JPH03160616A - 垂直磁気記録二層媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録二層媒体の製造方法Info
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- JPH03160616A JPH03160616A JP29974389A JP29974389A JPH03160616A JP H03160616 A JPH03160616 A JP H03160616A JP 29974389 A JP29974389 A JP 29974389A JP 29974389 A JP29974389 A JP 29974389A JP H03160616 A JPH03160616 A JP H03160616A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する
ものである． （発明の概要） この発明は垂直磁気記録二層媒体及びその製造方法に関
するもので、非磁性基板上に膜面内に磁化容易軸を有す
る低保磁力磁性層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有す
る磁気記録磁性層を順次形成してなる垂直磁気記録媒体
において、その磁気記録磁性層を飽和磁化のより小さい
下地層と飽和磁化のより大きい上部層とで形成し、これ
ら一連の磁性層を特定條件のスパッタリング法で形成し
ている。かくて高密度化に適した性能の高い垂直磁気記
録媒体と効率のよい製造方法を実現している。
ものである． （発明の概要） この発明は垂直磁気記録二層媒体及びその製造方法に関
するもので、非磁性基板上に膜面内に磁化容易軸を有す
る低保磁力磁性層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有す
る磁気記録磁性層を順次形成してなる垂直磁気記録媒体
において、その磁気記録磁性層を飽和磁化のより小さい
下地層と飽和磁化のより大きい上部層とで形成し、これ
ら一連の磁性層を特定條件のスパッタリング法で形成し
ている。かくて高密度化に適した性能の高い垂直磁気記
録媒体と効率のよい製造方法を実現している。
（従来の技術）
近年、磁気記録の高密度化の要求にともない、磁性層の
膜厚方向に記録する、いわゆる垂直磁気記録方式の研究
が盛んに行なわれている。
膜厚方向に記録する、いわゆる垂直磁気記録方式の研究
が盛んに行なわれている。
これら垂直磁気記録媒体はおもに真空蒸着法、スパッタ
法あるいはメッキ法によって作製され、特にスバッタ法
により作製された垂直磁気記録媒体は、磁性膜の磁気特
性の制御が容易であるため盛んに研究がなされている。
法あるいはメッキ法によって作製され、特にスバッタ法
により作製された垂直磁気記録媒体は、磁性膜の磁気特
性の制御が容易であるため盛んに研究がなされている。
しかしながら高密度の記録を行なう場合、記録されるビ
ット長の大幅な縮小や、狭トラック化、広帯域化を必要
とするため高Ｃ／Ｎ化が必要となる。
ット長の大幅な縮小や、狭トラック化、広帯域化を必要
とするため高Ｃ／Ｎ化が必要となる。
このため、Ｃｏ − Ｃｒ合金からなる垂直磁気記録層
とベースフィルムとの間にＮｉ−Ｆｅ合金からなる軟磁
性層を形成した、いわゆる「垂直磁気記録二層媒体」と
垂直磁気記録用ヘッドの組み合わせによる記録方式が研
究されている。
とベースフィルムとの間にＮｉ−Ｆｅ合金からなる軟磁
性層を形成した、いわゆる「垂直磁気記録二層媒体」と
垂直磁気記録用ヘッドの組み合わせによる記録方式が研
究されている。
この方式によれば、垂直磁気記録用ヘッドの主磁極と垂
直二層媒体の軟磁性層との間に、強レ）磁気的相互作用
が働き、膜厚方向に対して垂直に磁力線を発生できるた
め、高記録密度におレ）ても理想的な垂直磁気記録が行
なえ、再生時におレ）ても軟磁性層がリターンバスとな
るため高再生出力力く得られている． （発明が解決しようとする課題） 垂直磁気記録二層テープを実現しようとすればＧｏ−Ｃ
ｒ／ Ｎｉ −Ｆｅ垂直磁気記録二層媒体の膜厚を０．
２５μｍ程度以下にする必要がある。これは二層媒体の
厚みを厚くするとテープ自体の柔軟性が失なわれて使用
上種々の欠点がでてくるからである。
直二層媒体の軟磁性層との間に、強レ）磁気的相互作用
