JPH03143930A - シート状物の連続表面処理方法及び装置 - Google Patents
シート状物の連続表面処理方法及び装置Info
- Publication number
- JPH03143930A JPH03143930A JP1282753A JP28275389A JPH03143930A JP H03143930 A JPH03143930 A JP H03143930A JP 1282753 A JP1282753 A JP 1282753A JP 28275389 A JP28275389 A JP 28275389A JP H03143930 A JPH03143930 A JP H03143930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- chamber
- helium gas
- continuously
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 68
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 36
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 claims abstract description 23
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 11
- 238000002715 modification method Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 6
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C37/00—Component parts, details, accessories or auxiliary operations, not covered by group B29C33/00 or B29C35/00
- B29C37/0089—Sealing devices placed between articles and treatment installations during moulding or shaping, e.g. sealing off the entrance or exit of ovens or irradiation rooms, connections between rooms at different pressures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シート状物の表面改質やコーティングを大気
圧下において連続的に行なう表面処理方法及びその装置
に関する。
圧下において連続的に行なう表面処理方法及びその装置
に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来、
シート状物の表面を改質、コーティングする方法として
、減圧下でのグロー放電によるプラズマ処理法、プラズ
マ重合法、プラズマCVD法等が知られている。また、
これらの方法において、連続的にシート状物の表面処理
を行なう方法としては、長尺の被処理物シートをロール
状に巻き上げたものを真空チャンバー内に入れ、該チャ
ンバー内でロールから被処理物シートを連続的に引き出
して該シート表面に連続的に処理を施すバッチ方式や、
特公昭63−65093号公報に開示されている如く、
大気圧下から減圧下へ徐々に排気を行なう差動排気方式
により処理する方法などが知られている。しかし、これ
らの連続処理方法は、いずれも処理装置が大掛かりなも
のとなり、また処理室内を排気するために大容量を有す
る非常に大きなポンプが必要となるという問題もある。
シート状物の表面を改質、コーティングする方法として
、減圧下でのグロー放電によるプラズマ処理法、プラズ
マ重合法、プラズマCVD法等が知られている。また、
これらの方法において、連続的にシート状物の表面処理
を行なう方法としては、長尺の被処理物シートをロール
状に巻き上げたものを真空チャンバー内に入れ、該チャ
ンバー内でロールから被処理物シートを連続的に引き出
して該シート表面に連続的に処理を施すバッチ方式や、
特公昭63−65093号公報に開示されている如く、
大気圧下から減圧下へ徐々に排気を行なう差動排気方式
により処理する方法などが知られている。しかし、これ
らの連続処理方法は、いずれも処理装置が大掛かりなも
のとなり、また処理室内を排気するために大容量を有す
る非常に大きなポンプが必要となるという問題もある。
一方、大気圧下で混合ガスを用いて被処理物シート表面
に放電処理を施す方法(特開昭62−235339号公
報、特願昭63−138630号。
に放電処理を施す方法(特開昭62−235339号公
報、特願昭63−138630号。
同63−166599号、同63−202977号等)
も種々提案されているが、これらはいずれもバッチ方式
であり、しかも大気圧下での処理とはいえ外部雰囲気と
はチャンバー等で遮蔽するもので、やはり連続的に処理
を行なう場合は、ロール状に巻き上げた長尺の被処理物
シートをチャンバー等の大型密閉槽に入れ、該密閉槽内
で処理を行なう必要がある。このため、前述の減圧下で
の処理と基本的には同様の装置が必要であり、装置が大
掛かりなものになるといった欠点を有する。
も種々提案されているが、これらはいずれもバッチ方式
であり、しかも大気圧下での処理とはいえ外部雰囲気と
はチャンバー等で遮蔽するもので、やはり連続的に処理
を行なう場合は、ロール状に巻き上げた長尺の被処理物
シートをチャンバー等の大型密閉槽に入れ、該密閉槽内
で処理を行なう必要がある。このため、前述の減圧下で
の処理と基本的には同様の装置が必要であり、装置が大
掛かりなものになるといった欠点を有する。
従って、大型密閉槽や大型のポンプを必要とせず、しか
もシート状物の表面に均一かつ良好な改質、コーティン
グ処理を連続的に施すことが可能な方法及び装置の開発
が望まれる。
もシート状物の表面に均一かつ良好な改質、コーティン
グ処理を連続的に施すことが可能な方法及び装置の開発
が望まれる。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者は、上
記要望に応えるべく、鋭意検討を行なった結果、ヘリウ
ムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスにより
プラズマ領域を形成し、被処理物シートにプラズマ放電
処理を施す場合、大気圧下であっても均一で安定なプラ
ズマ放電が得られること、更にこのプラズマ領域が形成
されたチャンバー外より長尺の被処理物シートを連続的
に導入して該被処理物シート表面にプラズマ放電処理を
連続的に施すと共に、この被処理物シートの処理終了部
分を連続的にチャンバー外へ排出する場合、チャンバー
の被処理物導入口及び排出口を完全に気密にシール、封
鎖する必要はなく、チャンバー内のヘリウムガス又はヘ
リウムガスを主成分とする混合ガスの漏れを許容し得る
程度の非気密状態のシールでもチャンバー内のヘリウム
ガス又は混合ガスの純度が保持されて良好なプラズマ放
電処理が可能であり、従って被処理物シートのロールを
チャンバー内に仕込む必要がなく、チャンバーの大きさ
は被処理物シートが連続的に通過し得るものであればよ
いので、従来のものに比べて大巾に小型化することがで
き、更にチャンバー内の空気をヘリウムガスに置換する
際に排気ポンプを用いるだけでよく、常にチャンバー内
を減圧に保持する必要がないので、排気ポンプも大巾に
小型化することができ、装置全体を小型化し得ることを
見い出し、本発明を完成するに至ったものである。
記要望に応えるべく、鋭意検討を行なった結果、ヘリウ
ムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスにより
プラズマ領域を形成し、被処理物シートにプラズマ放電
処理を施す場合、大気圧下であっても均一で安定なプラ
ズマ放電が得られること、更にこのプラズマ領域が形成
されたチャンバー外より長尺の被処理物シートを連続的
に導入して該被処理物シート表面にプラズマ放電処理を
連続的に施すと共に、この被処理物シートの処理終了部
分を連続的にチャンバー外へ排出する場合、チャンバー
の被処理物導入口及び排出口を完全に気密にシール、封
鎖する必要はなく、チャンバー内のヘリウムガス又はヘ
リウムガスを主成分とする混合ガスの漏れを許容し得る
程度の非気密状態のシールでもチャンバー内のヘリウム
ガス又は混合ガスの純度が保持されて良好なプラズマ放
電処理が可能であり、従って被処理物シートのロールを
チャンバー内に仕込む必要がなく、チャンバーの大きさ
