JPH03161941A - 電荷転送装置の製造方法 - Google Patents
電荷転送装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03161941A JPH03161941A JP30236889A JP30236889A JPH03161941A JP H03161941 A JPH03161941 A JP H03161941A JP 30236889 A JP30236889 A JP 30236889A JP 30236889 A JP30236889 A JP 30236889A JP H03161941 A JPH03161941 A JP H03161941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transfer electrode
- insulating film
- layer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電荷転送装置の製造方法に関し、特に、転送
電極の材料として高融点金属を含む材！！４を用いた電
荷転送装置の製造に適用して好適なものである。
電極の材料として高融点金属を含む材！！４を用いた電
荷転送装置の製造に適用して好適なものである。
本発明は、電荷転送装置の製造方法において、シリコン
基板上に形成された酸化シリコン膜上に少なくとも窒化
シリコン膜をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する工
程と、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る
第１の転送電極を形成する工程と、第１の転送電極をマ
スクとして第１の絶縁膜をエンチングする工程と、第１
の転送電極を覆うように少なくとも窒化シリコン膜をそ
の下部に含む第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の転
送電極に隣接して第２の絶縁膜上に高融点金属を含む材
料から成る第２の転送電極を形成する工程とを具備する
ことによって、第１の転送電極と第２の転送電極との間
の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができるとともに、
第１の転送電極の下のゲー１−絶縁膜と第２の転送電極
の下のケー１・絶縁膜とを同−構造とすることができる
ようにしたものである。
基板上に形成された酸化シリコン膜上に少なくとも窒化
シリコン膜をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する工
程と、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る
第１の転送電極を形成する工程と、第１の転送電極をマ
スクとして第１の絶縁膜をエンチングする工程と、第１
の転送電極を覆うように少なくとも窒化シリコン膜をそ
の下部に含む第２の絶縁膜を形成する工程と、第１の転
送電極に隣接して第２の絶縁膜上に高融点金属を含む材
料から成る第２の転送電極を形成する工程とを具備する
ことによって、第１の転送電極と第２の転送電極との間
の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができるとともに、
第１の転送電極の下のゲー１−絶縁膜と第２の転送電極
の下のケー１・絶縁膜とを同−構造とすることができる
ようにしたものである。
〔従来の技術」
電荷転送装置の一種にＣ Ｃ Ｄ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃ
ｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）撮像素子がある。従来、こ
のＣ Ｃ Ｄ撮像素子の転送電極の材料としては多結晶
シリコン（ｓ；） Ｉ模が用いられており、リン（Ｐ）
のトーピングや膜厚の最適化なとにより低抵抗化が達威
されている。しかし、多結晶Ｓ１膜ては１０Ω／口以下
のシー１・抵抗を尖現ずることは困難である。このため
、ｌＯΩ／［］以下のンーＩ・抵抗が要求される場合に
は、シート抵抗がより低い高融点金属ｌＩ焚や高融点金
属シリザイト膜を転送電極の材料として用いることが考
えられる。
ｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）撮像素子がある。従来、こ
のＣ Ｃ Ｄ撮像素子の転送電極の材料としては多結晶
シリコン（ｓ；） Ｉ模が用いられており、リン（Ｐ）
のトーピングや膜厚の最適化なとにより低抵抗化が達威
されている。しかし、多結晶Ｓ１膜ては１０Ω／口以下
のシー１・抵抗を尖現ずることは困難である。このため
、ｌＯΩ／［］以下のンーＩ・抵抗が要求される場合に
は、シート抵抗がより低い高融点金属ｌＩ焚や高融点金
