%塩酸を加え中和し、分液し、有機層を飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
上溶媒を留去すると1.4−付加体(A−1>が黄色油
状物質として3.5g得られた。
( 11mM)を鉱油でけんだくした60w/w%の
水素化ナトリウム440m(] (111111Mのテ
トラヒドロ7ラン15威けんだく液中に水冷下で加え1
0分間至温で撹拌した。次に8体のα,β不飽和δラク
トン(6) 2.0(1 (9.17m)l)のテトラ
ヒドロフラン、溶液5戒を水冷下ゆっくり加え、同温で
1時間撹拌した。反応液をジエチルエーテル50dで希
釈し、10%塩酸を加え中和し、分液し、有機層を飽和
食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
上溶媒を留去すると1.4−付加体(A−1>が黄色油
状物質として3.5g得られた。
’HNMR (CDCb )
δ : 1.32 (3!−1,t、 J=7.
1112 )2.0 (2H,m> 2.60 (2H,m) 2.90 (IH,m> 3.60 3H,m) 4゜30 2H,q、 J=7.1H2)4.56 2
H,S) 4.60 1H,m> 7.33 5H,s> JR(neat) 2940、2250.1740. 740. 700M
5 m/e 332 (M+1 ) 、 91 (100%〉m−1 実施例2 化合物(A−2>の合成 (A 1) (A−2) アルゴン気流下、上記1,4−付加体(A−1>3.5
gを水10滴、塩化マグネシウム6水塩1.86q(9
,17mM)とジメチルアセトアミド30d中で170
’C,12時間加熱還流し、至温にもどしたのち、水と
ジエチルエーテルを加え、抽出分離し、水層は塩酸で酸
性にしたのち酢酸エチルで抽出した。有機層をあわせて
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒を留去し、
残渣をベンゼン50m1にとかし、12時間加熱還流し
た。次に反応液を減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサ
ン(100:1v/v )流出し、3R,5Sのδラク
トン化合物(A−2)を無色油状物質として1.47!
IJ ((6)より62%)得た。更にエーテルで溶出
して3S、 53のδラクトン化合物(A−2>185
m1(6)より7.8%)を得た。3R,5Sのδラク
トン化合物(A−2)のデータは次の通りである。
1112 )2.0 (2H,m> 2.60 (2H,m) 2.90 (IH,m> 3.60 3H,m) 4゜30 2H,q、 J=7.1H2)4.56 2
H,S) 4.60 1H,m> 7.33 5H,s> JR(neat) 2940、2250.1740. 740. 700M
5 m/e 332 (M+1 ) 、 91 (100%〉m−1 実施例2 化合物(A−2>の合成 (A 1) (A−2) アルゴン気流下、上記1,4−付加体(A−1>3.5
gを水10滴、塩化マグネシウム6水塩1.86q(9
,17mM)とジメチルアセトアミド30d中で170
’C,12時間加熱還流し、至温にもどしたのち、水と
ジエチルエーテルを加え、抽出分離し、水層は塩酸で酸
性にしたのち酢酸エチルで抽出した。有機層をあわせて
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上溶媒を留去し、
残渣をベンゼン50m1にとかし、12時間加熱還流し
た。次に反応液を減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:ヘキサ
ン(100:1v/v )流出し、3R,5Sのδラク
トン化合物(A−2)を無色油状物質として1.47!
IJ ((6)より62%)得た。更にエーテルで溶出
して3S、 53のδラクトン化合物(A−2>185
m1(6)より7.8%)を得た。3R,5Sのδラク
トン化合物(A−2)のデータは次の通りである。
’HNMR(CDCf13)
δ:1.7〜2.9 (7日、 m)3.65
(2H,d、 J=4.4Hz )4.58
(21七S) 4.6(什1. m) 7.33 (5H,5) IR(neat) 29a0.2250.1740. 742. 700M
5 m/e 259 (M+) 、 91 (100%)cm−を 実施例3 化合物(A−3>の合成 (A−2) (A−3)
上記3R,53体のδラクトン化合物(A−2’)1.