は被処理物シートが連続的に通過し得るものであればよ
いので、従来のものに比べて大巾に小型化することがで
き、更にチャンバー内の空気をヘリウムガスに置換する
際に排気ポンプを用いるだけでよく、常にチャンバー内
を減圧に保持する必要がないので、排気ポンプも大巾に
小型化することができ、装置全体を小型化し得ることを
見い出し、本発明を完成するに至ったものである。
従って、本発明は、処理チャンバー内に形成されたヘリ
ウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスのプ
ラズマ領域中で被処理物シート表面にプラズマ放電処理
を施す表面改質又はコーティング方法において、処理チ
ャンバー内の空気をヘリウムガス又はヘリウムガスを主
成分とする混合ガスに置換した後、このチャンバー内に
ヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガス
を連続的に導入しつつ、大気圧下に該ヘリウムガス又は
混合ガスのプラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中に
長尺の被処理物シートをチャンバー外より該チャンバー
の上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る非
気密状態にシールされた被処理物導入口を通して連続的
に導入し、該被処理物シート表面にプラズマ放電処理を
連続的に施すと共に、該被処理物シートの処理終了部分
を上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る非
気密状態にシールされた被処理物排出口を通して連続的
に」二記チャンバー外に排出することを特徴とするシー
ト状物の連続表面処理方法、及び。
ウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスのプ
ラズマ領域中で被処理物シート表面にプラズマ放電処理
を施す表面改質又はコーティング方法において、処理チ
ャンバー内の空気をヘリウムガス又はヘリウムガスを主
成分とする混合ガスに置換した後、このチャンバー内に
ヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガス
を連続的に導入しつつ、大気圧下に該ヘリウムガス又は
混合ガスのプラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中に
長尺の被処理物シートをチャンバー外より該チャンバー
の上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る非
気密状態にシールされた被処理物導入口を通して連続的
に導入し、該被処理物シート表面にプラズマ放電処理を
連続的に施すと共に、該被処理物シートの処理終了部分
を上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る非
気密状態にシールされた被処理物排出口を通して連続的
に」二記チャンバー外に排出することを特徴とするシー
ト状物の連続表面処理方法、及び。
ヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガス
のプラズマ領域を形成する電極を内部に!Jiffえる
と共に、上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し
得る非気密状態にシールされた被処理物の導入口と排出
口とがそれぞれ形成された処理チャンバーと、該チャン
バー内の空気を外部へ排気する空気排出機構と、このチ
ャンバー内にヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分と
する混合ガスを供給する反応ガス供給機構と、上記被処
理物の導入口及び排出口を上記非気密状態にシールする
シール機構とを具備してなり、上記導入口から長尺被処
理物シートを上記処理チャンバー内に連続的に導入し、
上記電極間に形成されたプラズマ領域を通過させて、被
処理物シート表面にプラズマ放電処理を連続的に施すと
共に、この被処理物シートの処理終了部分を上記排出口
よりチャンバー外へ連続的に排出するよう構成したこと
を特徴とするシート状物の連続表面処理装置を提供する
。
のプラズマ領域を形成する電極を内部に!Jiffえる
と共に、上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し
得る非気密状態にシールされた被処理物の導入口と排出
口とがそれぞれ形成された処理チャンバーと、該チャン
バー内の空気を外部へ排気する空気排出機構と、このチ
ャンバー内にヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分と
する混合ガスを供給する反応ガス供給機構と、上記被処
理物の導入口及び排出口を上記非気密状態にシールする
シール機構とを具備してなり、上記導入口から長尺被処
理物シートを上記処理チャンバー内に連続的に導入し、
上記電極間に形成されたプラズマ領域を通過させて、被
処理物シート表面にプラズマ放電処理を連続的に施すと
共に、この被処理物シートの処理終了部分を上記排出口
よりチャンバー外へ連続的に排出するよう構成したこと
を特徴とするシート状物の連続表面処理装置を提供する
。
第1図は、本発明のシート状物の連続表面改質又はコー
ティング装置の一実施例を示すものである。
ティング装置の一実施例を示すものである。
図中1は処理チャンバーで、その両側壁にはそれぞれ被
処理物シート2が導入される導入口3と該被処理物の処
理終了部分が排出される排出口4とが形成され、また底
壁にはチャンバー内の空気を外部へ排気する空気排出口
5が形成され、この空気排出口5は、通常はバルブ6に
より閉塞されている。この処理チャンバー1内には2個
の板状金属電極7,7が所定間隔離間して互いに平行に
配置され、それらの互いに対向する内側表面には薄膜絶
縁体シート8,8がはりつけである。また、9はヘリウ
ムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスをチャ
ンバー1内に供給する反応ガス供給管で、この供給管9
は配管10、バルブ11を介してガス供給ポンプ等に接
続されている。上記導入口3と排出口4とには、第2図
に示したように、その内側に可撓性プラスチックなどか
らなる2枚の逆流防止弁12.12を導入口3、排出口
4の上下内壁面に互いに対向させてその一端部を貼着し
、他端部を被処理物シート2を挾んで重ね合わせるよう
に構成したシール機構13.13が設けられている。な
お、第1図中14はバルブエ5を備えたガス排出口、1
6は電極7,7間に電圧を印加する安定電源である。ま
た、17は被処理物シートの保持ロール、18は巻き取
りロールであり、保持ロール17から送り出された被処
理物シート2は、上記導入口3からチャンバーl内に導
入され、電極7,7間を通って排出口4に導かれて巻き
取りロールエ8に巻き取られるようになっている。
処理物シート2が導入される導入口3と該被処理物の処
理終了部分が排出される排出口4とが形成され、また底
壁にはチャンバー内の空気を外部へ排気する空気排出口
5が形成され、この空気排出口5は、通常はバルブ6に
より閉塞されている。この処理チャンバー1内には2個
の板状金属電極7,7が所定間隔離間して互いに平行に
配置され、それらの互いに対向する内側表面には薄膜絶
縁体シート8,8がはりつけである。また、9はヘリウ
ムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合ガスをチャ
ンバー1内に供給する反応ガス供給管で、この供給管9
は配管10、バルブ11を介してガス供給ポンプ等に接
続されている。上記導入口3と排出口4とには、第2図
に示したように、その内側に可撓性プラスチックなどか
らなる2枚の逆流防止弁12.12を導入口3、排出口
4の上下内壁面に互いに対向させてその一端部を貼着し
、他端部を被処理物シート2を挾んで重ね合わせるよう
に構成したシール機構13.13が設けられている。な
お、第1図中14はバルブエ5を備えたガス排出口、1
6は電極7,7間に電圧を印加する安定電源である。ま
た、17は被処理物シートの保持ロール、18は巻き取
りロールであり、保持ロール17から送り出された被処
理物シート2は、上記導入口3からチャンバーl内に導
入され、電極7,7間を通って排出口4に導かれて巻き
取りロールエ8に巻き取られるようになっている。
ここで、上記薄膜縁体シート8,8の材質等に制限はな
いが、その厚さは0.001〜31TITl、特に上側
の電極(電源接続側)にはりつけ0るものは↓m以下と
することが好ましい。
いが、その厚さは0.001〜31TITl、特に上側
