JPH03116520A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH03116520A JPH03116520A JP1255666A JP25566689A JPH03116520A JP H03116520 A JPH03116520 A JP H03116520A JP 1255666 A JP1255666 A JP 1255666A JP 25566689 A JP25566689 A JP 25566689A JP H03116520 A JPH03116520 A JP H03116520A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- diamond
- magnetic recording
- ferromagnetic metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体に関する
。
。
従来の技術
磁気記録密度の向上は基本的な要求として存続し、狭ト
ラツク化と短波長化をベースにして達成されるものであ
る。今日、蒸着テープの実用化に（２） より、ハイバンド８ミリ仕様ではホワイトクリップが０
．４μｍをきるといったレベルにまで波長の短縮化が進
んでいる。蒸着テープはＣｏ−Ｎｉ−０斜め蒸着膜を磁
気記録層とするもので、耐久性の確保のためにベースフ
ィルムに形状付与を行い、斜め蒸着膜に微細な凹凸形成
を行っている［例えばテレビ技術１９８９年６月号、２
８頁参照］。
ラツク化と短波長化をベースにして達成されるものであ
る。今日、蒸着テープの実用化に（２） より、ハイバンド８ミリ仕様ではホワイトクリップが０
．４μｍをきるといったレベルにまで波長の短縮化が進
んでいる。蒸着テープはＣｏ−Ｎｉ−０斜め蒸着膜を磁
気記録層とするもので、耐久性の確保のためにベースフ
ィルムに形状付与を行い、斜め蒸着膜に微細な凹凸形成
を行っている［例えばテレビ技術１９８９年６月号、２
８頁参照］。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記した構成のものをより広帯域、短波長
域での記録再生に用いた時、十分なＣ／Ｎと耐久性が確
保できないといった課題があり改善が望まれていた。
域での記録再生に用いた時、十分なＣ／Ｎと耐久性が確
保できないといった課題があり改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、より高水
準でＣ／Ｎと耐久性のバランスを確保した磁気記録媒体
を提供するものである。
準でＣ／Ｎと耐久性のバランスを確保した磁気記録媒体
を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記した課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は、
平滑な強磁性金属薄膜上に島状のＡＩ！。
平滑な強磁性金属薄膜上に島状のＡＩ！。
Ｔ ｉ、Ｓ ｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｂのいずれかを配しその上
にダイヤモンド状硬質炭素膜を配するようにしたもので
ある。
にダイヤモンド状硬質炭素膜を配するようにしたもので
ある。
作用
本発明の磁気記録媒体は、上記した構成により、強磁性
金属薄膜の微視的均一性が良好となり雑音が改善され同
一スペーシング損失条件で比較した時Ｃ／Ｎが向上する
。又耐久性は、島状のＡＩ！等を核ににして硬いダイヤ
モンド状炭素膜が強固に被着し、形状変化の小さい凹凸
を形成することで改善されることになる。
金属薄膜の微視的均一性が良好となり雑音が改善され同
一スペーシング損失条件で比較した時Ｃ／Ｎが向上する
。又耐久性は、島状のＡＩ！等を核ににして硬いダイヤ
モンド状炭素膜が強固に被着し、形状変化の小さい凹凸
を形成することで改善されることになる。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の磁気記録媒体につい
て説明する。
て説明する。
（実施例１）
第１図は、本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
である。第１図で１はポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリエーテルエーテルケトン
、ポリイミド等の高分子フィルムかＡ １−Ｍｇ合金板
等から成る基板である。表面は平均値で１０人〜４０人
、最大粗さで３０λ〜７０人の範囲とするのが好ましい
。２はＣｏ−０，Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｔａ
。
である。第１図で１はポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリエーテルエーテルケトン
、ポリイミド等の高分子フィルムかＡ １−Ｍｇ合金板
等から成る基板である。表面は平均値で１０人〜４０人
、最大粗さで３０λ〜７０人の範囲とするのが好ましい
。２はＣｏ−０，Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｔａ
。
Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｎ ｉ、Ｃｏ−Ｎ ｉ−
Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等の強磁性金属薄膜で、スパッタ
リング法、電子ビーム蒸着法等により形成し、必要なら
イオン照射処理を行ったり、下地層を配してもよい。３
はＡＩ、Ｔ ｉ、Ｓ ｉ、Ｗ。
Ｏ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等の強磁性金属薄膜で、スパッタ
リング法、電子ビーム蒸着法等により形成し、必要なら
イオン照射処理を行ったり、下地層を配してもよい。３
はＡＩ、Ｔ ｉ、Ｓ ｉ、Ｗ。
Ｍｏ、Ｂのいずれかから成る島状金属で、電子ビーム蒸
着法、イオンプレーティンク法、スパッタリング法等で
形成すればよい。４はダイヤモンド状硬質炭素膜で、Ｃ
，Ｊ（ガスのプラズマを加速対する方法や炭素イオン照
射する方法、グラファイトをターゲットにしてスパッタ
リングする方法等いずれの方法で形成してもよい。５は
脂肪酸。
着法、イオンプレーティンク法、スパッタリング法等で
形成すればよい。４はダイヤモンド状硬質炭素膜で、Ｃ
，Ｊ（ガスのプラズマを加速対する方法や炭素イオン照
射する方法、グラファイトをターゲットにしてスパッタ
リングする方法等いずれの方法で形成してもよい。５は
脂肪酸。
脂肪酸アミド、パーフルオロポリエーテル等を真空蒸着
法、溶液塗布法等で必要量配した潤滑剤層である。本発
明はテープ状、ディスク状いずれの形態で実施してもよ
い。
法、溶液塗布法等で必要量配した潤滑剤層である。本発
明はテープ状、ディスク状いずれの形態で実施してもよ
い。
以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。
対比で説明する。
厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（
平均粗さ２０人、最大粗さ５０人）上に、スパッタリン
グ法でＣｏ−Ｃｒ （Ｃｏニア９ｗｔ％）垂直磁化膜を
０．２μｍ形成し、その上に同じく高周波スパッタリン
グ法で島状金属を配し、更にその上にグラファイトをタ
ーゲットにして、 Ａｒ＋Ｈ＝０ 二 ０３ （Ｔｏ
ｒｒ）、 Ａｒ：Ｈ＝１ ： ２． １３．５６
（ＭＨｚ） 、 ０．８ （ｋＷ）でダイヤモンド状硬
質炭素膜を形成し、潤滑剤としてパーフルオロポリエー
テルとして市販のモンテジソン社製の“フォンブリンＺ
−２５”を１．０［■／−］塗布し、５インチのフロッ
ピーディスクを得た。比較例の一部は、Ｃｏ−Ｃｒ垂直
磁化膜を配す前に、直径１５０人のＳ ｉ ０２微粒子
を５０ケ／μ 配したものを用いた。
平均粗さ２０人、最大粗さ５０人）上に、スパッタリン
グ法でＣｏ−Ｃｒ （Ｃｏニア９ｗｔ％）垂直磁化膜を
０．２μｍ形成し、その上に同じく高周波スパッタリン
グ法で島状金属を配し、更にその上にグラファイトをタ
ーゲットにして、 Ａｒ＋Ｈ＝０ 二 ０３ （Ｔｏ
ｒｒ）、 Ａｒ：Ｈ＝１ ： ２． １３．５６
（ＭＨｚ） 、 ０．８ （ｋＷ）でダイヤモンド状硬
質炭素膜を形成し、潤滑剤としてパーフルオロポリエー
テルとして市販のモンテジソン社製の“フォンブリンＺ
−２５”を１．０［■／−］塗布し、５インチのフロッ
ピーディスクを得た。比較例の一部は、Ｃｏ−Ｃｒ垂直
磁化膜を配す前に、直径１５０人のＳ ｉ ０２微粒子
を５０ケ／μ 配したものを用いた。