38Q (5,33mM>を酢Iエチル40威にとかし
、水酸化パラジウム180mg、濃塩酸1滴を加え水素
ガス雰囲気下苗温で3時間撹拌した。反応液をセライト
ろ過し、減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーに付し、酢酸エチル留分より化合物
(A−3>を無色油状物質として866、7mg得た。
(2H,d、 J=4.4Hz )4.58
(21七S) 4.6(什1. m) 7.33 (5H,5) IR(neat) 29a0.2250.1740. 742. 700M
5 m/e 259 (M+) 、 91 (100%)cm−を 実施例3 化合物(A−3>の合成 (A−2) (A−3)
上記3R,53体のδラクトン化合物(A−2’)1.
38Q (5,33mM>を酢Iエチル40威にとかし
、水酸化パラジウム180mg、濃塩酸1滴を加え水素
ガス雰囲気下苗温で3時間撹拌した。反応液をセライト
ろ過し、減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーに付し、酢酸エチル留分より化合物
(A−3>を無色油状物質として866、7mg得た。
収率96%
IHNMR(CDα3)
δ:1.65〜3.1 (8H,m>
3.78 (2H,m)
4.57 (1f−f、 5extet、
J=4■R(neat) 3330、2250.1735 cm−1MS m
/e 170(M+1>、 138(100%)4+12 ) 実施例4 化合物(A−4>の合成 (A−3> (△−4)
(phはフェニル基を、3uはブヂル基を表わす。
J=4■R(neat) 3330、2250.1735 cm−1MS m
/e 170(M+1>、 138(100%)4+12 ) 実施例4 化合物(A−4>の合成 (A−3> (△−4)
(phはフェニル基を、3uはブヂル基を表わす。
以下同じ。)
アルゴン気流下、上記化合物(A−3>50mg(0,
296mM) 、ジフェニルジスルフィド193m(1
(0,888m)l) 、 t’リーn−プチルフォ
スフィン0.22m1 (0,888mM>をピリジン
2dに加え、室温で12時間撹拌する。反応液を酢酸エ
チル30m1で希釈し、10%塩酸で洗浄し、次いで飽
和硫酸銅水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し
、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒沼去し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、エ
ーテル留分より、フェニルスルフィド(A−4) 71
m0 (92%)を得た。
296mM) 、ジフェニルジスルフィド193m(1
(0,888m)l) 、 t’リーn−プチルフォ
スフィン0.22m1 (0,888mM>をピリジン
2dに加え、室温で12時間撹拌する。反応液を酢酸エ
チル30m1で希釈し、10%塩酸で洗浄し、次いで飽
和硫酸銅水溶液、飽和重曹水、飽和食塩水の順に洗浄し
、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒沼去し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、エ
ーテル留分より、フェニルスルフィド(A−4) 71
m0 (92%)を得た。
’HNMR(CDCb )
δ:1.85〜2.75(仕11m)
2.94 (IH,dd、 J=14.5.9.
0H7)3.30 (IH,dd、 J=14.
5.5.8+1Z )4.45 (1N、 tt
、 J= 9.0.5.8tlz )7.30
(5H,m) IR(neat) 2930、2250.1740. 740. 695
cm−1MS m/e 261 (M十 )、 123 (100%)合成例 化合物(7−1)の合成 (A−4> (7−1)アル
ゴン気流下、上記フェニルスルフィド(A−4) 9
84mg(3,77m14)のテトラヒドロフラン溶液
25m1に一30℃撹拌下ジイソブチルアルミニウムハ
イドライドの2Mトルエン溶液2m1(4mH)をゆっ
くり加え、−30’Cで10分間撹拌した。反応液に1
0%Nao!−(水溶液を少咄加え、室温で2時間撹拌
し、セライトろ過した後、減圧上溶媒を苗去し、ヘミア
セタール(7−1) 986mgを得た。
0H7)3.30 (IH,dd、 J=14.