の電極(電源接続側)にはりつけ0るものは↓m以下と
することが好ましい。
上記連続表面改質又はコーティング装置を用いてシート
状物の表面に改質又はコーティング処理を施す場合、ま
ず第3図に示したようにチャンバー外の両側壁に形成さ
れた導入口3及び排出口4を板状閉塞蓋19.19で塞
ぎ(第3図中20.20は○リングである)、バルブ6
を開いて排気ポンプにより、空気排出口5よりチャンバ
ー1内の空気を排出しくこの際、バルブ15.↓1は閉
しておく)、次にバルブ11を開いて高純度ヘリウムガ
スをチャンバー上内に導入し、チャンバー1内の空気を
ヘリウムガスに置換する。次いで、バルブ11.配管1
oを介して反応ガス供給管9よりヘリウムガス又はヘリ
ウムガスを主成分とする混合ガスをチャンバー内に連続
的に供給すると共に、安定電源16より電極8,8間に
電圧を印加して電極8,8間にヘリウムガス又はヘリウ
ムガスを主成分とする混合ガスのプラズマ領域を形成し
、被処理物シートを保持ロール17から送り出すと共に
1巻き取りロール1.8に巻き取る。これにより、保持
ロール17から送り出された被処理物シートの表面は、
?!!極7,7間に形成されたプラズマ領域で連続的に
プラズマ放電処理が施され、処理終了部分が巻き取りロ
ール18に連続的に回収される。
状物の表面に改質又はコーティング処理を施す場合、ま
ず第3図に示したようにチャンバー外の両側壁に形成さ
れた導入口3及び排出口4を板状閉塞蓋19.19で塞
ぎ(第3図中20.20は○リングである)、バルブ6
を開いて排気ポンプにより、空気排出口5よりチャンバ
ー1内の空気を排出しくこの際、バルブ15.↓1は閉
しておく)、次にバルブ11を開いて高純度ヘリウムガ
スをチャンバー上内に導入し、チャンバー1内の空気を
ヘリウムガスに置換する。次いで、バルブ11.配管1
oを介して反応ガス供給管9よりヘリウムガス又はヘリ
ウムガスを主成分とする混合ガスをチャンバー内に連続
的に供給すると共に、安定電源16より電極8,8間に
電圧を印加して電極8,8間にヘリウムガス又はヘリウ
ムガスを主成分とする混合ガスのプラズマ領域を形成し
、被処理物シートを保持ロール17から送り出すと共に
1巻き取りロール1.8に巻き取る。これにより、保持
ロール17から送り出された被処理物シートの表面は、
?!!極7,7間に形成されたプラズマ領域で連続的に
プラズマ放電処理が施され、処理終了部分が巻き取りロ
ール18に連続的に回収される。
ここで、上記ヘリウムガスを主成分とする混合ガスとし
ては、ヘリウムと02. N 2. CF 4. C2
F 6゜CH4,C2H,等との混合ガスを用いること
ができ、その混合比率はヘリウム対比でO〜30体積%
程度とすることができる。また、電極7,7間に印加す
る電圧は、50Hz以上、特に500Hz以上の周波数
として、0.5〜l0KVの範囲で印加することが安定
的な放電を得る点から好ましい。更に、処理速度は、被
処理物シートの↓点における処理時間にして0.1〜1
000秒、特に0.5〜300秒とすることが好ましい
。
ては、ヘリウムと02. N 2. CF 4. C2
F 6゜CH4,C2H,等との混合ガスを用いること
ができ、その混合比率はヘリウム対比でO〜30体積%
程度とすることができる。また、電極7,7間に印加す
る電圧は、50Hz以上、特に500Hz以上の周波数
として、0.5〜l0KVの範囲で印加することが安定
的な放電を得る点から好ましい。更に、処理速度は、被
処理物シートの↓点における処理時間にして0.1〜1
000秒、特に0.5〜300秒とすることが好ましい
。
上記処理方法において、シール機構13はチャンバー1
内のヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合
ガスの漏れを許容し得る非気密状態にシールする機構と
され、チャンバーl内を完全にシールし、外部からチャ
ンバー内を封鎖するものではなく、上記ヘリウムガス又
は混合ガスが漏れ得る非気密状態のシール機構であるが
、上述したようにチャンバー1内にヘリウムガス又は混
合ガスを連続的に導入していることとあいまって、プラ
ズマ領域が破壊されることがむく、プラズマ領域が安定
しているものである。従って、良好な表面改質又はコー
ティング処理ができるものである。
内のヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合
ガスの漏れを許容し得る非気密状態にシールする機構と
され、チャンバーl内を完全にシールし、外部からチャ
ンバー内を封鎖するものではなく、上記ヘリウムガス又
は混合ガスが漏れ得る非気密状態のシール機構であるが
、上述したようにチャンバー1内にヘリウムガス又は混
合ガスを連続的に導入していることとあいまって、プラ
ズマ領域が破壊されることがむく、プラズマ領域が安定
しているものである。従って、良好な表面改質又はコー
ティング処理ができるものである。
また、上記処理方法によれば、被処理物シートに連続的
に表面改質又はコーティング処理を施すことができ、こ
の場合に被処理物シートの保持ロールをチャンバー内に
収容するものではなく、保持ロールから繰り出された被
処理物シートをチャンバー内のプラズマ領域を通過させ
るだけなので、チャンバーの大きさを従来のものに比べ
非常に小型化することができる。このため、かなりの長
尺で大型の被処理物シートを扱う場合にも容易に対応し
得、処理の規模を容易に拡張することができる。また、
最初にチャンバー内をヘリウムガスに置換する際に排気
ポンプを用いるだけであり、常にチャンバー内を減圧に
保持する必要がないので、排気ポンプも小型化すること
ができ、従ってチャンバーだけでなく、装置全体を小型
することができる上、排気ポンプの作動コストも大巾に
削減することができる6更にまた5被処理物シートを処
理チャンバーの外部より連続的に導入する構成としたの
で、シート状物の製造工程より被処理物シートを直接チ
ャンバー内に導入することが可能であり、製造ラインを
容易にインライン化し得るものである。
に表面改質又はコーティング処理を施すことができ、こ
の場合に被処理物シートの保持ロールをチャンバー内に
収容するものではなく、保持ロールから繰り出された被
処理物シートをチャンバー内のプラズマ領域を通過させ
るだけなので、チャンバーの大きさを従来のものに比べ
非常に小型化することができる。このため、かなりの長
尺で大型の被処理物シートを扱う場合にも容易に対応し
得、処理の規模を容易に拡張することができる。また、
最初にチャンバー内をヘリウムガスに置換する際に排気
ポンプを用いるだけであり、常にチャンバー内を減圧に
保持する必要がないので、排気ポンプも小型化すること
ができ、従ってチャンバーだけでなく、装置全体を小型
することができる上、排気ポンプの作動コストも大巾に
削減することができる6更にまた5被処理物シートを処
理チャンバーの外部より連続的に導入する構成としたの
で、シート状物の製造工程より被処理物シートを直接チ
ャンバー内に導入することが可能であり、製造ラインを
容易にインライン化し得るものである。
第4,5図は、本発明のシート状物の連続表面改質又は
コーティング装置の他の実施例を示すものである。なお
、第4,5図において第1〜3図の装置と同一構成部分
には同−参照付合を付してその説明を省酩する。
コーティング装置の他の実施例を示すものである。なお
、第4,5図において第1〜3図の装置と同一構成部分
には同−参照付合を付してその説明を省酩する。
この第4,5図に示した装置は、被処理物の導入口3及
び排出口4をチャンバーlの両側壁の下部(画電極8,
8よりも低い位置)に設けると共に、この導入口3及び
排出口4の外部にこれらと連通ずる予備真空室21.2
1を付設したものである。この予備真空室21.21内
にはそれぞれ上、下2個のガイドローラ22a、22b
、22a。
び排出口4をチャンバーlの両側壁の下部(画電極8,
8よりも低い位置)に設けると共に、この導入口3及び
排出口4の外部にこれらと連通ずる予備真空室21.2
1を付設したものである。この予備真空室21.21内
にはそれぞれ上、下2個のガイドローラ22a、22b
、22a。
22bが備えられており、これらにガイドされて被処理
物シート2がチャンバーl内に導入され、あるいはチャ
ンバー1外に排出されるようになっており、更に、該予
備真空室21.21の底壁にはそれぞれ予備空気排出口
23.23が形成されており、これらはバルブ24.2
4により開閉し得るようになっている。なお、これら真
空室21゜21のチャンバー内と連通ずる間隙25.2
5及び外部に至る間隙26.26はシート状被処理物2
が接触しない範囲で極力狭く形成しである。この場合、
これら間隙25.26は被処理物シートが通過する場合
において被処理物シートとのギャップが0.01〜0.
