JPH03150392A - 金属被覆ポリイミド複合物の調製方法 - Google Patents
金属被覆ポリイミド複合物の調製方法Info
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- JPH03150392A JPH03150392A JP2233473A JP23347390A JPH03150392A JP H03150392 A JPH03150392 A JP H03150392A JP 2233473 A JP2233473 A JP 2233473A JP 23347390 A JP23347390 A JP 23347390A JP H03150392 A JPH03150392 A JP H03150392A
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- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
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- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の背景）
この発明は金属被覆ポリイミド複合物の調製方法に関す
る。更に詳しくは、表面品質並びにポリイミド基板とそ
の上にメッキされた金属との間の付着性が改良された金
属被覆ポリイミド複合物の調製方法に関する。
る。更に詳しくは、表面品質並びにポリイミド基板とそ
の上にメッキされた金属との間の付着性が改良された金
属被覆ポリイミド複合物の調製方法に関する。
印刷回路基板は所望の電子回路を製作するために相互に
連結した電子部品を搭載する場合に支配的なベヒクルと
なった。この印刷回路基板は通常、充填または非充填の
各種の合成物質から構成された絶縁基板より成る。基板
には、その片面または両面に、導電性通路として作用す
る薄い金属箔の模様が付けられている。通路あるいはｒ
軌跡Ｊは通常、銅、パラジウム、ニッケルあるいは金の
ような導電性金属で構成されている。その軌跡は共同し
て基板上の構成部分間の総ての電気的結合を決定し適当
な部位間の通路となっている。
連結した電子部品を搭載する場合に支配的なベヒクルと
なった。この印刷回路基板は通常、充填または非充填の
各種の合成物質から構成された絶縁基板より成る。基板
には、その片面または両面に、導電性通路として作用す
る薄い金属箔の模様が付けられている。通路あるいはｒ
軌跡Ｊは通常、銅、パラジウム、ニッケルあるいは金の
ような導電性金属で構成されている。その軌跡は共同し
て基板上の構成部分間の総ての電気的結合を決定し適当
な部位間の通路となっている。
その強度、耐熱性、寸法安定性および容易な成型性の故
にポリイミドのような熱可塑性物質は特に印刷回路基板
に適している。しかし、ポリイミド基板に強固に付着す
る金属軌跡を設けることは容易ではない。
にポリイミドのような熱可塑性物質は特に印刷回路基板
に適している。しかし、ポリイミド基板に強固に付着す
る金属軌跡を設けることは容易ではない。
印刷回路、即ちメッキされた金属の通路は、その後の製
作工程あるいは回路板の使用中に損傷を受けたり基板か
ら剥離したりすることがある。
作工程あるいは回路板の使用中に損傷を受けたり基板か
ら剥離したりすることがある。
ポリイミド基板への導電性金属軌跡の付着を増進するに
は幾つかの方法がある。付着は一定の条件下で基板から
その軌跡を剥離するに要する力、即ちｒ剥離強度」とし
て一般に測定される。前記の方法のあるものは、金属層
被覆工程に先立って、例えば、化学的あるいは機械的に
ポリイミド表面を荒らくしてポリイミド表面を改質する
ことに焦点を合わせ、他の方法はポリイミド表面を付着
向上化合物で処理することに焦点を合わせている。
は幾つかの方法がある。付着は一定の条件下で基板から
その軌跡を剥離するに要する力、即ちｒ剥離強度」とし
て一般に測定される。前記の方法のあるものは、金属層
被覆工程に先立って、例えば、化学的あるいは機械的に
ポリイミド表面を荒らくしてポリイミド表面を改質する
ことに焦点を合わせ、他の方法はポリイミド表面を付着
向上化合物で処理することに焦点を合わせている。
しかし、後に続く加工のために、金属層がポリイミド基
板に優れた付着力を有するのみならず、平滑で光輝性の
外観を持たねばならないことがわかった。
板に優れた付着力を有するのみならず、平滑で光輝性の
外観を持たねばならないことがわかった。
従って、金属層の表面外観並びに金属層とポリイミド表
面間の付着を改良する方法が要望されている。
面間の付着を改良する方法が要望されている。
この種の方法は、係属中でＦｏｕｓｔ等の特許出願第２
０７．４６２号に開示されている。この方法では、ポリ
イミド−金属複合物は改良された表面特性並びに無電解
メッキ金属層表面とポリイミド表面との間に改良された
付着性が付与されるがその無電解メッキ金属層は二種の
異なる電解メッキ金属層によって付設される。電解メッ
キされる電解浴は共に業界で知られた通常の浴である。
０７．４６２号に開示されている。この方法では、ポリ
イミド−金属複合物は改良された表面特性並びに無電解
メッキ金属層表面とポリイミド表面との間に改良された
付着性が付与されるがその無電解メッキ金属層は二種の
異なる電解メッキ金属層によって付設される。電解メッ
キされる電解浴は共に業界で知られた通常の浴である。
無電解メッキ金属層の表面に配置されていて光沢剤や平
滑剤のような化学的添加剤を含存しない第一金属層は、
金属−プラスチック間の付着を向上させるが粗くて光沢
のない仕上がりを残した。第一電解メツキ金属層の表面
に配置されていて添加剤を含有する第二金属層は、無電
解メッキ金属−プラスチック間の付着に影響を与えるこ
となく平滑で光沢のある外観を提供した。Ｐｏｕｓｔら
による発見は、第一電解メツキ金属層中に添加剤が存在
するとポリイミド表面と無電解メッキ金属層との間の付
着水準が低くなり、一方、第一電解メツキ金属層から添
加剤は除去されているのでポリイミド表面と無電解メッ
キ金属層との間の付着水準がずば抜けて高い結果をもた
らすことである。
滑剤のような化学的添加剤を含存しない第一金属層は、
金属−プラスチック間の付着を向上させるが粗くて光沢
のない仕上がりを残した。第一電解メツキ金属層の表面
に配置されていて添加剤を含有する第二金属層は、無電
解メッキ金属−プラスチック間の付着に影響を与えるこ
となく平滑で光沢のある外観を提供した。Ｐｏｕｓｔら
による発見は、第一電解メツキ金属層中に添加剤が存在
するとポリイミド表面と無電解メッキ金属層との間の付
着水準が低くなり、一方、第一電解メツキ金属層から添
加剤は除去されているのでポリイミド表面と無電解メッ
キ金属層との間の付着水準がずば抜けて高い結果をもた
らすことである。
上記のＰｏｕｓｔ等の特許出願で、金属−プラスチック
間の良好な付着性と所望の表面特性は得られたが、これ
らの特性を一個の電解浴によって達成することが望まし
いであろう。
間の良好な付着性と所望の表面特性は得られたが、これ
らの特性を一個の電解浴によって達成することが望まし
いであろう。
（発明の要約）
本発明は、ポリイミド基体の上に配置され且つ化学的に
結合されている無電解メッキ金属層の上に電解メッキに
より金属層を付設するに際して、この金属層が電着され
る電解浴が下記の組成からなる金属被覆ポリイミド複合
物の調製方法を提供する。
結合されている無電解メッキ金属層の上に電解メッキに
より金属層を付設するに際して、この金属層が電着され
る電解浴が下記の組成からなる金属被覆ポリイミド複合
物の調製方法を提供する。
Ａ．リットル当たり約５０乃至約２７５グラムの水性酸
性金属電解質、 Ｂ．リットル当たり約３０乃至約１２０グラムの強酸、 Ｃ，約２０乃至約５００ ｐｐｍのハライドイオンおよ
び り、有機平滑剤、有機光沢剤またはその混合物を含んで
成る少なくとも一種の有機系化学添加剤の約０．５乃至
約６容量％。
性金属電解質、 Ｂ．リットル当たり約３０乃至約１２０グラムの強酸、 Ｃ，約２０乃至約５００ ｐｐｍのハライドイオンおよ
び り、有機平滑剤、有機光沢剤またはその混合物を含んで
成る少なくとも一種の有機系化学添加剤の約０．５乃至
約６容量％。
本発明で調製される金属被覆ポリイミド複合物の表面は
、平滑な仕上がりと光輝性の外観並びにポリイミド表面
への高水準の付着性によって特徴づけられる。
、平滑な仕上がりと光輝性の外観並びにポリイミド表面
への高水準の付着性によって特徴づけられる。
本発明は更に、上記の方法で調製される金属被覆ポリイ
ミド複合物並びにその金属被覆ポリイミド複合物より成
る物品、例えば、印刷回路基板を含む。
ミド複合物並びにその金属被覆ポリイミド複合物より成
る物品、例えば、印刷回路基板を含む。
本発明は、無電解メッキ金属層のポリイミド表面への付
着は電解金属メッキ浴の無機質組成に依存するとの発見
に基づいている。本発明は、浴が特定の無機質配合物を
持てば電解金属メッキ浴に有機質化学添加剤が存在して
も無電解メッキ金属層−ポリイミド間の付着に影響を及
ぼさないという発見に基づいている。このようにして、
金属層−ポリイミド間の改良された付着と優れた金属表
面特性は、浴が特定の無機質配合物を持つ場合に一個の
電解浴の使用によって得ることができる。
着は電解金属メッキ浴の無機質組成に依存するとの発見
に基づいている。本発明は、浴が特定の無機質配合物を
持てば電解金属メッキ浴に有機質化学添加剤が存在して
も無電解メッキ金属層−ポリイミド間の付着に影響を及
ぼさないという発見に基づいている。このようにして、
金属層−ポリイミド間の改良された付着と優れた金属表
面特性は、浴が特定の無機質配合物を持つ場合に一個の
電解浴の使用によって得ることができる。
（発明の詳細な記ｍ）
本発明は、金属層が平滑な仕上がりと光輝性の外観並び
にポリイミド表面への優れた付着性によって特徴づけら
れている金属被覆ポリイミド複合物の調製方法に関する
。
にポリイミド表面への優れた付着性によって特徴づけら
れている金属被覆ポリイミド複合物の調製方法に関する
。
本発明における所望の性質の達成は、電解金属メッキ浴
の無機質組成、即ち「無機質母材Ｊに依存する。本明細
書中でのｒ無機質母材」という語は、有機質光沢剤や平
滑剤を含まない電解質酸性金属浴を言う。
の無機質組成、即ち「無機質母材Ｊに依存する。本明細
書中でのｒ無機質母材」という語は、有機質光沢剤や平
滑剤を含まない電解質酸性金属浴を言う。
本発明における電解および無電解金属層を形成するのに
用いられる例示的な金属は銅、パラジウム、ニッケルあ
るいは金を含む。銅は印刷回路を形成する際に好んで選
ばれる金属である。
用いられる例示的な金属は銅、パラジウム、ニッケルあ
るいは金を含む。銅は印刷回路を形成する際に好んで選
ばれる金属である。
電解金属メッキ浴は業界に知られ、例えば、米国特許第
４．５５５，３１５号に記載されている。
４．５５５，３１５号に記載されている。
銅および各種の他の金属メッキに対する浴の記載はＨｒ
ｋ−Ｏｔｈｓｅｒの化学技術百科事典第三版第８巻８２
６ページ以降にある。無電解メッキ金属層の上に銅層を
被覆するのに使用される浴は、酸性硫酸銅や酸性フルオ
ロはう酸銅型のような水性酸性銅電解質、クロライドお
よび／またはブロマイドイオンのようなハライドイオン
、および業界で知られた他の各種の成分を含む。電解メ
ッキ金属層の厚みは金属被覆基板の望みの最終用途によ
って決まることになる。
ｋ−Ｏｔｈｓｅｒの化学技術百科事典第三版第８巻８２
６ページ以降にある。無電解メッキ金属層の上に銅層を
被覆するのに使用される浴は、酸性硫酸銅や酸性フルオ
ロはう酸銅型のような水性酸性銅電解質、クロライドお
よび／またはブロマイドイオンのようなハライドイオン
、および業界で知られた他の各種の成分を含む。電解メ
ッキ金属層の厚みは金属被覆基板の望みの最終用途によ
って決まることになる。
電解メッキ金属層は模様の形であってもよい。
代表的な模様づけ方法は、米国特許第３，５６２゜ＯＯ
ｓ号に記載されている。
ｓ号に記載されている。
特定の浴内容物は基板として用いみれる特定のプラスチ
ックおよびその上にメッキされる特定の金属によって決
まる。本発明で使用される電解メッキ洛中に存在する化
合物は上記した通常の電解メッキ浴中で使用される物で
あっても、電解メッキ浴中に存在するこれらの化合物の
量は本発明にとって極めて重要である。
ックおよびその上にメッキされる特定の金属によって決
まる。本発明で使用される電解メッキ洛中に存在する化
合物は上記した通常の電解メッキ浴中で使用される物で
あっても、電解メッキ浴中に存在するこれらの化合物の
量は本発明にとって極めて重要である。
従って、本発明で使用される電解メッキ浴は、リフトル
当たり約５０乃至約２７５、好ましくは、約１００乃至
約１７５グラムの水性酸性金属電解質、リットル当たり
約３０乃至約１２Ｄ．好ましくは、約４０乃至約１００
グラムの強酸、約２０乃至約５０Ｄ．好ましくは、約５
０乃至約５００ｐｐｌのハライドイオンおよび約０．
５乃至約６容量％、好ましくは、約２乃至約４％の化学
添加剤を含む。
当たり約５０乃至約２７５、好ましくは、約１００乃至
約１７５グラムの水性酸性金属電解質、リットル当たり
約３０乃至約１２Ｄ．好ましくは、約４０乃至約１００
グラムの強酸、約２０乃至約５０Ｄ．好ましくは、約５
０乃至約５００ｐｐｌのハライドイオンおよび約０．
５乃至約６容量％、好ましくは、約２乃至約４％の化学
添加剤を含む。
適当な水性酸性銅電解質には、硫酸銅、フルオロはう酸
鋼、塩化鋼、硝酸銅等が含まれるが硫酸鋼が好まれる。
鋼、塩化鋼、硝酸銅等が含まれるが硫酸鋼が好まれる。
上記の浴で使用される酸は最高の電導性が出るように高
いイオン解離定数を持つ。
いイオン解離定数を持つ。
適当な強酸の例には、硫酸、塩酸、硝酸、フルオロはう
酸、スルファミン酸等が含まれるが硫酸が好まれる。
酸、スルファミン酸等が含まれるが硫酸が好まれる。
適当なハライドイオンの例には、ブロマイドおよびクロ
ライドイオン等が含まれるがクロライドイオンが好まれ
る。一般にクロライドイオンは塩酸の形で供給される。
ライドイオン等が含まれるがクロライドイオンが好まれ
る。一般にクロライドイオンは塩酸の形で供給される。
光沢剤と平滑剤を含有する適当な有機質化学添加剤は業
界で知られ、例えば、Ｊａｍｅｓ Ｍ、Ｍａｒｇｏｌｌ
ｓによって編集され１９８６年にＩｌａｎｓｅｒ社出版
の「プラスチックの装飾Ｊ 、 Ｊ、Ｄ−Ｒｅ１ｄとＡ
、Ｐ、Ｄａｖｌｄによってｒメッキと表面仕上げＪ １
９ｇ７年１月号６ ローフ ０ページに、Ｐｒｅｄｅｒ
ｌｃｋ Ａ、Ｌｏｗｅｎｈｅ１ｍ編集Ｊｏｈｎ Ｖｉｌ
ｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎ社出版のｒ新しい電気メッキｊ
、 Ｄ、Ｍｏｒｒｉｓｓｅｙ等によるドイツ国出願第３
゜７２１．９８５号および英国出願第ＧＢ２，１２３．
０３６Ａ号に記載されている。
界で知られ、例えば、Ｊａｍｅｓ Ｍ、Ｍａｒｇｏｌｌ
ｓによって編集され１９８６年にＩｌａｎｓｅｒ社出版
の「プラスチックの装飾Ｊ 、 Ｊ、Ｄ−Ｒｅ１ｄとＡ
、Ｐ、Ｄａｖｌｄによってｒメッキと表面仕上げＪ １
９ｇ７年１月号６ ローフ ０ページに、Ｐｒｅｄｅｒ
ｌｃｋ Ａ、Ｌｏｗｅｎｈｅ１ｍ編集Ｊｏｈｎ Ｖｉｌ
ｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎ社出版のｒ新しい電気メッキｊ
、 Ｄ、Ｍｏｒｒｉｓｓｅｙ等によるドイツ国出願第３
゜７２１．９８５号および英国出願第ＧＢ２，１２３．
０３６Ａ号に記載されている。
そのうちのある種は平滑剤としても作用し得る光沢剤の
非制限的な例は、有機ジスルフィド化合物、例えば、芳
香族、複素環式および脂肪族ジスルフィド化合物、芳香
族スルホン酸、例えば、ベンゼンスルホン酸、１．３．
６−ナフタリンスルホン酸等、芳香族スルホンアミド、
例えば、ｐ−トルエンスルホンアミド、芳香族スルホン
イミド、例えば、０−ペンシイフクスルホンアミド（サ
ッカリン）等、複素環式スルホン酸、例えば、チオフェ
ン−２−スルホン酸等、芳香族スルフィン酸、例えばベ
ンゼンスルフィン酸等およびエチレン性脂肪族スルホン
酸、例えば、アリルスルホン酸等を含む。
非制限的な例は、有機ジスルフィド化合物、例えば、芳
香族、複素環式および脂肪族ジスルフィド化合物、芳香
族スルホン酸、例えば、ベンゼンスルホン酸、１．３．
６−ナフタリンスルホン酸等、芳香族スルホンアミド、
例えば、ｐ−トルエンスルホンアミド、芳香族スルホン
イミド、例えば、０−ペンシイフクスルホンアミド（サ
ッカリン）等、複素環式スルホン酸、例えば、チオフェ
ン−２−スルホン酸等、芳香族スルフィン酸、例えばベ
ンゼンスルフィン酸等およびエチレン性脂肪族スルホン
酸、例えば、アリルスルホン酸等を含む。
適当な平滑剤の非制限的な例はポリオルガノオキシドお
よび米国特許第４．８１０．３３３号に記載されている
ものを含み、その中には、多重オキシエチレン基を含有
する化合物、例えば約２０乃至約１５０の繰り返し単位
を持つポリオキシエチレン重合体やポリオキシエチレン