5.5.8+1Z )4.45 (1N、 tt
、 J= 9.0.5.8tlz )7.30
(5H,m) IR(neat) 2930、2250.1740. 740. 695
cm−1MS m/e 261 (M十 )、 123 (100%)合成例 化合物(7−1)の合成 (A−4> (7−1)アル
ゴン気流下、上記フェニルスルフィド(A−4) 9
84mg(3,77m14)のテトラヒドロフラン溶液
25m1に一30℃撹拌下ジイソブチルアルミニウムハ
イドライドの2Mトルエン溶液2m1(4mH)をゆっ
くり加え、−30’Cで10分間撹拌した。反応液に1
0%Nao!−(水溶液を少咄加え、室温で2時間撹拌
し、セライトろ過した後、減圧上溶媒を苗去し、ヘミア
セタール(7−1) 986mgを得た。
IHNMR(CDα3)
δ:1.5〜1.9 (41−1,m>2.2〜2.
5 (2H,m> 2.7 (1H,m> 2.9〜3.6 (2H,m) 3、γ〜4.4 (IH,m) 5.0〜5.4 (IH,m> 7.2〜7.45 (5H,m) IR(neat) 3400、2910.2250. 745. 695M
5 m/e 263 (M+ ) 、 12/l (100%)化
合物(B−1)の合成 m−1 (7−1)
<8−1 )アルゴン気流下、上記ヘミアセタール(
7−1>986mg(3,75m)l)の塩化メチレン
溶液20dにトリフェニルフォスフインのエトキシカル
ボニルメチルイリド3.9g(11,25m)l)を加
え、室温で15時間撹拌する。反応液を減圧上溶媒留去
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにイ寸
し、エーテル:ヘキサン(3:1 v/v)留分より5
−シアンメチル−7−ヒドロキシ−8−フェニルチオオ
クタ−2−エノイックアシッドエチルエステル(B−1
>を1.03(1(82%)無色油状物質とじて得た。
5 (2H,m> 2.7 (1H,m> 2.9〜3.6 (2H,m) 3、γ〜4.4 (IH,m) 5.0〜5.4 (IH,m> 7.2〜7.45 (5H,m) IR(neat) 3400、2910.2250. 745. 695M
5 m/e 263 (M+ ) 、 12/l (100%)化
合物(B−1)の合成 m−1 (7−1)
<8−1 )アルゴン気流下、上記ヘミアセタール(
7−1>986mg(3,75m)l)の塩化メチレン
溶液20dにトリフェニルフォスフインのエトキシカル
ボニルメチルイリド3.9g(11,25m)l)を加
え、室温で15時間撹拌する。反応液を減圧上溶媒留去
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにイ寸
し、エーテル:ヘキサン(3:1 v/v)留分より5
−シアンメチル−7−ヒドロキシ−8−フェニルチオオ
クタ−2−エノイックアシッドエチルエステル(B−1
>を1.03(1(82%)無色油状物質とじて得た。
’HNMR(CD(J3 )
δ :1.29 (3H,t、 J=7.
1)12 >1.60 (2H,m> 2.0〜2.7 (5H,m> 2.88 (IH,dd、 J=13.9.8.
8tlz )3.15 (IH,dd、 J=1
3.9.3.7Hz >3.70 (IH,m> 4.90 (2H,Q、、 J= 7.1H2
)5.90 (IH,d、 J=15.61
12)6.80 (IH,dt、 J=15
.6.7.1Hz )IR(neat) 3450、2910.2250.1910.1650゜
740、 690 cm−1 MS m/e 333 (M” ) 、 124 (100%)化合
物(B−3>の合成 (B−1) (B−3> (Meはメチル基を表わす。以下同じ。)上記化合物(
B−1) 87n+g (0,26n+H)のエタノー
ル1d溶液にラネーニッケル0.6mMのエタノール溶
液0.6dを加え、90℃で20分加熱還流した後、反
応液をセライトろ過し、減圧下溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:
ヘキサン(7:I V/V)留分より化合物(B−3>
37.2mc+(63%)を無色油状物質として得た。
1)12 >1.60 (2H,m> 2.0〜2.7 (5H,m> 2.88 (IH,dd、 J=13.9.8.