5mの間隙とするのがよい。
物シート2がチャンバーl内に導入され、あるいはチャ
ンバー1外に排出されるようになっており、更に、該予
備真空室21.21の底壁にはそれぞれ予備空気排出口
23.23が形成されており、これらはバルブ24.2
4により開閉し得るようになっている。なお、これら真
空室21゜21のチャンバー内と連通ずる間隙25.2
5及び外部に至る間隙26.26はシート状被処理物2
が接触しない範囲で極力狭く形成しである。この場合、
これら間隙25.26は被処理物シートが通過する場合
において被処理物シートとのギャップが0.01〜0.
5mの間隙とするのがよい。
また、上記導入口3よりチャンバー内に導入された被処
理物2は第1及び第2ガイドローラ27゜28により電
極7,7間に導かれ、電極7,7間を通過したシート状
被処理物2は第3及び第4ガイドローラ29,30にガ
イドされて排出口4に導かれるようになっており、これ
ら機構によりシール機構13が構成されている。
理物2は第1及び第2ガイドローラ27゜28により電
極7,7間に導かれ、電極7,7間を通過したシート状
被処理物2は第3及び第4ガイドローラ29,30にガ
イドされて排出口4に導かれるようになっており、これ
ら機構によりシール機構13が構成されている。
この第4,5図に示した装置を用いてシート状物の表面
に改質、コーティング処理を施す場合は、まずチャンバ
ー1に設けられた空気排出口5及び予備真空室21.2
1に設けられた予備空気排出口23.23からチャンバ
ー内の空気を排出し、次にバルブ11を開いて高純度ヘ
リウムガスをチャンバー1内に導入し、チャンバー内の
空気をヘリウムガスに置換する。以下、上記第1図に示
した装置と同様の操作により被処理物2に表面改質。
に改質、コーティング処理を施す場合は、まずチャンバ
ー1に設けられた空気排出口5及び予備真空室21.2
1に設けられた予備空気排出口23.23からチャンバ
ー内の空気を排出し、次にバルブ11を開いて高純度ヘ
リウムガスをチャンバー1内に導入し、チャンバー内の
空気をヘリウムガスに置換する。以下、上記第1図に示
した装置と同様の操作により被処理物2に表面改質。
コーティング処理を施すものである。
上記第5図に示したシール機構上3も非気密状態のシー
ルであり、第2図のシール機構と同様に安定したプラズ
マ領域が形成されるので、この第4.5図の装置を用い
てシート状物に表面改質又はコーティング処理を施すこ
とにより、上記第上図の装置を用いる場合と同様の効果
が生じるが。
ルであり、第2図のシール機構と同様に安定したプラズ
マ領域が形成されるので、この第4.5図の装置を用い
てシート状物に表面改質又はコーティング処理を施すこ
とにより、上記第上図の装置を用いる場合と同様の効果
が生じるが。
この装置においては、特に被処理物の導入口3及び排出
口4をチャンバー1の下部に設けたことにより、比重の
小さいヘリウムガスがこれら導入口3や排出口4から外
部へ流出し難く、このため少ない反応ガス流量で良好な
処理を施すことができる。
口4をチャンバー1の下部に設けたことにより、比重の
小さいヘリウムガスがこれら導入口3や排出口4から外
部へ流出し難く、このため少ない反応ガス流量で良好な
処理を施すことができる。
本発明のシート状物の連続表面処理方法及びその装置は
上記実施例に示し先方法及び装置に限定されるものでは
なく、本発明の要旨の範囲内で種々変更することができ
る。例えば第1図及び第4図に示した装置において、そ
のシート状被処理物2の導入口3及び排出口4に備えら
れた第2図及び第5図に示したシール機構の代りに第6
図A、Bに示したシール機構、即ちシート状被処理物2
の導入口3及び排出口4を外側から覆うようにローラ室
31,31を設け、このローラ室31,3↓内にそれぞ
れ被処理物2をガイドする上、下2個の圧着ローラ32
,32を配設すると共に、これら圧着ローラ32,32
とチャンバー1との間及びローラ室壁33との間をシー
ルするフィルム弁34.34を設けたシール機構(なお
(A)図において35は○リング、(B)図において3
6はロールサイドシール材、37は回転軸シール材であ
る)、或いは第7図に示したシール機構、即ち導入口3
及び排出口4を上下動可能な間隙調節ピストン38.3
8と台座部39,39とにより形成し、導入口3及び排
出口4を被処理物シート2が接触せずに通過し得る最小
の間隙(被処理物シートの両側に若干の隙間が形成され
る程度の間隙)に調節し得るようにしたシール機構(な
お、第7図において40は○リングである。また、この
機構はチャン)<−1内の空気をヘリウムガスに置換す
る際にはピストン38.38を台座部39.39に被処
理物シート2を介して圧着させることにより、導入口3
及び排出口4を完全に閉塞することができる。)を設け
ることができる。
上記実施例に示し先方法及び装置に限定されるものでは
なく、本発明の要旨の範囲内で種々変更することができ
る。例えば第1図及び第4図に示した装置において、そ
のシート状被処理物2の導入口3及び排出口4に備えら
れた第2図及び第5図に示したシール機構の代りに第6
図A、Bに示したシール機構、即ちシート状被処理物2
の導入口3及び排出口4を外側から覆うようにローラ室
31,31を設け、このローラ室31,3↓内にそれぞ
れ被処理物2をガイドする上、下2個の圧着ローラ32
,32を配設すると共に、これら圧着ローラ32,32
とチャンバー1との間及びローラ室壁33との間をシー
ルするフィルム弁34.34を設けたシール機構(なお
(A)図において35は○リング、(B)図において3
6はロールサイドシール材、37は回転軸シール材であ
る)、或いは第7図に示したシール機構、即ち導入口3
及び排出口4を上下動可能な間隙調節ピストン38.3
8と台座部39,39とにより形成し、導入口3及び排
出口4を被処理物シート2が接触せずに通過し得る最小
の間隙(被処理物シートの両側に若干の隙間が形成され
る程度の間隙)に調節し得るようにしたシール機構(な
お、第7図において40は○リングである。また、この
機構はチャン)<−1内の空気をヘリウムガスに置換す
る際にはピストン38.38を台座部39.39に被処
理物シート2を介して圧着させることにより、導入口3
及び排出口4を完全に閉塞することができる。)を設け
ることができる。
以上説明したように、本発明のシート状物の連続表面処
理方法及び装置によれば、処理チャンバーや排気ポンプ
を大巾に小型化することができ、しかもシート状物の表
面に均一かつ良好な改質又はコーティング処理を連続的
に施すことができる。
理方法及び装置によれば、処理チャンバーや排気ポンプ
を大巾に小型化することができ、しかもシート状物の表
面に均一かつ良好な改質又はコーティング処理を連続的
に施すことができる。
従って、大型の被処理物を扱う場合にも容易に対応し得
、処理の規模を容易に拡張することができる。また、シ
ート状物の製造ラインを容易にインライン化し得るもの
である。
、処理の規模を容易に拡張することができる。また、シ
ート状物の製造ラインを容易にインライン化し得るもの
である。
以下、実験例を示す。
〔実験例1〕
第1図に示した装置及び第2,3図のシール機構を用い
、以下に示した操作により、厚さ100μのポリエステ
ルシートの表面に第1表に示した如く処理速度を変えな
がら親水化処理を施し、処理後のポリエステルシート表
面の接触角を測定した。
、以下に示した操作により、厚さ100μのポリエステ
ルシートの表面に第1表に示した如く処理速度を変えな
がら親水化処理を施し、処理後のポリエステルシート表
面の接触角を測定した。
結果を第1表に示す。
延−生
まず、第3図に示した如く、被処理物であるポリエステ
ルシート2を挾んだまま、被処理物の導入口3及び排出
口4を○リング17を介して閉塞蓋19.19でそれぞ
れ塞ぎ、空気排出口5から真空ポンプを用いてチャンバ
ー1内の空気を工×10−”Torr以上の真空度に達
するまで排気した後、バルブ6を閉じ、バルブ11を開
けて高純度ヘリウムガスをチャンバー1内に導入し、チ
ャンバー1内をヘリウムガスで置換した。続いて、ヘリ
ウムガスと酸素の混合ガス(He: 02=99 :
1)をバルブ11及び配管10を介して反応ガス供給管
9より一定流量でチャンバー1内に供給し、上記閉塞蓋
19.↓9を取り去ると共に1巻き取りロール18を回
転させてポリエステルシート2を導入口3から排出口4
へ向けて連続的に動かし、安定電源↓6より電極7.7
間に8KHz、2KVの低周波を印加してff1li7
.7間にプラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中でポ
リエステルシート2の表面を連続的に放電処理した。
ルシート2を挾んだまま、被処理物の導入口3及び排出
口4を○リング17を介して閉塞蓋19.19でそれぞ
れ塞ぎ、空気排出口5から真空ポンプを用いてチャンバ
ー1内の空気を工×10−”Torr以上の真空度に達
するまで排気した後、バルブ6を閉じ、バルブ11を開
けて高純度ヘリウムガスをチャンバー1内に導入し、チ
ャンバー1内をヘリウムガスで置換した。続いて、ヘリ
ウムガスと酸素の混合ガス(He: 02=99 :
1)をバルブ11及び配管10を介して反応ガス供給管
9より一定流量でチャンバー1内に供給し、上記閉塞蓋
19.↓9を取り去ると共に1巻き取りロール18を回
転させてポリエステルシート2を導入口3から排出口4
へ向けて連続的に動かし、安定電源↓6より電極7.7
間に8KHz、2KVの低周波を印加してff1li7
.7間にプラズマ領域を形成し、該プラズマ領域中でポ
リエステルシート2の表面を連続的に放電処理した。
第
表
*1:シートの1点がプラズマ領域中にある時間*2:
20点ランダム測定の平均値 第1表の結果から明らかなように、処理スピード(処理
時間)を変えても、いずれも処理無しのものに比べて接
触角が小さくなっており、ポリエステルシート表面が連
続的にしかも均一に親水化された。
