JPH03141135A - 金属膜形成法 - Google Patents
金属膜形成法Info
- Publication number
- JPH03141135A JPH03141135A JP27953189A JP27953189A JPH03141135A JP H03141135 A JPH03141135 A JP H03141135A JP 27953189 A JP27953189 A JP 27953189A JP 27953189 A JP27953189 A JP 27953189A JP H03141135 A JPH03141135 A JP H03141135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- glass
- metal
- film
- resinate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/40—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal all coatings being metal coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、工業材料として特にガラスまたはセラミック
スの表面に金属膜を形成する方法に関するものである。
スの表面に金属膜を形成する方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
ガラスまたはセラミックスの表面に所望の金属薄膜層を
形成するのに、絶縁性であるため該金属薄膜層を形成す
る方法は限定されその方法として、スパッタリング法、
蒸着法、無電解メッキ法、ペースト法等があるが、スパ
ッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法ではそれぞれ密
着性に欠け、ペースト法でも密着力が不十分でなおかつ
３μｍ以下の薄膜層を形成させにくいという欠点があり
、他に微粉末を表面に塗布し熱線で溶融付着させる方法
もあるが上記ペースト法と同様に厚みについての欠点が
ある。
形成するのに、絶縁性であるため該金属薄膜層を形成す
る方法は限定されその方法として、スパッタリング法、
蒸着法、無電解メッキ法、ペースト法等があるが、スパ
ッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法ではそれぞれ密
着性に欠け、ペースト法でも密着力が不十分でなおかつ
３μｍ以下の薄膜層を形成させにくいという欠点があり
、他に微粉末を表面に塗布し熱線で溶融付着させる方法
もあるが上記ペースト法と同様に厚みについての欠点が
ある。
また、直接電気メッキではガラスまたはセラミックス上
へはまったく不可能であった。
へはまったく不可能であった。
（発明の目的）
本発明は上記従来法の欠点を解決するために成されたも
ので、ガラスまたはセラミックスの表面に金属レジネー
トと有機バインダと有機溶媒の混合物を塗布、乾燥、焼
成して薄膜を形成させ、さらにその上にスパッタリング
法、蒸着法、無電解メッキ法、電気メッキ法等により金
属薄膜を形成した際に該ガラスまたはセラミックスに対
する該金属薄膜の密着強度を高め、０．１〜３μｍの導
電性薄膜を形成する方法を提供するものである。
ので、ガラスまたはセラミックスの表面に金属レジネー
トと有機バインダと有機溶媒の混合物を塗布、乾燥、焼
成して薄膜を形成させ、さらにその上にスパッタリング
法、蒸着法、無電解メッキ法、電気メッキ法等により金
属薄膜を形成した際に該ガラスまたはセラミックスに対
する該金属薄膜の密着強度を高め、０．１〜３μｍの導
電性薄膜を形成する方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、ガラスまたはセラミックスの表面に金属レジ
ネートを塗布、乾燥、焼成する。
ネートを塗布、乾燥、焼成する。
必要に応じて金属レジネートに有機バインダまたは有機
溶媒を加えて塗布、乾燥、焼成する。
溶媒を加えて塗布、乾燥、焼成する。
これによりガラスまたはセラミックスの表面に密着強度
の強い金属薄膜を形成し、さらに厚膜ペースト、電気メ
ッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着を行い金属
膜を形成することを特徴とする金属膜形成法である。
の強い金属薄膜を形成し、さらに厚膜ペースト、電気メ