とポリオキシプロピレンとのブロック共重合体のような
界面活性水溶性有機化合物が含まれる。ポリエチレング
リコールもまた適当な平滑剤である。
よび米国特許第４．８１０．３３３号に記載されている
ものを含み、その中には、多重オキシエチレン基を含有
する化合物、例えば約２０乃至約１５０の繰り返し単位
を持つポリオキシエチレン重合体やポリオキシエチレン
とポリオキシプロピレンとのブロック共重合体のような
界面活性水溶性有機化合物が含まれる。ポリエチレング
リコールもまた適当な平滑剤である。
本発明の目的には、成分りは好ましくは下記のいずれか
一つである： （１）銅光輝ＰＣＭプラス、Ｌｅａ Ｒｏｎａ１社から
得られジスルフィド化合物光沢剤とポリオルガノオキシ
ド平滑剤の混合物を含む： （２）ＰＣ光輝、Ｌｅａ Ｒｏｎａ１社の製品でジスル
フィド化合物光沢剤とポリオルガノオキシド平滑剤の混
合物を含む： （３）ＰＣ６６７、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｃｍｉｃａｌｓ
社から得られ有機染料系を含む： （４） Ｐｌｕｒｏｎｌｅ■Ｌ３１ 、 ＢＡＳＰ社の
製品でポリオルガノオキシドを平滑剤として含む。
一つである： （１）銅光輝ＰＣＭプラス、Ｌｅａ Ｒｏｎａ１社から
得られジスルフィド化合物光沢剤とポリオルガノオキシ
ド平滑剤の混合物を含む： （２）ＰＣ光輝、Ｌｅａ Ｒｏｎａ１社の製品でジスル
フィド化合物光沢剤とポリオルガノオキシド平滑剤の混
合物を含む： （３）ＰＣ６６７、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｃｍｉｃａｌｓ
社から得られ有機染料系を含む： （４） Ｐｌｕｒｏｎｌｅ■Ｌ３１ 、 ＢＡＳＰ社の
製品でポリオルガノオキシドを平滑剤として含む。
他の化学添加剤の例は、応力軽減剤、減極剤、メッキ抑
制剤、湿潤剤並びに硬化、粒子精砕、樹枝状物低減およ
び電流密度制限の目的で使用される助剤である。従って
、本明細書中で使用される「有機化学添加剤」という語
は上記の助剤のいずれをも含む意図のものである。
制剤、湿潤剤並びに硬化、粒子精砕、樹枝状物低減およ
び電流密度制限の目的で使用される助剤である。従って
、本明細書中で使用される「有機化学添加剤」という語
は上記の助剤のいずれをも含む意図のものである。
本発明のメッキの対像として特定のポリイミド物質の選
択は特に重要ではな°い。ポリイミドは業界によく知ら
れ、例えば、Ｋｌｒｋ−Ｏｔｈｓｅｒの化学技術百科事
典第三版第１８巻に記載されている。特に好まれるポリ
イミドは普通「ポリエーテルイミドＪと称されているも
ので、（２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシ）−フェニル］プロパンニ酸無水物とフェニル
ジアミンとの反応によって形成されるものである。ポリ
エーテルイミドとその調製方法の例は、例えばそれぞれ
Ｖ１１１ａａ＋ｓ、ＩＩ［等とＢｏｌｏｎ等に付与され
た米国特許第３．９８３，０９３号と第４．３６０，６
３３号に記載されている。
択は特に重要ではな°い。ポリイミドは業界によく知ら
れ、例えば、Ｋｌｒｋ−Ｏｔｈｓｅｒの化学技術百科事
典第三版第１８巻に記載されている。特に好まれるポリ
イミドは普通「ポリエーテルイミドＪと称されているも
ので、（２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシ）−フェニル］プロパンニ酸無水物とフェニル
ジアミンとの反応によって形成されるものである。ポリ
エーテルイミドとその調製方法の例は、例えばそれぞれ
Ｖ１１１ａａ＋ｓ、ＩＩ［等とＢｏｌｏｎ等に付与され
た米国特許第３．９８３，０９３号と第４．３６０，６
３３号に記載されている。
ポリイミドは業界に周知の充填剤や補強剤を各種の量で
含有してもよい。例示的な充填剤と補強剤は米国特許第
４，５２５，５０８号に記載されている。これらの物質
は、タルク、マイカ、アルミニウムシリケート（クレー
）、酸化亜鉛、カルシウムメタフォスフェート、二酸化
チタン、カーボンブラック、フランクリナイト、沈降ま
たは天然炭酸カルシウム、ガラス繊維、ガラス球、シリ
コーン−ポリイミド共重合体、炭素繊維等並びにその混
合物を含む。
含有してもよい。例示的な充填剤と補強剤は米国特許第
４，５２５，５０８号に記載されている。これらの物質
は、タルク、マイカ、アルミニウムシリケート（クレー
）、酸化亜鉛、カルシウムメタフォスフェート、二酸化
チタン、カーボンブラック、フランクリナイト、沈降ま
たは天然炭酸カルシウム、ガラス繊維、ガラス球、シリ
コーン−ポリイミド共重合体、炭素繊維等並びにその混
合物を含む。
これらのポリイミドは、当然、顔料、紫外線吸収剤、衝
撃性改質剤、可塑剤、酸化防止剤、安定剤、加工助剤、
帯電防止剤等のような各種の他の添加剤を含有してもよ
い。
撃性改質剤、可塑剤、酸化防止剤、安定剤、加工助剤、
帯電防止剤等のような各種の他の添加剤を含有してもよ
い。
本発明の基板は各種の形態であってよい。例えば、基板
は、平坦部あるいは各種の凹部、凸部と接続穴をも含め
た曲面を持った印刷回路基板であってよい：そして二個
またはそれ以上の分離したポリイミド層、例えば多層印
刷回路基板を構成してもよい。
は、平坦部あるいは各種の凹部、凸部と接続穴をも含め
た曲面を持った印刷回路基板であってよい：そして二個
またはそれ以上の分離したポリイミド層、例えば多層印
刷回路基板を構成してもよい。
ポリイミド表面は何らかの工程が行われる前に脱脂すべ
きである。「脱脂」という語は、ポリイミド表面が油、
成型コンパウンド、指紋や異種物質を含まない表面を持
つことを意味する。各種の脱脂剤が使用されてよいが、
それらは、ポリイミド表面を劣化してはならない。適当
な脱脂剤には、ＳｈＩｐｌａｙ社から得られるＳｈ１ｐ
ｌａｙ酸クリーナー１１１ｇとＳｈＩｐｌａｙクリーナ
ー−コンディショナー１１ フ ５ Ａ％ＭａｃＤｅｒ
ｍｉｄ社の製品であるＭｅｔｅｘ ９６７２、およびＩ
ｎｔｅｒｎａｔｌｏｎａｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社から得
られるＭＩｃｒｏｄｅｔｅｒｇｅｎｔのような洗剤が含
まれる。
きである。「脱脂」という語は、ポリイミド表面が油、
成型コンパウンド、指紋や異種物質を含まない表面を持
つことを意味する。各種の脱脂剤が使用されてよいが、
それらは、ポリイミド表面を劣化してはならない。適当
な脱脂剤には、ＳｈＩｐｌａｙ社から得られるＳｈ１ｐ
ｌａｙ酸クリーナー１１１ｇとＳｈＩｐｌａｙクリーナ
ー−コンディショナー１１ フ ５ Ａ％ＭａｃＤｅｒ
ｍｉｄ社の製品であるＭｅｔｅｘ ９６７２、およびＩ
ｎｔｅｒｎａｔｌｏｎａｌ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社から得
られるＭＩｃｒｏｄｅｔｅｒｇｅｎｔのような洗剤が含
まれる。
他の適当な洗剤には１．１．２−トリクロロ−１゜２．
２−トリフルオロエタンおよび１．１．２−トリクロロ
−１，２，２−トリフルオロエタンとアセトンまたはメ
タノールおよびニドリメタンとの混合物のような八ロハ
イド口カーボン系フレオン■溶剤が含まれる。上記した
洗剤の一種が使用される場合には、基板は下記のエッチ
ング剤、特に硫酸と接触する前に完全に乾燥しているこ
とが肝要である。残留する水は硫酸の濃度を低下させる
。加えて、ポリイミド表面の水滴は、硫酸とプラスチッ
クとの反応を阻害して、油脂残留物のように作用するで
あろう。その両方の場合、付着性は低下する。
２−トリフルオロエタンおよび１．１．２−トリクロロ
−１，２，２−トリフルオロエタンとアセトンまたはメ
タノールおよびニドリメタンとの混合物のような八ロハ
イド口カーボン系フレオン■溶剤が含まれる。上記した
洗剤の一種が使用される場合には、基板は下記のエッチ
ング剤、特に硫酸と接触する前に完全に乾燥しているこ
とが肝要である。残留する水は硫酸の濃度を低下させる
。加えて、ポリイミド表面の水滴は、硫酸とプラスチッ
クとの反応を阻害して、油脂残留物のように作用するで
あろう。その両方の場合、付着性は低下する。
ポリイミド表面が脱脂されてから、ポリイミド表面は、
ポリイミド表面をその上に被覆される無電解メッキ金属
層に化学的に結合させる前処理の処置を受けなければな
らない。ポリイミド表面と無電解メッキ金属との間に化
学的に結合が形成される限り、前処理の方法は特に重要
ではない。適当なポリイミド表面前処理法は、例えば、
係属中のＦＯｕＳｔ等の特許出願第２０７．４６２号と
第３３１．７１５号およびＤｕ−ａＳ等に付与された米
国特許第４．７７５，４４９号に記載されている。
ポリイミド表面をその上に被覆される無電解メッキ金属
層に化学的に結合させる前処理の処置を受けなければな
らない。ポリイミド表面と無電解メッキ金属との間に化
学的に結合が形成される限り、前処理の方法は特に重要
ではない。適当なポリイミド表面前処理法は、例えば、
係属中のＦＯｕＳｔ等の特許出願第２０７．４６２号と
第３３１．７１５号およびＤｕ−ａＳ等に付与された米
国特許第４．７７５，４４９号に記載されている。
一般に、前処理は
（Ａ）ポリイミド表面を軽くエッチングしてその表面に
残留膜を形成し、 （Ｂ）エッチングしたポリイミド表面を塩基性溶液と接
触させ、 （Ｄ）軽いエッチング工程後にポリイミド表面に形成し
た残留膜を除去する工程から成る。
残留膜を形成し、 （Ｂ）エッチングしたポリイミド表面を塩基性溶液と接
触させ、 （Ｄ）軽いエッチング工程後にポリイミド表面に形成し
た残留膜を除去する工程から成る。
ポリイミド表面上の使用に適する軽いエッチング用化合
物の例には、硫酸、Ｎ、Ｎ−ジメチルフォルムアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ピリジン、テトラヒドロ
フランおよびメチレンクロライドが含まれる。
物の例には、硫酸、Ｎ、Ｎ−ジメチルフォルムアミド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ピリジン、テトラヒドロ
フランおよびメチレンクロライドが含まれる。
低価格と水との混合性の故に硫酸は好まれる軽いエッチ
ング化合物であり、この発明に対しては高い濃度、即ち
少なくとも約８５％で好んで使用される。
ング化合物であり、この発明に対しては高い濃度、即ち
少なくとも約８５％で好んで使用される。
軽いエッチング化合物での処理は約１５秒ないし約５分
間行われてよく、通常はその後で水洗する。軽いエッチ
ング化合物での処理中、ポリイミド表面上に各種の膜厚
の残留膜が形成される。その膜は水洗後にも表面上に残
る。その膜は、塩基性（即ちアルカリ）溶液で約３０秒
ないし約１゜分間処理されてよく、こうしてポリイミド
表面への付着性が低下するように残留膜が変性されると
思われる。適当な塩基性溶液には、カセイソーダ、カセ
イカリ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド並びに
その混合物のような塩基性化合物の０゜１モル（Ｍ）乃
至１０Ｍを水のような溶媒に溶かして形成される溶液が
含まれる。
間行われてよく、通常はその後で水洗する。軽いエッチ
ング化合物での処理中、ポリイミド表面上に各種の膜厚
の残留膜が形成される。その膜は水洗後にも表面上に残
る。その膜は、塩基性（即ちアルカリ）溶液で約３０秒
ないし約１゜分間処理されてよく、こうしてポリイミド
表面への付着性が低下するように残留膜が変性されると
思われる。適当な塩基性溶液には、カセイソーダ、カセ
イカリ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド並びに
その混合物のような塩基性化合物の０゜１モル（Ｍ）乃
至１０Ｍを水のような溶媒に溶かして形成される溶液が
含まれる。
表面が塩基性溶液で処理され水洗された後、取れ易くな
った残留膜を各種の既知の方法で除去する。残留膜、即
ち白い残留物の除去は、ポリイミド表面に対してこの後
で無電解メッキされる金属層の付着性を最適化するのに
必須である。上で引用したＤｕｍａｓ等に付与された米
国特許第４．７７５．４４９号によれば、取れ易くなっ
た残留膜はアルコールと上記したエッチング溶剤の内の
一種から成る溶剤で処理して除去され得るが、そのエッ
チング溶剤はアルコールと反応しないものでなければな
らない。例えば、硫酸はメタノールと反応するのでこの
工程で使用するには適当ではない。
った残留膜を各種の既知の方法で除去する。残留膜、即
ち白い残留物の除去は、ポリイミド表面に対してこの後
で無電解メッキされる金属層の付着性を最適化するのに
必須である。上で引用したＤｕｍａｓ等に付与された米
国特許第４．７７５．４４９号によれば、取れ易くなっ
た残留膜はアルコールと上記したエッチング溶剤の内の
一種から成る溶剤で処理して除去され得るが、そのエッ
チング溶剤はアルコールと反応しないものでなければな
らない。例えば、硫酸はメタノールと反応するのでこの
工程で使用するには適当ではない。
メタノールは取れ昌くなった残留膜を早く除去する能力
があるので好まれるアルコールである。Ｆ。
があるので好まれるアルコールである。Ｆ。
ｕｓｔ等の特許出願で第２０７．４６２号に開示された
方法では、残留膜はカチオン活性剤と接触させて除去さ
れる。この型の化合物の中央原子は、通常、窒素または
燐カチオンであり、しばしば一個またはそれ以上の有機
側鎖に結合するか、例えば４級アンモニウム塩、または
ピリジンのような有機複素環式系の部分である。
方法では、残留膜はカチオン活性剤と接触させて除去さ
れる。この型の化合物の中央原子は、通常、窒素または
燐カチオンであり、しばしば一個またはそれ以上の有機
側鎖に結合するか、例えば４級アンモニウム塩、または
ピリジンのような有機複素環式系の部分である。
好まれるカチオン活性剤は、セチルピリジニウムクロラ
イドモノハイドレート、セチルピリジニウムブロマイド
モノハイドレート、ドデシルトリメチルアンモニウムブ
ロマイドおよびヘキサデシルトリメチルアンモニウムブ
ロマイドである。コスト、入手性と効果の点でセチルピ
リジニウムクロライドモノハイドレートが最も好まれる
。
イドモノハイドレート、セチルピリジニウムブロマイド
モノハイドレート、ドデシルトリメチルアンモニウムブ
ロマイドおよびヘキサデシルトリメチルアンモニウムブ
ロマイドである。コスト、入手性と効果の点でセチルピ
リジニウムクロライドモノハイドレートが最も好まれる
。
Ｐｏｕｓｔ等の特許出願で第３３１．７１５号に記載さ
れていて、ポリイミド基板から取れ易くなった残留膜を
除去する好ましい方法ては、ボリイミードが塩基性溶液
で処理され水洗された後、基板はアルカリ金属の過マン
ガン酸塩の水溶液、そして随意にアルカリ金属の水酸化
物の水溶液に浸漬される。過マンガン酸塩の水溶液での
処理は、２５乃至８５℃の温度で２乃至２０分間行われ
るべきである。アルカリ金属の過マンガン酸塩には、好
ましくは過マンガン酸カリまたは過マンガン酸ナトリウ
ムが含まれる。
れていて、ポリイミド基板から取れ易くなった残留膜を
除去する好ましい方法ては、ボリイミードが塩基性溶液
で処理され水洗された後、基板はアルカリ金属の過マン
ガン酸塩の水溶液、そして随意にアルカリ金属の水酸化
物の水溶液に浸漬される。過マンガン酸塩の水溶液での
処理は、２５乃至８５℃の温度で２乃至２０分間行われ
るべきである。アルカリ金属の過マンガン酸塩には、好
ましくは過マンガン酸カリまたは過マンガン酸ナトリウ
ムが含まれる。
水洗の後、処理されたポリイミド基板からは白い残留物
は完全に除去されているものの、ポリイミド基板にマン
ガン酸化物が残留していることが分かる。そのマンガン
残留物は、ヒドロキシルアミンハイドロクロライドの水
溶液のような還元剤の浴にポリイミド基板浸漬する処理
をして容易に除去される。そのポリエーテルイミド基板
はそれから水洗し乾燥して、親水性になって化学的に変
化した表面を持つポリエーテルイミド基板にされ得る。
は完全に除去されているものの、ポリイミド基板にマン
ガン酸化物が残留していることが分かる。そのマンガン
残留物は、ヒドロキシルアミンハイドロクロライドの水
溶液のような還元剤の浴にポリイミド基板浸漬する処理
をして容易に除去される。そのポリエーテルイミド基板
はそれから水洗し乾燥して、親水性になって化学的に変
化した表面を持つポリエーテルイミド基板にされ得る。
変性された表面は、時間が経過した後であっても標準的
な方法で錫−パラジウムコロイドで活性化し銅のような
無電解メッキされる金属で金属被覆することが可能であ
る。チオユレアのような付着向上剤を用いることなくメ
ッキされた金属とポリイミド基板との間の優れた付着が
達成される。
な方法で錫−パラジウムコロイドで活性化し銅のような
無電解メッキされる金属で金属被覆することが可能であ
る。チオユレアのような付着向上剤を用いることなくメ
ッキされた金属とポリイミド基板との間の優れた付着が
達成される。
もし、ポリイミド基板がＤｕｓａｓ等の特許あるいはｐ
ｏｕｓｔ等の特許出願第２０７．４６２号に開示された
方法で前処理されるならば、そこに詳しく述べられてい
るように、付着向上剤による処置が必要である。
ｏｕｓｔ等の特許出願第２０７．４６２号に開示された
方法で前処理されるならば、そこに詳しく述べられてい
るように、付着向上剤による処置が必要である。
付着向上剤による処置の一例では、ポリイミド表面は、
＞ＮＯ−部分の存在で特徴づけられる付着向上剤で処置
される。
＞ＮＯ−部分の存在で特徴づけられる付着向上剤で処置
される。
＞ＮＯ−部分の存在で特徴づけられる付着向上剤は、Ｄ
ｕ■ａＳ等の特許に記載されていて、それには、０．Ｎ
−ジメチルヒドロキシルアミンハイドロクロライド、ア
セトンオキシム、２−ピリジンアルドキシム、Ｎ−ヒド
ロキシフタルイミドおよび１−ヒドロキシベンゾトリア
ゾール・Ｈ２Ｏが含まれる。このタイプの特に好まれる
付着向上剤はヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルア
ミンの塩である。
ｕ■ａＳ等の特許に記載されていて、それには、０．Ｎ
−ジメチルヒドロキシルアミンハイドロクロライド、ア
セトンオキシム、２−ピリジンアルドキシム、Ｎ−ヒド
ロキシフタルイミドおよび１−ヒドロキシベンゾトリア
ゾール・Ｈ２Ｏが含まれる。このタイプの特に好まれる
付着向上剤はヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルア
ミンの塩である。
付着増強を目的とする別の処置では、１９８７年９月２
８日に出願したＦｏｕｓｔ等の出願第１０３゜６１８号
に記載されているように、有機二重結合を含有する付着
向上化合物が使用される。
８日に出願したＦｏｕｓｔ等の出願第１０３゜６１８号
に記載されているように、有機二重結合を含有する付着
向上化合物が使用される。
ここでの使用に適するこれらの化合物の例にはチオセミ
カルバジドハイドロクロライド、２，４−ジチオビウレ
ット、セミカルバジドハイドロクロライド、アセチルチ
オユレア、チオユレア、アセタミド、ユレア、Ｎ、Ｎ−
ジメチルアセタミド、チオアセタミドおよびチオシアヌ
ル酸が含まれる。
カルバジドハイドロクロライド、２，４−ジチオビウレ
ット、セミカルバジドハイドロクロライド、アセチルチ
オユレア、チオユレア、アセタミド、ユレア、Ｎ、Ｎ−
ジメチルアセタミド、チオアセタミドおよびチオシアヌ
ル酸が含まれる。
このタイプの特に好まれる付着向上剤はチオユレアであ
る。
る。
付着向上化合物で処理した後、ポリイミド基板を完全に
水洗し、業界で周知の方法例えば、米国特許第３．５８
９．９１６号並びに先に述べたＦ。
水洗し、業界で周知の方法例えば、米国特許第３．５８
９．９１６号並びに先に述べたＦ。
ｕｓｔ等およびＤｕｗａｓ等の出願に記載された方法に
よってメッキ用に活性化される。例えば、基板は、塩酸
中の塩化パラジウムのような貴金属の酸性溶液と基板表
面の接触活性化を引き起こすのに十分な時間だけ接触さ
せられてよい。
よってメッキ用に活性化される。例えば、基板は、塩酸
中の塩化パラジウムのような貴金属の酸性溶液と基板表
面の接触活性化を引き起こすのに十分な時間だけ接触さ
せられてよい。
メッキ触媒の吸着を助ける添加剤で処理して、基板の活
性化を開始することが多くの場合に有益である。この種
の添加剤は業界でよく知られている。代表的な触媒吸着
助剤には、Ｓｈｉｐｌａｙ社の製品であるＳｈｉｐｌａ
ｙ １１７５ＡおよびＭａｃＤｃｒｓｉｄ社の製品であ
るＭｅｔｅｘ ９４２０が含まれる。
性化を開始することが多くの場合に有益である。この種
の添加剤は業界でよく知られている。代表的な触媒吸着
助剤には、Ｓｈｉｐｌａｙ社の製品であるＳｈｉｐｌａ
ｙ １１７５ＡおよびＭａｃＤｃｒｓｉｄ社の製品であ
るＭｅｔｅｘ ９４２０が含まれる。
一つの例となる活性化技術は、Ｓｈｉｐｌａｙ社の製品
であるＳｈｉｐｌａｙ Ｃａｔａｐｒｅｐ■４０４の溶
液中への基板の浸漬を伴う。その溶液は、後に用いられ
るメッキ触媒に対して保護剤を提供するもので、ナトリ
ウムビサルフエートと各種の界面活性剤より成る。基板
はそれから、無電解メッキ触媒であってＣａｔａｐｒｅ
ｐ■４０４成分、錫とパラジウムを含むＳｈ１９１ｅｙ
Ｃａｔａｐｏｓｌｔ■４４の溶液中に浸漬されてよい
。
であるＳｈｉｐｌａｙ Ｃａｔａｐｒｅｐ■４０４の溶
液中への基板の浸漬を伴う。その溶液は、後に用いられ
るメッキ触媒に対して保護剤を提供するもので、ナトリ
ウムビサルフエートと各種の界面活性剤より成る。基板
はそれから、無電解メッキ触媒であってＣａｔａｐｒｅ
ｐ■４０４成分、錫とパラジウムを含むＳｈ１９１ｅｙ
Ｃａｔａｐｏｓｌｔ■４４の溶液中に浸漬されてよい
。
水洗の後、基板は錫をメッキ触媒から分離するために使
用されるフルオロはう酸含有の配合物であるＳｈｌｐｌ
ｅｙ Ｃｕｐｏｓｉｔ■促進剤１ｇの溶液中に浸漬され
てよい。本発明に適する活性化とメッキ工程はまたＳｈ
ｉｐｌａｙとＦｅｌｄｓｔｅｉｎにそれぞれ付与された
米国特許第３．０１１，９２０号とに第３．８４１．８
８１号に記載されている。
用されるフルオロはう酸含有の配合物であるＳｈｌｐｌ
ｅｙ Ｃｕｐｏｓｉｔ■促進剤１ｇの溶液中に浸漬され
てよい。本発明に適する活性化とメッキ工程はまたＳｈ
ｉｐｌａｙとＦｅｌｄｓｔｅｉｎにそれぞれ付与された
米国特許第３．０１１，９２０号とに第３．８４１．８
８１号に記載されている。
表面活性化と水洗の後、無電解メッキに着手できる。無
電解浴は業界で周知で、一般的にに１ｒｋ−Ｏｔｈ■ｅ
ｒの化学技術百科事典第三版第８巻に記載されている。
電解浴は業界で周知で、一般的にに１ｒｋ−Ｏｔｈ■ｅ
ｒの化学技術百科事典第三版第８巻に記載されている。
特定の浴あるいは無電解メッキ工程の選択は本発明にお
いて特に重要ではない。浴の内容と特定のメッキ作業パ
ラメータ、例えば温度、ｐｉと浸漬時間は無論、基板と
なる特定のプラスチック並びにその上にメッキされる金
属によって左右される。適当なメッキ浴には、Ｓｈｌｐ
ｌｅｙ Ｃｕｐｏｓｌｔ■２５０系とＥｎｔｈｏｎｅ■
４０Ｂ系が含まれる。更に、前記した□Ｄｕｍａｓ等の
特許は適当な無電解メッキ配合の一覧表を掲げている。
いて特に重要ではない。浴の内容と特定のメッキ作業パ
ラメータ、例えば温度、ｐｉと浸漬時間は無論、基板と
なる特定のプラスチック並びにその上にメッキされる金
属によって左右される。適当なメッキ浴には、Ｓｈｌｐ
ｌｅｙ Ｃｕｐｏｓｌｔ■２５０系とＥｎｔｈｏｎｅ■
４０Ｂ系が含まれる。更に、前記した□Ｄｕｍａｓ等の
特許は適当な無電解メッキ配合の一覧表を掲げている。
浸漬時間、浴温およびその他の作業パラメータは、製造
者の薦めるところに従って決定し管理され得る。メッキ
技術の同業者は、特定の状況に対する最適なメッキ法を
決めることができよう。
者の薦めるところに従って決定し管理され得る。メッキ
技術の同業者は、特定の状況に対する最適なメッキ法を
決めることができよう。
金属の無電解メッキの後、ポリイミド表面は、熱処理さ
れ得る。始何なる加熱方法も適するが、物品全体、即ち
金属で肢われた基板を炉で加熱することで十分である。
れ得る。始何なる加熱方法も適するが、物品全体、即ち
金属で肢われた基板を炉で加熱することで十分である。
電解被覆金属層は、業界で周知のメッキ方法に従って電
着されてよい。
着されてよい。
代表的には、銅川の電気メッキ浴は、約ＩＡＳＦ乃至約
８ＯＡＳＦの陰極電流密度で、約１６℃乃至約３８℃の
温度で運転される。電解被覆金属層の厚さは、金属被覆
基板の所望の最終用途によって決まるであろう。
８ＯＡＳＦの陰極電流密度で、約１６℃乃至約３８℃の
温度で運転される。電解被覆金属層の厚さは、金属被覆
基板の所望の最終用途によって決まるであろう。
金属の電解メッキの後、ポリイミド基板は、再び水洗さ
れてよく、それから、無電解メッキ金属層の基板への付
着を更に高めるべく、熱処理され得る。この工程に対す
る代表的熱処理は約７５℃乃至約１５０℃の温度で約１
時間乃至約２４時間である。こうして得た電解メッキの
結果は、平滑で光沢がある金属層で、しかも無電解メッ
キ金属層とポリイミド基板との間の高い水準の付着性を
持った金属波国ポリイミド複合物である。好ましい態様
では、本発明の方法で調製した物品は、無電解メッキ金
属層が普通約０．０２５乃至約６゜２５、好ましくは約
１乃至約２ミクロンの厚さであり、電解メッキ金属層が
約２５ミクロンの厚さである。本発明の各種の態様の物
品が、本明細書中に記載した金属層を印刷回路模様、即
ちｒ軌跡ｊとして含む印刷回路基板として適当である。
れてよく、それから、無電解メッキ金属層の基板への付
着を更に高めるべく、熱処理され得る。この工程に対す
る代表的熱処理は約７５℃乃至約１５０℃の温度で約１
時間乃至約２４時間である。こうして得た電解メッキの
結果は、平滑で光沢がある金属層で、しかも無電解メッ
キ金属層とポリイミド基板との間の高い水準の付着性を
持った金属波国ポリイミド複合物である。好ましい態様
では、本発明の方法で調製した物品は、無電解メッキ金
属層が普通約０．０２５乃至約６゜２５、好ましくは約
１乃至約２ミクロンの厚さであり、電解メッキ金属層が
約２５ミクロンの厚さである。本発明の各種の態様の物
品が、本明細書中に記載した金属層を印刷回路模様、即
ちｒ軌跡ｊとして含む印刷回路基板として適当である。
本発明は後述する特定の実施例の記述から更によく理解
されよう。これらの実施例は説明だけを目的としており
、本発明の範囲に制限を加えるものと解釈されるべきで
はない。液体比率は特に指定がなければすべて容量によ
る。
されよう。これらの実施例は説明だけを目的としており
、本発明の範囲に制限を加えるものと解釈されるべきで
はない。液体比率は特に指定がなければすべて容量によ
る。
以下の実施例では、金属の基板への付着は、その基板表
面から金属小片を剥がすのに要する力を測定することに
より評価した。このテストでは、各メツキサンプルの金
属表面は１７８インチの小片に切り刻まれる。各小片の
一端は、コンピュータープロセサーに連結されたＡ麿ｅ
ｔｅｋディジタル力測定器につながれる。基板表面から
金属小片を剥がすのに要する力はコンピューターによっ
て剥離値（ポンド／インチ）に変換される。各小片につ
いて剥離を多数得て、平均する。
面から金属小片を剥がすのに要する力を測定することに
より評価した。このテストでは、各メツキサンプルの金
属表面は１７８インチの小片に切り刻まれる。各小片の
一端は、コンピュータープロセサーに連結されたＡ麿ｅ
ｔｅｋディジタル力測定器につながれる。基板表面から
金属小片を剥がすのに要する力はコンピューターによっ
て剥離値（ポンド／インチ）に変換される。各小片につ
いて剥離を多数得て、平均する。
表面粗度はプロフィルメータで測定され、その場合メツ
キサンプルの表面を横切って針を動かし、針が表面を横
切って移動する際の表面に対して垂直なその運動をシ１
定し平均した。
キサンプルの表面を横切って針を動かし、針が表面を横
切って移動する際の表面に対して垂直なその運動をシ１
定し平均した。
メッキ層の応力は、収縮測定器で測定され、その場合、
金属は、金属製らせん形状物にメッキされ、そのらせん
形状物の一端は静止し、他の端はらせん形状物カリフキ
されるにつれての伸長や収縮を記録する針に取り付けら
れた：この運動番よらせん形状物に働く伸びおよび収縮
応力を示して−１る。
金属は、金属製らせん形状物にメッキされ、そのらせん
形状物の一端は静止し、他の端はらせん形状物カリフキ
されるにつれての伸長や収縮を記録する針に取り付けら
れた：この運動番よらせん形状物に働く伸びおよび収縮
応力を示して−１る。
実施例１−１０
実施例１−１０は、電解メッキ浴の無機質母材の配合物
に対する無電解メッキ銅層−ポリエーテルイミド表面の
付着の依存性を示す。これらの実施例において、無機質
母材の配合は下記の表Ｉに示されるように変化した。
に対する無電解メッキ銅層−ポリエーテルイミド表面の
付着の依存性を示す。これらの実施例において、無機質
母材の配合は下記の表Ｉに示されるように変化した。
分散した３０重量％の粉砕ガラス繊維を含むポリエーテ
ルイミドサンプルは下記の処理法ａこより処理された： ＡＩ、１．２−トリクロロ−２ １，２，２−｝リフルオロ エタン ８ 基板の乾燥 −Ｃ濃硫酸
０，５０ 水洗
２Ｅ カセイカリ水溶液（５Ｍ） ５Ｆ
水洗 ２（ｂ） ６ カチオン活性剤による処理 、５５０℃ Ｈ水洗 ２ （ｃ） １ 付着向上剤による処理 、１０ ７５℃ １ 水洗 ２Ｋ Ｓｈｉｐ
ｌａｙクリーナー／コンディ ５ショナー１１７５Ａ
（水中２．５容量％）、６５℃ Ｌ 水洗 ２Ｍ Ｓｈｉｐ
ｌｅｙ ｃａｔａｐｒｅｐ■４０４１Ｎ Ｓｈｉｐｌ
ｅｙ Ｃａｔａｐｏｓｌｔ■４４３（水中１．５重量％
）、４４℃ ０ 水洗 ２Ｐ ｓｈｉｐ
ｌｅｙ促進剤■１９ ３０ 水洗
２ＲＳｈｉｐｌｅｙ Ｃｕｐｏｓｌｔ
■２５０．４８℃ ３０５ 水洗
２Ｔ 熱処理、７５℃ １２００
１０％硫酸による洗浄 Ｏ，ＳＶ 電解銅浴
でのメッキ（ｄ）６０ Ｗ 水洗 ２Ｘ 乾鰻
−Ｙ 熱処理、９５℃
１６時間（ａ）基板を液体成分中に浸漬した。
ルイミドサンプルは下記の処理法ａこより処理された： ＡＩ、１．２−トリクロロ−２ １，２，２−｝リフルオロ エタン ８ 基板の乾燥 −Ｃ濃硫酸
０，５０ 水洗
２Ｅ カセイカリ水溶液（５Ｍ） ５Ｆ
水洗 ２（ｂ） ６ カチオン活性剤による処理 、５５０℃ Ｈ水洗 ２ （ｃ） １ 付着向上剤による処理 、１０ ７５℃ １ 水洗 ２Ｋ Ｓｈｉｐ
ｌａｙクリーナー／コンディ ５ショナー１１７５Ａ
（水中２．５容量％）、６５℃ Ｌ 水洗 ２Ｍ Ｓｈｉｐ
ｌｅｙ ｃａｔａｐｒｅｐ■４０４１Ｎ Ｓｈｉｐｌ
ｅｙ Ｃａｔａｐｏｓｌｔ■４４３（水中１．５重量％
）、４４℃ ０ 水洗 ２Ｐ ｓｈｉｐ
ｌｅｙ促進剤■１９ ３０ 水洗
２ＲＳｈｉｐｌｅｙ Ｃｕｐｏｓｌｔ
■２５０．４８℃ ３０５ 水洗
２Ｔ 熱処理、７５℃ １２００
１０％硫酸による洗浄 Ｏ，ＳＶ 電解銅浴
でのメッキ（ｄ）６０ Ｗ 水洗 ２Ｘ 乾鰻
−Ｙ 熱処理、９５℃
１６時間（ａ）基板を液体成分中に浸漬した。
（ｂ）水中、１重量％セチルピリジニウムクロライド、
０．０５重量９６のＡＰ９０００発泡防止剤（Ｃ）水中
、１２．５ｔｆｆｍ％のチオユレア並びに１重量％のク
エン酸 （ｄ ） ３６ＡＳＦにて２ミルの総厚みまでメッキ室
温まで冷却した後、サンプルは上記の方法で付着性を試
験した。結果は下記の表１に示されている。
０．０５重量９６のＡＰ９０００発泡防止剤（Ｃ）水中
、１２．５ｔｆｆｍ％のチオユレア並びに１重量％のク
エン酸 （ｄ ） ３６ＡＳＦにて２ミルの総厚みまでメッキ室
温まで冷却した後、サンプルは上記の方法で付着性を試
験した。結果は下記の表１に示されている。
表Ｉ
銅層−ポリエーテルイミドの付着性に対する無Ｉｍ１１
ｍ材組成の影響実施例
平均付着力番号ＱＬＳ
Ｏ４・５ＨｔＯ（ｒ／Ｌ） ＨｔＳＯａ （ｒ／Ｌ
） Ｃｌ−（ｐｐｍ） （ｌｂ／Ｉｎ）”１
５０ ３０ ２
０ ７．１２ ５０
１２０ １００ ５．７３
１１）０ １００ １５０
１０．２４ １２５
６０ ５０ １０．７６ １
４０ ５０ １７５ １
１．５７ １７５ １００
５００ １０．５８ １７５
４０ １５０ １１．５
９ ２００ １２０
１００ ８．６１０ ２７５
６０ １５０ ？、Ｏ８
付着力に対する工業規格は５． ０１ｂ／Ｉｎ表Ｉのデ
ータは無電解銅層のポリエーテルイミド表面への付着性
は無機質母材に依存することを示している。
ｍ材組成の影響実施例
平均付着力番号ＱＬＳ
Ｏ４・５ＨｔＯ（ｒ／Ｌ） ＨｔＳＯａ （ｒ／Ｌ
） Ｃｌ−（ｐｐｍ） （ｌｂ／Ｉｎ）”１
５０ ３０ ２
０ ７．１２ ５０
１２０ １００ ５．７３
１１）０ １００ １５０
１０．２４ １２５
６０ ５０ １０．７６ １
４０ ５０ １７５ １
１．５７ １７５ １００
５００ １０．５８ １７５
４０ １５０ １１．５
９ ２００ １２０
１００ ８．６１０ ２７５
６０ １５０ ？、Ｏ８
付着力に対する工業規格は５． ０１ｂ／Ｉｎ表Ｉのデ
ータは無電解銅層のポリエーテルイミド表面への付着性
は無機質母材に依存することを示している。
しかし、下記の表■に示すように言わゆる「添加剤を含
まない電解メッキ浴Ｊからの銅メッキは容認されない程
にｍ面である。
まない電解メッキ浴Ｊからの銅メッキは容認されない程
にｍ面である。
実施例１１−１７
実施例１２．１４−１６では、電解浴に添加剤が加えら
れたことを除いて、上記実施例１−１０と同様に各種の
サンプルを処理した。
れたことを除いて、上記実施例１−１０と同様に各種の
サンプルを処理した。
これらの実施例に使用された電解メッキ浴の無機質母材
組成を次に示す。
組成を次に示す。
無機質母材１ ： １２５ ｇ／Ｌ ＣａＳ０４ ・
５１（２０，８０ｇ／ＬＨｚＳＯａ 、 ５０ｐｐ■
Ｃｌ− 無機質母材ｎ ： １４０ ｇ／Ｌ ＣｕＳＯａ
・５Ｈ２０，５０ｇ／ＬＨ２ＳＯ４、１７５ｐｐｍ Ｃ
Ｉ − 無機質母材１１［： ２００ ｇ／Ｌ Ｃａ！順 ・
５）１．０．１２０ｇ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４、１０Ｏｆｌ
ｐ１１ Ｃｌ−これらの実施例に対する結果は下の表■
に示されている。
５１（２０，８０ｇ／ＬＨｚＳＯａ 、 ５０ｐｐ■
Ｃｌ− 無機質母材ｎ ： １４０ ｇ／Ｌ ＣｕＳＯａ
・５Ｈ２０，５０ｇ／ＬＨ２ＳＯ４、１７５ｐｐｍ Ｃ
Ｉ − 無機質母材１１［： ２００ ｇ／Ｌ Ｃａ！順 ・
５）１．０．１２０ｇ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４、１０Ｏｆｌ
ｐ１１ Ｃｌ−これらの実施例に対する結果は下の表■
に示されている。
表■
付青に対する添加剤の影響
実施例
平均付 平均番号 無機質母材 添加剤
添加剤の濃度 着力（ｌｂ／Ｉｎ） 表面
粗度（ミクロン）ｄ １１ １ −− −−
１０．７ ３１２ １ ＰＣＭ＋
３％ １０．８ ０．５１３
１１ − − １１．
５ ２．５１４ ＩＩ ＰＣＭ＋
３−１／２％ １０．７ −−１５
ＩＩ ＰＣ６６７３％ １０．
８ ．２５１６ ｎ １１９２
２％Ｍ／２％Ｒ１Ｇ、フー−１７ｍ −
−−−８，６−− １ジスルフィド光沢剤とポリオルガノオキシド平滑剤の
混合物を含有するＬｅａ Ｒｏｎａ１社の銅光輝ＰＣＭ
＋ｂ Ｄａ染料系ヲａ（ｉｔ ルＥｌｅｃｔｒｏｅｈ
ａ＋Ｉｃａｌｓｔｔ（Ｆ）Ｅｌｏｅｔｒｏ−ｂｒｌｔｅ
ＰＣｌｉ６？Ｃジスルフィド光沢剤とポリオルガノオ
キシド平滑剤の混合物を含ａするＳｈｉｐｌｅｙ社のＥ
ｌｅｅｔｒｏｐｏｓｌｔ■８９２ｄ プロフィルメータ
による測定値 表■の結果は、任意の無機質母材に化学添加剤が加えら
れた場合に金属−プラスチック間の付着性を失うことな
く平滑で光沢のあるメッキが作られることを示している
。これらの添加剤は、無電解銅のポリエーテルイミド表
面への付着性に影響を及ぼすことなく、続いて起こるメ
ッーキ層の表面外観、粒子構造及び図１に示されるよう
に応力を変えてしまう。第１図のグラフは、実施例１３
に使用された添加剤を含まない電解浴から金属メッキさ
れるにつれて、形成されるメッキ層の応力が増加するこ
とを示している。実施例１２の添加剤を含む浴から金属
がメッキされる場合には、形成されるメッキ層の応力は
低い。実施例１５の添加剤を含む浴から金属がメッキさ
れる場合には、形成されるメッキ層の応力が減少した。
平均付 平均番号 無機質母材 添加剤
添加剤の濃度 着力（ｌｂ／Ｉｎ） 表面
粗度（ミクロン）ｄ １１ １ −− −−
１０．７ ３１２ １ ＰＣＭ＋
３％ １０．８ ０．５１３
１１ − − １１．
５ ２．５１４ ＩＩ ＰＣＭ＋
３−１／２％ １０．７ −−１５
ＩＩ ＰＣ６６７３％ １０．
８ ．２５１６ ｎ １１９２
２％Ｍ／２％Ｒ１Ｇ、フー−１７ｍ −
−−−８，６−− １ジスルフィド光沢剤とポリオルガノオキシド平滑剤の
混合物を含有するＬｅａ Ｒｏｎａ１社の銅光輝ＰＣＭ
＋ｂ Ｄａ染料系ヲａ（ｉｔ ルＥｌｅｃｔｒｏｅｈ
ａ＋Ｉｃａｌｓｔｔ（Ｆ）Ｅｌｏｅｔｒｏ−ｂｒｌｔｅ
ＰＣｌｉ６？Ｃジスルフィド光沢剤とポリオルガノオ
キシド平滑剤の混合物を含ａするＳｈｉｐｌｅｙ社のＥ
ｌｅｅｔｒｏｐｏｓｌｔ■８９２ｄ プロフィルメータ
による測定値 表■の結果は、任意の無機質母材に化学添加剤が加えら
れた場合に金属−プラスチック間の付着性を失うことな
く平滑で光沢のあるメッキが作られることを示している
。これらの添加剤は、無電解銅のポリエーテルイミド表
面への付着性に影響を及ぼすことなく、続いて起こるメ
ッーキ層の表面外観、粒子構造及び図１に示されるよう
に応力を変えてしまう。第１図のグラフは、実施例１３
に使用された添加剤を含まない電解浴から金属メッキさ
れるにつれて、形成されるメッキ層の応力が増加するこ
とを示している。実施例１２の添加剤を含む浴から金属
がメッキされる場合には、形成されるメッキ層の応力は
低い。実施例１５の添加剤を含む浴から金属がメッキさ
れる場合には、形成されるメッキ層の応力が減少した。
実施例１８−２７
実施例１８−２５では、その中に分散した粉砕したガラ
ス繊維を３０重−％含有するポリエーテルイミドのサン
プルを前記実施例１−１０に表示の工程で処理した。
ス繊維を３０重−％含有するポリエーテルイミドのサン
プルを前記実施例１−１０に表示の工程で処理した。
実施例２６と２７では、そのガラスｔｌｊｌ含有ポリエ
ーテルイミドのサンプルを次の方法で処理した： Ａ Ｉ、 １、 ２． ￥トリクロロ ２１．
２．２−トリフルオロエタン ８ 乾燥 −０濃硫酸、９６
％室温 ０，５０ 水洗
２Ｅ カセイカリ（５Ｎ）、室温 ５Ｆ
過マンガン酸カリ（１５ｇ／Ｌ） ５カセイカリ
（１，２Ｎ） 、 ７５℃ ６ 水洗 ２ＨＳｈｉｐｌｅ
ｙＣｌｒｃｕｐｏｓｌｔＭＬＢ ５中和剤２１
８．５３℃ １ 水洗 ２ Ｊ Ｓｈｉｐｌｃｙクリーナー／コンディ ５ショナ
ー１１７５Ａ、８５℃ Ｋ 水洗 ２Ｌ Ｓｈｉｐ
ｌｅｙ Ｃａｔａｐｒｅｐ■４０４、室温 ＩＭ Ｓ
ｈｉｐｌｅｙ Ｃａｔａｐｏｓｌｔ■４４３（１−１／
２％）、４４℃ Ｎ 水洗 ２０ Ｓｈｌｐ
ｌｅｙ促進剤１９、室温 ３Ｐ 水洗
２０ Ｓｈｌｐｌｅｙ Ｃｕｐｏｓ
ｉｔ■２５１．４８℃ ３０Ｒ水洗
２ ８ 乾燥 一丁 熱処理、１
１０℃ ６０Ｕ 電解銅浴によるメッキ（
ｂ）６０ Ｖ 水洗 ２Ｗ 乾燥
−Ｘ 熱処理、１１０℃
１７時間（ａ）基板を液体成分中に浸漬した。
ーテルイミドのサンプルを次の方法で処理した： Ａ Ｉ、 １、 ２． ￥トリクロロ ２１．
２．２−トリフルオロエタン ８ 乾燥 −０濃硫酸、９６
％室温 ０，５０ 水洗
２Ｅ カセイカリ（５Ｎ）、室温 ５Ｆ
過マンガン酸カリ（１５ｇ／Ｌ） ５カセイカリ
（１，２Ｎ） 、 ７５℃ ６ 水洗 ２ＨＳｈｉｐｌｅ
ｙＣｌｒｃｕｐｏｓｌｔＭＬＢ ５中和剤２１
８．５３℃ １ 水洗 ２ Ｊ Ｓｈｉｐｌｃｙクリーナー／コンディ ５ショナ
ー１１７５Ａ、８５℃ Ｋ 水洗 ２Ｌ Ｓｈｉｐ
ｌｅｙ Ｃａｔａｐｒｅｐ■４０４、室温 ＩＭ Ｓ
ｈｉｐｌｅｙ Ｃａｔａｐｏｓｌｔ■４４３（１−１／
２％）、４４℃ Ｎ 水洗 ２０ Ｓｈｌｐ
ｌｅｙ促進剤１９、室温 ３Ｐ 水洗
２０ Ｓｈｌｐｌｅｙ Ｃｕｐｏｓ
ｉｔ■２５１．４８℃ ３０Ｒ水洗
２ ８ 乾燥 一丁 熱処理、１
１０℃ ６０Ｕ 電解銅浴によるメッキ（
ｂ）６０ Ｖ 水洗 ２Ｗ 乾燥
−Ｘ 熱処理、１１０℃
１７時間（ａ）基板を液体成分中に浸漬した。
（ｂ）室温で３ＯＡＳＦにて１．Ｇ Ｅル総厚みまでメ
ッキ 実施例１ ｇ−２１では、無機質母材の配合はＦＯｕｓ
ｔ等の出願第２０７．４６２号で使用されるものの範囲
内にあった。実施例２２−２５に使用された無機質母材
の配合は本発明の範囲内にあった。
ッキ 実施例１ ｇ−２１では、無機質母材の配合はＦＯｕｓ
ｔ等の出願第２０７．４６２号で使用されるものの範囲
内にあった。実施例２２−２５に使用された無機質母材
の配合は本発明の範囲内にあった。
サンプルは本明細書中で先に記述した処置に従って付着
性をテストした。その結果は下の表■に示されている。
性をテストした。その結果は下の表■に示されている。
表■
付着性に対する無機質母材の影響
実施ＩＮ ＣＩＳＯ４・５ＨａＯ１ｂ５０４番号
（ｔｌＬ） （ｔｌＬ） ＣＩ−〇−）
添加剤 付着力（平均）Ｉｌｌ ８１
１９７ ４５ ＰＣＭ” ６．
３１ｂ／Ｉｎ鳳 １９ ９２ １１１ｇ ３８
Ｌ３１ ロー６１ｂ／Ｉｎ２０ ７
５ １９０ ５０ ＰＣ６１１７５，
２１ｂ／ｉｎ２１ １２５ ６０ ５０
−− １０−０１ｂ／Ｉｎ２２
１４０ ５０ １７５ ＰＣＭ”
１０−０１ｂｌＩｎ２３ １４０ ５０
１７５ ＰＣ６６７１０−８１ｂ／Ｉｎ２
４ １４０ ５０ １７５ １１
９２ １０．７１ｂ／ｉｎ２５ １４０
５０ １７５ −− １
１５１ｂ／Ｉｎ２６ １４６ ５０ １７
５ ＰＣ６１１７１３−５１ｂ／Ｉｎ２７
１００ ２００ ７５ ＰＣＭ”
９．２１ｂ／Ｉｎａ 平滑剤としてポリオルガ
ノオキシドを含有するＢＡＳＦ ＰＩｕｍｍｌｅ■ｕ１
表■の結果は、有機光沢剤と平滑剤は付着性に影響を及
ぼさないものの、無機質母材の配合物は無電解銅一ポリ
エーテルイミド表面間の付着に不可欠であることを示し
ている。
（ｔｌＬ） （ｔｌＬ） ＣＩ−〇−）
添加剤 付着力（平均）Ｉｌｌ ８１
１９７ ４５ ＰＣＭ” ６．
３１ｂ／Ｉｎ鳳 １９ ９２ １１１ｇ ３８
Ｌ３１ ロー６１ｂ／Ｉｎ２０ ７
５ １９０ ５０ ＰＣ６１１７５，
２１ｂ／ｉｎ２１ １２５ ６０ ５０
−− １０−０１ｂ／Ｉｎ２２
１４０ ５０ １７５ ＰＣＭ”
１０−０１ｂｌＩｎ２３ １４０ ５０
１７５ ＰＣ６６７１０−８１ｂ／Ｉｎ２
４ １４０ ５０ １７５ １１
９２ １０．７１ｂ／ｉｎ２５ １４０
５０ １７５ −− １
１５１ｂ／Ｉｎ２６ １４６ ５０ １７
５ ＰＣ６１１７１３−５１ｂ／Ｉｎ２７
１００ ２００ ７５ ＰＣＭ”
９．２１ｂ／Ｉｎａ 平滑剤としてポリオルガ
ノオキシドを含有するＢＡＳＦ ＰＩｕｍｍｌｅ■ｕ１
表■の結果は、有機光沢剤と平滑剤は付着性に影響を及
ぼさないものの、無機質母材の配合物は無電解銅一ポリ
エーテルイミド表面間の付着に不可欠であることを示し
ている。
実施例２ ｇ−３３
上記した実施例１−１０に於けるようにガラスを３０％
含有するポリエーテルイミド基板を前処理し、付着性向
上のための処理をして無電解メッキした。この内から選
んだ基板を下の表■に表示の浴の一つで電解メッキした
。実施例２８と２９に使川した無機質母材はＦｏｕｓｔ
等の出願第２０フ。
含有するポリエーテルイミド基板を前処理し、付着性向
上のための処理をして無電解メッキした。この内から選
んだ基板を下の表■に表示の浴の一つで電解メッキした
。実施例２８と２９に使川した無機質母材はＦｏｕｓｔ
等の出願第２０フ。
４６２号で使用されるものの範囲内にあった。
一方、実施例３０−３３に使用された無機質母材は本発
明に従った。サンプルの付着性と表面粗度をテストした
。その結果は下の表■に示されている。
明に従った。サンプルの付着性と表面粗度をテストした
。その結果は下の表■に示されている。
表■
付を性と表面粗度に対する無ａＴＴＦ！１材と添加剤の
影響実り例 （ａ５０４・５ＨｚＯｋ４２ｓＯ４ＩＣＩ
ＰＣ６６） 平均剥離強度 平均表面番号
（ｒ／Ｌ） （ｇ／Ｌ） （ｐｆｆ）
（％） （ｌｂ／Ｉｎ） 粗度（Ａ）２
８ ７９ １８６ ４４ Ｇ
１＋、６ １２．００１）２９ ７９
１ｇ６ ４４ ０．５ ９．５
４．０００３０ １４５ ５３１＋１１
０ １１．６ ２０．０００３１
１４５ ５３ １Ｂ１ ２ １１．
４ ４．０００３２ １４５ ５３１ｇ
１ ４ １３．１ ３．０００３３
１４５ ５３１１＋１ ６ １
４．０ ５．０００表■に示された結果より、無機
質母材は付着性に影響を及ぼし、一方、化学添加剤はメ
ッキされた金属の表面性質に影響を及ぼすことが分かる
。
影響実り例 （ａ５０４・５ＨｚＯｋ４２ｓＯ４ＩＣＩ
ＰＣ６６） 平均剥離強度 平均表面番号
（ｒ／Ｌ） （ｇ／Ｌ） （ｐｆｆ）
（％） （ｌｂ／Ｉｎ） 粗度（Ａ）２
８ ７９ １８６ ４４ Ｇ
１＋、６ １２．００１）２９ ７９
１ｇ６ ４４ ０．５ ９．５
４．０００３０ １４５ ５３１＋１１
０ １１．６ ２０．０００３１
１４５ ５３ １Ｂ１ ２ １１．
４ ４．０００３２ １４５ ５３１ｇ
１ ４ １３．１ ３．０００３３
１４５ ５３１１＋１ ６ １
４．０ ５．０００表■に示された結果より、無機
質母材は付着性に影響を及ぼし、一方、化学添加剤はメ
ッキされた金属の表面性質に影響を及ぼすことが分かる
。
以上のように本発明は、ある程度範囲を特定して好まし
い態様について記述されているが、本開示は例としてで
あって、本発明の範囲から逸脱することなく数多くの変
更がなされてよいことが理解される。
い態様について記述されているが、本開示は例としてで
あって、本発明の範囲から逸脱することなく数多くの変
更がなされてよいことが理解される。
第１図は、電解メッキ金属層の応力と電解メッキ洛中に
存在する添加剤との関係を示す図である。
存在する添加剤との関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） ポリイミド基体の上に配置され且つ化学的に結合
されている無電解メッキ金属層の上に電解メッキにより
金属層を付設するに際して、この金属層が電着される電
解浴が下記の組成からなる金属被覆ポリイミド複合物の
調製方法： Ａ） リットル当たり約５０乃至約２７５グラムの水性
酸性金属電解質、 Ｂ） リットル当たり約３０乃至約１２０グラムの強酸
、 Ｃ） 約２０乃至約５００ｐｐｍのハライドイオンおよ
び Ｄ） 有機平滑剤、有機光沢剤またはその混合物を含ん
で成る少なくとも一種の有機系化学添加剤の約０．５乃
至約６容量％。 ２） 電解浴中の水性酸性金属電解質の量がリットル当
たり約１００乃至約１７５グラムである請求項１記載の
方法。 ３） 電解浴中の強酸の量がリットル当たり約４０乃至
約１００グラムである請求項１記載の方法。 ４） 電解浴中のハライドイオンの量がリットル当たり
約５０乃至約５００ｐｐｍである請求項１記載の方法。 ５） 電解浴中の化学添加剤の量が約３容量％である請
求項１記載の方法。 ６） 酸性金属電解質が硫酸銅である請求項１記載の方
法。 ７） 強酸が硫酸である請求項１記載の方法。 ８） ハライドイオンがクロライドイオンである請求項
１記載の方法。 ９） 光沢剤が有機ジスルフィド化合物である請求項１
記載の方法。 １０） 平滑剤がポリオルガノオキシド化合物である請
求項１記載の方法。 １１） Ｄ成分が少なくとも一種のポリオルガノオキシ
ド化合物系平滑剤を含んで成る請求項１記載の方法。 １２） Ｄ成分が有機ジスルフィド化合物系光沢剤とポ
リオルガノオキシド化合物系平滑剤との混合物を含んで
成る請求項１記載の方法。 １３） Ｄ成分が更に有機染料を含んで成る請求項１記
載の方法。 １４） 各金属層が銅より成る請求項１記載の方法。 １５） 無電解メッキ金属層とポリイミド基板との化学
的結合が、電解メッキによる金属層の付設に先立って、
下記の工程からなるポリイミド基板の前処理によって行
われる請求項１記載の方法：Ａ） ポリイミドの表面を
軽くエッチングしてポリイミドの表面に残留膜を形成し
、 Ｂ） エッチングされたポリイミドの表面を塩基性溶液
と接触させ、そして Ｃ） 軽いエッチング工程後にポリイミド表面に形成さ
れた残留膜を除去する。 １６） （Ａ） ポリイミド基体の表面を軽くエッチングし、 （Ｂ） その表面を塩基性溶液と接触させ、（Ｃ） そ
の表面を、軽いエッチング工程後にポリイミド表面に形
成された残留膜を除去することができるカチオン界面活
性剤と接触させ、（Ｄ） ＞ＮＯ−部分の存在によって
特徴づけられる化合物と有機二重結合を含む化合物より
成る群から選ばれる付着向上剤でポリイミド表面を処理
し、 （Ｅ） その表面に金属層を無電解メッキにより付設し
、そして （Ｆ） この無電解メッキ金属層の表面上に電解メッキ
により金属層を付設するに際して、この金属層が電着さ
れる電解浴が下記の組成からなる金属被覆ポリイミド複
合物の調製方法。 Ａ． リットル当たり約１００乃至約１７５グラムの硫
酸銅、 Ｂ． リットル当たり約４０乃至約１００グラムの硫酸
、 Ｃ． 約５０乃至５００ｐｐｍのクロライドイオンおよ
び Ｄ． 有機ジスルフィド系光沢剤とポリオルガノオキシ
ド系平滑剤との混合物からなる有機系化学添加剤約２乃
至約４容量％。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US40237289A | 1989-09-05 | 1989-09-05 | |
| US402,372 | 1989-09-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150392A true JPH03150392A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=23591610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233473A Pending JPH03150392A (ja) | 1989-09-05 | 1990-09-05 | 金属被覆ポリイミド複合物の調製方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0419845A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03150392A (ja) |
| KR (1) | KR910006008A (ja) |
| BR (1) | BR9004392A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002050868A (ja) * | 1999-08-06 | 2002-02-15 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
| US6537411B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-03-25 | The National University Of Singapore | Method for low temperature lamination of metals to polyimides |
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