JPH0311737A - 固相エピタキシャル - Google Patents
固相エピタキシャルInfo
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- JPH0311737A JPH0311737A JP14771089A JP14771089A JPH0311737A JP H0311737 A JPH0311737 A JP H0311737A JP 14771089 A JP14771089 A JP 14771089A JP 14771089 A JP14771089 A JP 14771089A JP H0311737 A JPH0311737 A JP H0311737A
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- Japan
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- electrode
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は集積回路装置における電極膜に関する［従来の
技術］ 従来、８１基板上のＳ ｉ ｏｔ膜を介してＡｔ電極を
形成し、該Ａｔ電極をレーザービーム等の量子ビーム
アニールにより羊結晶化してエレクトロ マイグレーシ
田ン耐性を得る方法が用いられ［発明が解決しようとす
る課ｆｆｌ］ しかし、上記従来技術によると、エレクトロマイグレー
シフン耐性が充分でないという課題や、生産性が悪い等
の課題もあった。
技術］ 従来、８１基板上のＳ ｉ ｏｔ膜を介してＡｔ電極を
形成し、該Ａｔ電極をレーザービーム等の量子ビーム
アニールにより羊結晶化してエレクトロ マイグレーシ
田ン耐性を得る方法が用いられ［発明が解決しようとす
る課ｆｆｌ］ しかし、上記従来技術によると、エレクトロマイグレー
シフン耐性が充分でないという課題や、生産性が悪い等
の課題もあった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決し、エレクトロ
マイグレーシｌン耐性の良好な集積回路装置における電
極膜を生産性良く提供する事を目的とする。
マイグレーシｌン耐性の良好な集積回路装置における電
極膜を生産性良く提供する事を目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明はかかる従来技術、の課題を解決し、本発明の目
的を達成するために、電極膜を固相エピタキシャルによ
る単結晶電極膜と成す事を基本とする。
的を達成するために、電極膜を固相エピタキシャルによ
る単結晶電極膜と成す事を基本とする。
［実施例］
以下、★施例により本発明を詳述する。
いま、Ｓ１拳結晶基板上に８１０！膜等の絶縁膜を介し
て、該絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通してＡＡ、
Ａｔ−３ｉ 、Ａｔ−５ｉ−Ｏｕ等の電極膜を蒸着等に
て形成後、該電極膜をホト・エツチング等の加工処理を
施して不活性雰囲気中にて加熱処理を施すと、固相エピ
タキシャルにより単結晶化する事ができる。但し、ホト
・エツチング加工前に蒸着中あるいは、不活性雰囲気中
等で加熱処理を施しても良い。
て、該絶縁膜に開けられたコンタクト穴を通してＡＡ、
Ａｔ−３ｉ 、Ａｔ−５ｉ−Ｏｕ等の電極膜を蒸着等に
て形成後、該電極膜をホト・エツチング等の加工処理を
施して不活性雰囲気中にて加熱処理を施すと、固相エピ
タキシャルにより単結晶化する事ができる。但し、ホト
・エツチング加工前に蒸着中あるいは、不活性雰囲気中
等で加熱処理を施しても良い。
なお、電極膜はＡＡやｈＬ合金の他、Ｔ１゜ＴｉＳｉ、
ＴｉＮ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｍｏ、ＭｏＳｉ、Ｏｕ等の他の金
属や合金あるいは、これら金属や合金の多層膜や部分的
多層膜等であっても良いる単結晶化が少なくとも２ミク
ロン以上進み、コンタクト穴間隔が４ミクロン以下の場
合にはコンタクト穴間隔の中央にて単結晶が互いに衝突
し、結晶粒界を形成する場合もあるが、その場合でもヱ
ルクトロマイグレーション耐性を向上する事カできる。
ＴｉＮ、Ｗ、ＷＳｉ、Ｍｏ、ＭｏＳｉ、Ｏｕ等の他の金
属や合金あるいは、これら金属や合金の多層膜や部分的
多層膜等であっても良いる単結晶化が少なくとも２ミク
ロン以上進み、コンタクト穴間隔が４ミクロン以下の場
合にはコンタクト穴間隔の中央にて単結晶が互いに衝突
し、結晶粒界を形成する場合もあるが、その場合でもヱ
ルクトロマイグレーション耐性を向上する事カできる。
［発明の効果］
本発明により、エレクトロ マイグレーシコン耐性の良
好な集積回路装置における電極配線を生産住良（形成で
き、提供することができる効果がある。
好な集積回路装置における電極配線を生産住良（形成で
き、提供することができる効果がある。
さらに、前記Ｓ１単結晶基板は下層電極であっても良く
、電極上に８１０８等の絶縁膜を形゛成後、固相エピタ
キシャルに′より嚇結晶化しても良い以上
、電極上に８１０８等の絶縁膜を形゛成後、固相エピタ
キシャルに′より嚇結晶化しても良い以上
Claims (1)
- 半導体または電極と絶縁膜を介して連らなった電極膜を
単結晶膜と成す事を特徴とする固相エピタキシャル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14771089A JPH0311737A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 固相エピタキシャル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14771089A JPH0311737A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 固相エピタキシャル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311737A true JPH0311737A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15436465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14771089A Pending JPH0311737A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 固相エピタキシャル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311737A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429519B1 (en) | 1997-04-03 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Wiring structures containing interconnected metal and wiring levels including a continuous, single crystalline or polycrystalline conductive material having one or more twin boundaries |
| CN100435284C (zh) * | 2004-06-09 | 2008-11-19 | 海力士半导体有限公司 | 具有低接触电阻的半导体设备及其制造方法 |
| JP2011009595A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP14771089A patent/JPH0311737A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429519B1 (en) | 1997-04-03 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Wiring structures containing interconnected metal and wiring levels including a continuous, single crystalline or polycrystalline conductive material having one or more twin boundaries |
| CN100435284C (zh) * | 2004-06-09 | 2008-11-19 | 海力士半导体有限公司 | 具有低接触电阻的半导体设备及其制造方法 |
| JP2011009595A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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