JPH0311782A

JPH0311782A - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH0311782A
Application number: JP1145435A
Authority: JP
Inventors: Kazuki Tatsuoka; 一樹立岡; Masahiro Kume; 雅博粂; Yuichi Shimizu; 裕一清水
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-06-09
Filing date: 1989-06-09
Publication date: 1991-01-21
Anticipated expiration: 2012-09-17
Also published as: JP2654988B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、光デイスク装置等に用いられる半導体レーザ
装置に関するものである。

（従来の技術）従来の半導体レーザ装置について、第３図および第４図
により説明する。

第３図（ａ）および（ｂ）は、共に同じ半導体レーザチ
ップ１を用いた半導体レーザ装置の正面断面図で、極性
が異なるだけなので、まず、（ａ）図により説明する。

同図において、ｐｎ接合からなる半導体レーザチップ１
は、金属層２が形成されたシリコン基板３の上に、はん
だ４によって１．半導体レーザチップ１のｎ側電極１ａ
と電気的且つ機械的に接続された後、金属製基台５に装
着され、さらに半導体レーザチップ１のｐ側電極１ｂが
、上記の金属製基台５と絶縁された金属柱６に、金又は
アルミニウムのワイヤ７で接続されている。

第３図（ｂ）は、半導体レーザチップ１の方向を上下逆
方向に接続したものである。

ここで、シリコン基板３側がマイナス極となる第３図（
ａ）をｅコモン極性、プラス極となる第３図（ｂ）を■
コモン極性と呼ぶことにする。

第４図（ａ）および（ｂ）は、上記の両極性の半導体レ
ーザ装置の信頼性試験の結果を示す動作電流の時系列特
性図で、寿命に差があることを表わしている。

（発明が解決しようとする１１題）しかしながら、上記の構成では、ｅコモン極性の品種で
は信頼性が良好であるが、■コモン極性の品種では信頼
性が充分でないという問題があった。

本発明は上記の問題を解決するもので、■コモン極性と
なる品種に対して、信頼性の良好な半導体レーザ装置を
提供するものである。

（課題を解決するための手段）上記の課題を解決するため、本発明は、■コモン極性を
有するシリコン基板の上に、絶縁膜を介して金属膜の電
極パターンを形成し、これに半導体レーザチップをその
ｎ側電極で装着するとともに、金属柱とワイヤで接続し
、さらに、そのｐ側電極とシリコン基板をワイヤで接続
するものである。

（作　用）これを補足することによって、同一の半導体レーザチッ
プの装着方向を採用しながら、ｅコモン極性と■コモン
極性の両方にそれぞれ適用される半導体レーザ装置が得
られる。従って、すべての品種に高い信頼性の半導体レ
ーザ装置が可能となる。なお、ｅコモンおよび■コモン
の両極性に対し、第３図（ａ）に示した従来例および本
発明を選択することになる。

（実施例）本発明の実施例を第１図および第２図により説明する。

第１図（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、本発明による半
導体レーザ装置の平面図、そのＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’
平面で切断した正面断面図である。第１図（ａ）におい
て、金めつきを施した金属製基台８は。

端子板８ａとその下部からＬ字状に突出した装着台８ｂ
とから構成されている。ｐ形シリコン基板９は、上記の
装着台８ｂの上に、低抵抗の抵抗性接触を持つように装
着されており、その表面に二酸化ケイ素（Ｓ　ｉ　Ｏ２
）あるいは酸化アルミニウム（Ａｌｌ、０３）の絶縁膜
１０を介して、鉤形のＴｉ／Ａｕ電極パターン１１が形
成され、さらに、上記の端子板８ａ側の角部に設けられ
た絶縁膜１０の方形の孔１０ａを通して、第１図（ｃ）
に示すようにｐ形シリコン基板９に形成された高濃度（
ｐ＋）拡散領域９ａと低抵抗の抵抗性接触を持つ電極１
２が形成されている。半導体レーザチップ１は、第１図
（ｂ）に示すように、そのｎｍ’＠極１ａを、はんだ４
を介して上記の電極パターン１１に電気的機械的に装着
されている。さらに、ｐ側電極１ｂと上記の電極１２を
。

また、上記の端子板８ａに絶縁されて装着されている金
めっきされた金属柱６と、上記の電極パターンｌｌの端
子部をそれぞれ、金またはアルミニウムのワイヤ７で接
続している。

なお、モニタ用のｐｉｎホトダイオード１３が、半導体
レーザチップ１の背後の位置で、金属製基台８の端子板
８ａに装着されており、端子板８ａに絶縁されて取り付
けられた金属柱１４とワイヤ７で接続されている。

このように構成された半導体レーザ装置では、電流の経
路が、金属柱６→電極パタ一ン１１→ｎ側電極１ａ→半
導体レーザチップ１→ｐ側電極１ｂ→電極１２→ｐ形シ
リコン基板→金属製基台８となっている。これは、第３
図（ａ）に示した半導体レーザ装置の経路が、金属柱６
→ｐ側電極１ｂ→半導体レーザチップ１→ｎ側電極１ａ
→シリコン基板３→金属製基台５となっているのに対し
、電流の流れが反対方向になっている。従って同じ導電
形の基板を有する半導体レーザチップ１を、同装着方向
でシリコン基板に付けた場合、半導体レーザ装置の極性
は、従来例と本発明実施例とでは反対になる。従って、
従来の半導体レーザ装置で良好な信頼性の得られなかっ
た。第３図（ｂ）に示した■コモン極性の品種に対して
本発明の組立て技術を用いることにより第２図の時系列
特性図に示すように高い信頼性を実現することが可能と
なる。

（発明の効果）以上説明したように１本発明の半導体レーザ装置を併用
することにより、常にあらゆる極性の品種に対し高い信
頼性を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）および（ｃ）は本発明による半
導体レーザ装置の構造を示す平面図および正面断面図、
第２図はその時系列特性図、第３図（ａ）および（ｂ）
は、共に従来の極性を異にする半導体レーザ装置の正面
断面図、第４図は、その信頼性試験の結果を示す時系列
特性図である。１・・・半導体レーザチップ、　１ａ・・・ｎ側電極、
　　１ｂ・・・ｐ（ｌ［ＩＩ電極、　２・・・金属層。３・・・シリコン基板、　４・・はんだ、　５゜８・・
・金属剃基台、　６，１４・・・金属柱。７・・・ワイヤ、　８ａ・・・端子板、　８ｂ・・・装
着台、　９・・・ｐ形シリコン基板、　９ａ・・・高濃
度（ｐ９）拡散領域、　１０・・・絶縁膜。１０ａ・・・方形の孔、　１１・・・電極パターン。１２・・・電極、　　１３・・・ｐｉｎホトダイオード
。

Claims

【特許請求の範囲】

金属製基台の上に抵抗性接触を有するように装着したｐ
形シリコン基板の表面に、絶縁膜を介して電極パターン
を形成して、これに、ｐｎ接合からなる半導体レーザチ
ップのｎ側電極を、はんだにより装着する一方、上記の
絶縁膜に設けた孔を通し、その下に形成した高濃度ｐ形
領域と抵抗性接触を有する、上記の電極パターンとは分
離された電極を形成し、さらに、上記の金属製基台に絶
縁材を介して固着された、外部端子に接続された金属柱
と上記の電極パターンとを、また、上記の電極と半導体
レーザチップのｐ側電極とをそれぞれワイヤで接続した
ことを特徴とする半導体レーザ装置。