が働き、膜厚方向に対して垂直に磁力線を発生できるた
め、高記録密度におレ）ても理想的な垂直磁気記録が行
なえ、再生時におレ）ても軟磁性層がリターンバスとな
るため高再生出力力く得られている． （発明が解決しようとする課題） 垂直磁気記録二層テープを実現しようとすればＧｏ−Ｃ
ｒ／ Ｎｉ −Ｆｅ垂直磁気記録二層媒体の膜厚を０．
２５μｍ程度以下にする必要がある。これは二層媒体の
厚みを厚くするとテープ自体の柔軟性が失なわれて使用
上種々の欠点がでてくるからである。
従来の垂直二層媒体では軟磁性層であるパーマロイ膜（
Ｎｉ−Ｆｅ）の膜厚はそれ自体は薄くできるが、この厚
さを０．１ μｍ以下に薄くするとその上のＣｏ−Ｃｒ
硬磁性層とパーマロイ層との間の磁気的な相互作用によ
るパーマロイ層の磁気特性の劣化が著しくなり、安定し
た性能のよい二層テープが実現されないという欠点があ
った。そしてこのことが垂直磁気記録二層テープの市販
化を困難にしている． そこで本発明の目的は、安定した性能のよい垂直磁気記
録の可能な二層テープとそれを量産性よく製造するため
の製造方法を提供せんとするものである。
Ｎｉ−Ｆｅ）の膜厚はそれ自体は薄くできるが、この厚
さを０．１ μｍ以下に薄くするとその上のＣｏ−Ｃｒ
硬磁性層とパーマロイ層との間の磁気的な相互作用によ
るパーマロイ層の磁気特性の劣化が著しくなり、安定し
た性能のよい二層テープが実現されないという欠点があ
った。そしてこのことが垂直磁気記録二層テープの市販
化を困難にしている． そこで本発明の目的は、安定した性能のよい垂直磁気記
録の可能な二層テープとそれを量産性よく製造するため
の製造方法を提供せんとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明者らはかかる問題に対し、鋭意検討の結果、垂直
磁気記録二層媒体ではＣｏ − Ｃｒの飽和磁化と膜厚
が０．０５μｍから０．１ μｍのバーマロイの初透磁
率との間には強い相関があり、Ｃｏ − Ｃｒの飽和磁
化が大きくなるにつれてパーマロイの初透磁率が小さく
なることを見いだした。
磁気記録二層媒体ではＣｏ − Ｃｒの飽和磁化と膜厚
が０．０５μｍから０．１ μｍのバーマロイの初透磁
率との間には強い相関があり、Ｃｏ − Ｃｒの飽和磁
化が大きくなるにつれてパーマロイの初透磁率が小さく
なることを見いだした。
そこで、膜厚０．０７５μｍのバーマロイ層上に飽和磁
化が５１〜５１４ （ｅｍｕ／ｃｃ）のＣｏ − Ｃｒ
を作製し、その上にさらに飽和磁化が５１４ （ｅｍｕ
／ｃｃ）のＣｏ − Ｃｒを、下地層と上部層との全厚
が０．１５μｍになるまで作製することによりパーマロ
イの初透磁率を劣化させない事ができること、及びそれ
を効率よく製造する方法を見いだした。また、パーマロ
イ膜の飽和磁歪定数λ，をＦｅの＆ＩＩ威を変えて制御
することでパーマロイ膜の磁化容易軸が膜面内にありか
つテープ走行方向に対して６０度から１２０度の範囲に
する事ができた。
化が５１〜５１４ （ｅｍｕ／ｃｃ）のＣｏ − Ｃｒ
を作製し、その上にさらに飽和磁化が５１４ （ｅｍｕ
／ｃｃ）のＣｏ − Ｃｒを、下地層と上部層との全厚
が０．１５μｍになるまで作製することによりパーマロ
イの初透磁率を劣化させない事ができること、及びそれ
を効率よく製造する方法を見いだした。また、パーマロ
イ膜の飽和磁歪定数λ，をＦｅの＆ＩＩ威を変えて制御
することでパーマロイ膜の磁化容易軸が膜面内にありか
つテープ走行方向に対して６０度から１２０度の範囲に
する事ができた。
（作 用）
本発明によれば、垂直磁気記録二層媒体のバーマロイ７
１ （Ｎｉ−Ｆｅ）のすぐ上層のＣｏ − Ｃｒの下地
層の飽和磁化がより小さいので、その初透磁率は左程劣
化することなく、性能のよい垂直磁気記録用二層テープ
が実現でき、またこれらの層を制御の容易なスバッタ法
により効率よく製造できるので量産性の高い製造方法が
実現できる． （実施例） 以下添付図面を参照し実施例により本発明を詳細に説明
する。
１ （Ｎｉ−Ｆｅ）のすぐ上層のＣｏ − Ｃｒの下地
層の飽和磁化がより小さいので、その初透磁率は左程劣
化することなく、性能のよい垂直磁気記録用二層テープ
が実現でき、またこれらの層を制御の容易なスバッタ法
により効率よく製造できるので量産性の高い製造方法が
実現できる． （実施例） 以下添付図面を参照し実施例により本発明を詳細に説明
