JPH03119539A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH03119539A JPH03119539A JP25597889A JP25597889A JPH03119539A JP H03119539 A JPH03119539 A JP H03119539A JP 25597889 A JP25597889 A JP 25597889A JP 25597889 A JP25597889 A JP 25597889A JP H03119539 A JPH03119539 A JP H03119539A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気記録媒体の製造方法に関する。
［従来の技術］
情報の消去および書き換えが可能な光磁気記録媒体は、
一般には、透明基板の上に保護膜、垂直磁気異方性を有
する磁性膜および保護膜をこの順に積層した構造を有す
るか、または上記の上層の保護膜」二にさらに反射膜を
積層した構造を有している。上記の磁性膜を形成する材
料としては、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合
金か好ましく、たとえばＴｂＦｅＣｏ５ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ５ＧｄＴｂＦｅなどの合金が用いられている。これら
の合金材料はその製膜時に酸素が混入する場合、高湿度
下に曝される場合などにおいて特性が変化することがあ
る。
一般には、透明基板の上に保護膜、垂直磁気異方性を有
する磁性膜および保護膜をこの順に積層した構造を有す
るか、または上記の上層の保護膜」二にさらに反射膜を
積層した構造を有している。上記の磁性膜を形成する材
料としては、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合
金か好ましく、たとえばＴｂＦｅＣｏ５ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ５ＧｄＴｂＦｅなどの合金が用いられている。これら
の合金材料はその製膜時に酸素が混入する場合、高湿度
下に曝される場合などにおいて特性が変化することがあ
る。
そこで、磁性膜の耐久性を向上させる目的で、上記の合
金材料にＣｒ％［’ｔ、 Ｔｉなどを添加する方法が提
案されている。しかしながら、この方法によっては磁性
膜の耐久性を十分に高めることはできず、依然として上
層および下層の保護膜に高いガス遮断性および水分遮断
性が要求されているのが現状である。上記の保護膜を形
成する材料としては、５ｉＯ１Ｓｉｎ、、Ａ＆Ｎ、 Ａ
ｒＳｉＮ、 ＳｉＮなどの誘電体材料が用いられており
、特にＡＱＮＳＡＱＳｉＮＳＳｉＮなどの窒化物がＳｉ
ｎ、などの酸化物に比へて酸素を透過しにくいことから
好適である。
金材料にＣｒ％［’ｔ、 Ｔｉなどを添加する方法が提
案されている。しかしながら、この方法によっては磁性
膜の耐久性を十分に高めることはできず、依然として上
層および下層の保護膜に高いガス遮断性および水分遮断
性が要求されているのが現状である。上記の保護膜を形
成する材料としては、５ｉＯ１Ｓｉｎ、、Ａ＆Ｎ、 Ａ
ｒＳｉＮ、 ＳｉＮなどの誘電体材料が用いられており
、特にＡＱＮＳＡＱＳｉＮＳＳｉＮなどの窒化物がＳｉ
ｎ、などの酸化物に比へて酸素を透過しにくいことから
好適である。
これらの窒化物からなる保護膜は５ｉＳＡｌＳｉ、 Ａ
Ｃなどのターゲットを用い、ＡｒガスとＮ、ガスとの混
合ガス中で行う反応性スパッタリンク法によって形成す
ることが一般的である。
Ｃなどのターゲットを用い、ＡｒガスとＮ、ガスとの混
合ガス中で行う反応性スパッタリンク法によって形成す
ることが一般的である。
［発明が解決しようとする課題］
