JPH03166368A - Pb―Zr―Ti酸化物系ターゲット材の製造方法 - Google Patents

Pb―Zr―Ti酸化物系ターゲット材の製造方法

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JPH03166368A
JPH03166368A JP1306291A JP30629189A JPH03166368A JP H03166368 A JPH03166368 A JP H03166368A JP 1306291 A JP1306291 A JP 1306291A JP 30629189 A JP30629189 A JP 30629189A JP H03166368 A JPH03166368 A JP H03166368A
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杉原 忠
Fumio Noda
納田 文男
Takuo Takeshita
武下 拓夫
Yukihiro Ouchi
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、スパッタリング法に用いられるターゲット材
の製造方法に関し、特に酸化鉛を過剰に添加したPb−
Zr−Ti酸化物系ターゲット材を製造する方法に関す
る。
〈従来の技術〉 光メモリ、半導体メモリ等に用いられる強誘電体薄膜は
主にスパッタリング法により製造されている。
このスパッタリング法に用いられるターゲット材は、P
bTi03粉末、PbZr03粉末、pbO粉末をそれ
ぞれ所定量に秤量して混合し、この混合粉末を所定のタ
ーゲット材形状にプレス成形した後、焼結処理を施して
製造している。
ここで、スパッタリング法によって薄膜を形成する際に
pbの蒸発が生ずるため、形成された薄膜中にpb成分
が欠乏してしまう。このようなPb成分の欠乏を防止す
るため、従来より、ターゲット材にPbOという形でp
b成分を過剰に添加している。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら従来にあっては、ターゲット材にpb成分
を過剰に添加しようとした場合、ターゲット材の密度を
高めることができないという問題があった。
すなわち、通常用いられるプレス圧1〜3 ton/c
m2程度のプレス装置を用いる場合にはプレス成形体の
密度は理論密度に対して55〜60%程度しか得られな
いため、これを補うため比較的高温で焼結処理を行わな
ければならないが、PbOの融点が比較的低温(約88
0℃)であるため、焼結処理中にターゲット内のPb成
分が蒸発してしまう。このため、pb成分の添加量を維
持しようとする場合には、ターゲット材の密度を高める
ことができなかった。
また、ホットプレスを用いる場合にあっても、上記と同
様な理由から、比較的低温な温度条件しか設定すること
ができず、ターゲット材の十分な密度を得ることができ
なかった。
本発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、製造容
易にして高密度なターゲット材を得ることがてきるPb
−Zr−Ti酸化物系ターゲット材の製造方法を提供す
ることを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉 本発明に係るPb−Zr−Ti酸化物系ターゲット材の
製造方法は、所定量のチタン、ジルコニウム、鉛の酸化
物の粉末に金属鉛の粉末を混合し、該混合粉末を金属鉛
の融点以上の温度条件下でターゲット材の形状にプレス
成形し、金属鉛を酸化させるべく該成形体を酸素雰囲気
中で加熱して当該成形体を焼結体とすることを特徴とし
、酸化鉛を過剰に添加したPb−Zr−Ti酸化物系タ
ーゲット材を製造する。
ここに、下表の実施データNol〜No7から判るよう
に、本発明は次の条件を満たすのが好ましい。
プレス成形時の温度は金属鉛の融点温度(300℃〜4
00℃まで、すなわち100”C’)の温度範囲である
ことが好ましい。
なぜならば、300℃以下では金属鉛が溶融しないので
期待される(成形体密度の向上という)効果が得られな
い(比較データNol参照)。一方、400℃以上にな
ると金属鉛の流動性が非常に良くなるため、プレス時に
成形体から溶融した金属鉛がしみ出し、金属鉛がモール
ドに付着して成形体が取り出せないことによる(比較デ
ータNoV参照)。
また、含有する金属鉛の量は5重量%〜40重量%と限
定される。
なぜならば、金属鉛が5重量%以下では、成形体中に溶
融鉛の量が少なすぎて、プレス時所定の密度をもつ成形
体を作ることができない(比較データNoII[参@)
。一方、40重量%以上ではプレス中に成形体から溶融
した金属鉛がしみ出てしまい組成が変動する(比較デー
タNolV参照)。
金属鉛を酸化させる温度範囲は、600℃〜1000℃
の温度範囲が好ましい。
なぜならば、600℃以下の温度では酸化させるのに長
い時間(20時間以上)を必要とし、実用的ではない。
一方、1000℃以上では、生成した酸化鉛の蒸発によ