する。
第１図に本発明に係る垂直磁気記録二層媒体の基本構戒
を模式的に示す。第１図示構威をより詳細に説明すると
、まず、膜面内に磁化容易軸を有する低保磁力磁性層例
えばパーマロイ層（Ｎｉ−Ｆｅ）がポリイミドフィルム
からなる非磁性基板フィルム上に後述する対向ターゲッ
トスパッタ法により例えば０．０７５μｍの厚さに被着
される。続いて膜而に垂直方向の磁化容易軸を有する磁
気記録層例えばＣｏ−Ｃｒ層を被着するのであるが、本
発明ではこれを二段階にわけて被着する． すなわち第ＩＮ目のＣｏ − Ｃｒ下地層はより小さい
飽和磁化５０ｅｍｕ／ｃｃ〜２００ｅ＋ｗｕ／ｃｃを有
して０．０５μ−の厚み以下に形戒され、第２層目のＣ
ｏ − Ｃｒ上部層はより大きい飽和磁化２００ｅｍｕ
／ｃｃを越えて下地層の厚みとの和が０，１５μｍの厚
み以下に形成される。
を模式的に示す。第１図示構威をより詳細に説明すると
、まず、膜面内に磁化容易軸を有する低保磁力磁性層例
えばパーマロイ層（Ｎｉ−Ｆｅ）がポリイミドフィルム
からなる非磁性基板フィルム上に後述する対向ターゲッ
トスパッタ法により例えば０．０７５μｍの厚さに被着
される。続いて膜而に垂直方向の磁化容易軸を有する磁
気記録層例えばＣｏ−Ｃｒ層を被着するのであるが、本
発明ではこれを二段階にわけて被着する． すなわち第ＩＮ目のＣｏ − Ｃｒ下地層はより小さい
飽和磁化５０ｅｍｕ／ｃｃ〜２００ｅ＋ｗｕ／ｃｃを有
して０．０５μ−の厚み以下に形戒され、第２層目のＣ
ｏ − Ｃｒ上部層はより大きい飽和磁化２００ｅｍｕ
／ｃｃを越えて下地層の厚みとの和が０，１５μｍの厚
み以下に形成される。
これらの成膜條件は以下にのべる具体例でより詳細に説
明されるが、第１から第５までの具体例から同時に１層
目のＣｏ−Ｃｒｉの適切な威膜條件が第３図示のパーマ
ロイ膜の初透磁率変化より求めることができる。第３図
はＣｏ − Ｃｒ第ｌＮ目の飽和磁化をパラメータにそ
の戒長膜厚に対するバーマローｆ膜の初透磁率の変化を
示した実験曲線であるが、このデータ曲線よりＣｏ−Ｃ
ｒ第１層目の適切な戒膜條件は飽和磁化が５０ｅｍｕ／
ｃｃ〜２００ｅｍｕ／ｃｃ ，膜厚は初透磁率の膜厚に
対する飽和曲線より厚みの小さい所を取って０．０５μ
謄以下と一応設定できる。
明されるが、第１から第５までの具体例から同時に１層
目のＣｏ−Ｃｒｉの適切な威膜條件が第３図示のパーマ
ロイ膜の初透磁率変化より求めることができる。第３図
はＣｏ − Ｃｒ第ｌＮ目の飽和磁化をパラメータにそ
の戒長膜厚に対するバーマローｆ膜の初透磁率の変化を
示した実験曲線であるが、このデータ曲線よりＣｏ−Ｃ
ｒ第１層目の適切な戒膜條件は飽和磁化が５０ｅｍｕ／
ｃｃ〜２００ｅｍｕ／ｃｃ ，膜厚は初透磁率の膜厚に
対する飽和曲線より厚みの小さい所を取って０．０５μ
謄以下と一応設定できる。
（具体例ｌ）
バーマロイ の
ターゲット： Ｎｉ−Ｆｅ （Ｎｉ ： ８０原子％、
スパッタアルゴン圧：ｌｓ＋Ｔｏｒｒ 投入パワー ： １，Ｏ ｋＷ Ｆｅ ： ２０原子％） 基板温度 ：１１５゜Ｃ 膜厚 ： ０．０７５μｍ飽和磁歪定数
： ＋ ４ ＸＩＯ−’１ のＣｏ−Ｃｒ の
’１３１ ターゲット： Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｏ ： ６７原子％、
Ｃｒ ： ３３原子％）スパッタアルゴン圧：１ｍＴｏ
ｒｒ 投入パワー ： １．０ ｋＷ 基板温度 ： １１５゜Ｃ 膜厚 ： ０．０１５ 〜０．０７５ μ
ｍ飽和磁化 ： ５１ （ｅｍｕ／ｃｃ）２
のｃｏ−Ｃｒ，の ターゲット： Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｏ ： ７９原子％、
Ｃｒ ： ２１原子％）スパッタアルゴン圧： ｌ ｍ
Ｔｏｒｒ投入パワー ： １．Ｏ ｋＷ 基板温度 ：１１５゜Ｃ 膜厚：ｌ層目のＣｏ−Ｃｒと合わせて０．１５μｍにな
ること飽和磁化 ： ５１４ （ｅｍｕ／ｃｃ
）（具体例２） 具体例ｌにおける、１層目のＣｏ−Ｃｒ膜のターゲット
をＣｏ ： ７０原子％、Ｃｒ ： ３０原子％、飽和
磁化を１６０ （ｅ＋ｗｕ／ｃｃ）とする． （具体例３） 具体例ｌにおける、１１目のＣｏ − Ｃｒ膜のターゲ
ットをＣｏ ： ７３原子％、Ｃｒ ： ２７原子％、
飽和磁化を２２１ （ｅｍｕ／ｃｃ）とする。