光磁気記録媒体を量産する場合、保護膜形成用製膜室、
磁性膜形成用製膜室、反射膜形成用製膜室などを有する
インラインスパッタ装置を用いろことが多い。上記の窒
化物からなる保護膜を反応性スパッタリング法によって
形成する際の製膜レートは、通常、磁性膜の製膜レート
の１／ｌＯ〜１／４程度であることから、保護膜の製膜
工程に要する時間が長くなるので、光磁気記録媒体の生
産効率が低下する。上記の反応性スパッタリング法によ
る保護膜の製膜レートを上げるためには印加するスパッ
タリングパワーを上げるか、導入する窒素ガスの分圧を
下げればよいか、いずれにおいても基板の温度が上昇す
るか、または未反応のＡＣらしくはＳｌが膜内に残留す
るために、膜か不透明になる問題が生じる。したがって
、これらの方法によって保護膜の製膜レートを十分に高
くすることはできない。
磁性膜形成用製膜室、反射膜形成用製膜室などを有する
インラインスパッタ装置を用いろことが多い。上記の窒
化物からなる保護膜を反応性スパッタリング法によって
形成する際の製膜レートは、通常、磁性膜の製膜レート
の１／ｌＯ〜１／４程度であることから、保護膜の製膜
工程に要する時間が長くなるので、光磁気記録媒体の生
産効率が低下する。上記の反応性スパッタリング法によ
る保護膜の製膜レートを上げるためには印加するスパッ
タリングパワーを上げるか、導入する窒素ガスの分圧を
下げればよいか、いずれにおいても基板の温度が上昇す
るか、または未反応のＡＣらしくはＳｌが膜内に残留す
るために、膜か不透明になる問題が生じる。したがって
、これらの方法によって保護膜の製膜レートを十分に高
くすることはできない。
本発明の目的は、ＡＣおよび／またはＳｉの窒化物から
なる保護膜を高い製膜レートで形成することができる光
磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
なる保護膜を高い製膜レートで形成することができる光
磁気記録媒体の製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、上記の目的は、ＡＣおよび／またはＳ
ｉからなるターゲットを用い、Ｎ２ガス、Ａｒガスおよ
び微量の０２ガスの混合ガス中で反応性スパッタリング
法を行うことによりＡ（および／またはＳｉの窒化物か
らなる保護膜を形成することを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法を提供することによって達成される。
ｉからなるターゲットを用い、Ｎ２ガス、Ａｒガスおよ
び微量の０２ガスの混合ガス中で反応性スパッタリング
法を行うことによりＡ（および／またはＳｉの窒化物か
らなる保護膜を形成することを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法を提供することによって達成される。
上記の０２ガスの圧力がＩＸ １０−３〜ＬＸ １０−
’Ｐａの範囲内にあれば、本発明により製造された光磁
気記録媒体を高温下に放置した場合においても、該光磁
気記録媒体の磁性膜の特性が変化しにくい。
’Ｐａの範囲内にあれば、本発明により製造された光磁
気記録媒体を高温下に放置した場合においても、該光磁
気記録媒体の磁性膜の特性が変化しにくい。
［実施例コ
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例１
本発明により得られる光磁気記録媒体の一例を第１図に
示す。この光磁気記録媒体は晧阪１の上に保護膜２、磁
性膜３、保護膜４および反射膜５が順次スパッタリング
法によって積層さイ１てなろ。
示す。この光磁気記録媒体は晧阪１の上に保護膜２、磁
性膜３、保護膜４および反射膜５が順次スパッタリング
法によって積層さイ１てなろ。
本実施例においては、ＡＱＮからなる保護膜を初期真空
度６Ｘ １Ｏ−５Ｐａのヂャンバー内にＮ２カス（■ヨ