ッキ、無電解メッキ、スパッタリング、蒸着を行い金属
膜を形成することを特徴とする金属膜形成法である。
以下本発明の詳細について説明する。
ガラスまたはセラミックスの表面に金属薄膜を形成する
方法は、抵抗体または導電体回路をガラスまたはセラミ
ックスの表面に形成するに金属として白金、金、銀、パ
ラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、銅およ
びニッケルより構成されているので、これらの金属成分
と同一の白金、金、銀、パラジウム、ロジウム、イリジ
ウム、ルテニウム、銅およびニッケルより選ばれた金属
のレジネートを主成分とし、必要とするならば前記金属
以外の金属成分を添加して用いるものである。
方法は、抵抗体または導電体回路をガラスまたはセラミ
ックスの表面に形成するに金属として白金、金、銀、パ
ラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、銅およ
びニッケルより構成されているので、これらの金属成分
と同一の白金、金、銀、パラジウム、ロジウム、イリジ
ウム、ルテニウム、銅およびニッケルより選ばれた金属
のレジネートを主成分とし、必要とするならば前記金属
以外の金属成分を添加して用いるものである。
該金属レジネートはメルカプチド、カルボネート、アミ
ノ化合物、他に有機酸としてオクチル酸、ネオペンタン
酸、ネオヘプタン酸、ネオノナン酸、ネオデカン酸、ｎ
−へブタン酸との金属塩で、前記金属以外の金属レジネ
ートとしてメルカプチド、アミン化合物を必要に応じ添
加しても本発明の［］的を達っせられる。
ノ化合物、他に有機酸としてオクチル酸、ネオペンタン
酸、ネオヘプタン酸、ネオノナン酸、ネオデカン酸、ｎ
−へブタン酸との金属塩で、前記金属以外の金属レジネ
ートとしてメルカプチド、アミン化合物を必要に応じ添
加しても本発明の［］的を達っせられる。
有機溶媒としてはターピネオール等で良く、その加える
量は金属薄膜形成の厚みと塗布操作等を考慮して変える
ことができるが、−回の塗布、乾燥、焼成して０．０５
〜０．６μｍ程度の厚みが得らる程度が作業性からも良
い。
量は金属薄膜形成の厚みと塗布操作等を考慮して変える
ことができるが、−回の塗布、乾燥、焼成して０．０５
〜０．６μｍ程度の厚みが得らる程度が作業性からも良
い。
以上で調製した金属レジネートと有機溶媒の混合したも
の、またはさらに有機バインダを混合したものをガラス
またはセラミックス上に塗布する方法は、筆塗り法、ス
クリーン印刷法、パッド印刷法、スタンプ法、スプレー
法、ディッピング法、スピンコーティング法から該ガラ
スまたはセラミックスの形状や薄膜形成のさせかた（部
分的か全体的か等）により選択できる。
の、またはさらに有機バインダを混合したものをガラス
またはセラミックス上に塗布する方法は、筆塗り法、ス
クリーン印刷法、パッド印刷法、スタンプ法、スプレー
法、ディッピング法、スピンコーティング法から該ガラ
スまたはセラミックスの形状や薄膜形成のさせかた（部
分的か全体的か等）により選択できる。
以上の方法でガラスまたはセラミック上に形成した金属
薄膜層の上に従来法のスパッタリング法、蒸着法、無電
解メッキ法、電気メッキ法、厚膜ペースト法で抵抗体や
導電体を形成すれば従来のスパッタリング法、蒸着法、
無電解メッキ法、厚膜ペースト法で得られた膜より強い
密着力を得ることができるものである。
薄膜層の上に従来法のスパッタリング法、蒸着法、無電
解メッキ法、電気メッキ法、厚膜ペースト法で抵抗体や
導電体を形成すれば従来のスパッタリング法、蒸着法、
無電解メッキ法、厚膜ペースト法で得られた膜より強い
密着力を得ることができるものである。
以下、本発明に係わる実施例を記載するが、該実施例は
本発明を限定するものではない。
本発明を限定するものではない。
（実施例１）
ホウケイ酸ガラス基板（２５，４ｍｍＸ２５．４ｍｍＸ
厚さ１．２ｍｍ）上に白金レジネートに対し７％のター
ピネオールと１％ロジウムレジネートと５％のビスマス
レジネートを加えて混合したものを、パッド印刷法で塗
布し、室温（２０°Ｃ）で１０分間乾燥したのち、大気
中７００’Ｃで１０分間焼成すると白金の０．２μｍの
厚さの均一な薄膜を形成できた。
厚さ１．２ｍｍ）上に白金レジネートに対し７％のター
ピネオールと１％ロジウムレジネートと５％のビスマス
レジネートを加えて混合したものを、パッド印刷法で塗
布し、室温（２０°Ｃ）で１０分間乾燥したのち、大気
