JPH03124663U - - Google Patents

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JPH03124663U
JPH03124663U JP3220090U JP3220090U JPH03124663U JP H03124663 U JPH03124663 U JP H03124663U JP 3220090 U JP3220090 U JP 3220090U JP 3220090 U JP3220090 U JP 3220090U JP H03124663 U JPH03124663 U JP H03124663U
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diode
extraction electrode
anode
cathode
shot
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JP3220090U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のシヨツトキダイオードが集積
された半導体装置の一実施例の平面図、第２図は
第１図の等価回路図、第３図は第１図におけるＡ
−Ａ線に沿う断面図、第４図は従来例の平面図、
第５図は第４図の等価回路図、第６図は他の従来
例の平面図、第７図は第６図の等価回路図である
。 １……島領域、２……シヨツトキダイオードの
アノード、３……シヨツトキ接合、４……第１層
のＡｌ配線、５……層間絶縁膜のスルーホール、
６……第２層のＡｌ配線、８……高抵抗Ｐ型シリ
コン基板、９……埋込層、１０……エピタキシヤ
ル層、１１……アイソレーシヨン層、１２……フ
イード酸化膜、１３……金属（Ｍｏ等）、１４…
…第１のパツド、１５……第２のパツド、１６…
…第３のパツド、１７……第４のパツド、１８…
…第５のパツド、１９……第６のパツド、２４…
…低抵抗層、Ｄ１〜Ｄ４……シヨツトキダイオー
ド。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板上に、第１のシヨツトキダイオード
    Ｄ１と、第２のシヨツトキダイオードＤ２と、第
    ３のシヨツトキダイオードＤ３と、第４のシヨツ
    トキダイオードＤ４とが形成されており、 前記第１のシヨツトキダイオードＤ１のアノー
    ドおよびカソードにはそれぞれ、第１の引出し電
    極１４、第２の引出し電極１５が接続されており
    、 前記第２のシヨツトキダイオードＤ２のアノー
    ドおよびカソードにはそれぞれ、第３の引出し電
    極１６、第４の引出し電極１７が接続されており
    、 前記第３のダイオードＤ３のアノードには、第
    ５の引出し電極１８が接続されており、カソード
    は、前記第１のダイオードＤ１のアノードと第１
    の引出し電極１４との共通接続点に接続されてお
    り、 前記第４のダイオードＤ４のアノードには、第
    ６の引出し電極１９が接続されており、カソード
    は、前記第２のダイオードＤ２のアノードと第３
    の引出し電極１６との共通接続点に接続されてお
    り、 前記第１の引出し電極１４と第５の引出し電極
    １８とを結ぶ経路と、前記第３の引出し電極１６
    と第６の引出し電極１９とを結ぶ経路とは交差し
    ているシヨツトキダイオードが集積された半導体
    装置。
JP3220090U 1990-03-28 1990-03-28 Pending JPH03124663U (ja)

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