JPH0316245Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0316245Y2 JPH0316245Y2 JP722585U JP722585U JPH0316245Y2 JP H0316245 Y2 JPH0316245 Y2 JP H0316245Y2 JP 722585 U JP722585 U JP 722585U JP 722585 U JP722585 U JP 722585U JP H0316245 Y2 JPH0316245 Y2 JP H0316245Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ceramic varistor
- sheet body
- ceramic
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
［考案の技術分野］
本考案は電極構造を改良した積層セラミツクバ
リスタに関する。 ［考案の技術的背景とその問題点］ 一般に積層セラミツクバリスタは、小型で耐サ
ージ特性等も優れており今後ますますその需要も
拡大する傾向にある。従来、一般化している積層
セラミツクバリスタは第７図に示すようにセラミ
ツク半導体２１間に多数の内部電極２２が層状に
形成され、該内部電極２２は一層おきに前記セラ
ミツク半導体２１両端面に形成した外部電極２
３，２４で電気的に並列接続されている。しかし
て、このように構成してなる積層セラミツクバリ
スタの形成手段としては、第８図に示すように公
知の手段で成形したバリスタ用セラミツクグリー
ンシートを所望の大きさに切断してなるセラミツ
クシート体２５の一方面にマージン部２６を残し
て例えばAu，Pt，Ag，Pdなどの電極材料を含
む電極ペーストを印刷塗布して内部電極２２を形
成してなるセラミツク半導体２１複数個を用い、
マージン部２６の位置が交互に反対側になるよう
に前記セラミツク半導体２１を複数層積み重ねて
圧着した後焼結して一体化し、しかるのち両端面
に例えばAgかAg−Pdペーストを塗布焼付けて外
部電極２３，２４を形成してなるものである。し
かしながら、上記のように構成してなる積層セラ
ミツクバリスタは、内部電極２２位置合せが重要
なポイントとなるが、例えば内部電極２２の印刷
ずれによつて層間の内部電極２２先端に位置ずれ
イが発生した場合、有効電極間面積がそれだけ小
さくなるため所期のサージ耐量またはエネルギー
耐量が得られない結果となり、また焼結過程で外
部電極２３，２４を形成する両端面に露出すべき
内部電極２２が十分露出しない場合そのままでは
内部電極２２と外部電極２３，２４が非接触状態
となるため焼結後サンド・ブラストか研削などを
施し内部電極２２を露出させなければならず工数
を多く要し、加えてバリスタ用セラミツクグリー
ンシート形成後はバツチ処理によらなければなら
ず作業性が悪く、さらには外部電極２３，２４に
よつて電極間シヨートを防ぐため十分なマージン
部２６を確保しなければならず小形化の阻害要因
となつていた。 ［考案の目的］ 本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、作
業性良好にして小型化または薄型化に貢献できる
高信頼性に富む新規な構成からなる積層セラミツ
クバリスタを提供することを目的とするものであ
る。 ［考案の概要］ 本考案の積層セラミツクバリスタは、長さ方向
の両端両面の任意な部分を生シート部として残し
て両面に電極部を形成したセラミツクバリスタシ
ート体を用い、前記電極部に複数の折曲部を設け
前記生シート面が外面となるよう前記セラミツク
バリスタシート体をつづら折りにして積み重ね一
体化し前記折曲部外面を外部電極としたことを特
徴とするものである。 ［考案の実施例］ 以下本考案の一実施例につき図面を参照して説
明する。すなわち第２図に示すように例えば酸化
亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウ
ム、炭化硅素、酸化鉄などを主成分とし、他に数
種類の金属酸化物を添加混合したセラミツク材料
を用い、押出法またはドクターブレード法などで
成形したバリスタ用セラミツクグリーンシート１
の両端両面部分を生シート部２，３として残して
両面にAu，Pt，Cu，Ag，Pd，Niなどからなる
電極ペーストを印刷塗布するか、または前記電極
材料を蒸着し電極部４を形成してセラミツクバリ
