JPH04147428A - 磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録密度を高めることのできる磁気ディス
クに関する。

従来の技術 従来、Ｃｏ　　Ｐ　＊　Ｃｏ　　Ｎ　ｔ　　Ｐめっき膜
。

Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒスパッタ膜等の強磁性金
属薄膜を磁気記録層とする磁気ディスクは高密度記録に
適するものとして期待され、一部の系で実用に供されて
いる。これらの磁気ディスクは耐久信頼性に難点があり
、直接ヘッドと強磁性金属薄膜が接触することのないよ
うコバルト熱酸化膜やスピンコード５ｉ０２膜、Ｒｈめ
っき膜等の保護膜を配したり［特公昭５Ｃ）−１４３８
号公報。

特開昭５２−１０４９０３号公報、特公昭５７６１７７
号公報］、基板表面に傷を入れて接触面積を減らしたり
［特開昭６１−２０２３２４号公報、特開昭６３−２２
５９１９号公報］、号公報法の改善提案［特開昭６３−
１７７３１４号公報、特開昭６３−１７７３１３号公報
１等が続けられている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記した構成を採用しても、フロッピー
ディスクでの耐久信頼性は十分ではなく、経時的にエラ
ー率が劣化するといった課題があり改善が望まれていた
。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、エラー率
の安定した磁気ディスクを提供するものである。

課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため本発明の磁気ディスクは、
粒状突起を有する強磁性金属薄膜が半径方向に膜厚傾斜
をもつようにしたものである。

作用 本発明の磁気ディスクは上記した構成により、粒状突起
の拡がりが半径方向で変化することになるので、トラッ
ク移動時にヘッド前面への衝撃が変化し、清浄化作用で
、ヘッドと媒体間に短波長でスペーシング損失として影
響を大きく与える異物介在を許さなくなるので、良好な
高密度記録特性を維持できる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について説
明する。第１図は本発明の一実施例の磁気ディスクの拡
大断面図で、第２図は本発明の同磁気ディスクの上面図
である。第１図で１はポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド
、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリエーテルサルフオン、ポリアミド、ポリイミド等の
高分子フィルムや、ガラス、ＡＩ！　−Ｍｇ合金等の基
板である。２はＡＱ　２０３．、ＣａＣＯ３，Ｅｕ２Ｏ
３゜Ｈｆ　０２＋　ＭｇＯ，Ｚ　ｒＯ２，Ｓ　ｉ　０２
．ポリエステル球、ポリイミド球等の微粒子塗布層で、
直径６０Ａから３５ＯＡのものを、０．１〜１００ケ／
（μｍ）２の範囲で配したものが好ましい。３はＣｏ−
Ｎｉ。

Ｃｏ−Ｃｅ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｔｉ。

Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｒｕ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ等の強磁性金属薄膜で電子ビーム蒸
着法、イオンブレーティング法、スパッタリング法等に
より形成するもので必要であれば、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｃｒ等の下地層やＮｉ−Ｆｅ等の軟磁性層を介して形成
してもよい。本発明は第２図に示したようにディスク上
面の磁気記録層５で、半径方向ｒに関して、上記した強
磁性金属薄膜の膜厚がＡからＢへ増大傾向か又はその逆
に減少傾向の傾斜をもつようにしたもので、そのことに
より形成される粒状突起の拡がりが径方向に傾斜をもつ
ことになり、研磨性を異ならせトラック移動時にヘッド
前面の清浄化をはかれるようになるのである。そのため
必要な膜厚傾斜は、記録再生に用いる部分の範囲で５％
から１５％の範囲がよい。１５％以上では電磁変換特性
面で不利が生じるからである。４は保護潤滑剤層でプラ
ズマ重合層、カーボン膜、脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪
酸の金属塩、パーフルオロポリエーテル等を組み合わせ
たものでスペーシング損失が大きくならないで所望の保
護効果を得ることができるような最適化が望まれる。本
発明は片面アクセスか両面アクセスかについて限定され
るものではなく、フロッピーディスクであれハードディ
スクであれ採用できる。但し、ハードディスクでは本発
明の効果は耐Ｃ８Ｓ性の改善に対して発揮されるもので
広義にはエラー率の経時安定性の確保といえるものであ
る。

以下、フロッピーディスクの例で具体的に本発明につい
て比較例との対比で説明する。

［実施例−１］ 厚み４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径１００Ａの５ｉ０２微粒子を１５ケ／（μｍ）２
配し、Ｃｏ−Ｎ１−Ｃｒ（Ｃｏ：Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：１
４：６ｗｔ％）をターゲットにして、スリットを設け、
ターゲットと基板をずらし、５インチのディスク状にし
た基板を回転しながら、ＡからＢへ向かって記録部（半
径方向で１４＋ｎｍ）でＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ膜厚が１０５
０Ａから１１８０Ａへ厚くなるようにつけたもの（ディ
スク■）と、逆に１２００Ａから１０５０Ａへと薄くな
るもの（ディスク■）の２種類を高周波スパッタリング
法で製造した。保護潤滑層として、グラファイトをター
ゲットにしてＡ　ｒ　＋Ｈ２−０，０８（Ｔｏ　ｒ　ｒ
）、Ａ　ｒ：Ｈ２−１：　３゜１３、５６　（ＭＨｚ）
　、　１　（ｋｗ）でスパッタリングして、８０Ａのダ
イアモンド状硬質炭素膜を配しその上にパーフルオロポ
リエーテルとして市販のモンテフルオス社製のフオンブ
リンＺ−２５を０．５■／−配し、５インチディスクと
した。

［実施例−２１ 実施例−１の基板を用い、Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｏ：８０ｗｔ
％）をターゲットにし、ターゲットと基板を傾け、スリ
ットを用い、基板を回転しながら、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化
膜をスパッタリング法で形成した。ＡからＢへ向かって
、１９００Ａから２　］、　ＯＯＡへと厚くしたもの（
ディスク■）、その逆に２１００Ａから１９００Ａへと
薄（したものを（ディスク■）準備し、他は同じ構成で
５インチディスクを得た。

［比較例−１１ 実施例−１でＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ膜を均一に１１００Ａ形
成（厳密には２５Ａ程度の不均一性がある。）した以外
は同じ条件でディスクを得た。

［比較例−２］ 実施例−２でＣｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を２０００人形成し
た以外は同じ条件でディスクを得た。

上記したディスクをギャップ長０．１８μｍのセンダス
トスパッタ膜を用いたメタルインギヤ・ツブ型リングヘ
ッドでビット長０．２２μｍ、トラック幅３０μｍの記
録再生を行い、エラー率を比較した。エラー率は任意の
１０トラツクを選び計測した値の平均値を初期値とし、
経時安定性は初期値で規格化し、最小値と最大値の範囲
で示した。

発明の効果 以上のように本発明によれば、ヘッド・ディスク間のス
ペーシングロスとなる異物介在が殆どみられず、経時的
にもエラー率の変化が小さく、高密度記録可能な磁気デ
ィスクが得られるといったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係わる磁気ディスクの拡大
断面図、第２図は同磁気ディスクの上面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・微粒子塗布層、３
・・・・・・強磁性金属薄膜、５・・・・・・磁気記録
層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 粒状突起を有する強磁性金属薄膜が半径方向に膜厚傾斜
   をもつことを特徴とする磁気ディスク。