JPH03118433A - 感温素子 - Google Patents

感温素子

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JPH03118433A
JPH03118433A JP25638189A JP25638189A JPH03118433A JP H03118433 A JPH03118433 A JP H03118433A JP 25638189 A JP25638189 A JP 25638189A JP 25638189 A JP25638189 A JP 25638189A JP H03118433 A JPH03118433 A JP H03118433A
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JP
Japan
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temperature
resistance
thermistor
ptc thermistor
ctr
Prior art date
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Pending
Application number
JP25638189A
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English (en)
Inventor
Toshishige Yamamoto
利重 山本
Hiromoto Tanimae
谷前 太基
Satoru Takao
高尾 哲
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 星策上Ω皿皿旦1 本発明は感温素子に関する。
−とその言0 感温素子は、電気抵抗が温度によって変化することを利
用した回路素子であって、種々の電気機器などに広く利
用され、さらに技術の多様化した今日においては、様々
な抵抗温度特性を有する感温素子の開発が要請されてき
ている。
感温素子としては、一般に負の抵抗温度特性を有するサ
ーミスタ(以下、rNTCサーミスタ」という)と、正
の抵抗温度特性を有するサーミスタ(以下、rPTCサ
ーミスタ」という)とがある。
NTCサーミスタとは、温度上昇と共に抵抗値が緩やか
に減少するサーミスタをいい、所謂突入電流(電源投入
時に発生する過電流)の抑制に適している。すなわち、
NTCサーミスタは、初期状態における抵抗値が高いた
め、突入電流が抑制され、回路が保護される。また、電
源投入後は、回路を流れる電流による発熱により抵抗値
が除々に減少し、所定の回路動作がなされる。
しかし、上記NTCサーミスタは、回路を流れる電流に
よる発熱によってその抵抗値が減少するため、異常時に
おける過電流の発生によるトラブルを防止することはで
きない、したがって、異常時においては、電気機器等が
異常に加熱され、火災等の発生を招来するといったこと
には対処できない。
一方、PTCサーミスタとは、ある一定温度(抵抗急変
温度)以上に温度が上昇すると、その抵抗値が急激に増
加するサーミスタをいい、異常時における過電流の発生
に起因したトラブルを防止するのに適している。すなわ
ち、PTCサーミスタは、通常は低い抵抗値を維持して
いるが、回路に異常が生じた場合においては、過電流に
よる発熱によって抵抗値が急激に増大するため、回路を
流れる電流値の増大が抑制され、該回路が保護される。
しかし、上記PTCサーミスタは、電源投入時において
は、その抵抗値が低いため、前記突入電流を防止するこ
とはできず、電源投入時において電気機器等にトラブル
が発生するといったことには対処できない。
そこで、異常時の過電流発生及び突入電流を防止するも
のとして、第9図に示すように、NTCサーミスタ51
とPTCサーミスタ52とが熱的に結合された感温素子
が提案されている(特開昭61−159705号公報参
照)。
該感温素子は、NTCサーミスタ51とPTCサーミス
タ52とが直列に結合され、電極53.54を介してリ
ード線55.56が接続されたものである。このように
構成された感温素子は、第10図に示すように、NTC
サーミスタ51とPTCサーミスタ52との特性を合わ
せもつ凹型の抵抗温度特性を有しく図中、破線で示す)
、突入電流及び異常時における過電流発生の防止が可能
である。
しかし、該感温素子においては、それぞれの抵抗温度係
数(温度勾配)の絶対値が著しく異なる。すなわち、N
TCサーミスタ51は、その特性が緩やかな温度勾配を
有するのに対し、PTCサーミスタ52は、その特性が