スタシート体５を得る。しかして、第３図に示す
ように該セラミツクバリスタシート体５を用い、
前記生シート部２，３がそれぞれ外面となるよう
に前記電極部４に複数の折曲部６を設けてつづら
折りし、しかるのち、焼結して第１図に示すよう
に一体化して前記折曲部６の外面に位置した電極
部４を外部電極７として、該外部電極７に必要に
応じて外部端子（図示せず）を取着し必要に応じ
て外装（図示せず）を施してなるものである。 以上のように構成してなる積層セラミツクバリ
スタは、つづら折りによつて内部に位置した電極
部４がそのまま内部電極となる構造であるため重
要なポイントである内部電極の位置合せが不要で
あり、従来発生していた内部電極の位置づれによ
る特性劣化の要因は皆無となるとともに、従来必
要としていた第８図に示すマージン部２６は不要
となり、それだけ小型化または薄型化に貢献でき
る。またつづら折りによつて設けた折曲部６の外
面に位置した電極部４がそのまま外部電極７とな
る構造であるため特別な外部電極形成が不要であ
り、工程の簡略化はもとより従来発生の危険性を
有していた内部電極と外部電極の非接触状態によ
る特性劣化の問題を完全に無視することができ
る。さらに電極部４をバリスタ用セラミツクグリ
ーンシート１両面に連続的に形成して得たセラミ
ツクバリスタシート体５を必要とする大きさで必
要とする数だけつづら折りするのみであるため、
従来のバツチ処理によるものと比較して作業性良
好にして自動化が容易となりコストダウンに大き
く貢献する利点をも有する。 つぎに以下に示す具体的実施例をもとに本考案
による小型化または薄型化の実態について述べ
る。すなわち酸化亜鉛を主成分としドクターブレ
ード法によつて成形した厚みが焼き上がりで50μ
ｍとなるようにしたバリスタ用セラミツクグリー
ンシートを用い電極材としてPtを用いたバリス
タ電圧が10Vでサージ耐量を50A 100A
200A 400Aに設定した本考案(A)それぞれと、
第７図に示す従来の参考例(B)それぞれの体積を調
べた結果、表に示すようになつた。
リスタに関する。 ［考案の技術的背景とその問題点］ 一般に積層セラミツクバリスタは、小型で耐サ
ージ特性等も優れており今後ますますその需要も
拡大する傾向にある。従来、一般化している積層
セラミツクバリスタは第７図に示すようにセラミ
ツク半導体２１間に多数の内部電極２２が層状に
形成され、該内部電極２２は一層おきに前記セラ
ミツク半導体２１両端面に形成した外部電極２
３，２４で電気的に並列接続されている。しかし
て、このように構成してなる積層セラミツクバリ
スタの形成手段としては、第８図に示すように公
知の手段で成形したバリスタ用セラミツクグリー
ンシートを所望の大きさに切断してなるセラミツ
クシート体２５の一方面にマージン部２６を残し
て例えばAu，Pt，Ag，Pdなどの電極材料を含
む電極ペーストを印刷塗布して内部電極２２を形
成してなるセラミツク半導体２１複数個を用い、
マージン部２６の位置が交互に反対側になるよう
に前記セラミツク半導体２１を複数層積み重ねて
圧着した後焼結して一体化し、しかるのち両端面
に例えばAgかAg−Pdペーストを塗布焼付けて外
部電極２３，２４を形成してなるものである。し
かしながら、上記のように構成してなる積層セラ
ミツクバリスタは、内部電極２２位置合せが重要
なポイントとなるが、例えば内部電極２２の印刷
ずれによつて層間の内部電極２２先端に位置ずれ
イが発生した場合、有効電極間面積がそれだけ小
さくなるため所期のサージ耐量またはエネルギー
耐量が得られない結果となり、また焼結過程で外
部電極２３，２４を形成する両端面に露出すべき
内部電極２２が十分露出しない場合そのままでは
内部電極２２と外部電極２３，２４が非接触状態
となるため焼結後サンド・ブラストか研削などを
施し内部電極２２を露出させなければならず工数
を多く要し、加えてバリスタ用セラミツクグリー
ンシート形成後はバツチ処理によらなければなら
ず作業性が悪く、さらには外部電極２３，２４に
よつて電極間シヨートを防ぐため十分なマージン
部２６を確保しなければならず小形化の阻害要因
となつていた。 ［考案の目的］ 本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、作
業性良好にして小型化または薄型化に貢献できる
高信頼性に富む新規な構成からなる積層セラミツ
クバリスタを提供することを目的とするものであ
る。 ［考案の概要］ 本考案の積層セラミツクバリスタは、長さ方向