属シリザイト膜を転送電極の材料として用いることが考
えられる。
このように中云送電極の材料として商融点金属膜や高融
点金属シリサイド膜を用いる場合、−眉目の転送電極と
７．層目の転送電極との間の層間絶縁膜の形成方法とし
ては、次のような方法が老えられる。第１の方法は、高
融点金属膜または高融点金属シリサイト膜上にＰがドー
プされた多結晶Ｓｉ膜を重ねた二層構造の膜や、高融点
金属膜または高融点金属シリサイド膜の上下をＰがトー
プされた多結晶Ｓｉ膜ではさんた三層構造の膜を用いて
−層目の転送電極を形成し、この二層構造または：層構
造の膜を直接熱酸化することにより層間絶縁膜を形成す
る方法である。第２の方法は、一層目の転送電極を形成
した後にＣＶＤ法により全面に層間絶縁膜として二酸化
シリコン（Ｓｉ○２）膜や窒化シリコン（ Ｓｉ３Ｎ４
）膜を形成し、一層目の転送電極の上方の部分における
この層間絶縁膜上にレジスＩ・パターンを形成した後、
このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜を工，
チングすることにより一層目の転送電極よりもその両側
にそれぞれ例えば０．２μｍ程度だけ幅が広くなるよう
に層間絶縁膜を残す方法である。
点金属シリサイド膜を用いる場合、−眉目の転送電極と
７．層目の転送電極との間の層間絶縁膜の形成方法とし
ては、次のような方法が老えられる。第１の方法は、高
融点金属膜または高融点金属シリサイト膜上にＰがドー
プされた多結晶Ｓｉ膜を重ねた二層構造の膜や、高融点
金属膜または高融点金属シリサイド膜の上下をＰがトー
プされた多結晶Ｓｉ膜ではさんた三層構造の膜を用いて
−層目の転送電極を形成し、この二層構造または：層構
造の膜を直接熱酸化することにより層間絶縁膜を形成す
る方法である。第２の方法は、一層目の転送電極を形成
した後にＣＶＤ法により全面に層間絶縁膜として二酸化
シリコン（Ｓｉ○２）膜や窒化シリコン（ Ｓｉ３Ｎ４
）膜を形成し、一層目の転送電極の上方の部分における
この層間絶縁膜上にレジスＩ・パターンを形成した後、
このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜を工，
チングすることにより一層目の転送電極よりもその両側
にそれぞれ例えば０．２μｍ程度だけ幅が広くなるよう
に層間絶縁膜を残す方法である。
しかし、上述の第１の方法は、多結晶Ｓｉ膜を熱酸化す
ることにより形成される層間絶縁膜に比べて耐圧の低い
層間絶縁膜しか形成することができないという問題があ
る。一方、上述の第２の方法は、層間絶縁膜をエソチン
グする際に用いるレジス１・パターンを一層目の転送電
極に対して自己整合的に形成することができないことか
ら、一層目の転送電極に対する眉間絶縁膜の合わせ精度
が悪い。このような理由により、一層目の転送電極の下
のゲート絶縁膜と二層目の転送電極の下のゲート絶縁膜
とを同一構造とすることば困難である。
ることにより形成される層間絶縁膜に比べて耐圧の低い
層間絶縁膜しか形成することができないという問題があ
る。一方、上述の第２の方法は、層間絶縁膜をエソチン
グする際に用いるレジス１・パターンを一層目の転送電
極に対して自己整合的に形成することができないことか
ら、一層目の転送電極に対する眉間絶縁膜の合わせ精度
が悪い。このような理由により、一層目の転送電極の下
のゲート絶縁膜と二層目の転送電極の下のゲート絶縁膜
とを同一構造とすることば困難である。
従って本発明の目的は、第１の転送電極と第２の転送電
極との間の眉間絶縁膜の高耐圧化を図ることができる電
荷転送装置の製造方法を提供することにある。
極との間の眉間絶縁膜の高耐圧化を図ることができる電
荷転送装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、第１の転送電極の下のゲート絶縁
膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁膜とを同一構造と
することができる電荷転送装置の製造方法を提供するこ
とにある。
膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁膜とを同一構造と
することができる電荷転送装置の製造方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達或するために、本発明は、電荷転送装置の
製造方法におい一で、シリコン基板（１）上に形成され
た酸化シリコン膜（２）上に少なくとも窒化シリコン膜
（３）をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する工程と
、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第１
の転送電極（７）を形成する上程と、第１の転送電極（
７）をマスクとして第１の絶縁膜をエンチングする王程
と、第１の転送電極（７）を覆うように少なくとも窒化