夫々のディスクをセンダストスパッタ膜をギャップ部に
配した、０．２μｍギャップ長のヘッドで、０．３８μ
ｍの波長で１０μｍのトラックの記録を行い、再生Ｃ／
Ｎを比較しｌ−０媒体の条件と評価結果を第１表にまと
めて示した。第１表より本発明のものは、Ａｉ’、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ ｉ、Ｂが炭素と強く結合することで
耐久性がよいのに比較し、Ｓｂ、Ｐｔ、Ｃｒ等では構成
の形状効果のみで耐久性が不十分であり、相対的に初期
のＣ／ＮはＳｉＯ２微粒子を用いかつダイヤモンド状硬
質炭素膜を２００人配したものより２．７〜２．８（ｄ
Ｂ）改良され同等の耐久性のあることがわかる。
配した、０．２μｍギャップ長のヘッドで、０．３８μ
ｍの波長で１０μｍのトラックの記録を行い、再生Ｃ／
Ｎを比較しｌ−０媒体の条件と評価結果を第１表にまと
めて示した。第１表より本発明のものは、Ａｉ’、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓ ｉ、Ｂが炭素と強く結合することで
耐久性がよいのに比較し、Ｓｂ、Ｐｔ、Ｃｒ等では構成
の形状効果のみで耐久性が不十分であり、相対的に初期
のＣ／ＮはＳｉＯ２微粒子を用いかつダイヤモンド状硬
質炭素膜を２００人配したものより２．７〜２．８（ｄ
Ｂ）改良され同等の耐久性のあることがわかる。
（以 下 余 白）
（実施例２）
課題を解決するための別の手段は、平滑な強磁性金属薄
膜上にテクスチャーを配した高密度ポリエチレン、ポリ
ウレタンのいずれかを介してダイヤモンド状硬質炭素膜
を配するようにしたものである。
膜上にテクスチャーを配した高密度ポリエチレン、ポリ
ウレタンのいずれかを介してダイヤモンド状硬質炭素膜
を配するようにしたものである。
本発明の磁気記録媒体は上記した構成により。
強磁性金属薄膜の微視的均一性が良好さなり雑音が改善
され、同一のスペーシング損失条件下で比較した時にＣ
／Ｎが向上する。又耐久性はテクスチャーによる凹凸と
、材料の組み合わせで得られる大きな付着強度と、高分
子のクツション効果で大幅に向上する。
され、同一のスペーシング損失条件下で比較した時にＣ
／Ｎが向上する。又耐久性はテクスチャーによる凹凸と
、材料の組み合わせで得られる大きな付着強度と、高分
子のクツション効果で大幅に向上する。
第２図は本発明の第２の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図である。第２図で第１図と同じ群の中から選択すれ
ばよい構成のものについては同一の番号を付した。６は
平滑な強磁性金属薄膜上に配した高密度ポリエチレン、
ポリウレタンのいずれかのテクスチャーを配した薄膜で
、膜厚は高々２００人までがよく、テクスチャーはディ
スク状とテープ状に於て必ずしも同じ形態である必要は
なく、特に限定はない。
面図である。第２図で第１図と同じ群の中から選択すれ
ばよい構成のものについては同一の番号を付した。６は
平滑な強磁性金属薄膜上に配した高密度ポリエチレン、
ポリウレタンのいずれかのテクスチャーを配した薄膜で
、膜厚は高々２００人までがよく、テクスチャーはディ
スク状とテープ状に於て必ずしも同じ形態である必要は
なく、特に限定はない。
更に具体的に本発明の実施例について比較例との対比で
説明する。
説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（
平均粗さ２０人、最大粗さ４０人）を用い、直径１ｍの
円筒キャンに沿わせて、Ｃｏ−Ｎｉ （Ｃｏ ： ８０
ｗｔ％）を５Ｘ１０−５（Ｔｏｒｒ）の酸素中で最小入
射角４０度で１０００人蒸着登行更に同様に１０００人
蒸着登行い、計２０００人のＣｏ−Ｎｉ−０斜め蒸着膜
を配し、その上に溶液塗布法で樹脂コートを行い、乾燥
後、研磨紙を用い、溝の幅が５〜１０μｍ１ピツチが１
５０〜２００μｍの溝を形成し、（テープの長手方向に
伸びた溝とした）その上にＣＨ４ガスを１３．５６ （
ＭＨｚ）の高周波でプラズマ化し、ダイヤモンド状硬質
炭素膜を形成し、その上にデニポン社製のＫＲＹＴＯＸ
１４３ＡＣを０．９（■＃）塗布し、８ミリ幅のテープ
にした。
平均粗さ２０人、最大粗さ４０人）を用い、直径１ｍの
円筒キャンに沿わせて、Ｃｏ−Ｎｉ （Ｃｏ ： ８０
ｗｔ％）を５Ｘ１０−５（Ｔｏｒｒ）の酸素中で最小入
射角４０度で１０００人蒸着登行更に同様に１０００人