の両端両面の任意な部分を生シート部として残し
て両面に電極部を形成したセラミツクバリスタシ
ート体を用い、前記電極部に複数の折曲部を設け
前記生シート面が外面となるよう前記セラミツク
バリスタシート体をつづら折りにして積み重ね一
体化し前記折曲部外面を外部電極としたことを特
徴とするものである。 ［考案の実施例］ 以下本考案の一実施例につき図面を参照して説
明する。すなわち第２図に示すように例えば酸化
亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウ
ム、炭化硅素、酸化鉄などを主成分とし、他に数
種類の金属酸化物を添加混合したセラミツク材料
を用い、押出法またはドクターブレード法などで
成形したバリスタ用セラミツクグリーンシート１
の両端両面部分を生シート部２，３として残して
両面にAu，Pt，Cu，Ag，Pd，Niなどからなる
電極ペーストを印刷塗布するか、または前記電極
材料を蒸着し電極部４を形成してセラミツクバリ
スタシート体５を得る。しかして、第３図に示す
ように該セラミツクバリスタシート体５を用い、
前記生シート部２，３がそれぞれ外面となるよう
に前記電極部４に複数の折曲部６を設けてつづら
折りし、しかるのち、焼結して第１図に示すよう
に一体化して前記折曲部６の外面に位置した電極
部４を外部電極７として、該外部電極７に必要に
応じて外部端子（図示せず）を取着し必要に応じ
て外装（図示せず）を施してなるものである。 以上のように構成してなる積層セラミツクバリ
スタは、つづら折りによつて内部に位置した電極
部４がそのまま内部電極となる構造であるため重
要なポイントである内部電極の位置合せが不要で
あり、従来発生していた内部電極の位置づれによ
る特性劣化の要因は皆無となるとともに、従来必
要としていた第８図に示すマージン部２６は不要
となり、それだけ小型化または薄型化に貢献でき
る。またつづら折りによつて設けた折曲部６の外
面に位置した電極部４がそのまま外部電極７とな
る構造であるため特別な外部電極形成が不要であ
り、工程の簡略化はもとより従来発生の危険性を
有していた内部電極と外部電極の非接触状態によ
る特性劣化の問題を完全に無視することができ
る。さらに電極部４をバリスタ用セラミツクグリ
ーンシート１両面に連続的に形成して得たセラミ
ツクバリスタシート体５を必要とする大きさで必
要とする数だけつづら折りするのみであるため、
従来のバツチ処理によるものと比較して作業性良
好にして自動化が容易となりコストダウンに大き
く貢献する利点をも有する。 つぎに以下に示す具体的実施例をもとに本考案
による小型化または薄型化の実態について述べ
る。すなわち酸化亜鉛を主成分としドクターブレ
ード法によつて成形した厚みが焼き上がりで50μ
ｍとなるようにしたバリスタ用セラミツクグリー
ンシートを用い電極材としてPtを用いたバリス
タ電圧が10Vでサージ耐量を50A 100A
200A 400Aに設定した本考案(A)それぞれと、
第７図に示す従来の参考例(B)それぞれの体積を調
べた結果、表に示すようになつた。
【表】
上表から明らかなように、サージ耐量によつて
差はあるが、同一サージ耐量のもの同志で本考案
(A)は従来の参考例(B)より約15〜20％も体積を小さ
くでき、小型または薄型化の市場要求に大きく応
え得る効果を示した。 なお上記実施例では単位素子を単独で作る場合
を例示して説明したが、第４図に示すように長さ
方向の両端両面の任意な部分を生シート部８，９
として残して両面に電極部１０を形成した大きな
セラミツクバリスタシート体１１を用い、前記生
シート部８，９がそれぞれ外面となるようにつづ
ら折りした後圧着−焼結し、しかるのち矢印方向
に必要大きさに切断するようにすれば一度に大量
の素子を得ることができ、作業能率に大きく貢献
できる。 また、上記実施例では両側面いつぱいまで電極
部を設けた構造を例示して説明したが、必要に応
じて第５図に示すように長さ方向の両端の任意な
部分を生シート部１２，１３として残し、素子形
成に必要な幅の電極部１４を任意な間隔の余白部
１５を設けて複数に形成した大きなセラミツクバ
リスタシート体１６を用い、つづら折り−圧着−
焼結し矢印方向に前記余白部１５の中央部で切断
するようにすれば両側端部に一定の余白部を設け
た構造のものを得ることができる。 さらに上記実施例では外部電極となる折曲部外
面の電極部厚さを内部電極となる電極部厚さと同
一厚さのものを例示して説明したが、第６図に示
すように例えば印刷の場合はメツシユをその部分
