JPH03175653A - 半導体集積回路の配線方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路の配線方法に関し、特にスタ
ンダードセル方式で設計される半導体集積回路の配線方
法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の配線方法は、セル列と平行に走る配線（
以下、幹線と呼ぶ）と、垂直方向に走る配線（以下、支
線と呼ぶ）が交差できるように異なる配線層を使用し、
異なる電位の幹線同志あるいは、支線同志がお互いに交
差せずに、な才３かつ、セル列間の配線トラック数が最
小となるように幹線の位置及び支線の位置を決定するこ
とによって配線が施される。この時、配線層に、多結晶
シリコン、第１アルミニウム、第２アルミ力３柿の配線
層を使用した場合、通常支線には、多結晶シリコンと第
２アルミニウムの２つの層が、幹線には第１アルミニウ
ム層が割り当てられる。この支線の２つの配線層のうち
、多結晶シリコン層は他層に比べて抵抗値が大きいため
、極力短くする必要がある。したがって、配線トラック
数を最小（ヒする幹線の位置決めが行れた後、支線の多
結晶シリコン配線が短かくなるように第２図のような幹
線位置の変更、または、第３図のような支線層の変更が
行われ、最終的な配線経路が決められていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の配線方法では、配線長を短くすべき多結
晶シリコン配線の近傍に他の電位の配線が施されている
と、幹線位置の変更や支線層の変更が困難となり、所望
の長さ以上の多結晶シリコン配線が残ることになる。

本発明の目的は、特定の層の配線の長さを、所定の長さ
以内に制限して配線することができ、その結果多結晶シ
リコン配線などの高抵抗の配線を所定の長さ以内で配線
することができ、多結晶シリコン配線による配線遅延を
最小限におさえることができる半導体集積回路の配線方
法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体集積回路の配線方法は、同一方向に機能
セルを一列に配列して成るセル列を複数列平行に配置し
、セル列間に生じる配線領域で、機能セルの端子間を接
続する半導体集積回路の配線方法において、機能セルの
端子間を接続するののに必要な配線トラックに一本以上
の予備配線トラックを追加し、その配線トラック内で施
された配線の一部を予備配線トラックを使用して再配線
することを特徴として構成される。

すなわち、機能セルの端子間の配線処理を、従来手法を
用・いて行った後、その配線トラックに＝多結晶シリコ
ン層で配線の引出しを行うべき端子の近傍に一本以上の
予備配線トラックを迫力１目ＩＦ人し、多結晶シリコン
配線に接続ずろ幹線の位１なの変更、支線の位置の変更
を可能にする。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は、本発明の一実施例の配線パターンの部分拡大図であ
る。セル列４１内のＦ、能セル３１の多結晶シリコン端
子７と、セル列４２の機１」ヒセル３２の第２アルミニ
ウム層端子８は、多結晶シリコン配線１、多結晶シリコ
ンタクト５、第１アルミニウム配線２、スルーホール６
、第２アルミニウム配線３を介して、接続される。ここ
で、配線トラック２１は、予備の追加された配線であり
、破線で示されている多結晶シリコン配線１１、多結晶
シリコンタクト１３、第１アルミ配線１２、スルーホー
ル１４は、従来配線手法により求められた配線パターン
を示している。この従来配線手法によって求められた配
線は、配線トラック２１を追加しない場合、その周辺の
他の配線がさまたげとなって変更不可能であり、これ以
下に多結晶シリコン配線長を短くすることはできない。

ここで配線トラック２１を機能セル３１の多結晶シリコ
ン端子７の上側に追加挿入することにより、第１アルミ
ニウム配線１２を第１アルミニウム配線２の位置に変更
することが可能となり、その配線経路は多結晶シリコン
配線１、多結晶シリコンタクト５、第１アルミニウム配
線２、スルーホール６、第２アルミニウム配線３に変更
できる。

これにより、多結晶シリコン配線の長さを著しく減少さ
せることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、機能セルの端子間を接続
するのに必要な最小限の配線トラックに、−本以上の予
備配線トラックを追加し、この予備配線Ｉ・ラックを使
用して、配線経路を再設定することにより、特定の層の
配線の長さを、所定の長さ以内に制限して配線すること
が可能となる。

これにより、多結晶シリコン配線などの高抵抗の配線を
、所定の長さ以内で配線することができ、多結晶シリコ
ン配線による配線遅延を最小限におさえることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の配線パターンの部分拡大
図、第２図は、幹線位置の変更を説明する配線パターン
の部分拡大図、第３図は、支線層の変更を説明する配線
パターンの部分拡大図である。 １・・・多結晶シリコン配線、２・・・第１アルミニウ
ム配線、３・・・第２アルミニウム配程、５・・・多結
晶シリコンタクト、６・・・スルーホール、７・・・多
結晶シリコン端子、８・・・第２アルミニウム端子、１
１・・・多結晶シリコン配線、１２・・・第１アルミニ
ウム配線、１３・・・多結晶シリコンタクト、１４・・
・スルーホール、２１・・・配線トラック、３１．３２
・・・機能セル、４１．４２・・・セル列、５１・・・
多結晶シリコン配謀、５２・・・第１アルミニウム配線
、５３・・・第２アルミニウ１１配線。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　同一方向に機能セルを一列に配列して成るセル列を複
   数列平行に配置し、セル列間に生じる配線領域で機能セ
   ルの端子間を接続する配線方法において、機能セルの端
   子間を接続するのに必要な最小限の配線トラックに、一
   本以上の予備配線トラックを追加し、前記配線トラック
   内で施された配線一部を予備配線トラックを使用して再
   配線することを特徴とする半導体集積回路の配線方法。