JPH03141006A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録再生装置眸用いられる磁気ヘッドに関
する ＶＴＲ等の磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッドと
して第６図に示す複合型磁気ヘッドが提案されている（
実開昭５６−１７４１１９号公報）。これはフェライト
材等の高固有抵抗磁性材によって形成された一対の磁気
ヘッド半体（２）（２）の突き合わせ面に該磁性材より
も更に飽和磁束密度の高い磁性体、例えばセンダスト、
パーマロイ、アモルファス磁性体等の薄膜（３）（３）
を形成して磁気空隙部近傍に於ける飽和磁束密度を高め
たものである。

従岑の複合型磁気ヘッドに於ては、センダスト等の薄膜
によって飽和磁束密度を高めても、薄膜（３）が磁気ヘ
ッド半体の接合面に接合する幅Ｔは目的とするトラック
幅と同一とし、且つ磁気ヘッド半体はフェライト材によ
って形成されているので、該接合面で磁気飽和が生ずる
虞れがあった。

更に従来の複合型磁気ヘッドに於ては、製造方法による
理由から下記の如き構造上の問題があった。即ち、複合
型の磁気ヘッドを製造するには第２図に示す如く、一対
の磁気ヘッドブロック半体（１１）（１２）の夫々にト
ラック幅規ｉｌｌ用溝（２１）を開設し、両ブロック半
体の突き合わせ部に例えばセンダストの薄膜（３）を真
空蒸着或はスパッタリング等の公知の成膜技術によって
厚さ数μｍに形成する。

該薄膜（３）の上面には更にＳ　ｉＯ＊の非磁性体層（
４）を同様の成膜技術によって厚さ約０．１μｍに形成
し、その後両ブロック半体を第３図に示す如く突き合わ
せてトラック幅規制用溝（５）に溶融ガラスを充填し、
両ブロック半体を一体化する。

そして、これを第４図に示す如く適当な厚さにスライス
すれば、上記の非磁性体層（４）を磁気空隙部とする磁
気ヘッド（１）が得られる。

ところが上述の製造方法の成膜工程に於ては、両ブロッ
ク半体の突き合わせ部にスリット状の開口を有するマス
クを介してセンダストの真空蒸着或はスパッタリングを
施すので、センダストの粒子の付着状態がマスクの開口
縁付近と開口中央部とで異なったり、或はセンダストの
粒子がマスクの裏側にも侵入して、均一な厚さの膜が形
成されず、第６図に示す如く製品となった複合型磁気ヘ
ッドのセンダストの薄膜（３）には両端になで肩部（３
１）（３１）が生じる。この様な磁気ヘッドに於てはト
ラック幅Ｗを正確に規定することが出来ないので、製品
間に記録再生性能のバラツキを引き起こしていた。

又、上記の問題を解決する為に、両ブロック半体にトラ
ック幅規制用溝を開設する前に接合面全面にセンダスト
及びＳｉｎ、の膜を形成し、その後これらの膜と７エラ
イトウエハとに同時にダイヤモンドブレード或はＣＢＮ
ブレードによる機械加工を施して、トラック幅規制用溝
（５）及び非磁性体層（４）を形成する方法も採用出来
るが、この方法によるセンダストの薄膜が加工の際に剥
離することがあった。剥離部分が大きければ製品として
使用することが出来ないのは勿論であるが、剥離が軽微
であっても第６図に示す如く欠は部（３２）が生じてい
ることがあり、前述したなで肩部（３１）と同様、磁気
ヘッドの実質的なトラック幅Ｗを不確定なものとしてい
た。

〔目　的〕

本発明の目的は、磁気飽和が生じ難く、然もトラック幅
の不確定による製品間の記録再生性能のバラツキを低減
することが可能な構造の複合型磁気ヘッドを提供するこ
とである。

〔構　成〕

本発明の構成は、高固有抵抗磁性材よりなる１組の磁気
ヘッド半体（２）（２）のうち少なくとも一方の磁気ヘ
ッド半体（２）の突き合わせ部に前記磁性材よりも更に
高い飽和磁束密度を有する磁性材の薄膜（３）を設け、
該薄膜と他方の磁気ヘッド半体との間に前記突き合すせ
部と平行である磁気空隙部を形成する。前記薄膜（３）
は磁気空隙部に対向する上面が高い平面度を有して所定
のトラック幅Ｗと厳密に一致する幅に形成され、前記薄
膜の両側面（３０）（３０）は前記上面の両端から幅を
次第に拡げながら下方へ伸びて前記一方の磁気ヘッド半
体（２）との接合面に到り、前記薄膜が前記一方の磁気
ヘッド半体（２）の接合面に接合する幅は該薄膜の前記
上面より大なることを特徴とする。

〔作　用〕

薄膜（３）の磁気空隙部に対向する上面の幅を狭くして
トラック幅Ｗを小さくしても、該薄膜は高飽和磁束密度
材によって形成されているので、該薄膜の上面に於て磁
気飽和が生じる虞れは極めて少ない。又、薄膜（３）が
磁気ヘッド半体の接合面に接合する輻Ｔはトラック幅Ｗ
よりも大きく形成されているので、前記の薄膜上面に於
ける磁束密度を低下せしめることなく、磁気ヘッド半体
には有効に磁路が形成される。

更に薄膜（３）は、上面が高い平面度を有し且つ両側面
が該上面に対しで略垂直方向に伸びているので、トラッ
ク幅Ｗを正確に規定することが出来る。

〔特有の効果〕

本発明に係る複合型磁気ヘッドに於ては、磁路が有効に
形成されるので磁気飽和が生じ難く、然もトラック幅を
正確に規定することが出来るので製品間の記録再生性能
のバラツキが低減する。

以下図示する実施例に基づき本発明を詳述する。

第１図は本発明に係る複合型磁気ヘッドの磁気空隙部付
近の拡大平面図であって、トラック幅規制用溝（５）が
開設されたフェライト材よりなる１対の磁気ヘッド半体
（２）（２）の突き合わせ部に高飽和磁気密度材となる
センダスト（Ｆｅ−ＡＸ　−Ｓｉ系合金）の薄膜（３）
（３）を設け、更に両薄膜間にはＳｉＯ，の非磁性体層
（４）を設けて前記突き合わせ部に平行である磁気空隙
部を形成してる。又、トラック幅規制用溝（５）にはガ
ラスが充填されている。上記のセンダストの薄膜（３）
及び非磁性体層（４）は後記の如く工、ツチングにより
成形され、本発明に係る目的の形状を実現している。

第２図乃至第５図は本発明に係る複合型磁気ヘッドを製
造する工程を示している。

第２図はトラック幅規制用溝となるＵ字状溝（２１）が
開設された１対のフェライトウェハ（２０）（２０）の
突き合わせ部にセンダストの薄膜（３）（３）を設けて
ブロック半体（１１）（１２）が形成されている状況を
示している。尚、一方の７エライトウエハ（２０）には
後にコイル巻装孔（８）となるコイル溝（１３）が開設
されている。

第５図はフェライトウェハ（２０）にセンダストの薄膜
（３）を公知技術であるエツチングによって形成する手
順を示し、先ず第５図（ａ）に示す如くフェライトウェ
ハ（２０）の表面全面にセンダストの！［（３）をスパ
ッタリング等の成膜方法によって厚さ約１乃至ｌＯμｍ
に形成し、その上面にトラック幅Ｗによって規定される
幅Ｗ、の帯状耐蝕層（６）を一定のピッチで繰り返し形
成する。帯状耐蝕層（６）は例えば重クロム酸塩系の感
光液をセンダストの薄膜表面に厚さ約１μｍにコーティ
ングして乾燥の後、幅Ｗ、のスリット状開口を有する７
オトマスクをその上にのせ、紫外線を照射する露光工程
と、現像液によって前記原版に覆われない部分を除去す
る現像工程を経て形成される。

次に第５図（ｂ）に示す如く、センダストの薄膜（３）
の耐蝕層（６）に覆われない部分をエツチング液で溶解
させる。本実施例ではエツチング液として３０％の硝酸
液を２５℃で使用した。この際。

腐蝕は深さ方向のみならず、横方向即ち耐蝕層（６）の
下方にも進行し、所謂サイドエッチが生じるが、サイド
エッチ量Ｒはセンダストの薄膜（３）が１０μｍ以下の
厚さであれば再現性が良いことが確かめられている。従
って予めサイドエッチ量を予測して、目的のトラック幅
Ｗが得られる耐蝕層（６）の幅Ｗ、を決めることが可能
である。例えばセンダストの薄膜（３）の厚さが１０μ
ｍであって、上記のエツチング液を使用して６分３０秒
のエツチングを行うと、サイドエッチ量は約８μｍとな
る。本実施例の場合、トラック幅Ｗを２４±。

２μｍとする必要があり、この為には耐蝕層（６）の幅
Ｗ、を４０μｍとすれば良い。

本実施例ではこのサイドエッチを利用してセンダストの
薄１！（３）を目的の断面形状としている。

即ち、サイドエッチはセンダスト膜の耐蝕層（６）に近
い部分がより遠く進行し、この結果図示の如く成形後の
薄膜（３）のフェライトウェハ（２０）との接合面の輻
Ｔは上面の輻Ｗよりも大きくなる。