20点ランダム測定の平均値 第1表の結果から明らかなように、処理スピード(処理
時間)を変えても、いずれも処理無しのものに比べて接
触角が小さくなっており、ポリエステルシート表面が連
続的にしかも均一に親水化された。
なお、比較のため導入口3及び排出口4から逆流防止弁
12.12を取りはず、して同様の処理を行なったとこ
ろ、導入口3及び排出口4から大気が流れ込み、このた
め電極7,7間に電圧を印加しても放電が開始せず、処
理を行なうことができなかった。
12.12を取りはず、して同様の処理を行なったとこ
ろ、導入口3及び排出口4から大気が流れ込み、このた
め電極7,7間に電圧を印加しても放電が開始せず、処
理を行なうことができなかった。
〔実験例2〕
第2,3図に示したシール機構の代りに第6図(、A)
、(B)に示したシール機構を用いた以外は第1図の装
置と同様の構成の装置を用い、反応ガスとしてヘリウム
ガスとCF、との混合ガス(He: 02=99 :
1)を使用すると共に、8KHz。
、(B)に示したシール機構を用いた以外は第1図の装
置と同様の構成の装置を用い、反応ガスとしてヘリウム
ガスとCF、との混合ガス(He: 02=99 :
1)を使用すると共に、8KHz。
3KVのオーデイオ波をffit−M7,7間に印加し
た以外は実験例1と同様の操作により綿布表面に撥水化
処理を施し、接触角を測定した。結果を第2表に示す。
た以外は実験例1と同様の操作により綿布表面に撥水化
処理を施し、接触角を測定した。結果を第2表に示す。
第
表
*l:シートの1点がプラズマ領域中にある時間*2:
20点ランダム測定の平均値 第2表の結果に示した如く、処理スピード(処理時間)
を変えても、いずれも処理無しのものに比べて接触角が
大きくなっており、綿布表面が連続的にしかも均一に撥
水化されたことが認められる。
20点ランダム測定の平均値 第2表の結果に示した如く、処理スピード(処理時間)
を変えても、いずれも処理無しのものに比べて接触角が
大きくなっており、綿布表面が連続的にしかも均一に撥
水化されたことが認められる。
〔実験例3〕
第2,3図に示したシール機構の代りに第7図に示した
シール機構を用いた以外は第1図の装置と同様の構成の
装置を用い、下記操作により第3表に示したゴム組成物
を加硫成形したゴムシート表面に撥水化処理を施した。
シール機構を用いた以外は第1図の装置と同様の構成の
装置を用い、下記操作により第3表に示したゴム組成物
を加硫成形したゴムシート表面に撥水化処理を施した。
処理終了後、ゴムシート表面の接触角及び平均摩擦係数
を測定した。
を測定した。
結果を第4表に示す。
盈−生
ゴムシート2を処理装置にセットした後、間隙調節ピス
トン38.38を下げ、ゴムシート2をシール材として
導入口3及び排出口4を閉塞した後、実験例1と同様に
してチャンバー1内を真空排気し、ヘリウムガスで置換
した。次いで、反応ガスとしてヘリウムガスで1間濃度
に希釈したCF4ガスを一定流量流し、上記ピストン3
8.38を上げて微小な間隙(導入口3.排出口4)を
形成しくゴムシート2がこすらずに通過できる程度の間
隙)、シート2を動かし、8 KHz、 3 KV(7
)オーデイオ波を電極7,7間に印加し、処理を行なっ
た。
トン38.38を下げ、ゴムシート2をシール材として
導入口3及び排出口4を閉塞した後、実験例1と同様に
してチャンバー1内を真空排気し、ヘリウムガスで置換
した。次いで、反応ガスとしてヘリウムガスで1間濃度
に希釈したCF4ガスを一定流量流し、上記ピストン3
8.38を上げて微小な間隙(導入口3.排出口4)を
形成しくゴムシート2がこすらずに通過できる程度の間
隙)、シート2を動かし、8 KHz、 3 KV(7
)オーデイオ波を電極7,7間に印加し、処理を行なっ
た。
第
表
第
図
*l:
*2:
*3:
シートの1点がプラズマ領域中にある時間20点ランダ
ム測定の平均値 表面試験機(加藤鉄工所製)を用いて測定した。
ム測定の平均値 表面試験機(加藤鉄工所製)を用いて測定した。
第4表に示した如く、処理スピード(処理時間)を変え
ても、いずれも処理無しのものに比べて接触角が大きく
なっており、ゴムシート表面が連続処理で均一に撥水化
した。また、ゴムシート表面の平均摩擦係数は処理無し
のものに比べて1/3に減少しており、フッ素化により
表面のすべり性が向上したことが確認された。
ても、いずれも処理無しのものに比べて接触角が大きく
なっており、ゴムシート表面が連続処理で均一に撥水化
した。また、ゴムシート表面の平均摩擦係数は処理無し
のものに比べて1/3に減少しており、フッ素化により
表面のすべり性が向上したことが確認された。
〔実験例4〕
第2,3図に示したシール機構の代りに第5図に示した
シール機構を用いた以外は第1図の装置と同様の構成の
装置を用い、以下に示した操作により、厚さ100μの
ポリエステルシート表面に撥水化処理を施した。
シール機構を用いた以外は第1図の装置と同様の構成の
装置を用い、以下に示した操作により、厚さ100μの
ポリエステルシート表面に撥水化処理を施した。
撮−也
ポリエステルシート2をセットした後、チャンバーl内
の排気と共に予備真空室21.21内も排気ポンプによ
り真空にした後、チャンバー1内に高純度ヘリウムガス
を導入し、チャンバーl内をヘリウムガスに置換した。
の排気と共に予備真空室21.21内も排気ポンプによ
り真空にした後、チャンバー1内に高純度ヘリウムガス
を導入し、チャンバーl内をヘリウムガスに置換した。
次いで、ヘリウムガスで希釈した1%CF4混合ガスを
一定流量でチャンバー1内に導入し、電極7,7間に8
KHz。
一定流量でチャンバー1内に導入し、電極7,7間に8
KHz。
3KVの電圧を印加して放電を開始させ、ポリエステル
シート2を移動させることで連続処理を行なった。
シート2を移動させることで連続処理を行なった。
第5表
*l:シートの1点がプラズマ領域中にある時間*2:
20点ランダム測定の平均値 第5表の結果から明らかなように、処理スピード(処理
時間)を変えても、いずれも処理無しのものに比べて接
触角が大きくなっており、ポリエステルシート表面が連
続的にしかも均一に撥水化された。
20点ランダム測定の平均値 第5表の結果から明らかなように、処理スピード(処理
時間)を変えても、いずれも処理無しのものに比べて接
触角が大きくなっており、ポリエステルシート表面が連
続的にしかも均一に撥水化された。
また、第5図に示したシールIa構をチャンバー1の下
部に配設した第4図に示した装置を用い、同様の操作に
よりポリエステルシート表面に撥水化処理を施したとこ
ろ、処理時にチャンバー内に導入する混合ガス(反応ガ
ス)の流量を約半分にしても安定な放電が得られ、しか
も良好な撥水化処理を行なうことができた。
部に配設した第4図に示した装置を用い、同様の操作に
よりポリエステルシート表面に撥水化処理を施したとこ
ろ、処理時にチャンバー内に導入する混合ガス(反応ガ
ス)の流量を約半分にしても安定な放電が得られ、しか
も良好な撥水化処理を行なうことができた。
第1図は、本発明の装置の一実施例を示す概略図、第2
図は同装置の導入口3及び排出口4部分を示す拡大断面
図、第3図は同装置のヘリウムガス置換時の操作を説明
する部分拡大断面図、第4図は本発明装置の他の実施例
を示す概略図、第5図は同装置の導入口3及び排出口4
部分を示す拡大断面図、第6図及び第7図は本発明装置
を構成するシール機構の例を示すもので、第6図(A)
は断面図、第6図(B)は(A)図B−B線に沿った断
面図、第7図は断面図である。 ・・・処理チャンバー ・・・被処理物導入口 ・・・空気排出口 ・反応ガス供給管 ・・・シート状被処理物 ・・・被処理物排出口 、7・・・電極 3・・・シール機構
図は同装置の導入口3及び排出口4部分を示す拡大断面
図、第3図は同装置のヘリウムガス置換時の操作を説明
する部分拡大断面図、第4図は本発明装置の他の実施例
を示す概略図、第5図は同装置の導入口3及び排出口4
部分を示す拡大断面図、第6図及び第7図は本発明装置
を構成するシール機構の例を示すもので、第6図(A)
は断面図、第6図(B)は(A)図B−B線に沿った断
面図、第7図は断面図である。 ・・・処理チャンバー ・・・被処理物導入口 ・・・空気排出口 ・反応ガス供給管 ・・・シート状被処理物 ・・・被処理物排出口 、7・・・電極 3・・・シール機構
Claims (2)
- 1.処理チャンバー内に形成されたヘリウムガス又はヘ
リウムガスを主成分とする混合ガスのプラズマ領域中で
被処理物シート表面にプラズマ放電処理を施す表面改質
又はコーティング方法において、処理チャンバー内の空
気をヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合
ガスに置換した後、このチャンバー内にヘリウムガス又
はヘリウムガスを主成分とする混合ガスを連続的に導入
しつつ、大気圧下に該ヘリウムガス又は混合ガスのプラ
ズマ領域を形成し、該プラズマ領域中に長尺の被処理物
シートをチャンバー外より該チャンバーの上記ヘリウム
ガス又は混合ガスの漏れを許容し得る非気密状態にシー
ルされた被処理物導入口を通して連続的に導入し、該被
処理物シート表面にプラズマ放電処理を連続的に施すと
共に、該被処理物シートの処理終了部分を上記ヘリウム
ガス又は混合ガスの漏れを許容し得る非気密状態にシー
ルされた被処理物排出口を通して連続的に上記チャンバ
ー外に排出することを特徴とするシート状物の連続表面
処理方法。 - 2.ヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする混合
ガスのプラズマ領域を形成する電極を内部に備えると共
に、上記ヘリウムガス又は混合ガスの漏れを許容し得る
非気密状態にシールされた被処理物の導入口と排出口と
がそれぞれ形成された処理チャンバーと、該チャンバー
内の空気を外部へ排気する空気排出機構と、このチャン
バー内にヘリウムガス又はヘリウムガスを主成分とする
混合ガスを供給する反応ガス供給機構と、上記被処理物