シリコン膜（８）をその下部に含む第２の絶縁膜を形成
する工程と、第１の転送電極（７）に隣接して第２の絶
縁膜上Ｃこ高融点金属を含む材料から成る第２の転送電
極（９）を形成する工程とを具備する。
製造方法におい一で、シリコン基板（１）上に形成され
た酸化シリコン膜（２）上に少なくとも窒化シリコン膜
（３）をその下部に含む第１の絶縁膜を形成する工程と
、第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第１
の転送電極（７）を形成する上程と、第１の転送電極（
７）をマスクとして第１の絶縁膜をエンチングする王程
と、第１の転送電極（７）を覆うように少なくとも窒化
シリコン膜（８）をその下部に含む第２の絶縁膜を形成
する工程と、第１の転送電極（７）に隣接して第２の絶
縁膜上Ｃこ高融点金属を含む材料から成る第２の転送電
極（９）を形成する工程とを具備する。
上述のように構或された本発明の電荷転送装置の製造方
法によれば、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜
は酸化シリコン膜（２）及び第１の絶縁膜により形成さ
れ、第２の転送電極（９）のｒのゲー１・絶縁膜は酸化
シリコン膜（２）及び第２の絶縁膜により形成されるの
で、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜と第２の
転送電極（９）の下のケート絶縁膜どを同一構造とする
ことができる。一方、第１の転送電極（７）と第２の転
送電極（９）との間の層間絶縁膜は第２の絶縁膜により
形成される。この第２の絶縁膜は、ＣＶＤ法などの方法
により容易に形成することができる高耐圧の窒化シリコ
ン膜を含むので、転送電極の材料として高融点金属膜や
高融点金属シリ→ノ゛イド膜などの高融点金属を含む材
料を用いた場合においても、高耐圧の層間絶縁膜を得る
ことができる。
法によれば、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜
は酸化シリコン膜（２）及び第１の絶縁膜により形成さ
れ、第２の転送電極（９）のｒのゲー１・絶縁膜は酸化
シリコン膜（２）及び第２の絶縁膜により形成されるの
で、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜と第２の
転送電極（９）の下のケート絶縁膜どを同一構造とする
ことができる。一方、第１の転送電極（７）と第２の転
送電極（９）との間の層間絶縁膜は第２の絶縁膜により
形成される。この第２の絶縁膜は、ＣＶＤ法などの方法
により容易に形成することができる高耐圧の窒化シリコ
ン膜を含むので、転送電極の材料として高融点金属膜や
高融点金属シリ→ノ゛イド膜などの高融点金属を含む材
料を用いた場合においても、高耐圧の層間絶縁膜を得る
ことができる。
以上により、第１の転送電極（７）と第２の転送電極（
９）との間の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができる
とともに、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜と
第２の転送電極（９）の下のゲート絶縁膜とを同一構造
とすることができる。
９）との間の層間絶縁膜の高耐圧化を図ることができる
とともに、第１の転送電極（７）の下のゲート絶縁膜と
第２の転送電極（９）の下のゲート絶縁膜とを同一構造
とすることができる。
？下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。この実施例は、本発明を埋め込みチャネルＣＣ
Ｄ （ＢＣＣＤ）の製造に適用した実施例である。なお
、実施例の全図において、同一の部分には同一の符号を
付す。
明する。この実施例は、本発明を埋め込みチャネルＣＣ
Ｄ （ＢＣＣＤ）の製造に適用した実施例である。なお
、実施例の全図において、同一の部分には同一の符号を
付す。
第１図Ａ〜第１図Ｅは本発明の一実施例によるＢＣＣＤ
の製造方法を工程順に示し、第２図はこの実施例による
製造方法により製造された１３ Ｃ ＣＤの転送電極の
平面図である。ここで、第１図已に示す断面は第２図の
ｘ−Ｘ線に沿っての断面に対応ずる。
の製造方法を工程順に示し、第２図はこの実施例による
製造方法により製造された１３ Ｃ ＣＤの転送電極の
平面図である。ここで、第１図已に示す断面は第２図の
ｘ−Ｘ線に沿っての断面に対応ずる。
この実施例によるＢＣＣＤの製造方法においては、第１
図Ａに示すように、まず例えばｐ型Ｓｉ基板１上に例え
ば熱酸化法によりＳｉＯ・膜２を形成した後、このＳｉ
○ｚｌ１＊２上に例えは減圧ＣＶＤ法によりＳｉ３Ｎ４
膜３を形成する。次に、これらのＳｉ３Ｎａ膜３及びＳ
ｉＯ■膜２を介してｐ型Ｓｉ基板１中に例えばヒ素（Ａ
ｓ）のようなｎ型不純物を選択的にイオン注入すること
により、例えばｎ゛型の半導体領域４を形成する。次に
、Ｓｉ３Ｎ４膜３上に一層目の転送電極形成用の材料と