急峻な温度勾配を有する。このため、突入電流や異常時
における過電流発生の防止には適するが、任意の温度値
に温度制御する温度センサ等、他の用途には一般的には
使用することができないという課題があった。
また、凹型特性を有する感温素子としては、その他にP
TCサーミスタの素材として一般的に使用されるB a
 T iOs系半導体磁器組成物にYb(イッテルビウ
ム)を添加したものが提案されている(例えば特公昭5
4−27555号公報参照) 該感温素子は、第11図に示すように、BaTiO3系
半導体磁器組成物の抵抗急変温度である120℃付近ま
ではかなり急峻な負の抵抗温度係数を有し、前記抵抗急
変温度以降では正の抵抗温度係数を有するものであって
、上述の感温素子と同様、異常時の過電流発生及び突入
電流を防止することができる。
しかし、該感温素子においては、感温素子を構成するB
a原子によって抵抗急変温度が決まるため、それに対応
して最低抵抗値も常に抵抗急変温度近傍に存在すること
となる。したがって、任意の温度領域に抵抗急変温度を
有する感温素子を得ることができず、上述の感温素子と
同様、広範な用途には不適格であるという課題があった
また、その他の凹型特性を有する感温素子としては、上
述のBaをSrとpbで置換した(SrP b) T 
i Os系半導体磁器組成物により形成された感温素子
が提案されている(エレクトロセラミクス °885月
号、p33〜p35参照)。
該感温素子は、第12図に示すように、鋭角的な7字状
の特性を有し、Srとpbとの組成比を変λることによ
り抵抗急変温度の変動を可能としたものである1図中、
Yは等モル量のSrとpbが含有されている場合を示し
、ZはSrのモル量がpbのモル量よりも多く含有され
ている場合を示し、Xはpbのモル量がSrのモル量よ
りも多く含有されている場合を示している。すなわち、
Srのモル量を増加させることにより抵抗急変温度が下
がり、pbのモル量を増加させることにより抵抗急変温
度が上がっている。
該感温素子においては、抵抗急変温度の変動は可能であ
るが、急峻な抵抗温度特性が得られる温度領域が狭く、
図中Zに示すように、抵抗急変温度の変動により、抵抗
温度特性の急峻さが失われる傾向にある。すなわち、一
定の狭い温度領域においてのみ抵抗急変温度を移動させ
ても特性の急峻性が維持できるにすぎず、任意の抵抗急
変温度において所望の急峻な特性を有する感温素子を得
ることはできないため、特性の急峻さが要求される空調
機器等の温度制御素子などには使用できないという課題
があった。
また、Tiと(SrPb)の組成比を変えることによっ
ても種々の抵抗急変温度を有する凹型特性の感温素子を
得ることができるが(前記エレクトロセラミクス °8
85月号、p33〜p35参照)、上述の感温素子と同
様、抵抗急変温度の変動により、抵抗温度特性の急峻さ
が失われ。
上述と同様の課題があった。
本発明は上記したような課題に鑑みてなされたものであ
って、任意の温度領域において任意の抵抗温度特性を有
する感温素子を提供することを目的としている。
課 を ゛するための 丁1 上記目的を達成するために本発明に係る感温素子は、P
TCサーミスタとクリテジスタとが熱的に結合されてい
ることを特徴としている。
さらに、上記感温素子において、PTCサーミスタとク
リテジスタとが直列に接続されていることを特徴として
いる。
また、上記感温素子において、PTCサーミスタとクリ
テジスタとが並列に接続されていることを特徴としても
よい。
さらに、これら感温素子に抵抗体がさらに熱的に結合さ
れていることを特徴としている。
尚、ここでr熱的に結合された」とは、PTCサーミス
タとクリテジスク、又はPTCサーミスタとクリテジス
クと抵抗体とが、これらの間で熱移動が円滑に行なわれ
るように密着されて接合されている状態をいう。
1■ クリテジスタ(Critical Temperatu
re Re5is−tor ;以下、rcTRJという
)とは、ある特定温度を越えるとその抵抗値が急激に減
少する抵抗素子をいい、V、O,を主成分とし、このv
20sに特定の添加剤を添加して作製される。そして、
このCTRにおいては、抵抗値が急激に減少する温度(
抵抗急変温度)が、前記添加剤の種類に応じて広範囲に
選択可能であり、また10’倍程度の抵抗変化幅を有す
る。
したがって、本発明に係る感温素子によれば、PTCサ
ーミスタとCTRとが熱的に結合されているので、PT
CサーミスタとCTRの特性が複合された抵抗温度特性
を有する感温素子が得られる。しかも、CTRの作製条
件を変えることにより、任意の抵抗温度特性を有するC
TRを得ることができるため、適当に選択したPTCサ