の導入口及び排出口を上記非気密状態にシールするシー
ル機構とを具備してなり、上記導入口から長尺被処理物
シートを上記処理チャンバー内に連続的に導入し、上記
電極間に形成されたプラズマ領域を通過させて、被処理
物シート表面にプラズマ放電処理を連続的に施すと共に
、この被処理物シートの処理終了部分を上記排出口より
チャンバー外へ連続的に排出するよう構成したことを特
徴とするシート状物の連続表面処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1282753A JP2811820B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | シート状物の連続表面処理方法及び装置 |
| US08/513,007 US5529631A (en) | 1989-10-30 | 1995-08-09 | Apparatus for the continuous surface treatment of sheet material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1282753A JP2811820B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | シート状物の連続表面処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03143930A true JPH03143930A (ja) | 1991-06-19 |
| JP2811820B2 JP2811820B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=17656613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1282753A Expired - Fee Related JP2811820B2 (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | シート状物の連続表面処理方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5529631A (ja) |
| JP (1) | JP2811820B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05235520A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路用基板のプラズマ処理方法 |
| FR2713670A1 (fr) * | 1993-12-15 | 1995-06-16 | Air Liquide | Procédé et dispositif de traitement de surfaces métalliques par voie sèche. |
| US5523124A (en) * | 1992-06-17 | 1996-06-04 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'expoloitation Des Procedes Georges Claude | Process for producing a silicon oxide deposit on the surface of a metallic or metallized polymer substrate using corona discharge at pressures up to approximately atmospheric |
| JPH10310652A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Toppan Printing Co Ltd | 表面処理方法、その被処理物および表面処理装置 |
| US6528129B1 (en) | 1999-02-15 | 2003-03-04 | Konica Corporation | Surface treatment method, production method for ink jet recording medium, and ink jet recording medium |
| JP2003523053A (ja) * | 2000-02-11 | 2003-07-29 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | 大気圧プラズマシステム |
| JP2004510571A (ja) * | 2000-10-04 | 2004-04-08 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | コーティングを形成するための方法および装置 |
| KR100438944B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 금속의 표면처리장치 |
| KR100455430B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 표면처리장비의 냉각장치 및 그 제조방법 |
| KR100455428B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 연속표면처리장치의 가스플로우 구조 |
| KR100476435B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2005-03-16 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마 중합장비용 플라즈마쳄버장치 |
| JPWO2014119735A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-01-26 | 株式会社ニコン | 処理装置、噴射処理方法および電極材料の製造方法 |
| JP2020504789A (ja) * | 2016-10-17 | 2020-02-13 | イリノイ トゥール ワークス インコーポレイティド | 制御された内部環境を有するシステムのエアフォイル装置 |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728224A (en) * | 1995-09-13 | 1998-03-17 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Apparatus and method for manufacturing a packaging material using gaseous phase atmospheric photo chemical vapor deposition to apply a barrier layer to a moving web substrate |
| US5743966A (en) * | 1996-05-31 | 1998-04-28 | The Boc Group, Inc. | Unwinding of plastic film in the presence of a plasma |
| US6083355A (en) * | 1997-07-14 | 2000-07-04 | The University Of Tennessee Research Corporation | Electrodes for plasma treater systems |
| US6106659A (en) * | 1997-07-14 | 2000-08-22 | The University Of Tennessee Research Corporation | Treater systems and methods for generating moderate-to-high-pressure plasma discharges for treating materials and related treated materials |
| KR19990047679A (ko) * | 1997-12-05 | 1999-07-05 | 박호군 | 이온 빔을 이용한 재료의 표면 처리 장치 |
| EP1115505B1 (en) * | 1998-09-21 | 2003-05-28 | The Procter & Gamble Company | Durably wettable, liquid pervious webs |
| US6974629B1 (en) * | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6660365B1 (en) | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6964731B1 (en) * | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| KR20010088089A (ko) * | 2000-03-10 | 2001-09-26 | 구자홍 | 플라즈마 중합처리 시스템의 친수성 향상 방법 |
| US20060118242A1 (en) * | 2001-02-12 | 2006-06-08 | Anthony Herbert | Atmospheric pressure plasma system |
| DE10109786A1 (de) * | 2001-02-28 | 2002-12-12 | Fractal Ag | Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten |
| SK6292001A3 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-06 | Mirko Cernak | Method and device for the treatment of textile materials |
| KR100431889B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2004-05-17 | 주식회사 우광유니텍 | 건식 세정/에싱 방법 및 장치 |
| US6764658B2 (en) * | 2002-01-08 | 2004-07-20 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Plasma generator |
| FR2836158B1 (fr) * | 2002-02-19 | 2005-01-07 | Usinor | Procede de nettoyage par plasma de la surface d'un materiau enduit d'une substance organique, et installation de mise en oeuvre |
| FR2836157B1 (fr) * | 2002-02-19 | 2004-04-09 | Usinor | Procede de nettoyage de la surface d'un materiau enduit d'une susbstance organique, generateur et dispositif de mise en oeuvre |
| US20030168009A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Denes Ferencz S. | Plasma processing within low-dimension cavities |
| TW200308187A (en) * | 2002-04-10 | 2003-12-16 | Dow Corning Ireland Ltd | An atmospheric pressure plasma assembly |
| GB0208261D0 (en) * | 2002-04-10 | 2002-05-22 | Dow Corning | An atmospheric pressure plasma assembly |
| TW200409669A (en) * | 2002-04-10 | 2004-06-16 | Dow Corning Ireland Ltd | Protective coating composition |
| KR100516328B1 (ko) * | 2003-01-10 | 2005-09-29 | 주식회사 나노어드벤스 | 플라즈마를 이용한 귀금속 용액 고속 제조장치 |
| KR100439942B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2004-07-12 | 주식회사 에폰 | 입체상 중합체의 연속 표면처리장치 및 연속 표면처리방법 |
| ES2409063T3 (es) * | 2003-11-18 | 2013-06-24 | Habasit Ag | Cinta transportadora recubierta por plasma |
| CA2550331A1 (en) | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cardinal Cg Compagny | Graded photocatalytic coatings |
| EP1773729B1 (en) | 2004-07-12 | 2007-11-07 | Cardinal CG Company | Low-maintenance coatings |
| US7645492B2 (en) * | 2004-07-30 | 2010-01-12 | Exatec Llc | Plasma coating system for accommodating substrates of different shapes |
| US20060040067A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-02-23 | Thomas Culp | Discharge-enhanced atmospheric pressure chemical vapor deposition |
| JP2008519411A (ja) * | 2004-11-05 | 2008-06-05 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | プラズマシステム |
| WO2006080968A2 (en) * | 2004-11-15 | 2006-08-03 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing coatings having sequenced structures |
| US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
| US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
| GB0509648D0 (en) * | 2005-05-12 | 2005-06-15 | Dow Corning Ireland Ltd | Plasma system to deposit adhesion primer layers |
| US7666766B2 (en) * | 2005-09-27 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus, method for forming film, and method for manufacturing photoelectric conversion device |
| US20070154650A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | Method and apparatus for glow discharge plasma treatment of flexible material at atmospheric pressure |
| JP2009534563A (ja) | 2006-04-19 | 2009-09-24 | 日本板硝子株式会社 | 同等の単独の表面反射率を有する対向機能コーティング |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| DE102007020025A1 (de) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Honda Motor Co., Ltd. | Form eines Gaskanals in einer Axialströmungs-Gasturbinenmaschine |
| WO2008136029A1 (en) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Arioli S.P.A. | Apparatus for the cold plasma treatment of a continuous web material |
| WO2008146994A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Ltrin Co., Ltd. | Wafer cleaning method and wafer bonding method using the same |
| KR100936778B1 (ko) * | 2007-06-01 | 2010-01-14 | 주식회사 엘트린 | 웨이퍼 본딩방법 |
| US20090045168A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-02-19 | Jacob Hanson | Surface Treater for Elongated Articles |
| KR101512166B1 (ko) | 2007-09-14 | 2015-04-14 | 카디날 씨지 컴퍼니 | 관리가 용이한 코팅 기술 |
| EP2145978A1 (fr) * | 2008-07-16 | 2010-01-20 | AGC Flat Glass Europe SA | Procédé et installation pour le dépôt de couches sur un substrat |
| FR2942801B1 (fr) * | 2009-03-05 | 2012-03-23 | Quertech Ingenierie | Procede de traitement d'une piece en elastomere par des ions multi-energies he+ et he2+ pour diminuer le frottement |
| EP2784176B1 (en) | 2013-03-28 | 2018-10-03 | Applied Materials, Inc. | Deposition platform for flexible substrates |
| WO2015177806A1 (en) * | 2014-05-20 | 2015-11-26 | The Bombay Textile Research Association (Btra) | Method and system for manufacturing multifunctional cotton fabric |