して高融点金属を含む導体膜５を形成する。この導体膜
５としては、具体的には、例えばタングステン（Ｗ）膜
のような高融点金属膜、例えばタングステンシリサイＦ
（ＷＳｉｚ ）膜のような高融点金属シリザイド膜、
例えはＰのよ・うな不純物がドープされた多結晶Ｓｉ膜
上に高融点金属膜または高融点金属シリザイド膜を形成
した膜などを用いる。この後、この導体膜５上に、形成
すべき一層目の転送電極に対応した形状のレジストパタ
ーン６をリソグラフィーにより形成する。
図Ａに示すように、まず例えばｐ型Ｓｉ基板１上に例え
ば熱酸化法によりＳｉＯ・膜２を形成した後、このＳｉ
○ｚｌ１＊２上に例えは減圧ＣＶＤ法によりＳｉ３Ｎ４
膜３を形成する。次に、これらのＳｉ３Ｎａ膜３及びＳ
ｉＯ■膜２を介してｐ型Ｓｉ基板１中に例えばヒ素（Ａ
ｓ）のようなｎ型不純物を選択的にイオン注入すること
により、例えばｎ゛型の半導体領域４を形成する。次に
、Ｓｉ３Ｎ４膜３上に一層目の転送電極形成用の材料と
して高融点金属を含む導体膜５を形成する。この導体膜
５としては、具体的には、例えばタングステン（Ｗ）膜
のような高融点金属膜、例えばタングステンシリサイＦ
（ＷＳｉｚ ）膜のような高融点金属シリザイド膜、
例えはＰのよ・うな不純物がドープされた多結晶Ｓｉ膜
上に高融点金属膜または高融点金属シリザイド膜を形成
した膜などを用いる。この後、この導体膜５上に、形成
すべき一層目の転送電極に対応した形状のレジストパタ
ーン６をリソグラフィーにより形成する。
次に、このレジストパターン６をマスクとして導体膜５
及びＳｉｓＮ４膜３を順次エッチングした後、レシスト
パターン６を除去する。これによって、第１図Ｂに示す
ように、高融点金属を含む導体膜から成る一層目の転送
電極７が形成されるとともに、この一層目の転送電極７
の下にＳｉ３Ｎ．膜３がこの転送電極７と同一形状に残
される。この一層目の転送電極７の下のＳｉｎｇ膜２及
びＳｉ３Ｎ４膜３によりこの一層目の転送電極７用のゲ
ー９ ？絶縁膜が形成される。
及びＳｉｓＮ４膜３を順次エッチングした後、レシスト
パターン６を除去する。これによって、第１図Ｂに示す
ように、高融点金属を含む導体膜から成る一層目の転送
電極７が形成されるとともに、この一層目の転送電極７
の下にＳｉ３Ｎ．膜３がこの転送電極７と同一形状に残
される。この一層目の転送電極７の下のＳｉｎｇ膜２及
びＳｉ３Ｎ４膜３によりこの一層目の転送電極７用のゲ
ー９ ？絶縁膜が形成される。
次に、第１図Ｃに示すように、例えば減圧ＣＶＤ法によ
り全面にＳｉ３Ｎ，膜８を形成した後、このＳｉ３Ｎ４
膜８上に一層目の転送電極７に隣接して二層目の転送電
極９を形成する。この二層目の転送電極９を形成するに
は、一層目の転送電極７を形成した場合と同様に、Ｓｉ
３Ｎ４膜８上に上述の導体欣５と同様な高融点金属を含
む導体欣（図示せず）を形成し、この導体膜をエソチン
グによりパターンニングすればよい。一層目の転送電極
７の間におけるこの二層目の転送電極９の下のＳｉ○２
膜２及びＳｉ３Ｎ４膜３により、この二層目の転送電極
９用のゲート絶縁膜が形成される。また、一層目の転送
電極７と二層目の転送電極９との間のＳｉ３Ｎ４膜８に
より、この一層目の転送電極７と二層目の転送電極９と
の間の層間絶縁膜が形成される。
り全面にＳｉ３Ｎ，膜８を形成した後、このＳｉ３Ｎ４
膜８上に一層目の転送電極７に隣接して二層目の転送電
極９を形成する。この二層目の転送電極９を形成するに
は、一層目の転送電極７を形成した場合と同様に、Ｓｉ
３Ｎ４膜８上に上述の導体欣５と同様な高融点金属を含
む導体欣（図示せず）を形成し、この導体膜をエソチン
グによりパターンニングすればよい。一層目の転送電極
７の間におけるこの二層目の転送電極９の下のＳｉ○２
膜２及びＳｉ３Ｎ４膜３により、この二層目の転送電極
９用のゲート絶縁膜が形成される。また、一層目の転送
電極７と二層目の転送電極９との間のＳｉ３Ｎ４膜８に
より、この一層目の転送電極７と二層目の転送電極９と
の間の層間絶縁膜が形成される。
次に、第１図Ｄに示すように、この二層目の転送電極９
上に例えば熱酸化法によりＳｉＯ■膜１ｏを形成した後
、このＳｉＯｚ膜１０をマスクとして１０ Ｓ ｉ ３ Ｎ ａ膜８をエンチングする。これによっ
て、センザ一部のＳ ｉ ３ Ｎ ４膜８がエソチング
除去される。次に、このセンシ一部に例えばＡｓのよう
なｒｌ型不純物を選択的にイオン注入することによりｎ
型半導体領域１１を形成する，このｎ型半導体領域ｌ１
とｐ型Ｓｉ基板１とから成るｐｎ接合によりセンザーが
形成される。
上に例えば熱酸化法によりＳｉＯ■膜１ｏを形成した後
、このＳｉＯｚ膜１０をマスクとして１０ Ｓ ｉ ３ Ｎ ａ膜８をエンチングする。これによっ
て、センザ一部のＳ ｉ ３ Ｎ ４膜８がエソチング
除去される。次に、このセンシ一部に例えばＡｓのよう
なｒｌ型不純物を選択的にイオン注入することによりｎ
型半導体領域１１を形成する，このｎ型半導体領域ｌ１