力： ３ｘ １０−？Ｐａ） 、Ａｒガス（圧カニ ９
Ｘ １Ｏ−２Ｐａ）および微量の０２ガスからなる混合
ガスを導入し、ＡＣターゲットに電ツノを印加ずろ反応
性スパッタリング法によって形成した。０２ガスの圧力
が異なる場合のターゲット印加電力とＡＱ、Ｎ薄膜の製
膜レートとの関係を求め、その結果を第２図に示す。第
２図において、（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）および（ｄ）は
それぞれ０、ガスの圧力か１．５Ｘ ＩＱ−’Ｐａ、
５Ｘ １Ｏ−１Ｐａ、９×１Ｏ−３ＰａおよびＯＰａで
ある場合のターゲット印加電力とＡ（ＩＮ薄膜の製脱Ｉ
ノートとの関係を示・１〜１、第２図から明らかなよう
に、微量の０２ガスを混合することによって、製膜レー
トは１．５〜２倍向上する。
度６Ｘ １Ｏ−５Ｐａのヂャンバー内にＮ２カス（■ヨ
力： ３ｘ １０−？Ｐａ） 、Ａｒガス（圧カニ ９
Ｘ １Ｏ−２Ｐａ）および微量の０２ガスからなる混合
ガスを導入し、ＡＣターゲットに電ツノを印加ずろ反応
性スパッタリング法によって形成した。０２ガスの圧力
が異なる場合のターゲット印加電力とＡＱ、Ｎ薄膜の製
膜レートとの関係を求め、その結果を第２図に示す。第
２図において、（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）および（ｄ）は
それぞれ０、ガスの圧力か１．５Ｘ ＩＱ−’Ｐａ、
５Ｘ １Ｏ−１Ｐａ、９×１Ｏ−３ＰａおよびＯＰａで
ある場合のターゲット印加電力とＡ（ＩＮ薄膜の製脱Ｉ
ノートとの関係を示・１〜１、第２図から明らかなよう
に、微量の０２ガスを混合することによって、製膜レー
トは１．５〜２倍向上する。
ポリカーボネート樹脂基板１」二に、Ａρ５２Ｎ４ｓ
（原子数比）からなる保護膜２と、Ｔｂ２３ＦｅｅａＣ
Ｏ９（原子ツタリング法を行うことにより、それぞれの
膜厚が下層の保護膜２が１２００人、磁性膜３が２５０
人、上層の保護膜４か４００人および反射膜５が６００
人になるように順次積層し光磁気記録媒体を製造した。
（原子数比）からなる保護膜２と、Ｔｂ２３ＦｅｅａＣ
Ｏ９（原子ツタリング法を行うことにより、それぞれの
膜厚が下層の保護膜２が１２００人、磁性膜３が２５０
人、上層の保護膜４か４００人および反射膜５が６００
人になるように順次積層し光磁気記録媒体を製造した。
ここで上記の保護膜はＮ２ガス（圧カニ ３ｘ １Ｏ−
２Ｐａ）、Ａｒガス（圧カニ ９Ｘ １０−’Ｐａ）お
よび０．ガス（圧カニ ５ｘ １Ｏ−３Ｐａ）からなる
混合ガス中で、ＡＱツタ−ットに電力１６０Ｗを印加す
る反応性スパッタリング法を行うことにより製膜した。
２Ｐａ）、Ａｒガス（圧カニ ９Ｘ １０−’Ｐａ）お
よび０．ガス（圧カニ ５ｘ １Ｏ−３Ｐａ）からなる
混合ガス中で、ＡＱツタ−ットに電力１６０Ｗを印加す
る反応性スパッタリング法を行うことにより製膜した。
この光磁気記録媒体を１００℃に温度設定した対流オー
ブン中に長時間放置した場合の放置時間と保磁力との関
係を第３図の曲線（ｅ）で示す。また、製膜時における
０、ガスの圧力を３Ｘ１０−’Ｐａに変えて保護膜を製
膜した以外は同一の方法で製造した光磁気記録媒体を同
様に対流オーブン中に長時間放置した場合の放置時間と
保磁力との関係を第３図の曲線（ｆ）で示す。第３図か
ら明らかなようにＡＱＮ保護膜を形成する際に導入する
Ｏ、ガスの圧力が請求項２に記載の範囲にあれば光磁気
記録媒体の磁性膜の耐久性が高い。なお、第３図におい
ては初期保磁力に対する保磁力の変化の割合を示してい
る。
ブン中に長時間放置した場合の放置時間と保磁力との関
係を第３図の曲線（ｅ）で示す。また、製膜時における
０、ガスの圧力を３Ｘ１０−’Ｐａに変えて保護膜を製
膜した以外は同一の方法で製造した光磁気記録媒体を同
様に対流オーブン中に長時間放置した場合の放置時間と
