JPH0311645A - フィルムキャリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はエリアＴＡＢと通称されるＴＡＢ用フィルムキ
ャリアに関する。

（従来の技術） エリアＴ、Ａ　Ｂ　（ＡＲＥＡ−ＴＡＢ）は第４図およ
び第５図に示すように、ポリイミド等の耐熱性を有する
キャリアフィルム１２の片面側に外部接続用の回路パタ
ーン１４が形成され、キャリアフィルム１２の他面側に
、スルーホールめっき層１Ｇを介して上記回路パターン
１４に導通する内部回路パターン１８が形成されて、該
内部回路パターン１８上にバンプ２６を介して半導体素
子２０が接続されるようになっている。

このようにエリアＴＡＢでは、外部接続用の回路パター
ン１４に重ねて内部回路パターン１８を形成しうるため
、複雑な回路パターンの設計が自由に行え、特に半導体
素子２０の接続用電極の位置に合わせて内部回路パター
ン１８を設計することが可能となり、半導体素子２０の
回路配置がＴＡＢ側の接続ピン位置に制約されることな
く行なえるので、半導体素子２０の回路配置の自由度が
増し、−層の高集積化が可能となる利点を有している。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら従来のエリアＴＡＢには次のような問題点
がある。

すなわち、半導体素子２０を接合するバンプ２６は通常
数十μｍ程度の厚さしかなく、半導体装置２０はキャリ
アフィルム１２上にほとんど接した状態で搭載されるの
で、半導体素子２０と内部回路バクーンＩ８先端部の接
合状態、例えば金−シリコン共晶合金によるパン１２６
のメニスカス形状等を外部から確認しにくく、信頼性に
劣る問題点があった。

そこで本発明では、半導体素子と内部回路パターンの接
合状態を外部から容易に確認でき、信頼性に優れるＴＡ
Ｂ用フィルムキャリアを提供することを目的としている
。

（課題を解決するための手段） 上記目的による本発明に係るＴＡＢ用フィルムキャリア
では、キャリアフィルムの両面に互いに導通する回路パ
ターンが形成され、該キャリアフィルムの片面側の回路
パターン上にハンプを介して半導体素子が搭載されるＴ
ＡＢ用フィルムキャリアにおいて、前記半導体素子が接
合される部位の近傍となるキャリアフィルム上に透孔を
設けたことを特徴としている。

（作用） 本発明に係るＴＡＢ用フィルムキャリアでは、半導体素
子の接合部近傍のキャリアフィルム上に透孔を設けたの
で、半導体素子がほとんどキャリアフィルムに接した状
態で搭載されても、上記透孔から半導体素子の接合状態
の良否を目視により確認でき、信頼性の高いＴＡＢ用フ
ィルムキャリアが提供される。

（実施例） 以下では本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。

第１図はＴＡＢ用フィルムキャリア１０の部分平面図、
第２図は部分断面図である。

ポリイミド等の耐熱性を有するキャリアフィルム１２の
片面側に外部接続用の回路バク−７１４が形成され、キ
ャリアフィルム１２の他面側に、スルーホールめっき皮
膜１６を介して上記回路パターン１４に導通する内部回
路パターン１８が形成されている点は従来と同じである
。

本実施例で特徴とする点は、半導体素子２０が接合され
る部位の内部回路パターン１８の先端部近傍となるキャ
リアフィルム１２上に透孔２２が形成されている点にあ
る。

上記のＴＡＢ用フィルムキャリア１０を形成するには、
まずキャリアフィルム１２に上記の透孔２２およびその
他の必要な透孔などを打ち抜き、しかる後に該キャリア
フィルム上に接着剤により銅箔を接着して所要のエツチ
ング加工を施して回路パターン１４、内部回路パターン
１８を形成するか、あるいはキャリアフィルム１２上に
蒸着もしくはスパッタリングにより銅層を形成し、この
銅層をエツチング加工して回路パターン１４、内部回路
パターン１８に形成してのち、上記透孔２２等をキャリ
アフィルム１２をエツチング加工することによって形成
するとよい。

なおスルーホールめっき皮膜１６は通常のごとく無電解
めっき等によって形成する。

上記のように構成されているので、半導体素子２０を半
導体素子２０に形成されているバンプ２６によって内部
回路パターン１８先端部上に接合して搭載することがで
きる。

なおハンプ２６は、内部回路パターン１８先端部側にあ
らかじめ形成しておいてもよい。

この半導体素子２０と内部回路パターン１８先端部の接
合部近傍のキャリアフィルム１２上に前記の如く透孔２
２が形成されているので、半導体素子接合後、半導体素
子２０を接合した側とは反対側から透孔２２により当該
接合部位の接合状態の良否、例えば金−シリコン共晶合
金によるバンプ２６のメニスカス形状などを確認するこ
とができる。

第３図は他の実施例を示す。

本実施例では、外部接続用の回路パターン１４から一旦
スルーホールめっき皮膜１Ｇを介してキャリアフィルム
１２の他面側に回路パターンを上げてのち、ビア２８を
介して回路パターン１４側に回路を降ろしている。この
ビア２８内にはんだ合金３０を盛り込んで回路パターン
１４側にバンプ２６を形成している。

したがって本実施例では回路パターン１４側に半導体素
子２０を搭載しうるようになっている。

本実施例でも半導体素子２０との接合部近傍のギヤリア
フィルム１２上に透孔２２を形成しておけばよい。

以上、本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明した
が、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発
明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るの
はもちろんのことである。

（発明の効果） 以上のように本発明に係るＴＡＢ用フィルムキ中リアに
よれば、半導体素子の接合部近傍のキャリアフィルム上
に透孔を設けたので、半導体素子がほとんどキャリアフ
ィルムに接した状態でキャリアフィルム上に搭載されて
も、上記透孔から半導体素子め接合状態の良否を目視に
より！１Ｆ認でき、信頼性の高いＴＡＢ用フィルムキ中
リアが提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＴＡＢ用フィルムキャリアの一例
を示す部分平面図、第２図はその部分断面図、第３図は
他の実施例を示す部分断面図を示第４図は従来のＴＡＢ
用フィルムキャリアの平面図、第５図はその部分断面図
を示す。 １０・・・ＴＡＢ用フィルムキャリア、１２・・・キャ
リアフィルム、 １４・・・回路パターン、 １Ｂ・・・内部回路パターン、 ２０・・・半導体素子、　２２・・・透孔、２６・・・
バンプ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、キャリアフィルムの両面に互いに導通する回路パタ
   ーンが形成され、該キャリアフィルムの片面側の回路パ
   ターン上にバンプを介して半導体素子が搭載されるＴＡ
   Ｂ用フィルムキャリアにおいて、 前記半導体素子が接合される部位の近傍と なるキャリアフィルム上に透孔を設けたことを特徴とす
   るＴＡＢ用フィルムキャリア。