とｐ型Ｓｉ基板１とから成るｐｎ接合によりセンザーが
形成される。
次に、第１図已に示すように、例えばＣＶＤυ、により
全面に層間絶縁膜１２を形成し、この層間絶縁膜１２上
に例えばアルごニウム（ＡＩ）配線１３を形成した後、
全ＦｉＩＪ４こバノシ・＼−ソヨン股１４を形成して、
目的とするＢＣＣＤを完威させる。
全面に層間絶縁膜１２を形成し、この層間絶縁膜１２上
に例えばアルごニウム（ＡＩ）配線１３を形成した後、
全ＦｉＩＪ４こバノシ・＼−ソヨン股１４を形成して、
目的とするＢＣＣＤを完威させる。
ここで、眉間絶縁膜１２としては、例えばＳｉＯ。
膜及びリンシリケートガラス（ＰＳＧ）膜から成るもの
などを用いることができる。また、バンシヘーション膜
１４としては、例えばプラスマＣＶＤ法により形成され
たＳｉＮ膜などを用いることができる。
などを用いることができる。また、バンシヘーション膜
１４としては、例えばプラスマＣＶＤ法により形成され
たＳｉＮ膜などを用いることができる。
この完或状態にお＆Ｊる−層目の転送電極７及び二層目
の転送電極９のパターンを第２図に示す。
の転送電極９のパターンを第２図に示す。
１ｌ
以上のように、この実施例によれば、−層口の転送電極
７と二層目の転送電極９との間の層間絶縁膜をＣＶＤ法
６こより形成された高耐圧のＳｉ３Ｎ４膜８により形成
しているので、転送電極の材料として高融点金属を含む
材料を用いた場合においても、一層目の転送電極７と二
層目の転送電極９との間の眉間絶縁膜の耐圧を十分に大
きくすることができる。また、一層目の転送電極７の下
のゲート絶縁膜はＳｉＯ２ｌｌＵ２及びｓｉ３Ｎａ膜３
により形成され、二層目の転送電極９の下のゲート絶縁
膜はＳｉＯｚ膜２及びＳ ｉ ３ Ｎ ａ膜８により形
成されるので、一層目の転送電極７の下のゲート絶縁膜
と二層目の転送電極９の下のゲート絶縁膜とを同一構造
とすることができる。これによって、電荷転送時に一層
目の転送電極７の下の部分のｐ型Ｓｉ基板１に形成され
るポテンシャル井戸と二層目の転送電極９の下の部分の
ｐ型Ｓｉ基板ｌに形成されるポテンシャル井戸との間に
ゲート絶縁膜の構造の違いによるポテンシャル差が生し
ることがなく、従って電荷の転送が容易となる。さらに
、一層目１２ の転送電極７は、金属元素に対するハリアとなるＳｊ３
Ｎ４膜でその周囲のかなりの部分を囲まれた構造となる
ので、この転送電極７中に含まれる金属元素の外部への
拡散を抑えることができ、従って転送電極７からセンサ
一部への金属元素の拡散を防止するこどができる。これ
によって、この実施例によるＢＣＣＤを撮像素子として
用いた場合において、金属汚染による画像欠陥の発生を
防止することができる。なお、高融点金属を含む材料の
使用により転送電極７．９の低抵抗化を図ることができ
ることは言うまでもない。
７と二層目の転送電極９との間の層間絶縁膜をＣＶＤ法
６こより形成された高耐圧のＳｉ３Ｎ４膜８により形成
しているので、転送電極の材料として高融点金属を含む
材料を用いた場合においても、一層目の転送電極７と二
層目の転送電極９との間の眉間絶縁膜の耐圧を十分に大
きくすることができる。また、一層目の転送電極７の下
のゲート絶縁膜はＳｉＯ２ｌｌＵ２及びｓｉ３Ｎａ膜３
により形成され、二層目の転送電極９の下のゲート絶縁
膜はＳｉＯｚ膜２及びＳ ｉ ３ Ｎ ａ膜８により形
成されるので、一層目の転送電極７の下のゲート絶縁膜
と二層目の転送電極９の下のゲート絶縁膜とを同一構造
とすることができる。これによって、電荷転送時に一層
目の転送電極７の下の部分のｐ型Ｓｉ基板１に形成され
るポテンシャル井戸と二層目の転送電極９の下の部分の
ｐ型Ｓｉ基板ｌに形成されるポテンシャル井戸との間に
ゲート絶縁膜の構造の違いによるポテンシャル差が生し
ることがなく、従って電荷の転送が容易となる。さらに
、一層目１２ の転送電極７は、金属元素に対するハリアとなるＳｊ３
Ｎ４膜でその周囲のかなりの部分を囲まれた構造となる
ので、この転送電極７中に含まれる金属元素の外部への
拡散を抑えることができ、従って転送電極７からセンサ
一部への金属元素の拡散を防止するこどができる。これ
によって、この実施例によるＢＣＣＤを撮像素子として
用いた場合において、金属汚染による画像欠陥の発生を
防止することができる。なお、高融点金属を含む材料の
使用により転送電極７．９の低抵抗化を図ることができ
ることは言うまでもない。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではな《、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではな《、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施例におけるＳｉ．Ｎ４膜３８の上に
熱酸化法により薄いＳｉＯｚ膜を形成することにより、
−層目の転送電極７の下のケート絶縁膜及び二層目の転
送電極９の下のゲーＩ・絶縁膜をそれぞれＳ ｉ Ｏ