ーミスタと熱的に結合させることにより、任意の温度領
域において任意の凹型又は凸型の抵抗温度特性を有する
感温素子が得られる。
具体的には、PTCサーミスタとCTRとを直列に接続
することにより、任意の温度領域において任意の凹型抵
抗温度特性を有する感温素子が得られ、PTCサーミス
タとCTRとを並列に接続することにより、任意の温度
領域において任意の凸型抵抗温度特性を有する感温素子
が得られる。
また、抵抗体がこれら感温素子に熱的に結合されること
により、平坦部を有する抵抗温度特性を具備した感温素
子が得られる。
衷施胴 以下、本発明に係る実施例を図面に基づき詳説する。尚
、本発明は以下の実施例のみに限定されるものでないこ
とはいうまでもない。
[実施例1] 第1図(a)は本発明に係る感温素子の一実施例を示し
た断面図であって、断面略円形形状に形成されたCTR
Lが、断面略矩形形状のPTCサーミスタ2の下面に密
接して配設されている。該PTCサーミスタ2とCTR
Iとの接合は、熱伝導性の良好な接着剤によってなされ
ている。また、PTCサーミスタ2の上面側においては
、その略全域に亙ってAg等の導電材料からなる第1の
電極3が形成され、さらに該第1の電極3にはリード線
4が接続されている。一方、PTCサーミスタ2の下面
側においては、そのほぼ全域に亙って第2の電極7が形
成されると共に、該第2の電極7とCTRLとの間には
リード線8が連架されている。また、CTRIにはリー
ド線9が接続され、さらにCTRI及びPTCサーミス
タ2は、エポキシ系樹脂等の耐熱性樹脂lOにより被覆
されている。
CTRIは、「作用」の項で述べたように、ある特定温
度を越えるとその抵抗値が急激に減少する抵抗素子をい
い、以下の如く作製される。
まず、B、Si、P系の酸化物のうち1つ、及びMg、
Ca、Sr、Ba、La、Pb系の酸化物のうち1つを
添加剤として主成分である■20Sに混入し、混合物を
作製する。そして、結晶の転移現象に基づく前記混合物
の劣化を防止するため、該混合物を粉砕し、さらに該粉
砕物をガラス状の酸化物で充填することにより作製され
る。
このようにして作製されたCTRIは、結晶の転移現象
に基づく劣化が生じることもなく、耐久性の向上したも
のとなる。上記添加剤の添加物質及び添加量に応じて抵
抗急変温度は60〜80℃の範囲で可変であり、抵抗値
は約10’Ωから約1Ω程度まで変化し、抵抗変化幅も
広い、また、CTRIに上記以外の添加物質、例えば、
W(タングステン)等を添加することによりさらに抵抗
急変温度を低(設定したり高く設定したりすることがで
きる。
また、PTC,サーミスタ2は、BaTiOsにNb、
Ta等の半導体化剤が添加されたBaTiO3系半導体
磁器組成物や5rTiOi系半導体磁器組成物等で形成
される。そして、これら組成物の組成比を変えることに
より、異なる抵抗急変温度を有するPTCサーミスタ2
を得ることができる。
このように形成された感温素子は、第1図(b)に示す
ように、CTRIとPTCサーミスタ2とが直列的に接
続されることとなる。しかも、CTRIとPTCサーミ
スタ2とが密接して熱的に結合されているため、熱移動
を円滑に行なうことができ、該感温素子は、CTRLの
特性とPTCサーミスタ2の特性とが複合化されたもの
となる。
第2図は上記感温素子の抵抗温度特性の一例を示したも
のである。CTRIは、NTCサーミスタが有さない急
峻な特性を有しているので、急峻な特性を有するPTC
サーミスタ2と複合化が図られることにより、破線で示
すように、急峻な凹型の抵抗温度特性を得ることができ
る。すなわち、CTRIの抵抗急変温度Aにおいて抵抗
値は急激に減少し、PTCサーミスタ2の抵抗急変温度
近傍の点BでPTCサーミスク2の特性曲線に接続され
、その後抵抗値が温度とともに急激に増加する正の抵抗
温度特性を有するものとなる。また、CTRIの組成及
びPTCサーミスタ2の組成を変えることにより、最低
抵抗値を示す温度領域を自由に変えることができる。し
たがって、任意の温度領域において、急峻な凹型の抵抗
温度特性を有する感温素子を得ることができる。
このような感温素子を例^ば空調機器等の温度センサに
使用した場合においては、該空調機器等の温度は、最低
抵抗値(図中、B)に相当する温度に自動制御すること
が可能となり、温度センサとして高性能なものが得られ
る。すなわち、任意の温度領域において、上述のような
凹型の抵抗温度特性を有する感温素子を得ることができ
、前記空調機器等の温度制御素子などとして高性能なも
のを提供することができる。
[実施例2] 第3図(a)は本発明に係る感温素子の別の実施例を示