だけ粗いものとするか、またはその部分だけ二度
印刷するか、蒸着の場合はその部分だけ多めに蒸
着して電極部１７の折曲部１８外面の電極部厚さ
を厚くしたセラミツクバリスタシート体１９を用
いるようにすれば外部電極としての強度を高める
のに効果的である。 ［考案の効果］ 本考案によれば作業性良好にして小型化または
薄型化に貢献できることはもとより、高信頼性に
富み安価で工業的価値の高い積層セラミツクバリ
スタを得ることができる。
差はあるが、同一サージ耐量のもの同志で本考案
(A)は従来の参考例(B)より約15〜20％も体積を小さ
くでき、小型または薄型化の市場要求に大きく応
え得る効果を示した。 なお上記実施例では単位素子を単独で作る場合
を例示して説明したが、第４図に示すように長さ
方向の両端両面の任意な部分を生シート部８，９
として残して両面に電極部１０を形成した大きな
セラミツクバリスタシート体１１を用い、前記生
シート部８，９がそれぞれ外面となるようにつづ
ら折りした後圧着−焼結し、しかるのち矢印方向
に必要大きさに切断するようにすれば一度に大量
の素子を得ることができ、作業能率に大きく貢献
できる。 また、上記実施例では両側面いつぱいまで電極
部を設けた構造を例示して説明したが、必要に応
じて第５図に示すように長さ方向の両端の任意な
部分を生シート部１２，１３として残し、素子形
成に必要な幅の電極部１４を任意な間隔の余白部
１５を設けて複数に形成した大きなセラミツクバ
リスタシート体１６を用い、つづら折り−圧着−
焼結し矢印方向に前記余白部１５の中央部で切断
するようにすれば両側端部に一定の余白部を設け
た構造のものを得ることができる。 さらに上記実施例では外部電極となる折曲部外
面の電極部厚さを内部電極となる電極部厚さと同
一厚さのものを例示して説明したが、第６図に示
すように例えば印刷の場合はメツシユをその部分
だけ粗いものとするか、またはその部分だけ二度
印刷するか、蒸着の場合はその部分だけ多めに蒸
着して電極部１７の折曲部１８外面の電極部厚さ
を厚くしたセラミツクバリスタシート体１９を用
いるようにすれば外部電極としての強度を高める
のに効果的である。 ［考案の効果］ 本考案によれば作業性良好にして小型化または
薄型化に貢献できることはもとより、高信頼性に
富み安価で工業的価値の高い積層セラミツクバリ
スタを得ることができる。
第１図〜第３図は本考案の一実施例に係り、第
１図は完成された積層セラミツクバリスタを示す
斜視図、第２図は第１図を構成する途中を一部破
断したセラミツクバリスタシート体を示す斜視
図、第３図は製造途中の説明図、第４図および第
５図は本考案の他の実施例に係る製造途中のそれ
ぞれの説明図、第６図は本考案の他の実施例に係
るセラミツクバリスタシート体を用いた製造途中
の説明図、第７図および第８図は従来の参考例に
係り第７図は完成された積層セラミツクバリスタ
を示す斜視図、第８図は第７図の製造途中の説明
図である。 １……バリスタ用セラミツクグリーンシート、
２，３，８，９，１２，１３……生シート部、
４，１０，１４，１７……電極、５，１１，１
６，１９……セラミツクバリスタシート体、６，
１８……折曲部、７……外部電極、１５……余白
部。
１図は完成された積層セラミツクバリスタを示す
斜視図、第２図は第１図を構成する途中を一部破
断したセラミツクバリスタシート体を示す斜視
図、第３図は製造途中の説明図、第４図および第
５図は本考案の他の実施例に係る製造途中のそれ
ぞれの説明図、第６図は本考案の他の実施例に係
るセラミツクバリスタシート体を用いた製造途中
の説明図、第７図および第８図は従来の参考例に
係り第７図は完成された積層セラミツクバリスタ
を示す斜視図、第８図は第７図の製造途中の説明
図である。 １……バリスタ用セラミツクグリーンシート、
２，３，８，９，１２，１３……生シート部、
４，１０，１４，１７……電極、５，１１，１
６，１９……セラミツクバリスタシート体、６，
１８……折曲部、７……外部電極、１５……余白
部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 長さ方向の両端両面の任意な部分を生シート
部として残して両面に電極部を形成したセラミ
ツクバリスタシート体を用い、前記電極部に複
数の折曲部を設け前記生シート部が外面となる
ように前記セラミツクバリスタシート体をつづ
ら折りにして積み重ね一体化したことを特徴と
する積層セラミツクバリスタ。 (2) セラミツクバリスタシート体の幅方向の両端