るロスが大きくなり、組成変化をもたらすため好ましく
ない(比較データNO■参照)。
く以下、余白〉 「本発明に係る実施データ」 「比較データ」 〈作用〉 本発明では、金属鉛の融点(約330℃)付近の温度条
件下でプレス成形することにより、融点直下で塑性変形
が非常に容易となった、あるいは液相となった金属鉛が
粒子間で潤滑剤として働き、低圧のプレスによってもプ
レス成形体の密度をかなり高めることができる。
そして、これに続く焼結処理においては密度を高めるた
めにあまり高温で行う必要がなくなり、金属鉛を酸化さ
せる程度の比較的低温(700〜1 000℃)で行え
ば済むこととなる。
ここで、金属鉛はかなり低温で液相化して反応性が高ま
っているため、これによっても酸化温度はかなり低く抑
えられる。また、液相化した金属鉛が酸化物粒子の拡散
を助けることとなり、粒成長が促進されて焼結体の密度
がこれによっても向上する。
そして、上記のようにしてターゲット材中の金属鉛が酸
化鉛へ酸化されると、モル体積が18.3 cm3の金
属鉛(Pb)がモル体積27.9CII13の酸化鉛(
P b O)となって体積が約1.5倍となるので、こ
の酸化鉛によってターゲット材中の酸化物粒子間の隙間
が埋められると共に酸化物粒子同士の結び付けが図られ
、これによっても高密度な緻密なターゲット材が得られ
る。
く実施例〉 本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明する。
まず、純度99.99%のPbTi03粉末(粒径3,
um)、純度99.99%のPbZr03粉末(粒径4
μm)、純度99.9%のPb粉末(粒径約15μm)
を、それぞれ41.4重量%、47.3重量%、11.
3重量%に秤量し、これら粉末をヘキサンを混合溶媒と
して、ジルコニア湛合ボールを用いて3時間ボールミル
混合した。
次いで、上記の混合粉末を乾燥させた後に100111
IOφの金型中に充填し、これを350℃に加熱した熱
板間に挟んで1 0 0 kg/cm2の圧力でプレス
した。尚、このプレスは大気中でも、真空中でもかまわ
ない。
このようにして得られたプレス成形体の密度は、真密度
を7.  7g/cm3とすると、5 .  5 3/
cm3てあった。
次いて、上記プレス成形体を、o2ガス気流中で9 5
 0 ’Cにて5時間熱処理したところ、密度7.2 
g/cm3の焼結体としてのターゲット材が得られた。
尚、金属鉛の混合量は5重量%〜4Offi量%が好ま
しい。これは、5重量%未溝の量ではではプレス成形体
中の金属鉛の量が少なすぎて、350〜400℃程度の
温度条件下における1 0 0 kg/cn+2程度の
低圧力では良好なプレス成形ができず、また、40重量
%を上回る量では溶融した金属鉛がプレス成形中に成形
体からしみだして、良好なプレス成形ができないからで
ある。
〈効果〉 本発明によれば、チタン、ジルコニウム、鉛の酸化物の
粉末に金属鉛の粉末を混合し、該混合粉末を金属鉛の融
点以上の温度条件下でターゲット材の形状にプレス成形
し、金属鉛を酸化させるべく該成形体を酸素雰囲気中で
加熱して当該成形体を焼結体とするようにしたため、p
b成分を過剰に含みながらも密度の高い(相対密度80
%程度)緻密なPb−Zr−Ti酸化物系ターゲット材
を得ることができる。そして特に、プレス成形は比較的
低温(350℃程度)条件にて比較的低プレス圧(ほぼ
1 0 0 kg/cm2)で行えるため、製造装置が
簡素化できるとともに、大型のターゲット材も容易に製
造することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  所定量のチタン、ジルコニウム、鉛の酸化物の粉末に
    金属鉛の粉末を混合する工程と、該混合粉末を金属鉛の
    融点以上の温度条件下でターゲット材の形状にプレス成
    形する工程と、金属鉛を酸化させるべく該成形体を酸素
    雰囲気中で加熱して当該成形体を焼結体とする工程とを
    有し、酸化鉛を過剰に添加したターゲット材を製造する
    ことを特徴とするPb−Zr−Ti酸化物系ターゲット
    材の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0649638A (ja) * 1992-06-03 1994-02-22 Anelva Corp 強誘電体薄膜作製方法
JPH10176264A (ja) * 1996-12-16 1998-06-30 Hitachi Ltd 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット
US6358433B1 (en) 1999-12-16 2002-03-19 Honeywell International, Inc. Ceramic compositions
WO2011108535A1 (ja) * 2010-03-03 2011-09-09 三井金属鉱業株式会社 酸化ガリウム-酸化亜鉛系スパッタリングターゲット

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