| CN106660078B (zh) * | 2014-06-05 | 2021-01-29 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 用于清洁物体的系统和方法 |
| WO2018093985A1 (en) | 2016-11-17 | 2018-05-24 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| JP6953823B2 (ja) * | 2017-06-20 | 2021-10-27 | 東洋紡株式会社 | 液体塗布装置、および液体塗布方法。 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2990608B2 (ja) * | 1989-12-13 | 1999-12-13 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法 |
| JP3206095B2 (ja) * | 1991-04-12 | 2001-09-04 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法及びその装置 |
| US5286532A (en) * | 1991-08-20 | 1994-02-15 | Bridgestone Corporation | Method for producing golf balls |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1282753A patent/JP2811820B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-09 US US08/513,007 patent/US5529631A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05235520A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路用基板のプラズマ処理方法 |
| US5523124A (en) * | 1992-06-17 | 1996-06-04 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'expoloitation Des Procedes Georges Claude | Process for producing a silicon oxide deposit on the surface of a metallic or metallized polymer substrate using corona discharge at pressures up to approximately atmospheric |
| FR2713670A1 (fr) * | 1993-12-15 | 1995-06-16 | Air Liquide | Procédé et dispositif de traitement de surfaces métalliques par voie sèche. |
| EP0658637A1 (fr) * | 1993-12-15 | 1995-06-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Procédé et dispositif de traitement de surfaces métalliques par voie sèche |
| JPH10310652A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Toppan Printing Co Ltd | 表面処理方法、その被処理物および表面処理装置 |
| US6528129B1 (en) | 1999-02-15 | 2003-03-04 | Konica Corporation | Surface treatment method, production method for ink jet recording medium, and ink jet recording medium |
| JP2003523053A (ja) * | 2000-02-11 | 2003-07-29 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | 大気圧プラズマシステム |
| JP2004510571A (ja) * | 2000-10-04 | 2004-04-08 | ダウ・コーニング・アイルランド・リミテッド | コーティングを形成するための方法および装置 |
| KR100438944B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-07-03 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를 이용한 금속의 표면처리장치 |
| KR100476435B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2005-03-16 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마 중합장비용 플라즈마쳄버장치 |
| KR100455430B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 표면처리장비의 냉각장치 및 그 제조방법 |
| KR100455428B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 연속표면처리장치의 가스플로우 구조 |
| JPWO2014119735A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-01-26 | 株式会社ニコン | 処理装置、噴射処理方法および電極材料の製造方法 |
| JP2020504789A (ja) * | 2016-10-17 | 2020-02-13 | イリノイ トゥール ワークス インコーポレイティド | 制御された内部環境を有するシステムのエアフォイル装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5529631A (en) | 1996-06-25 |
| JP2811820B2 (ja) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03143930A (ja) | シート状物の連続表面処理方法及び装置 | |
| EP1340838A1 (en) | Method and device for atmospheric plasma processing | |
| US6082292A (en) | Sealing roller system for surface treatment gas reactors | |
| JPH04358076A (ja) | 大気圧プラズマ反応方法とその装置 | |
| JPS62274080A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| Behnisch et al. | Factors influencing the hydrophobic recovery of oxygen-plasma-treated polyethylene | |
| US20060090773A1 (en) | Sulfur hexafluoride remote plasma source clean | |
| JPH0341496B2 (ja) | ||
| CN105393333A (zh) | 用于薄膜处理应用的清洁方法和用于所述清洁方法中的装置 | |
| KR20170063015A (ko) | 세포배양가방 내부표면의 표면처리장치 및 이를 이용하는 표면처리방법 | |
| JPH0121260B2 (ja) | ||
| JP4099264B2 (ja) | プラズマ処理によるフィルムシートの表面改質装置 | |
| JPH0467776B2 (ja) | ||
| JP3954765B2 (ja) | 常圧プラズマを用いた連続成膜法及び連続成膜装置 | |
| JP2004076076A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法 | |
| JP2001279457A (ja) | 常圧プラズマを用いた連続表面処理法又は連続成膜法及び連続表面処理装置又は連続成膜装置 | |
| JP3793451B2 (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
| JP4378919B2 (ja) | プラズマ放電処理方法 | |
| JPH0244855B2 (ja) | Shiitojobutsunopurazumashorisochi | |
| JPS59190576A (ja) | 低トルクシ−ル | |
| JP2003155571A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法 | |
| JP3517666B2 (ja) | ガス密閉機構およびこのガス密閉機構を使用した表面処理装置 | |
| JPS6052575A (ja) | フイルム類の連続真空処理装置 | |
| JPH04110467A (ja) | 機能性膜の製造方法およびその製造装置 | |
| JPH03217823A (ja) | 液晶配向膜の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |