JPH0314614B2 - - Google Patents

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JPH0314614B2
JPH0314614B2 JP55149345A JP14934580A JPH0314614B2 JP H0314614 B2 JPH0314614 B2 JP H0314614B2 JP 55149345 A JP55149345 A JP 55149345A JP 14934580 A JP14934580 A JP 14934580A JP H0314614 B2 JPH0314614 B2 JP H0314614B2
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JP
Japan
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coating layer
resin
photocurable coating
weight
room temperature
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JP55149345A
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JPS5772823A (en
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Hiroshi Ozawa
Kunio Nishihara
Sumio Hirose
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Publication date
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  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザー光線の反射により記録され
た情報の読みだしを行う、情報記録用複製デイス
クの製造法に関する。
レーザー光線をデイスク上を走査させ、微細な
ピツトの存在の有無によつて記録された情報を読
みだす方式は、著しく記録密度をあげることが出
来るとともに、多量の複製板の製造が一つのスタ
ンパーから容易に行なえることから、画像や音響
の再生等への利用が期待されている。
この記録再生方式に用いられる複製デイスクに
は、例えばメタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂等の
熱可塑性樹脂を用い150℃以上の高温で射出成型
やプレス成型によつて熱可塑性樹脂にスタンパー
のピツトを転写することが従来から試みられてき
た。しかし、記録に用いられるピツトは、通常長
さ及び径が2μ以下で深さは0.5μ以下微細なもので
ある為に、精度のよいピツトの再生が困難であ
り、生産工程での不良率が高いという欠点があ
る。
本発明は、このような従来の情報記録用複製デ
イスクの製法における欠点を克服し、上記の如き
格別の高温処理を用いずして生産性が良好でかつ
製造工程の省エネルギー化を図ることの出来る新
規な情報記録用複製デイスクの製法を提供するこ
とを目的とする。
すなわち、本発明は、プラスチツク又はガラス
板上に、常温における粘度が2000ポイズ以上で且
つ常温又は100℃以下で可塑性を有する光硬化性
被覆層を形成し、光硬化性被覆層を微細な凹凸の
刻まれたスタンパーに重ねあわせて加圧成型し、
プラスチツク又はガラス板面から紫外線を照射し
て該被覆層を硬化させた後、スタンパーを脱型す
ることを特徴とする情報記録用複製デイスクの製
法である。
本発明に用いるプラスチツク又はガラス板は、
光硬化性被覆層の光硬化反応時の紫外線透過層で
あり、又、光硬化性被覆層によつて形成される記
録用凹凸パターンの支持体であると共に、通常、
記録再生時のレーザー光の透過層となる。従つ
て、これには光透過性が良好であり、そり、ねじ
れ等の変形をおこさないプラスチツク材料やガラ
スが好ましく、通常プラスチツク板としてはメタ
クリル樹脂、塩化ビニル樹脂等、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル・スチレン共重合樹脂等の
ビニル系重合体又は共重合体樹脂類、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、
ポリブチレンテレフタレート樹脂等が用いられ、
特に光透過率の良好なメタクリル樹脂は好まし
い。
上記のプラスチツク板は、射出成型、押出成
型、プレス成型或いはキヤスト法によつて、通常
0.5〜3mm厚の平滑な板に成型して用いる。本発
明の可塑性を有する光硬化性被覆層とは、常温に
おける粘度が2000ポイズ以上で且つ常温又は100
℃以下の温度で可塑性を有し、加圧によつて塑性
変形をする材料であり、且つ紫外線照射によつて
硬化して常温での塑性を失う材料である。すなわ
ち、上記の光硬化性被覆層は、微細なピツトの刻
まれたスタンパーに重ねあわされた後、常温又は
100℃以下の温度で通常5〜100Kg/cm2の圧力でプ
レスをかけると、スタンパーの凹部に光硬化性被
覆層が容易にくいこみ、その後にプラスチツク又
はガラス板を通して紫外線を照射すると硬化反応
が進み硬化して常温での可塑性を失いスタンパー
から脱型することによつて原盤のパターンを反転
したレプリカが出来あがる。
本発明の方法で複製デイスクを製造する際は通
常1枚のスタンパーで多数枚のデイスクを複製す
るが、複製デイスクの生産性とスタンパーの寿命
の点から、光硬化性被覆層は、本発明においては
スタンパー上に形成されるのではなく、プラスチ
ツク又はガラス板上に形成する。光硬化性被覆層
を形成する方法は、光硬化性被覆層を形成する材
料をプラスチツク又はガラス板上に塗布すること
によつて形成され、通常は光硬化性被覆層を形成
する材料を有機溶剤又は水で塗布しやすい粘度に
希釈して塗布し有機溶剤又は水を乾燥機内で蒸発
除去して形成される。又、別な離型紙等の支持体
上に上記の如くして光硬化性被覆層用のフイルム
を形成し、上記のプラスチツク又はガラス板には
りあわせて光硬化性被覆層を形成してもよい。光
硬化性被覆層の厚みは、2μ以上あればよいが、
5〜20μ程度が好ましい。
本発明の光硬化性被覆層を形成する材料は、常
温における粘度が2000ポイズ以上で且つ常温又は
100℃以下で可塑性を有し、紫外線の照射によつ
て光硬化しかつ光硬化した後に光を透過する材料
であれば本質的にいずれも用いることが出来、一
般的には樹脂成分、光硬化性樹脂形成成分と光増
感剤からなる。上記した樹脂成分としては、例え
ばアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、ポリビニルプチラール樹脂、セルロー
ス誘導体樹脂等があり、これらの樹脂成分は光硬
化性を有していてもいなくとも差し支えない。こ
れら樹脂成分が光硬化反応に関与し、架橋構造に
くりこまれるようにするには、(1)上記樹脂の末端
又は側鎖にエチレン性不飽和二重結合を導入し、
光増感剤によつて生じる遊離ラジカルによつてラ
ジカル重合反応で架橋せしめる方法、(2)上記樹脂
の未端又は側鎖にアルカリ系二重結合を導入し、
光増感剤とチオール含有化合物の共在化でチオー
ル基との付加反応を促進し架橋せしめる方法、(3)
上記樹脂の末端又は側鎖にチオール基を導入し、
アリル系二重結合を有する樹脂形成成分と光増感
剤の共存化で紫外線照射時に付加的に架橋せしめ
る方法、(4)上記樹脂の末端又は側鎖にエポキシ基
を導入し、紫外線照射によつて、ルイス酸を遊離
せしめる増感剤でカチオン的にエポキシ基を開環
重合させ架橋せしめる方法があり、上記(1)又は(4)
の場合には、上記の光硬化性樹脂形成成分を併用
しても、或いは併用しなくてもよい。但し上記の
光硬化性を有する樹脂成分は、軟化点が100℃以
下好ましくは常温以下でかつ常温の粘度が2000ポ
イズ以上であることが成型性の点から望まれる。
上記樹脂成分が光硬化性を有しないものばかりか
ら成る場合上記の光硬化性樹脂形成成分の併用が
必須である。上記の光硬化性樹脂形成成分は、通
常分子量が1000以下の、光硬化反応によつて光硬
化性被覆層の可塑性を失なわせうる低分子量体で
あつて、例えば (i) ラジカル重合可能なエチレン性二重結合を有
する化合物であつて、沸点が200℃以上の単重
体又は1分子中に2個以上のエチレン性二重結
合を有する化合物。
(ii) 1分子中に2個以上のチオール基を有する多
価チオール化合物。
(iii) 1分子中に2個以上のアリル系二重結合を有
する多価アリル化合物。
(iv) 沸点が200%以上のモノ又はジエポキシ化合
物が挙げられる。
通常上記の光硬化性樹脂形成成分は、本発明の
方法に単独で用いると低粘度でべたつきが大きい
為に、取り扱いにくくまた加圧成型時のはみだし
が大きいので適当ではなく、通常上記の樹脂成分
と併用し、両者の混合物の粘度を少なくとも常温
において2000ポイズ以上とすることが好ましい。
上記の樹脂成分、光硬化性樹脂形成成分に併用さ
れる光増感剤としては、公知の紫外線で活性化す
る光増感剤を用いることが出来、大別して(イ)紫外
線照射によつて遊離ラジカルを発生する光増感剤
(ロ)紫外線照射によつて、ルイス酸を発生する光増
感剤があり、(イ)に属する増感剤としては例えばベ
ンゾフエノン、クロルベンゾフエノン等のベンゾ
フエノン類、エチルアントラキシノン等のアント
ラキノン類、ベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テルベンゾインエチルエテール、ベンゾインイソ
ブチルエーテール等のベンゾイン類、ジエトキシ
アセトフエノン、ジヒドロキシアセトフエノン等
のアセトフエノン類、クロルチオキサントン等の
チオキサントン類、及びベンジルケタール類等が
挙げられ、(ロ)に属する増感剤としては例えば弗化
硼素イオン、弗化燐イオン等のルイス酸のジアゾ
ニウム塩、スルフオニウム塩、ヨウドニウム塩等
がある。光増感剤の使用割合は、通常上記の樹脂
成分及び樹脂形成成分の合計量に対し1〜5重量
%であることが好ましい。
更に本発明の光硬化性被覆層の成分として、ス
タンパーとの離型性を改良する例えばシリコン、
ワツクス、脂肪酸金属塩等の離型性助剤や、プラ
スチツク又はガラス板との密着性を改良する例え
ばシランカツプリング剤、りん酸エステル、チタ
ンカツプリング剤等の密着性改良助剤、光硬化反
応を促進する例えば第3級アミン等の反応促進
剤、可塑剤或いは酸化防止剤等の助剤を本発明の
目的を達成を阻害しない範囲で添加使用してもさ
しつかえない。
上記の如き成分によつて構成される本発明に用
いる光硬化性被覆層は紫外線等の照射によつて硬
化した後、プラスチツク又はガラス面からレーザ
ー光をあて記録の再成を行う場合には、光を透過
させる必要があるので複数の成分を用いる場合に
は、相互の相容性を配慮して組合せ使用すること
が必要であり又、光硬化した光硬化性被覆層の屈
折率は、常温で1.4〜1.6であることが好ましく、
使用されるプラスチツク又はガラス板との屈折率
差が0.05以下であることが特に好ましい。
本発明に於いて光硬化性被覆層を形成する材料
を希釈する場合に用いる有機溶剤又は水はこれら
の材料をよく溶解し、また塗布後の蒸発除去が容
易なものであればよく、上記材料やプラスチツク
板の種類に応じて選択されるが、代表的例とし
て、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、ヘ
キサン、ペンタン、シクロヘキサン等の炭化水素
類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、エ
タノール、イソプロパノール、ブタノール、ジア
セトンアルコール、シクロヘキサノール等のアル
コール類、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、イソホロン、シクロヘキサノン等のケ
トン類、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、アセテート等
のグリコールエーテル類又はそのエステル類、ジ
メチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジ
メチルアセトアミド等の含窒素溶剤等の有機溶剤
及び水等を挙げることができ、この1種又は2種
以上の混合物を用いる。
紫外線の照射は、通常50〜200W/cmの高圧水
銀燈、メタルハライドランプ等のランプを用い1
分以内の短時間の照射によつて光硬化を完了する
ことが出来、スタンパーから脱型することによつ
て情報記録用の複製デイスクの成型は完了する。
更に通常、光硬化性被覆層上にアルミニウム等の
金属の真空蒸着、スタツパリング又はイオンプレ
ーテイング等によつてレーザー光の金属蒸着反射
層を形成し、金属蒸着反射層に保護用の塗装等を
施して片面盤を形成するか、この片面盤のプラス
チツク又はガラス面を接着剤等ではりあわせ両面
盤とするか、或いは蒸着面側同士を接着剤等では
りあわせて両面盤とするかして情報記録用の複製
デイスクは製造される。すなわち、本発明の情報
記録用複製デイスクの製法は、プラスチツク又は
ガラス板面側からレーザー光あて記録の再生を行
う場合にも、又金属蒸着層面側からレーザー光線
をあて記録を再生を行う場合にも有用である。
このようにして製造された複製デイスクは、ビ
デオ用、オーデイオ用及びコンピユーター等の記
録保管用に極めて有用である。
以下に本発明の代表的な実施例を示す。
実施例 1 厚さ1.0mmの透明なメタクリル樹脂板上に、メ
タクリル酸メチル70重量%、アクリル酸エチル30
重量%からる共重合体70重量部、トリメチロール
プロパントリメタクリレート30重量部及びベンゾ
インエチルエーテル重量部を溶剤としてエチレン
グリコールモノエチルエーテル100重量部に溶解
し、リバースロールコーターで塗布し80℃で30分
乾燥して溶剤を蒸発除去せしめ厚み10μの光硬化
性被覆層を形成した。この光硬化性被覆層は、常
温における粘度が3000ポイズで且つ常温において
やや粘着性及び可塑性を示した。
次に光硬化性被覆層を、ニツケル製の微細な凹
凸を有するスタンパーに圧着し、50Kg/cm2のプレ
ス圧を30秒間加え、解圧後100W/cmの出力を有
する高圧水銀燈下を毎分1mのスピードで通過さ
せて、メタクリル樹脂板面から紫外線を照射し光
硬化性被覆層の硬化を行い、次いで脱型した。次
にアルミニウム真空蒸着装置を用い光硬化性被覆
層に蒸着を行つて反射層を形成し、更にアルミニ
ウム蒸着面にアクリルラツカーを塗布し乾燥して
情報記録用複製デイスクを製造した。このように
して製造された複製デイスクはスタンパーの凹凸
の転写が良好でシヤープなピツトを形成し、ビデ
オデイスクとして良好な画像が得られた。
実施例 2 下記に示す光硬化性被覆層の形成を除き、実施
例1と同様にして情報記録用複製デイスクを製造
した。
光硬化性被覆層の形成は、フマール酸3モル、
無水フタル酸1モル及びプロピレングリコール4
モルを縮合して得られた不飽和ポリエステル樹脂
80重量部とジアリルフタレート20重量部、ベンゾ
フエノン2重量部及び光硬化反応の促進剤として
ジメチルベンジルアミン0.5重量部を100重量部の
トルエンに溶解して、実施例1に用いたと同様の
メタクリル樹脂板の上に同様に塗布、乾燥して行
つた。この光硬化性被覆層は、常温における粘度
が2200ポイズで且つ常温においてやや粘着性及び
可塑性を示した。
このようにして製造された複製デイスクは、原
盤の凹凸の転写が良好でシヤープなピツトを形成
し、ビデオデイスクとして良好な画像が得られ
た。
実施例 3 下記の示す光硬化性被覆層の形成を除き、実施
例1と同様にして情報記録用複製デイスクを製造
した。
光硬化性被覆層の形成は、トリメチロールプロ
パン1モル、分子量1000のポリカプロラクトン1
モル及びイソホロンジイソシアネート4モル及び
ヒドロキシエチルアクリレート4モルを重縮合し
てなる末端に二重結合を有するポリウレタン樹脂
の40重量%、酢酸エチル溶液250重量部にメチル
アントラキシノン3重量部を加え溶解し、実施例
1に用いたと同様のメタクリル樹脂板の上に同様
に塗布、乾燥して行つた。この光硬化性被覆層
は、常温における粘度が2500ポイズで且つ常温に
おいてややべたつきのある可塑性を示した。
このようにして製造された複製デイスクは、原
盤の凹凸の転写が良好でシヤープなピツトを形成
し、ビデオデイスクとして良好な画像が得られ
た。
実施例 4 実施例1に用いた透明なメタクリル樹脂板の代
りに、厚さ1.0mmの塩化ビニル・酢酸ビニル共重
合樹脂の透明板を用い、下記に示す光硬化性被覆
層を用い情報記録用複製デイスクを製造した。
光硬化性被覆層は、塩化ビニル80重量%と酢酸
ビニル20重量%の共重合樹脂40重量部とメタクリ
ル酸メチル30重量%、アクリル酸エチル50重量%
及びメタクリル酸グリシジル20重量%を共重合し
てなるエポキシ基含有アクリル樹脂30重量部とビ
スフエノールAジグリシジルエーテル30重量部及
び三弗化硼素・アリルジアゾニウム3重量部、メ
チルエチルケトン75重量部とエチレングリコール
モノエチルエーテルアセテート75重量部の混合溶
剤に溶解し、上記透明板上に実施例1と同様にし
て塗布、乾燥し、厚み15μの光硬化性被覆層を得
た。この光硬化性被覆層は、常温における粘度が
3500ポイズで且つ常温では殆ど粘着性を示さなか
つたが、60℃に加温すると粘着性を示した。この
光硬化性被覆層を、ニツケル製のスタンパーに圧
着し60℃に加温して50Kg/cm2のプレス圧を30秒間
加え、以後実施例1と全く同様にして情報記録用
複製デイスクを得た。このようにして製造された
複製デイスクは原盤の凹凸の転写が良好でシヤー
プなピツトを形成しビデオデイスクとして良好な
画像を与た。
実施例 5 実施例1に用いた透明なメタクリル樹脂板の代
りに、厚さ1.0mmの透明なポリカーボネート樹脂
板を用い、下記に示す光硬化性被覆層を用い実施
例1と同様にして情報記録用複製デイスクを製造
した。光硬化性被覆層は、ヒドロキシル基末端の
ポリエステル樹脂とチオグリコール酸のエステル
化反応によつて得られるチオール基を有する軟化
点70℃のポリエステル樹脂70重量部、ジアリリデ
ンペンタエリスリツト15重量部、トリアリルイソ
シアヌレート15重量部及びジエトキシアセトフエ
ノン2重量部をエチレングリコールモノエチルエ
ーテル100重量部に溶解し、上記のポリカーボネ
ート樹脂板に実施例1と同様に塗布、乾燥して形
成した。この光硬化性被覆層は、常温における粘
度が2300ポイズで且つ常温においてやや粘着性及
び可塑性を示した。以後実施例1と全く同様にし
て情報記録用複製デイスクを製造した。このよう
にして製造された情報記録用複製デイスクは、原
盤の凹凸の転写が良好でシヤープなピツトを形成
し、ビデオデイスクとして良好な画像を与えた。
なお、実施例1〜5で得られた複製デイスクは
光硬化性被覆層を形成する材料のはみだしは全く
観察されなかつた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 プラスチツク又はガラス板上に、常温におけ
    る粘度が2000ポイズ以上で且つ常温又は100℃以
    下で可塑性を有する光硬化性被覆層を形成し、光
    硬化性被覆層を、微細な凹凸の刻まれたスタンパ
    ーに重ね合わせて加圧成型し、プラスチツク又は
    ガラス板面から紫外線を照射して該被覆層を硬化
    させた後スタンパーを脱型することを特徴とする
    情報記録用複製デイスクの製造法。
JP14934580A 1980-10-27 1980-10-27 Production of duplicate disk for information recording Granted JPS5772823A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14934580A JPS5772823A (en) 1980-10-27 1980-10-27 Production of duplicate disk for information recording

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JP14934580A JPS5772823A (en) 1980-10-27 1980-10-27 Production of duplicate disk for information recording

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JPS5772823A JPS5772823A (en) 1982-05-07
JPH0314614B2 true JPH0314614B2 (ja) 1991-02-27

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