部に余白部を設けたことを特徴とする実用新案
登録請求の範囲第１項記載の積層セラミツクバ
リスタ。 (3) 電極部の折曲部外面を外部電極としたことを
特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項また
は第２項記載の積層セラミツクバリスタ。 (4) 電極部の折曲部外面に位置する部分のみを厚
くしたことを特徴とする実用新案登録請求の範
囲第１項〜第３項のいずれかに記載の積層セラ
ミツクバリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP722585U JPH0316245Y2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP722585U JPH0316245Y2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123501U JPS61123501U (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0316245Y2 true JPH0316245Y2 (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=30485386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP722585U Expired JPH0316245Y2 (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316245Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP722585U patent/JPH0316245Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61123501U (ja) | 1986-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3393524B2 (ja) | Ｎｔｃサーミスタ素子 | |
| CN110164688A (zh) | 多层陶瓷电子组件及其制造方法 | |
| US11295895B2 (en) | Integrated capacitor filter and integrated capacitor filter with varistor function | |
| US20230238186A1 (en) | Low Inductance Component | |
| JPH0316245Y2 (ja) | ||
| EP1154482A2 (en) | Low inductance multilayer chip and method for fabricating same | |
| JPH0316246Y2 (ja) | ||
| JPH0316248Y2 (ja) | ||
| JPH0316247Y2 (ja) | ||
| JPH0316249Y2 (ja) | ||
| JPH0316250Y2 (ja) | ||
| JP2001044059A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0342668Y2 (ja) | ||
| US11705277B2 (en) | Multilayer capacitor | |
| JPS63117416A (ja) | 積層形多端子電子部品 | |
| JP2002184609A (ja) | 積層型バリスタ | |
| JPH0338812A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JP7818449B2 (ja) | 電子部品 | |
| JPH04280603A (ja) | 積層バリスタ | |
| JP3960439B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS63136507A (ja) | セラミツクコンデンサ | |
| JPS6228740Y2 (ja) | ||
| JPS61283109A (ja) | 積層コンデンサの製造方法 | |
| JPH07220908A (ja) | 積層型電圧非直線抵抗器 | |
| JPH0563031U (ja) | 積層コンデンサ |