スパッタアルゴン圧：ｌｓ＋Ｔｏｒｒ 投入パワー ： １，Ｏ ｋＷ Ｆｅ ： ２０原子％） 基板温度 ：１１５゜Ｃ 膜厚 ： ０．０７５μｍ飽和磁歪定数
： ＋ ４ ＸＩＯ−’１ のＣｏ−Ｃｒ の
’１３１ ターゲット： Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｏ ： ６７原子％、
Ｃｒ ： ３３原子％）スパッタアルゴン圧：１ｍＴｏ
ｒｒ 投入パワー ： １．０ ｋＷ 基板温度 ： １１５゜Ｃ 膜厚 ： ０．０１５ 〜０．０７５ μ
ｍ飽和磁化 ： ５１ （ｅｍｕ／ｃｃ）２
のｃｏ−Ｃｒ，の ターゲット： Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｏ ： ７９原子％、
Ｃｒ ： ２１原子％）スパッタアルゴン圧： ｌ ｍ
Ｔｏｒｒ投入パワー ： １．Ｏ ｋＷ 基板温度 ：１１５゜Ｃ 膜厚：ｌ層目のＣｏ−Ｃｒと合わせて０．１５μｍにな
ること飽和磁化 ： ５１４ （ｅｍｕ／ｃｃ
）（具体例２） 具体例ｌにおける、１層目のＣｏ−Ｃｒ膜のターゲット
をＣｏ ： ７０原子％、Ｃｒ ： ３０原子％、飽和
磁化を１６０ （ｅ＋ｗｕ／ｃｃ）とする． （具体例３） 具体例ｌにおける、１１目のＣｏ − Ｃｒ膜のターゲ
ットをＣｏ ： ７３原子％、Ｃｒ ： ２７原子％、
飽和磁化を２２１ （ｅｍｕ／ｃｃ）とする。
（具体例４）
具体例ｌにおける、ＩＮ目のＣｏ − Ｃｒ膜のターゲ
ットをＣｏ ： ７６原子％、Ｃｒ ： ２４原子％、
飽和磁化を３５５ （ｅｍｕ／ｃｃ）−とする． （具体例５） 具体例ｌにおける、１層目のＣｏ−Ｃｒｌ’Ｊのターゲ
ットをＣｏ ： ７９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％、
飽和磁化を５１４ （ｅｍｕ／ｃｃ）とする． 以上のようにして、膜厚０．０７５ μ−のパーマロイ
膜上に膜厚０．１５μｍの２層からなるＣｏ − Ｃｒ
合金膜が形成される．これによってバーマロイ膜と飽和
磁化の小さい１層目のＣｏ − Ｃｒ膜との間の磁気的
相互作用が弱まるため、パーマロイ膜の初透磁率を劣化
させないことができる。
ットをＣｏ ： ７６原子％、Ｃｒ ： ２４原子％、
飽和磁化を３５５ （ｅｍｕ／ｃｃ）−とする． （具体例５） 具体例ｌにおける、１層目のＣｏ−Ｃｒｌ’Ｊのターゲ
ットをＣｏ ： ７９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％、
飽和磁化を５１４ （ｅｍｕ／ｃｃ）とする． 以上のようにして、膜厚０．０７５ μ−のパーマロイ
膜上に膜厚０．１５μｍの２層からなるＣｏ − Ｃｒ
合金膜が形成される．これによってバーマロイ膜と飽和
磁化の小さい１層目のＣｏ − Ｃｒ膜との間の磁気的
相互作用が弱まるため、パーマロイ膜の初透磁率を劣化
させないことができる。
１層目と２層目のＣｏ − Ｃｒ膜の飽和磁化の値を変
えるには、上記のように各層毎に同一ｍ或の一対のター
ゲットを用いる以外に、第２図に示した対向ターゲット
スバッタ法のように対向した一対のターゲットをＣｏ
− Ｃｒターゲット１（Ｃｏ：６７原子％、Ｃｒ ：
３３原子％）とＣｏ − Ｃｒターゲット２（Ｃｏ：７
９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％）とする事により、飽
和磁化の小さい１層目のＣｏ − Ｃｒ膜と飽和磁化の
大きい２層目のＣｏ−ＣｒＨを一度に形戒することがで
きる。
えるには、上記のように各層毎に同一ｍ或の一対のター
ゲットを用いる以外に、第２図に示した対向ターゲット
スバッタ法のように対向した一対のターゲットをＣｏ
− Ｃｒターゲット１（Ｃｏ：６７原子％、Ｃｒ ：
３３原子％）とＣｏ − Ｃｒターゲット２（Ｃｏ：７
９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％）とする事により、飽
和磁化の小さい１層目のＣｏ − Ｃｒ膜と飽和磁化の
大きい２層目のＣｏ−ＣｒＨを一度に形戒することがで
きる。
第２図においてターゲッｌ−１の中心からその近傍のス
リットｌを見込む角度をθ．、遠方のスリット２を見込
む角度をθ１２、また他方のターゲット２の中心からそ
の近傍のスリット２を見込む角度をθ．、遠方のスリッ