保磁力との関係を第３図の曲線（ｆ）で示す。第３図か
ら明らかなようにＡＱＮ保護膜を形成する際に導入する
Ｏ、ガスの圧力が請求項２に記載の範囲にあれば光磁気
記録媒体の磁性膜の耐久性が高い。なお、第３図におい
ては初期保磁力に対する保磁力の変化の割合を示してい
る。
実施例２
ＳｉＮからなる保護膜を初期真空度６ＸｌＯ−５Ｐａの
チャンバー内にＮ、ガス（圧力 ３ｘ １Ｏ−２Ｐａ）
、Ａｒガス（圧カニ ９Ｘ １Ｏ−２Ｐａ）および微
量の０．ガスからなる混合ガスを導入し、Ｓ１ターケツ
トに電力を印加する反応性スパッタリング法によって形
成した。
チャンバー内にＮ、ガス（圧力 ３ｘ １Ｏ−２Ｐａ）
、Ａｒガス（圧カニ ９Ｘ １Ｏ−２Ｐａ）および微
量の０．ガスからなる混合ガスを導入し、Ｓ１ターケツ
トに電力を印加する反応性スパッタリング法によって形
成した。
０、ガスの圧力か異なる場合のターゲット印加電力とＳ
ｉＮ薄膜の製膜レートとの関係を求め、その結果を第４
図に示す。第４図において、（ｇ）、（１１）、（ｉ）
および（Ｄはそれぞれ０２ガスの圧力が１２×１０−’
Ｐａ、 ｓｘ １．０−３Ｐａ、 ８ｘ １０−”Ｐａ
およびＯＰａである場合のターケラト印加電力とＳｉＮ
薄膜の製膜レートとの関係を示す。
ｉＮ薄膜の製膜レートとの関係を求め、その結果を第４
図に示す。第４図において、（ｇ）、（１１）、（ｉ）
および（Ｄはそれぞれ０２ガスの圧力が１２×１０−’
Ｐａ、 ｓｘ １．０−３Ｐａ、 ８ｘ １０−”Ｐａ
およびＯＰａである場合のターケラト印加電力とＳｉＮ
薄膜の製膜レートとの関係を示す。
Ｓｉ５．Ｎ、９（原子数比）からなる保護膜をＮ２ガス
（圧カニ ３Ｘ １０−’Ｐａ） 、Ａｒガス（圧力
９Ｘ １０−’Ｐａ）および０２ガス（圧カニ ３Ｘ
１Ｏ−３Ｐａ）からなる混合ガス中で、Ｓｉターゲット
に電力１６０Ｗを印加する反応性スパッタリング法を行
うことにより製膜した以外は実施例１におけろと同様に
して光磁気記録媒体を製造した。この光磁気記録媒体を
実施例１におけると同様に対流オーブン中に長時間放置
した場合の放置時間と保磁力との関係を第５図の曲線（
ｋ）で示す。また、製膜時における０２ガスの圧力を３
’ｘ ｔｏ−”Ｐａに変えて保護膜を製膜した以外は同
一の方法で製造した光磁気記録媒体を同様に対流オーブ
ン中に長時間放置した場合の放置時間と保磁力との関係
を第５図の曲線（σ）で示す。
（圧カニ ３Ｘ １０−’Ｐａ） 、Ａｒガス（圧力
９Ｘ １０−’Ｐａ）および０２ガス（圧カニ ３Ｘ
１Ｏ−３Ｐａ）からなる混合ガス中で、Ｓｉターゲット
に電力１６０Ｗを印加する反応性スパッタリング法を行
うことにより製膜した以外は実施例１におけろと同様に
して光磁気記録媒体を製造した。この光磁気記録媒体を
実施例１におけると同様に対流オーブン中に長時間放置
した場合の放置時間と保磁力との関係を第５図の曲線（
ｋ）で示す。また、製膜時における０２ガスの圧力を３
’ｘ ｔｏ−”Ｐａに変えて保護膜を製膜した以外は同
一の方法で製造した光磁気記録媒体を同様に対流オーブ
ン中に長時間放置した場合の放置時間と保磁力との関係
を第５図の曲線（σ）で示す。
実施例３
Ａ（！ＳｉＮからなる保護膜を初期真空度６Ｘ １Ｏ−
５Ｐａのチャンバー内にＮ、ガス（圧カニ ３Ｘ １０
−’Ｐａ） 、Ａｒガス（圧カニ ９ｘ １Ｏ−２Ｐａ
）および微量の０２ガスからなる混合ガスを導入し、Ａ
ｌ２５ｏＳ１５ｏ （原子数比）からなるターゲットに
電力を印加する反応性スパッタリング法によって形成し
た。０．ガスの圧力が異なる場合のターゲット印加電力
とＡ（！ＳｉＮ薄膜の製膜レートとの関係を求め、その
結果を第６図に示す。第６図において、（ｍ）、（ｎ）
および（０）はそれぞれ０２ガスの圧力が１．３Ｘ １
０−’Ｐａ、 ５ｘ ＩＱ−３ＰａおよびＯＰａである
場合のターゲット印加電力とＡＱＳｉＮ薄膜の製膜レー
トとの関係を示す。
