JPH03156715A - ウェハー上に形成された素子の切り出し方法 - Google Patents

ウェハー上に形成された素子の切り出し方法

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JPH03156715A
JPH03156715A JP1295094A JP29509489A JPH03156715A JP H03156715 A JPH03156715 A JP H03156715A JP 1295094 A JP1295094 A JP 1295094A JP 29509489 A JP29509489 A JP 29509489A JP H03156715 A JPH03156715 A JP H03156715A
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JP
Japan
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wafer
film magnetic
magnetic head
thin film
cut
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Mitsumasa Oshiki
押木 満雅
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ウェハープロセスの終了した円盤形状のウェハーから概
略直方体形状の素子を切り出す切り出し方法に関し、 ブロック状の薄膜磁気ヘッド等の素子をウェハーから切
り出す際に、切断用砥石の切り込みを安定化させる切り
出し方法の提供を目的とし、ウェハープロセスの終了し
た円盤形状のウェハーから概略直方体形状の素子を切り
出す前に、該切り出すべき素子の短辺並びに長辺に対し
て、夫々、概ね直交する方向の各辺の全て、或いはその
一部を有する様、前記ウェハーの外形を予め加工するよ
う構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハープロセスの終了した円盤形状のウェ
ハーから概略直方体形状の素子を切り出す切り出し方法
に関する。
〔従来の技術〕
一般的に、例えば、薄膜磁気ヘッドは1個のウェハーか
ら多数の薄膜磁気ヘッド素子を切り出すことにより造ら
れる。このウェハーは多数の薄膜磁気ヘッド素子として
切断される前に、表面にコーティングを施したり、また
、コイルメツキ等を施す必要がある。特にコーティング
を施す場合には、そのコーティング層を均一化するため
ウエハ−を回転させる方法が採られる。従って、通常、
ウェハーは円盤形状を成している。
〔発明が解決しようとする課題〕
然しなから、上記ウェハーからブロック状(直方体形状
)の薄膜磁気ヘッド素子を薄板状の砥石を回転させて切
り出す場合に、該ウェハーの外周が円形であるが故に、
該ウェハーへの最初の切り込み時に砥石が所望の方向に
進めず、−aにその切り込み方向がそらされることとな
る。これでは、日々小型化している薄膜磁気ヘッド素子
を正確に切り出すことができず、不良の磁気ヘッドを生
む原因となっている。
依って本発明はブロック状の薄膜磁気ヘッド等の素子を
ウェハーから切り出す際に、切断用砥石の切り込みを安
定化させる切り出し方法の提供を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的に鑑みて本発明は、ウェハープロセスの終了し
た円盤形状のウェハーから概略直方体形状の素子を切り
出す前に、該切り出すべき素子の短辺並びに長辺に対し
て、夫々、概ね直交する方向の各辺の全て、或いはその
一部を有する様、前記ウェハーの外形を予め加工して成
る切り出し方法を提供する。
〔作 用] ウェハーの外形を直方体形状の素子の各辺の方向に対し
て概ね直交する方向の辺を有する様子め加工しておけば
、砥石等のカッターにより各素子を切り出す際に初期の
切り込みの方向が安定する。
〔実施例] 以下本発明を添付図面に示す実施例に基づいて更に詳細
に説明する。第4図は一般的な薄膜磁気ヘッド20の製
造プロセスを示しており、まず、コーティングやコイル
メツキの各プロセスを終えた円盤形状のウェハーIOを
、第2図や第3図に略示する薄刃状の砥石カッターTに
より四角柱10aを切り出す、更に、該四角柱10aを
切断して直方体の薄膜磁気ヘッド素子10aaとする。
該ブロック状薄膜磁気ヘッド素子10aaを更に細部に
亘り加工して薄膜磁気ヘッド20と成し、これを板ばね
部24によって支持されたアーム22の先端に取り付け
て磁気ヘッド装置を造るのである。
上記のウェハー10を加工し、四角柱10aを切り出す
際に、外周が円形であるウェハーのままでは、第3図に
示す如く、砥石カッターTは所望の切り込み方向14と
は異なる方向TLにずれる傾向にある。従って、薄く、
かつ高精度に切断される必要のある四角柱10a(第4
図)の切り出し方法は改善の余地を残していた。
そこで本発明では第1図に示す様に、切り出されるべき
四角柱10aのライン14、即ち、第1図において拡大
図示している薄膜磁気ヘッド素子10aaの短辺SL並
びに長辺LLと夫々平行となるよう、薄膜磁気ヘッド素
子10aaの集合領域12の外形を加工形成する。即ち
、外形が円形であるウェハーIOを砥石カッター′Fに
よりラインLl。
L2.L3.L4の順に切断しておく。この様に、予め
領域12の外形を概ね互いに直交する辺を有する矩形形
状に形成しておけば、第2図に示す様に、砥石カッター
Tの所望の切り込み方向14に対して、実際の切り込み
方向TL’はほとんどずれることがない、従って、薄(
、細長い四角柱10aの切り出しが容易、かつ、正確に
行え、延いては薄膜磁気ヘッド素子が精度よく切り出せ
ることとなる。上記ラインL1、L2.L3.L4は切
り出されるべき四角柱10aのライン14と完全に平行
であることが最も望ましいが、僅かに平行からずれてい
ても上述した効果と同様の効果を生ずる。
本実施例では薄膜磁気ヘッド素子の場合について説明し
たが、本発明はこれに限らず、ウェハー上に形成された
直方体形状の切り出しに使用できる。
(発明の効果〕 以上の説明から明らかな様に、本発明によれば、円盤形
状のウェハーから、多数の小さな薄膜磁気ヘッド素子を
精度良く、しかも能率的に切り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るウェハーの切断加工プロセスの説
明図、 第2図は本発明方法の効果を示す説明図、第3図は従来
方法の欠点を示す説明図、第4図は薄膜磁気ヘッド製造
プロセスの説明図である。 10・・・ウェハー 12・・・薄膜磁気ヘッド素子の集合領域、14・・・
薄膜磁気ヘッド素子が一列に並んだ四角柱の長さ方向ラ
イン(切断すべきライン)20・・・薄膜磁気ヘッド、
 10a・・・四角柱、10aa・・・薄膜磁気ヘッド
素子、 LL・・・薄膜磁気ヘッド素子の長辺、SL・・・薄膜
磁気ヘッド素子の短辺。 本発明に係る加工プロセス 第1図 本発明方法の効果 第2図 従来方法の欠点 朶3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、ウェハープロセスの終了した円盤形状のウェハー(
    10)から概略直方体形状の素子(10aa)を切り出
    す前に、該切り出すべき素子の短辺(SL)並びに長辺
    (LL)に対して、夫々、概ね直交する方向の各辺(L
    1、L2;L3、L4)の全て、或いはその一部を有す
    る様、前記ウェハー(10)の外形を予め加工すること
    を特徴とするウェハー上に形成された素子の切り出し方
    法。
JP29509489A 1989-11-15 1989-11-15 ウェハー上に形成された素子の切り出し方法 Expired - Lifetime JP2548409B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP29509489A JP2548409B2 (ja) 1989-11-15 1989-11-15 ウェハー上に形成された素子の切り出し方法

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JPH03156715A true JPH03156715A (ja) 1991-07-04
JP2548409B2 JP2548409B2 (ja) 1996-10-30

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61253615A (ja) * 1985-05-07 1986-11-11 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツドウエハ
JPS6266412A (ja) * 1985-09-19 1987-03-25 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPS6446216A (en) * 1987-08-14 1989-02-20 Tdk Corp Magnetic head

Patent Citations (3)

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Publication number Publication date
JP2548409B2 (ja) 1996-10-30

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