２ ／ Ｓ ｌ ３ Ｎ ａ ／ Ｓ ｉ Ｏ ２
（ Ｏ Ｎ Ｏ ）１３ ？造とすることも可能である。
熱酸化法により薄いＳｉＯｚ膜を形成することにより、
−層目の転送電極７の下のケート絶縁膜及び二層目の転
送電極９の下のゲーＩ・絶縁膜をそれぞれＳ ｉ Ｏ
２ ／ Ｓ ｌ ３ Ｎ ａ ／ Ｓ ｉ Ｏ ２
（ Ｏ Ｎ Ｏ ）１３ ？造とすることも可能である。
また、上述の実施例においては、ＳｉＯ■膜１０をマス
クとしてＳｉ：＋Ｎｎｌ模８をエソチングする際に−・
層目の転送電極７も多少エッチングされる可能性がある
が、この−層目の転送電極７のエッチングを防止するた
めには、例えば二層目の転送電極形成用の導体膜をエソ
チングしてて層目の転送電極９を形成した後にセンナー
形成用のイオン注入を行えばよい。
クとしてＳｉ：＋Ｎｎｌ模８をエソチングする際に−・
層目の転送電極７も多少エッチングされる可能性がある
が、この−層目の転送電極７のエッチングを防止するた
めには、例えば二層目の転送電極形成用の導体膜をエソ
チングしてて層目の転送電極９を形成した後にセンナー
形成用のイオン注入を行えばよい。
さらに、上述の実施例においては、本発明をＢＣＣＤの
製造に適用した場合について説明したが、本発明は、Ｂ
ＣＣＤ以外の各種の電荷転送装置の製造に通用すること
が可能である。
製造に適用した場合について説明したが、本発明は、Ｂ
ＣＣＤ以外の各種の電荷転送装置の製造に通用すること
が可能である。
本発明は、以上説明したように構或されているので、第
１の転送電極と第２の転送電極との間の眉間絶縁膜の高
耐圧化を図ることができるとともに、第１の転送電極の
下のゲート絶縁膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁膜
とを同一構造とする１４ ことができる。
１の転送電極と第２の転送電極との間の眉間絶縁膜の高
耐圧化を図ることができるとともに、第１の転送電極の
下のゲート絶縁膜と第２の転送電極の下のゲート絶縁膜
とを同一構造とする１４ ことができる。
第１図Ａ〜第１図Ｅは本発明の−実施例によるＢＣＣＤ
の製造方法を工程順に説明するための断面図、第２図は
第１図Ａ〜第１図Ｅに示す製造カ法により製造されたＢ
ＣＣＤの平面図である。 図面におりる主要な符号の説明 １：ｐ型Ｓｉ４板、 ２：ＳｉＯ．膜、 ３ ８：Ｓ
ｉ３Ｎ，ｌ膜、 ５：導体膜、 ７：一層目の転送電極
、 ９：二層目の転送電極。
の製造方法を工程順に説明するための断面図、第２図は
第１図Ａ〜第１図Ｅに示す製造カ法により製造されたＢ
ＣＣＤの平面図である。 図面におりる主要な符号の説明 １：ｐ型Ｓｉ４板、 ２：ＳｉＯ．膜、 ３ ８：Ｓ
ｉ３Ｎ，ｌ膜、 ５：導体膜、 ７：一層目の転送電極
、 ９：二層目の転送電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シリコン基板上に形成された酸化シリコン膜上に少なく
とも窒化シリコン膜をその下部に含む第１の絶縁膜を形
成する工程と、 上記第１の絶縁膜上に高融点金属を含む材料から成る第
１の転送電極を形成する工程と、 上記第１の転送電極をマスクとして上記第１の絶縁膜を
エッチングする工程と、 上記第１の転送電極を覆うように少なくとも窒化シリコ
ン膜をその下部に含む第２の絶縁膜を形成する工程と、 上記第１の転送電極に隣接して上記第２の絶縁膜上に高
融点金属を含む材料から成る第２の転送電極を形成する
工程とを具備することを特徴とする電荷転送装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30236889A JP2830215B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電荷転送装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30236889A JP2830215B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電荷転送装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03161941A true JPH03161941A (ja) | 1991-07-11 |
| JP2830215B2 JP2830215B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=17908060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30236889A Expired - Fee Related JP2830215B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 電荷転送装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830215B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5292680A (en) * | 1993-05-07 | 1994-03-08 | United Microelectronics Corporation | Method of forming a convex charge coupled device |