8tlz )3.15 (IH,dd、 J=1
3.9.3.7Hz >3.70 (IH,m> 4.90 (2H,Q、、 J= 7.1H2
)5.90 (IH,d、 J=15.61
12)6.80 (IH,dt、 J=15
.6.7.1Hz )IR(neat) 3450、2910.2250.1910.1650゜
740、 690 cm−1 MS m/e 333 (M” ) 、 124 (100%)化合
物(B−3>の合成 (B−1) (B−3> (Meはメチル基を表わす。以下同じ。)上記化合物(
B−1) 87n+g (0,26n+H)のエタノー
ル1d溶液にラネーニッケル0.6mMのエタノール溶
液0.6dを加え、90℃で20分加熱還流した後、反
応液をセライトろ過し、減圧下溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、エーテル:
ヘキサン(7:I V/V)留分より化合物(B−3>
37.2mc+(63%)を無色油状物質として得た。
’HNMR(CD(1’3 )
δ:1.23 < 3H,d、 J=6.3Hz
>1.26 (3H,t、 J=7.1Hz
)1.4〜1.8 (7H,m> 1.95 (IH,m) 2.33 (2H,t、 J=6.6Hz )2
.48 (2H,d、 J=5.4NZ3.9
0 (1H,m> 4.14 (2H,q、 J=7.1Hz(
R(neat) 3400、2250.1725 cm−1MS m
/e 228 (M+1 ) 、 164 (100%)化
合物(C−2>の合成 ) ) (B−3>
(C−2>アルゴン気流下、上記化合物(B−3>
250!111J(1,1mM>を30%水酸化カリ
ウム水溶液1ml、エタノール8mf!にとかし、12
時間加熱還流した。反応液にエーテル30威、水20威
を加え、抽出分離し、水層に1!塩酸を加え酸性とし、
塩化メチレンで抽出した。有機層をあわせて無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去した。残渣を塩
化メチレンでとかし、ジアゾメタンのエーテル溶液を加
えてメチルエステルとした。これを減圧上溶媒留去し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、エ
ーテル:ヘキサン(1:I V/V)留分より(C−2
) 192.1ma(82%)を無色結晶として1q
た。
>1.26 (3H,t、 J=7.1Hz
)1.4〜1.8 (7H,m> 1.95 (IH,m) 2.33 (2H,t、 J=6.6Hz )2
.48 (2H,d、 J=5.4NZ3.9
0 (1H,m> 4.14 (2H,q、 J=7.1Hz(
R(neat) 3400、2250.1725 cm−1MS m
/e 228 (M+1 ) 、 164 (100%)化
合物(C−2>の合成 ) ) (B−3>
(C−2>アルゴン気流下、上記化合物(B−3>
250!111J(1,1mM>を30%水酸化カリ
ウム水溶液1ml、エタノール8mf!にとかし、12
時間加熱還流した。反応液にエーテル30威、水20威
を加え、抽出分離し、水層に1!塩酸を加え酸性とし、
塩化メチレンで抽出した。有機層をあわせて無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去した。残渣を塩
化メチレンでとかし、ジアゾメタンのエーテル溶液を加
えてメチルエステルとした。これを減圧上溶媒留去し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、エ
ーテル:ヘキサン(1:I V/V)留分より(C−2
) 192.1ma(82%)を無色結晶として1q
た。
mp 72.5〜73°C
’HNMR(CDC13)
δ:1.38 (31〜I、 d、 J=8゜3
tlz )1.1〜2.9 (11H,m> 3.68 (3f−1,s)4.4
(IH,m) I R(CHCb ) 2900.1720 c
m−’MS m/e 215 (M+1 ) 、 74 (100%)化合物
(9)の合成 (C−2> (9) アルゴン気流下、化合物(C−2> 178mg(0
,83m)!>のテトラヒドロフラン溶液2dをカリウ
ム−t−ブトキシド289.5m(J (2,68n+
H)のテトラヒドロフランけんだく液8rI11に室温
で加え、更に同温度で10分間撹拌した。反応液に水2
0d、エーテル30rItlを加え、抽出分離した。水
層をg塩酸で酸性とし、塩化メチレンで抽出し、有機層
を必わせで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下
で溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーに付し、エーテル:ヘキサン(1:5 V/V)
留分より化合物(9) 106mg(70%)を無色
針状晶として得た。
tlz )1.1〜2.9 (11H,m> 3.68 (3f−1,s)4.4
(IH,m) I R(CHCb ) 2900.1720 c
m−’MS m/e 215 (M+1 ) 、 74 (100%)化合物
(9)の合成 (C−2> (9) アルゴン気流下、化合物(C−2> 178mg(0
,83m)!>のテトラヒドロフラン溶液2dをカリウ
ム−t−ブトキシド289.5m(J (2,68n+
H)のテトラヒドロフランけんだく液8rI11に室温
で加え、更に同温度で10分間撹拌した。反応液に水2
0d、エーテル30rItlを加え、抽出分離した。水
層をg塩酸で酸性とし、塩化メチレンで抽出し、有機層
を必わせで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下
で溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーに付し、エーテル:ヘキサン(1:5 V/V)
留分より化合物(9) 106mg(70%)を無色
針状晶として得た。
m0121〜122°C
(lit、 ml) 120〜121℃、F、lI。5
todola、et al。
todola、et al。
Biochem、 J、 、 93.92(1964)
)[α]¥+18,1° (C=1.03.エタノー
ル)(lit、 [α]D→−18,2° (cm1.
t5.エタノール。
)[α]¥+18,1° (C=1.03.エタノー
ル)(lit、 [α]D→−18,2° (cm1.
t5.エタノール。
Claims (2)
- (1)一般式(A) ▲数式、化学式、表等があります▼(A) (Xは水酸基、フェニルチオ基若しくは−OR^1を、
Yは水素原子若しくは−CO_2R^3を表わす。R^
1はアラルキル基、アルキルオキシアルキル基、アルケ
ニル基及び環内に異項原子を含むシクロアルキル基から
選ばれた容易に脱離可能な保護基を、R^3は低級アル
キル基、アルケニル基若しくはベンジル基を表わす。*
は不斉炭素を表わす。) で表わされる光学活性δラクトン化合物。 - (2)一般式(A)において、R^1がベンジル、p−
クロルベンジル、p−メトキシベンジル基からなるアラ
ルキル基、メトキシメチル、t−ブトキシメチル、1−
エトキシエチル、1−イソプロポキシエチル基からなる
アルキルオキシアルキル基、アリル、メタリル基からな
るアルケニル基及びテトラヒドロフラニル、テトラヒド
ロピラニル基からなる環内に異項原子を含むシクロアル
キル基の中から選ばれる容易に脱離可能な保護基である
請求項1記載の光学活性δラクトン化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250225A JPH064613B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光学活性δラクトン化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250225A JPH064613B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光学活性δラクトン化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03112975A true JPH03112975A (ja) | 1991-05-14 |
| JPH064613B2 JPH064613B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=17204702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250225A Expired - Lifetime JPH064613B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光学活性δラクトン化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064613B2 (ja) |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1250225A patent/JPH064613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH064613B2 (ja) | 1994-01-19 |
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