中７００’Ｃで１０分間焼成すると白金の０．２μｍの
厚さの均一な薄膜を形成できた。
さらにその上に白金をスパッタリング法で０．３μｍの
白金薄膜を形成し、ここで得た、ホウケイ酸ガラス基板
上に形成した白金薄膜をテーピング法により密着強度を
確認したところ全くはがれることがな（、電気特性試験
でも白金のバルクに近い結果が得られた。
白金薄膜を形成し、ここで得た、ホウケイ酸ガラス基板
上に形成した白金薄膜をテーピング法により密着強度を
確認したところ全くはがれることがな（、電気特性試験
でも白金のバルクに近い結果が得られた。
（実施例２）
ホウケイ酸ガラス基板に変えてジルコニア基板（２５，
４ｍｍＸ ２５．４ｍｍＸ厚さ１．２ｍｍ）を用い焼成
温度を１１００℃で１０分間としたほかは実施例１と同
様に操作して白金の薄膜を形成させたところ、実施例１
と同様の結果が得られた。
４ｍｍＸ ２５．４ｍｍＸ厚さ１．２ｍｍ）を用い焼成
温度を１１００℃で１０分間としたほかは実施例１と同
様に操作して白金の薄膜を形成させたところ、実施例１
と同様の結果が得られた。
（実施例３）
青板ガラス基板（２５，４ｍｍＸ ２５． ４ｍｍＸ厚
さ１．２ｍｍ）上に金レジネート、銀レジネートおよび
銅レジネートを重量比で９２：５：３のものに対し１０
％のターピネオールと５％ビスマスレジネートを加えて
混合したものを、スクリーン印刷法で塗布し、室温（２
０°Ｃ）で１０分間乾燥したのち、大気中５００℃で１
０分間焼成したところ、青板ガラス基板上に金、銀、銅
の合金の０．１μｍの厚さの均一な薄膜を形成できた。
さ１．２ｍｍ）上に金レジネート、銀レジネートおよび
銅レジネートを重量比で９２：５：３のものに対し１０
％のターピネオールと５％ビスマスレジネートを加えて
混合したものを、スクリーン印刷法で塗布し、室温（２
０°Ｃ）で１０分間乾燥したのち、大気中５００℃で１
０分間焼成したところ、青板ガラス基板上に金、銀、銅
の合金の０．１μｍの厚さの均一な薄膜を形成できた。
次いで、電気金メッキを行い３，０μｍの薄膜を形成し
、ここで得た、青板ガラス基板上に形成した金、銀、銅
の合金薄膜上に金の薄膜を形成したものをテーピング法
により密着強度を確認したところ全くはがれることがな
かった。
、ここで得た、青板ガラス基板上に形成した金、銀、銅
の合金薄膜上に金の薄膜を形成したものをテーピング法
により密着強度を確認したところ全くはがれることがな
かった。
（実施例４）
青板ガラス基板に変えてホウケイ酸ガラス基板（２５，
４ｍｍＸ ２５．４ｍｍＸ厚さ１．１ｍｍ）を用いたほ
かは実施例３と同様に操作して金、銀、銅の合金薄膜に
金の薄膜を形成させたところ、実施例３と同様の結果か
えられた。
４ｍｍＸ ２５．４ｍｍＸ厚さ１．１ｍｍ）を用いたほ
かは実施例３と同様に操作して金、銀、銅の合金薄膜に
金の薄膜を形成させたところ、実施例３と同様の結果か
えられた。
（実施例５）
ガラス基板（６４ｍｍ×６４ｍｍＸ厚さ１．２ｍｍ）に
銀レジネート６０％、ビスマスレジネート５％ターピネ
オールを３５％の混合溶液を塗布、乾燥、６００°Ｃで
焼成してガラス基板の片面に銀の薄膜を形成し、銀スパ
ッタリング法、銀蒸着法と眼側電解メッキ法で２．０μ
ｍの銀薄膜を形成して密着試験をしたところ従来法の結
果とくらべ、密着強度で１０倍であった。
銀レジネート６０％、ビスマスレジネート５％ターピネ
オールを３５％の混合溶液を塗布、乾燥、６００°Ｃで
焼成してガラス基板の片面に銀の薄膜を形成し、銀スパ
ッタリング法、銀蒸着法と眼側電解メッキ法で２．０μ
ｍの銀薄膜を形成して密着試験をしたところ従来法の結
果とくらべ、密着強度で１０倍であった。
以上で得られた薄膜をフォトレジスト、エツチングによ
り密着強度の高いファインパターンを描（ことかできる
ものである。
り密着強度の高いファインパターンを描（ことかできる
ものである。
（発明の効果）
本発明は、上記結果からも明確のように耐熱基材に従来
法の厚膜ペースト法、スパッタリング法、蒸着法、無電
解メッキ法により抵抗体や導電体を形成するに際し、貴
金属を基とする金属レジネートを用いて、有機溶媒また
は有機バインダと有機溶媒を加えて溶液状とし、ガラス
またはセラミックス上に塗布、乾燥、焼成するという極
めて簡便な方法で密着強度に優れた薄膜を形成し、その
上にスパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法、厚膜
ペースト法、電気メッキ法でさらに金属薄膜を形成させ
ることができ、従来法の基板に対する密着強度の弱さを
改近することができる。
法の厚膜ペースト法、スパッタリング法、蒸着法、無電
解メッキ法により抵抗体や導電体を形成するに際し、貴
金属を基とする金属レジネートを用いて、有機溶媒また
は有機バインダと有機溶媒を加えて溶液状とし、ガラス
またはセラミックス上に塗布、乾燥、焼成するという極
めて簡便な方法で密着強度に優れた薄膜を形成し、その
上にスパッタリング法、蒸着法、無電解メッキ法、厚膜
ペースト法、電気メッキ法でさらに金属薄膜を形成させ
ることができ、従来法の基板に対する密着強度の弱さを
改近することができる。
しかも、抵抗値や導電値が従来法で形成した薄膜と同等
なものが得られる。
なものが得られる。
さらに、エツチングによるファインパターン形成を金属
レジネートとスパッタリングまたは蒸着法または電気メ
ッキ法で行うことが可能となり技術の発展と信頼性の向
上に大いに貢献するものといえる。
レジネートとスパッタリングまたは蒸着法または電気メ
ッキ法で行うことが可能となり技術の発展と信頼性の向
上に大いに貢献するものといえる。
Claims (1)
- （１）ガラスまたはセラミックス上に金属レジネートと
有機バインダと有機溶媒の混合物を塗布、乾燥したのち
、大気中５００〜１１００℃にて焼成により得られた金
属薄膜上に厚膜ペースト法、電気メッキ法、無電解メッ
キ法、スパッタリング法、蒸着法より選ばれた方法を行
い金属膜を形成することを特徴とする金属膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27953189A JPH03141135A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 金属膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27953189A JPH03141135A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 金属膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141135A true JPH03141135A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17612309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27953189A Pending JPH03141135A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 金属膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052101A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Mitsuboshi Belting Ltd | セラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01144697A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Aisin Seiki Co Ltd | 回路基板の配線パターン修復方法 |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP27953189A patent/JPH03141135A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01144697A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Aisin Seiki Co Ltd | 回路基板の配線パターン修復方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006052101A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Mitsuboshi Belting Ltd | セラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材 |
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