蒸着登行い、計２０００人のＣｏ−Ｎｉ−０斜め蒸着膜
を配し、その上に溶液塗布法で樹脂コートを行い、乾燥
後、研磨紙を用い、溝の幅が５〜１０μｍ１ピツチが１
５０〜２００μｍの溝を形成し、（テープの長手方向に
伸びた溝とした）その上にＣＨ４ガスを１３．５６ （
ＭＨｚ）の高周波でプラズマ化し、ダイヤモンド状硬質
炭素膜を形成し、その上にデニポン社製のＫＲＹＴＯＸ
１４３ＡＣを０．９（■＃）塗布し、８ミリ幅のテープ
にした。
比較例の一部はＣｏ−Ｎｉ−０膜を形成する前に、直径
１００人のＴｉＯ２微粒子を５０ケ／μ２配したものを
用いた。
１００人のＴｉＯ２微粒子を５０ケ／μ２配したものを
用いた。
実施例、比較例共に、ギャップ長０．２μｍの積層合金
型で、ハイバンド８ミリ仕様で記録再生を行い、Ｃ／Ｎ
を比較した。テープの条件と得られた結果を第２表に示
した。
型で、ハイバンド８ミリ仕様で記録再生を行い、Ｃ／Ｎ
を比較した。テープの条件と得られた結果を第２表に示
した。
第２表かられかるように高密度ポリエチレンとポリウレ
タンは炭素と強く反応被着するためと思われる耐久性を
示しているが、樹脂とテクスチャーとダイヤモンド状硬
質炭素膜の構成要件のみでは十分とは言えないことが示
されている。
タンは炭素と強く反応被着するためと思われる耐久性を
示しているが、樹脂とテクスチャーとダイヤモンド状硬
質炭素膜の構成要件のみでは十分とは言えないことが示
されている。
Ｃ／Ｎと耐久性がより高い水準でバランスしていること
は他の比較例との対比でも明らかである。
は他の比較例との対比でも明らかである。
（以 下 余 白）
発明の効果
以上のように本発明によれば高密度でのＣ／Ｎと優れた
耐久性を有する磁気記録媒体が得られるといったすぐれ
た効果がある。
耐久性を有する磁気記録媒体が得られるといったすぐれ
た効果がある。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の実施例の磁気記録媒
体の拡大断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・強磁性金属薄膜、
３・・・・・・島状金属、４・・・・・・ダイヤモンド
状硬質炭素膜、６・・・・・・テクスチャーを配した薄
膜。
体の拡大断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・強磁性金属薄膜、
３・・・・・・島状金属、４・・・・・・ダイヤモンド
状硬質炭素膜、６・・・・・・テクスチャーを配した薄
膜。
Claims (2)
- （１）平滑な強磁性金属薄膜上に島状のＡｌ、Ｔｉ、Ｓ
ｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｂのいずれかを配しその上にダイヤモン
ド状硬質炭素薄膜を配したことを特徴とする磁気記録媒
体。 - （２）平滑な強磁性金属薄膜上にテクスチャーを配した
高密度ポリエチレン、ポリウレタンのいずれかを介して
ダイヤモンド状硬質炭素薄膜を配したことを特徴とする
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1255666A JPH03116520A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1255666A JPH03116520A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03116520A true JPH03116520A (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=17281928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1255666A Pending JPH03116520A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03116520A (ja) |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1255666A patent/JPH03116520A/ja active Pending
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