５Ｐａのチャンバー内にＮ、ガス（圧カニ ３Ｘ １０
−’Ｐａ） 、Ａｒガス（圧カニ ９ｘ １Ｏ−２Ｐａ
）および微量の０２ガスからなる混合ガスを導入し、Ａ
ｌ２５ｏＳ１５ｏ （原子数比）からなるターゲットに
電力を印加する反応性スパッタリング法によって形成し
た。０．ガスの圧力が異なる場合のターゲット印加電力
とＡ（！ＳｉＮ薄膜の製膜レートとの関係を求め、その
結果を第６図に示す。第６図において、（ｍ）、（ｎ）
および（０）はそれぞれ０２ガスの圧力が１．３Ｘ １
０−’Ｐａ、 ５ｘ ＩＱ−３ＰａおよびＯＰａである
場合のターゲット印加電力とＡＱＳｉＮ薄膜の製膜レー
トとの関係を示す。
Ａ１２＋３Ｓｉ３Ｊ３＋ （原子数比）からなる保護膜
をＮ２ガス（圧カニ ３Ｘ １Ｏ−２Ｐａ） 、Ａｒガ
ス（圧カニ９×１０−’Ｐａ）および０２ガス（圧カニ
８Ｘ ＩＱ−３１）ａ）からなる混合ガス中で、＾Ｑ
５ＬＩＳ１５ｏ（原子数比）からなるターゲットに電力
１６０Ｗを印加する反応性スパッタリング法を行うこと
により製膜した以外は実施例１におけると同様にして光
磁気記録媒体を製造した。この光磁気記録媒体を実施例
１におｉｌると同様に対流オーブン中に長時間放置した
場合の放置時間と保磁力との関係を第７図の曲線（ｐ）
で示す。また、製膜時における０、ガスの圧力を３×１
Ｏ−２Ｐａに変えて保護膜を製膜した以外は同一の方法
で製造した光磁気記録媒体を同様に対流オーブン中に長
時間放置した場合の放置時間と保磁力との関係を第７図
の曲線（ｑ）で示す。
をＮ２ガス（圧カニ ３Ｘ １Ｏ−２Ｐａ） 、Ａｒガ
ス（圧カニ９×１０−’Ｐａ）および０２ガス（圧カニ
８Ｘ ＩＱ−３１）ａ）からなる混合ガス中で、＾Ｑ
５ＬＩＳ１５ｏ（原子数比）からなるターゲットに電力
１６０Ｗを印加する反応性スパッタリング法を行うこと
により製膜した以外は実施例１におけると同様にして光
磁気記録媒体を製造した。この光磁気記録媒体を実施例
１におｉｌると同様に対流オーブン中に長時間放置した
場合の放置時間と保磁力との関係を第７図の曲線（ｐ）
で示す。また、製膜時における０、ガスの圧力を３×１
Ｏ−２Ｐａに変えて保護膜を製膜した以外は同一の方法
で製造した光磁気記録媒体を同様に対流オーブン中に長
時間放置した場合の放置時間と保磁力との関係を第７図
の曲線（ｑ）で示す。
実施例２および３から明らかなように、Ｓ ｉ Ｎ ％
ｊ、ｊ膜またはＡ（！ＳｉＮ薄膜を形成する際に微量の
酸素ガスを混合さけることによって製膜レートが向上し
、０２ガスの圧力が請求項２に記載の範囲内にあれば、
光磁気記録媒体の磁性膜の耐久性が高い。
ｊ、ｊ膜またはＡ（！ＳｉＮ薄膜を形成する際に微量の
酸素ガスを混合さけることによって製膜レートが向上し
、０２ガスの圧力が請求項２に記載の範囲内にあれば、
光磁気記録媒体の磁性膜の耐久性が高い。
本発明により製造される光磁気記録媒体は、基板」二に
、保護膜と、磁性膜と、保護膜とが順次形成されてなる
構成でもよい。
、保護膜と、磁性膜と、保護膜とが順次形成されてなる
構成でもよい。
上記の基板としてはポリカーボネート樹脂の他にポリメ
チルメタクリレート樹脂、エポキシ樹脂、ガラスなどを
用いることができろ。また磁性膜を形成する材料として
は、ＴｂＦｅＣｏの池にＮｄＤｙＦｅＣｏ。
チルメタクリレート樹脂、エポキシ樹脂、ガラスなどを
用いることができろ。また磁性膜を形成する材料として
は、ＴｂＦｅＣｏの池にＮｄＤｙＦｅＣｏ。
ＧｄＴｂＦｅなどの希土類元素と遷移金属とのアモルフ
ァス合金を用いることができる。保護膜、磁性膜などの
膜厚はこれらの光学的特性に応じて決めることができる
が、通常、それぞれ下層の保護膜が８００〜１６００人
、磁性膜が２００〜４００人、上層の保護膜が３００〜
８００人および反射膜が３００〜７００人の範囲である
ことが好ましい。
ァス合金を用いることができる。保護膜、磁性膜などの