した断面図であって、CTRLが、PTCサーミスタ2
の一方の端面に熱伝導性の良好な接着剤を介して熱的に
結合されたものである。また、PTCサーミスタ2の上
下両面にはその略全域に亙ってAg等の導電材料からな
る第1及び第2の電極11.12が形成され、さらに、
CTR1はリード線13.14に接続され、PTCサー
ミスタ2は、第1及び第2の電極11.12を介してリ
ード線13.14に接続されている。また、CTRL及
びPTCサーミスタ2は、エポキシ系樹脂等の耐熱性樹
脂10により被覆されている。
CTRLとPTCサーミスタ2の構成等は[実施例1]
と同様であるので省略する。
このように形成された感温素子は、第3図(b)に示す
ように、CTRLとPTCサーミスタ2とが並列的に接
続とされることとなる。しかもCTRLとPTCサーミ
スタ2とが密接して熱的に結合されている。したがって
、該感温素子は、熱移動を円滑に行なうことができ、C
TRLの特性とPTCサーミスタ2の特性とが複合され
たものとなり、第4図に示すように、凸型の抵抗温度特
性を有する感温素子を得ることができる(図中、破線で
示す)、すなわち、抵抗値の高い領域(図中、Cで示す
)で両者の抵抗温度特性が交わるため、凸型の急峻な抵
抗温度特性を有する感温素子を得ることができる。この
ような凸型の抵抗温度特性を有する感温素子が開発され
た例は未だ報告されておらず、技術の多様化した今日に
おいて今後の活用が期待される。
[実施例3] 第5図(a)は本発明に係る感温素子のさらに別の実施
例を示した断面図であって、PTCサーミスタ2の下面
に、上述と同様、CTRLが熱的に結合されると共に、
PTCサーミスタ2の上面には断面略楕円形状の抵抗体
15が接着剤を介して密接して配設されている。また、
PTCサーミスタ2の上下両面にはそのほぼ全域に亙っ
てそれぞれ第1及び第2の電極7.17が形成されてい
る。さらに、第2の電極17と抵抗体15との間にはリ
ード線18が連架され、第1の電極7とCTRIとの間
にはリード線8が連架されている。そして、CTRL及
び抵抗体15にはそれぞれリード線9.19が接続され
ている。また、CTRL、PTCサーミスタ2及び抵抗
体15は、エポキシ系樹脂等の耐熱性樹脂10により被
覆されている。
CTRIとPTCサーミスタ2の構成等は[実施例1]
と同様であるので省略する。
このように形成された感温素子は、第5図(b)に示す
ように、CTRIとPTCサーミスタ2と抵抗体1とが
直列的に接続とされることとなる。しかも、CTRLと
PTCサーミスタ2とが密接して熱的に結合されている
ので、熱の移動を円滑に行なうことができる。したがっ
て、該感温素子は、CTRLの特性とPTCサーミスタ
2の特性と抵抗体15の有する平坦化特性とが複合され
たものとなり、第6図に示すように、平坦部を具備した
凹型の抵抗温度特性を有する感温素子が得られる(図中
、破線で示す)。すなわち、CTR1の抵抗急変温度り
において抵抗は急激に減少し、平坦な抵抗温度特性を有
する抵抗体15の抵抗温度特性と点Eで交わり、さらに
抵抗体15の抵抗温度特性は、PTCサーミスタ2の抵
抗温度特性とその抵抗急変温度近傍の点Fで交わる。つ
まり、該感温素子の抵抗温度特性は、平坦部を具備した
凹型の抵抗温度特性を有することとなる。
[実施例4] 第7図(a)は本発明に係る感温素子のさらに別の実施
例を示した断面図であって、PTCサーミスタ2の一方
の端面にCTRIが熱的に結合されると共に、接着剤を
介してPTCサーミスタ2の他方の端面に抵抗体15が
熱的に結合されている。そして、PTCサーミスタ2の
上下両面にはその略全域に亙ってAg等の導電材料から
なる第1及び第2の電極11.12が形成され、さらに
、CTRIはリード線13.14に接続され、PTCサ
ーミスタ2は、第1及び第2の電極11.12を介して
リード線13.14に接続されている。さらに、抵抗体
15は、リード線20.21を介して第1および第2の
電極11.12に接続されている。また、CTRL、P
TCサーミスタ2及び抵抗体15は、エポキシ系樹脂等
の耐熱性樹脂10により被覆されている。
CTRIとPTCサーミスタ2の構成等は[実施例1]
と同様であるので省略する。
このように形成された感温素子は、第7図(b)に示す
ように、CTRIとPTCサーミスタ2と抵抗体15と
が並列的に接続とされることとなる。しかも、CTRI
とPTCサーミスタ2と抵抗体15とが密接して熱的に
結合されているので、熱の移動を円滑に行なうことがで
きる。したがって、該感温素子は、CTRIの特性とP
TCサーミスタ2の特性と抵抗体15の有する平坦化特
性とが複合されたものとなり、第8図に示すように、平