ト１を見込む角度をθ２ｌとした時、θｌ２とθ．とが
常に零度となる形状のマクス５を配置する．このときマ
スク５をマスク４の円周に沿って動かせば、θ．とθ１
２が連動して変化し、スリット１とスリット２の幅が変
わることで１層目と２層目の膜厚を制御できる。膜厚計
８により、マスク５の位置とスパッタ投入ハワーを制御
すれば、ＩＮ目と２層目の膜厚を所望の厚さとすること
ができる。
リットｌを見込む角度をθ．、遠方のスリット２を見込
む角度をθ１２、また他方のターゲット２の中心からそ
の近傍のスリット２を見込む角度をθ．、遠方のスリッ
ト１を見込む角度をθ２ｌとした時、θｌ２とθ．とが
常に零度となる形状のマクス５を配置する．このときマ
スク５をマスク４の円周に沿って動かせば、θ．とθ１
２が連動して変化し、スリット１とスリット２の幅が変
わることで１層目と２層目の膜厚を制御できる。膜厚計
８により、マスク５の位置とスパッタ投入ハワーを制御
すれば、ＩＮ目と２層目の膜厚を所望の厚さとすること
ができる。
この事を確認するために、第４図の様に対向した一対の
組或比の異なるＧｏ − Ｃｒターゲッ｝１（Ｃｏ：７
３原子％、Ｃｒ ： ２７原子％）とターゲット２（Ｃ
Ｏ：７９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％）をスパッタし
たときの基板上の飽和磁化を調べた。
組或比の異なるＧｏ − Ｃｒターゲッ｝１（Ｃｏ：７
３原子％、Ｃｒ ： ２７原子％）とターゲット２（Ｃ
Ｏ：７９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％）をスパッタし
たときの基板上の飽和磁化を調べた。
土色迩υ劃ｉ住
ターゲット１ ： Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｏ ： ７３原子
％、Ｃｒ ： ２７原子％、飽和磁化２２Ｈｅｎ＋ｕ／
ｃｃ） ）ターゲット２ ： Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｏ ：
７９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％、飽和磁化５１４
（ｅｓ＋ｕ／ｃｃ） ）ターゲットｌとターゲット２と
の距ｉｄｌ：ｆｌｅｗスバッタアルゴン圧： １ ｓＴ
ｏｒｒ投入パワー ？ １．０ ｋｋ 基板温度 ＝１１５℃ 膜厚 ： ０．１５μ曽 第５図にターゲット１とターゲット２との間に形成され
たＣｏ − Ｃｒスパッタ膜の飽和磁化分布を示す。「
ターゲット１からの距離」とは第４図でターゲット１の
表面からターゲット２の方向に測った距離である。
％、Ｃｒ ： ２７原子％、飽和磁化２２Ｈｅｎ＋ｕ／
ｃｃ） ）ターゲット２ ： Ｃｏ−Ｃｒ （Ｃｏ ：
７９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％、飽和磁化５１４
（ｅｓ＋ｕ／ｃｃ） ）ターゲットｌとターゲット２と
の距ｉｄｌ：ｆｌｅｗスバッタアルゴン圧： １ ｓＴ
ｏｒｒ投入パワー ？ １．０ ｋｋ 基板温度 ＝１１５℃ 膜厚 ： ０．１５μ曽 第５図にターゲット１とターゲット２との間に形成され
たＣｏ − Ｃｒスパッタ膜の飽和磁化分布を示す。「
ターゲット１からの距離」とは第４図でターゲット１の
表面からターゲット２の方向に測った距離である。
第６図（ａ）は前記Ｎｉ−Ｆｅ （Ｎｉ ： ８０原子
％、Ｆｅ ： ２０原子％、飽和磁歪定数＋４Ｘ１０−
’）膜のテープ走行方向のＭ−Ｈループ（磁化曲線）、
第６図（ロ）は同じ膜のテープ走行方向に対して垂直方
向のＭ一Ｈルーブである．この図からテープ走行方向に
対して垂直方向が磁化容易軸となっていることがわかる
。
％、Ｆｅ ： ２０原子％、飽和磁歪定数＋４Ｘ１０−
’）膜のテープ走行方向のＭ−Ｈループ（磁化曲線）、
第６図（ロ）は同じ膜のテープ走行方向に対して垂直方
向のＭ一Ｈルーブである．この図からテープ走行方向に
対して垂直方向が磁化容易軸となっていることがわかる
。
また第６図（Ｃ）はＮｉ−Ｐｅ （Ｎｉ ： ８４原子
％、Ｐｅ ： １６原子％、飽和磁歪定数−７Ｘ１０−
’）膜のテープ走行方向のＭ−Ｈループ、第６図（ｄ）
は同じ膜のテープ走行方向に対して垂直方向のＭ−Ｈル
ープである。この図からテープ走行方向が磁化容易軸と
なっている． さらにパーマロイ層の飽和磁歪定数を＋２×１０から＋
１×１０−’程度にする事で、バーマロイ層の磁化容易
軸が膜面内にあり、かつテープ走行方向に対して６０度
から１２０度の範囲とする事ができた．以上実施例によ
り本発明に係る二層媒体及びその製造方法について詳細
に述べてきたが、本発明はこれに限定されることなく、
本発明の要旨を逸脱することなく各種の変形、変更の可
能なことは自明であろう。
％、Ｐｅ ： １６原子％、飽和磁歪定数−７Ｘ１０−
’）膜のテープ走行方向のＭ−Ｈループ、第６図（ｄ）
は同じ膜のテープ走行方向に対して垂直方向のＭ−Ｈル
ープである。この図からテープ走行方向が磁化容易軸と
なっている． さらにパーマロイ層の飽和磁歪定数を＋２×１０から＋
１×１０−’程度にする事で、バーマロイ層の磁化容易
軸が膜面内にあり、かつテープ走行方向に対して６０度
から１２０度の範囲とする事ができた．以上実施例によ
り本発明に係る二層媒体及びその製造方法について詳細
に述べてきたが、本発明はこれに限定されることなく、
本発明の要旨を逸脱することなく各種の変形、変更の可
能なことは自明であろう。
（発明の効果）
以上詳細に説明してきたように、本発明によれば、垂直
磁気記録用二層媒体の膜面内に磁化容易軸を有する低保
磁力磁性層パーマロイ膜の膜厚を０．０５μｍから０．
１ μｍと薄＜シてもその初透磁率を劣化させることな
く、その上に膜面に垂直方向の磁化容易軸を有する磁気
記録磁性層Ｃｏ−Ｃｒ股を設けることができるので、二
層膜全体の膜厚を０．２５μｍ以下に押えることができ
て高密度記録の可能な狭トラック化、広帯域化および高
Ｃ／Ｎ化が満足される垂直磁気記録媒体が得られる。
磁気記録用二層媒体の膜面内に磁化容易軸を有する低保
磁力磁性層パーマロイ膜の膜厚を０．０５μｍから０．
１ μｍと薄＜シてもその初透磁率を劣化させることな
く、その上に膜面に垂直方向の磁化容易軸を有する磁気
記録磁性層Ｃｏ−Ｃｒ股を設けることができるので、二
層膜全体の膜厚を０．２５μｍ以下に押えることができ
て高密度記録の可能な狭トラック化、広帯域化および高
Ｃ／Ｎ化が満足される垂直磁気記録媒体が得られる。
また本発明製造方法によれば比較的制御の容易な対向タ
ーゲットスパッタ法がこの製造法に適用でき、かつＣｏ
− Ｃｒ層の下地層と上部層が一対のターゲットを２
つの異なった組成のターゲットとし、可動マスクを使用
制御することにより２ＩＷの飽和磁化と膜厚が容易に制
御できるので量産性の高い製造方法を提供することがで
きる。
ーゲットスパッタ法がこの製造法に適用でき、かつＣｏ
− Ｃｒ層の下地層と上部層が一対のターゲットを２
つの異なった組成のターゲットとし、可動マスクを使用
制御することにより２ＩＷの飽和磁化と膜厚が容易に制
御できるので量産性の高い製造方法を提供することがで
きる。
第１図は本発明に係る垂直磁気記録媒体の模式的略構戊
図を示し、 第２図はＣｏ − ＣｒのＩＮ目と２層目を一対のター
ゲットで同時に作製できる本発明に係る対向ターゲット
スパッタ装置の模式図を示し、 第３図はｌ層目のＣｏ − Ｃｒ膜の飽和磁化を５１〜
５１４（ｅｍｕ／ｃｃ）と変化させたときのパーマロイ
膜の初透磁率対ｌ層目のＣｏ − Ｃｒ膜厚の実験デー
タを示し、第４図は対向した一対の組成比の異なるＣｏ
− Ｃｒターゲットと基板フィルムの模式図を示し、
第５図は対向した一対の組成比の異なるＣｏ − Ｃｒ
ターゲット間に形戊されたＣｏ−Ｃｒスパッタ膜の飽和
磁化分布を示し、 第６図（ａ）〜（ｄ）は飽和磁歪定数の異なるパーマロ
イ膜の磁化曲線を示す。 Ａ・・・基板フィルム Ｃ・・・１層目のＣｏ −
ＣｒＢ・・・パーマロイ層 Ｄ・・・２層目のＣ
ｏ − Ｃｒ１ ”・Ｃｏ−Ｃｒターゲット１（Ｃｏ：
６７原子％、Ｃｒ ： ３３原子％）２ ・・・Ｃｏ−
Ｃｒターゲット２（Ｃｏｓ７９原子％、Ｃｒ ： ２１
原子％）３・・・パーマロイターゲット（Ｎｉ：８０原
子％、Ｆｅ ： ２０原子％４・・・マスク
５・・・移動マスク６・・・スリットｌ ７
・・・スリット２８・・・膜厚計 ９・・・
供給ローラ１０・・・巻取リローラ １１・・・基
板フイルム１２・・・キャン １３・・・ＣＯ−Ｃｒターゲット１（Ｃｏ：７３原子％
、Ｃｒ ： ２７原子％）１４・・・Ｃｏ−Ｃｒターゲ
ット２（Ｃｏ：７９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％）１