膜厚はこれらの光学的特性に応じて決めることができる
が、通常、それぞれ下層の保護膜が８００〜１６００人
、磁性膜が２００〜４００人、上層の保護膜が３００〜
８００人および反射膜が３００〜７００人の範囲である
ことが好ましい。
［発明の効果］
本発明によれば、Ａｌ２および／またはＳｉの窒化物か
らなる保護膜を高い製膜レートで形成することができる
光磁気記録媒体の製造方法が得られろ。
らなる保護膜を高い製膜レートで形成することができる
光磁気記録媒体の製造方法が得られろ。
第１図は本発明により製造される光磁気記録媒体の一例
の概略部分断面図、第２図はＡｔ！Ｎ製膜時のターゲッ
ト印加電力と製膜レートとの関係を示す特性図、第３図
はＡＱＮ保護膜を備える光磁気記録媒体の保磁力安定性
を示す特性図、第４図はＳｉＮ製膜時のターゲット印加
電力と製膜レートとの関係を示す特性図、第５図はＳｉ
Ｎ保護膜を備える光磁気記録媒体の保磁力安定性を示す
特性図、第６図はＡ（！ＳｉＮ製膜時のターゲット印加
電）Ｊと製膜レートとの関係を示す特性図、第７図はＡ
Ｑ、ＳｉＮ保護膜を備える光磁気記録媒体の保磁力安定
性を示す特性図である。 ■・・・基 板、 ２・・・保護膜、３・・・磁性膜
、 ４・・・保護膜、５・・・反射膜。
の概略部分断面図、第２図はＡｔ！Ｎ製膜時のターゲッ
ト印加電力と製膜レートとの関係を示す特性図、第３図
はＡＱＮ保護膜を備える光磁気記録媒体の保磁力安定性
を示す特性図、第４図はＳｉＮ製膜時のターゲット印加
電力と製膜レートとの関係を示す特性図、第５図はＳｉ
Ｎ保護膜を備える光磁気記録媒体の保磁力安定性を示す
特性図、第６図はＡ（！ＳｉＮ製膜時のターゲット印加
電）Ｊと製膜レートとの関係を示す特性図、第７図はＡ
Ｑ、ＳｉＮ保護膜を備える光磁気記録媒体の保磁力安定
性を示す特性図である。 ■・・・基 板、 ２・・・保護膜、３・・・磁性膜
、 ４・・・保護膜、５・・・反射膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ａｌおよび／またはＳｉからなるターゲットを用い
、Ｎ＿２ガス、Ａｒガスおよび微量のＯ＿２ガスの混合
ガス中で反応性スパッタリング法を行うことによりＡｌ
および／またはＳｉの窒化物からなる保護膜を形成する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 ２、上記のＯ＿２ガスの圧力が１×１０＾−＾３〜１×
１０＾−＾２Ｐａの範囲にあることを特徴とする請求項
１記載の光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25597889A JPH03119539A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25597889A JPH03119539A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03119539A true JPH03119539A (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=17286208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25597889A Pending JPH03119539A (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03119539A (ja) |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP25597889A patent/JPH03119539A/ja active Pending
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