坦部を具備した凸型の抵抗温度特性を有する感温素子が
得られる(図中、破線で示す)。
すなわち、抵抗値の高い領域(図中、G、Hで示す)で
もって、CTRLと抵抗体15とPTCサーミスタ2と
のそれぞれの抵抗温度特性が交わるため、平坦部を具備
した凸型の抵抗温度特性を有する感温素子を得ることが
できる。
上記[実施例1]〜[実施例4]から明らかなように、
PTCサーミスタとCTRとを熱的に結合させることに
より任意の温度領域において任意の凹型または凸型の抵
抗温度特性を有する感温素子を得ることができ、さらに
これらに抵抗体を熱的に結合させることにより、より応
用範囲の広い感温素子を得ることができる。
及ユ五激呈 以上詳述したように本発明に係る感温素子は、PTCサ
ーミスタとCTRとが熱的に結合されているので、PT
Cサーミスタの特性とCTRの特性とが複合された感温
素子を得ることができる。
しかも、CTRは、NTCサーミスタと異なり急峻な特
性を有するため、PTCサーミスタと直列接続すること
により、抵抗温度係数の絶対値が路間−である急峻な凹
型抵抗温度特性を有する感温素子を得ることができ、高
性能の温度センサとしての使用に適したものとなる。
さらに、PTCサーミスタとCTRとが並列に接続され
ることにより、任意の凸型特性を有する感温素子を得る
ことができ、また、抵抗体がこれらの感温素子に熱的に
結合されることにより、さらに種々の凹型又は凸型の抵
抗温度特性を有する感温素子を得ることができる。
このように、本発明によれば、任意の温度領8域におい
て、所望の凹型または凸型の抵抗温度特性を有する感温
素子を得ることができるため、該感温素子を種々の温度
センサやスイッチ素子などに使用することが可能となり
、空調機器等極めて広範な分野に利用することができる
こととなる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明に係る感温素子の一実施例[実施
例1]を示す断面図、第1図(b)は第1図(a)の等
価回路、第2図は[実施例1]の抵抗温度特性図、第3
図(a)は[実施例2]を示す断面図、第3図(b)は
第3図(a)の等価回路、第4図は[実施例2]の抵抗
温度特性図、第5図(a)は[実施例3]を示す断面図
、第5図(b)は第5図(a)の等価回路、第6図は[
実施例3]の抵抗温度特性図、第7図(a)は[実施例
4]を示す断面図、第7図(b)は第7図(a)の等価
回路、第8図は[実施例4]の抵抗温度特性図、第9図
は従来例を示した感温素子の断面図、第10図は従来例
の抵抗温度特性図、第11図は別の従来例の抵抗温度特
性図、第12図はさらに別の従来例の抵抗温度特性図で
ある。 1・・・CTR(クリテジスタ)、2・・・PTCサー
ミスタ(サーミスタ)、15・・・抵抗体。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)正の抵抗温度特性を有するサーミスタとクリテジ
    スタとが熱的に結合されていることを特徴とする感温素
    子。
  2. (2)正の抵抗温度特性を有するサーミスタとクリテジ
    スタとが直列に接続されていることを特徴とする請求項
    1記載の感温素子。
  3. (3)正の抵抗温度特性を有するサーミスタとクリテジ
    スタとが並列に接続されていることを特徴とする請求項
    1記載の感温素子。
  4. (4)請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の感温素
    子において、さらに抵抗体が熱的に結合されていること
    を特徴とする感温素子。
JP25638189A 1989-09-29 1989-09-29 感温素子 Pending JPH03118433A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015046258A1 (ja) * 2013-09-25 2017-03-09 Littelfuseジャパン合同会社 保護デバイス

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015046258A1 (ja) * 2013-09-25 2017-03-09 Littelfuseジャパン合同会社 保護デバイス
US10396543B2 (en) 2013-09-25 2019-08-27 Littelfuse Japan G.K. Protection device

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