５・・・基板フィルム ） ＠１図 未ダ’ｊＪＡｒｓ債５重為磁気記斜■叢イ本ク線Ｎ的Ｍ
鎮＾図第３図 第４図 ｌ５ 某４反方ルム
図を示し、 第２図はＣｏ − ＣｒのＩＮ目と２層目を一対のター
ゲットで同時に作製できる本発明に係る対向ターゲット
スパッタ装置の模式図を示し、 第３図はｌ層目のＣｏ − Ｃｒ膜の飽和磁化を５１〜
５１４（ｅｍｕ／ｃｃ）と変化させたときのパーマロイ
膜の初透磁率対ｌ層目のＣｏ − Ｃｒ膜厚の実験デー
タを示し、第４図は対向した一対の組成比の異なるＣｏ
− Ｃｒターゲットと基板フィルムの模式図を示し、
第５図は対向した一対の組成比の異なるＣｏ − Ｃｒ
ターゲット間に形戊されたＣｏ−Ｃｒスパッタ膜の飽和
磁化分布を示し、 第６図（ａ）〜（ｄ）は飽和磁歪定数の異なるパーマロ
イ膜の磁化曲線を示す。 Ａ・・・基板フィルム Ｃ・・・１層目のＣｏ −
ＣｒＢ・・・パーマロイ層 Ｄ・・・２層目のＣ
ｏ − Ｃｒ１ ”・Ｃｏ−Ｃｒターゲット１（Ｃｏ：
６７原子％、Ｃｒ ： ３３原子％）２ ・・・Ｃｏ−
Ｃｒターゲット２（Ｃｏｓ７９原子％、Ｃｒ ： ２１
原子％）３・・・パーマロイターゲット（Ｎｉ：８０原
子％、Ｆｅ ： ２０原子％４・・・マスク
５・・・移動マスク６・・・スリットｌ ７
・・・スリット２８・・・膜厚計 ９・・・
供給ローラ１０・・・巻取リローラ １１・・・基
板フイルム１２・・・キャン １３・・・ＣＯ−Ｃｒターゲット１（Ｃｏ：７３原子％
、Ｃｒ ： ２７原子％）１４・・・Ｃｏ−Ｃｒターゲ
ット２（Ｃｏ：７９原子％、Ｃｒ ： ２１原子％）１
５・・・基板フィルム ） ＠１図 未ダ’ｊＪＡｒｓ債５重為磁気記斜■叢イ本ク線Ｎ的Ｍ
鎮＾図第３図 第４図 ｌ５ 某４反方ルム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板上の膜面内に磁化容易軸を有する低保磁
力磁性層と膜面に垂直方向の磁化容易軸を有する磁気記
録磁性層を順次形成してなる磁気記録媒体において、 前記磁気記録磁性層が飽和磁化のより小さ い下地層と飽和磁化のより大きい上部層とからなること
を特徴とする垂直磁気記録二層媒体。 ２、前記磁気記録磁性層の下地層の厚さと下地層および
上部層の厚さの和とがそれぞれ０．０５μｍ以下および
０．１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
の垂直磁気記録二層媒体。 ３、前記磁気記録磁性層の下地層の飽和磁化および上部
層の飽和磁化がそれぞれ５０ｅｍｕ／ｃｃから２００ｅ
ｍｕ／ｃｃまでおよび２００ｅｍｕ／ｃｃを越えたもの
であることを特徴とする請求項１または２記載の垂直磁
気記録二層媒体。 ４、前記膜面内に磁化容易軸を有する低保磁力磁性層の
厚みが０．０５μｍから０．１μｍまでであることを特
徴とする請求項１から３いずれかに記載の垂直磁気記録
二層媒体。 ５、前記膜面内に磁化容易軸を有する低保磁力磁性層の
前記磁化容易軸がテープ走行方向に対し６０度から１２
０度の範囲にあることを特徴とする請求項１から４いず
れかに記載の垂直磁気記録二層媒体。 ６、前記膜面内に磁化容易軸を有する低保磁力磁性層の
飽和磁歪定数λ＿ｓが＋２×１０＾−＾７から＋１×１
０＾−＾６までであることを特徴とする請求項１から５
いずれかに記載の垂直磁気記録二層媒体。 ７、請求項１から６いずれかに記載の垂直磁気記録二層
媒体を製造するにあたり、順次に形成される低保磁力磁
性層及び磁気記録磁性層がスパッタリング法により形成
されることを特徴とする垂直磁気記録二層媒体の製造方
法。 ８、前記磁気記録磁性層の下地層と上部層とが対向ター
ゲットスパッタ装置の一対のターゲットの強磁性材料の
組成をそれぞれ変えることにより引続く順次に形成され
ることを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録二層媒
体の製造方法。 ９、前記一対のターゲットの一方のターゲット１の中心
からその近傍のスリット１を見込む角度をθ＿１＿１遠
方のスリット２を見込む角度をθ＿１＿２とし、前記一
対のターゲットの他方のターゲット２の中心からその近
傍のスリット２を見込む角度をθ＿２＿２遠方のスリッ
ト１を見込む角度をθ＿２＿１とした時、θ＿１＿２と
θ＿２＿１とを常に零度とするマスクを配設し、そのマ
スクの位置を変えることにより、θ＿１＿１とθ＿２＿
２とを連動して変化させ前記下地層の膜厚と前記上部層
の膜厚とを制御することを特徴とする請求項８記載の垂
直磁気記録二層媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299743A JP2798745B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 垂直磁気記録二層媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299743A JP2798745B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 垂直磁気記録二層媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160616A true JPH03160616A (ja) | 1991-07-10 |
| JP2798745B2 JP2798745B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=17876434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1299743A Expired - Fee Related JP2798745B2 (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 垂直磁気記録二層媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798745B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0661695A3 (en) * | 1993-12-28 | 1996-09-18 | Tdk Corp | Magnetic recording medium. |
| US7862913B2 (en) | 2006-10-23 | 2011-01-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Oxide magnetic recording layers for perpendicular recording media |
| US7901801B2 (en) | 2007-07-04 | 2011-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201912A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1299743A patent/JP2798745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201912A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0661695A3 (en) * | 1993-12-28 | 1996-09-18 | Tdk Corp | Magnetic recording medium. |
| KR100238342B1 (ko) * | 1993-12-28 | 2000-01-15 | 사토 히로시 | 자기 기록 매체 |
| US7862913B2 (en) | 2006-10-23 | 2011-01-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Oxide magnetic recording layers for perpendicular recording media |
| US7901801B2 (en) | 2007-07-04 | 2011-03-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2798745B2 (ja) | 1998-09-17 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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