又、該薄膜（３）の側面（３０）は上面に対して略９０
度をなす。

エツチングが終了した後、第５図（Ｃ）に示す如くフェ
ライトウェハ（２０）にトラック幅規制用溝となるＵ字
状溝（２１）をダイヤモンドブレードを用いて開設する
。この場合、ブレードをセンダストの薄１１！（３）に
接触しなｉ範囲で可及的に接近させる必要があるが、機
械加工のみでセンダストの薄膜やフェライトウェハを成
形する場合に比べて、粗い加工で可い、センダストの薄
膜（３）の上面には更に前記同様の成膜技術によってＳ
　ｔ　Ｏｓの薄い膜を形成し、ギャップ長を規定する為
の非磁性体層（４）とする、尚、非磁性体層（４）を第
５図（ａ）に示す段階でセンダストの薄１１１（３）の
上面に全面に形成し、第５図（ｂ）に示す段階で先ずこ
の非磁性体層にふり酸等によるウェットエツチング或は
ドライエツチングを施すことにより、非磁性体層の所定
の形状に成形しても可い。

上記の如く形成された２つのブロック半体（１１）（１
２）を第３図に示す如く非磁性体層（４）にて当接せし
め、トラック幅規制用溝（５）には溶融ガラスを充填し
、両ブロック半体を接着一体化すると、非磁性体層（４
）からなる磁気空隙部、トラック幅規制用溝（５）及び
コイル巻装孔（８）を有する磁気ヘッドブロック（１０
）が出来上がる。これを適当な厚さにスライスすれば、
第４図に示す複合型磁気ヘッド（１）が複数個得られる
。

この様にして製作された磁気ヘッド（１）のセンダスト
の薄膜（３）は第１図に示す如く、高い平面度を有する
上面と、該上面から略垂直方向に伸びた側面（３０）と
、前記上面より大なる幅を有する磁気ヘッド半体との接
合面を具備し、不均一な成膜に基づくなで肩部や機械加
工に基づく欠は部は無い。

尚、上述の実施例ではセンダストの薄膜を全てエツチン
グによって成形しているが、該薄膜の上層部のみをエツ
チングによって成形し、残りの下層部を０字状溝と共に
機械加工で同時に成形しても良く、下層部の厚さが１μ
ｍ程度であれば、機械加工による剥離は殆んど生じない
ことが実験的に確かめられている。

又、本実施例ではケミカルエツチングによってセンダス
トの薄膜を成形しているが、他の周知のエツチング方法
を用いて可いのは勿論であって、例えばイオンビームエ
ツチングによっても可い。

更に、高飽和磁束密度の薄膜の材質としてセンダスト以
外にパーマロイやアモルファス磁性体を用いても本実施
例と同様の効果が得られる。

本発明に係る磁気ヘッドの製造に於ては、高飽和磁束密
度の薄膜をフェライトウェハの突き合わせ部全面につい
て同時に成形することが出来、然も０字状溝は比較的粗
い精度で加工出来るので、従来の製造方法に比べて高い
生産性が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る複合磁気ヘッドの拡大部分平面図
、第２図は１対のブロック半体の斜視図、第３図は磁気
ヘッドブロックの斜視図、第４図は完成した磁気ヘッド
の斜視図、第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）はエツチングによ
る薄膜の成形方法を示す説明図、第６図は従来の複合型
磁気ヘッドの拡大部分平面図を示す。 （２）・・・磁気ヘッド半体、（３）・・・センダスト
の薄膜、（３０）・・・側面、（４）・・・非磁性体層
、（５）・・・トラック幅規ＩｌＩ用溝、Ｗ・・・トラ
ック幅。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）高固有抵抗磁性材よりなる１組の磁気ヘッド半体
   のうち少なくとも一方の磁気ヘッド半体の突き合わせ部
   に前記磁性材よりも更に高い飽和磁束密度を有する磁性
   材の薄膜を設け、該薄膜と他方の磁気ヘッド半体との間
   に前記突き合わせ部と平行である磁気空隙部を形成した
   複合型磁気ヘッドに於て、前記薄膜は磁気空隙部に対向
   する上面が高い平面度を有して所定のトラック幅Ｗと厳
   密に一致する幅に形成され、前記薄膜の両側面は前記上
   面の両端から幅を次第に拡げながら下方へ伸びて前記一
   方の磁気ヘッド半体との接合面に到り、前記薄膜が前記
   一方の磁気ヘッド半体の接合面に接合する幅は該薄膜の
   前記上面より大なることを特徴とする複合型磁気ヘッド
   。