| US5670382A (en) * | 1992-07-29 | 1997-09-23 | Nikon Corporation | Method for producing a solid state imaging device |
| JP2007189020A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP30236889A patent/JP2830215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5670382A (en) * | 1992-07-29 | 1997-09-23 | Nikon Corporation | Method for producing a solid state imaging device |
| US5292680A (en) * | 1993-05-07 | 1994-03-08 | United Microelectronics Corporation | Method of forming a convex charge coupled device |
| JP2007189020A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830215B2 (ja) | 1998-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03161941A (ja) | 電荷転送装置の製造方法 | |
| JPH0231464A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03263330A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0645614A (ja) | 読出し専用半導体メモリの製造方法 | |
| JPH01206650A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10256187A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2695812B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0368170A (ja) | 薄膜半導体素子の製造方法 | |
| JPH0358485A (ja) | 縦型ｍｏｓｆｅｔ装置の製造方法 | |
| JP2767104B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61225851A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05226466A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6230494B2 (ja) | ||
| JPH0714052B2 (ja) | 電荷結合デバイスの電極形成方法 | |
| JP3189399B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04123458A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3194303B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11145305A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03109736A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05166941A (ja) | 半導体セルフアライン・コンタクト構造および製造方法 | |
| JPH02126684A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03248538A (ja) | 電荷結合素子及びその製造方法 | |
| JPH02150069A (ja) | フローテイングゲート型半導体メモリ装置 | |
| JPH0613342A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05343422A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |