JPH03175702A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH03175702A JPH03175702A JP31582289A JP31582289A JPH03175702A JP H03175702 A JPH03175702 A JP H03175702A JP 31582289 A JP31582289 A JP 31582289A JP 31582289 A JP31582289 A JP 31582289A JP H03175702 A JPH03175702 A JP H03175702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation circuit
- bonding
- bonding pad
- lead frame
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 69
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 38
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関する。
第３図及び第４図を用いて従来のセラミック発振回路と
、ＣＲ発振回路の選択方法について説明する。第３図は
セラミック発振回路を選択した時の回路図である。第４
図は第３図を実施するため簡単なレイアウト図である。
、ＣＲ発振回路の選択方法について説明する。第３図は
セラミック発振回路を選択した時の回路図である。第４
図は第３図を実施するため簡単なレイアウト図である。
第４図においてボンディングパッド４−１は第３図の端
子３−１に対応しており、ボンディングパッド４−１か
らのびているアルミニウム配線４−２は第３図の配線３
−２に対応しており、ボンディングパッド４−３は端子
３−３に対応しておリボンディングパット４−３からの
びているアルミニウム配線４−４は配線３−４に対応し
ている。アルミニウム配ａ４−５はセラミック発振回路
外部人力３−５に対応しておりセラミック発振回路３−
６につながっている。アルミニウム配線４−６はＣＲ発
振回路人力３−７に対応しておりＣＲ発振回１ｉ’８３
−８につながっている。アルミニウム配線４−７はＧＮ
Ｄ３−９につながっている。アルミニウム配線４−８は
セラミック発振回路３−６の外部出力３−１０に対応し
ている。アルミニウム配線４−９はＣＲ発振回Ｆｌ＠
３−８の外部出力３−１１に対応している。
子３−１に対応しており、ボンディングパッド４−１か
らのびているアルミニウム配線４−２は第３図の配線３
−２に対応しており、ボンディングパッド４−３は端子
３−３に対応しておリボンディングパット４−３からの
びているアルミニウム配線４−４は配線３−４に対応し
ている。アルミニウム配ａ４−５はセラミック発振回路
外部人力３−５に対応しておりセラミック発振回路３−
６につながっている。アルミニウム配線４−６はＣＲ発
振回路人力３−７に対応しておりＣＲ発振回１ｉ’８３
−８につながっている。アルミニウム配線４−７はＧＮ
Ｄ３−９につながっている。アルミニウム配線４−８は
セラミック発振回路３−６の外部出力３−１０に対応し
ている。アルミニウム配線４−９はＣＲ発振回Ｆｌ＠
３−８の外部出力３−１１に対応している。
第３図において、３ケ所の点線をつなぐことによってセ
ラミック発振回路を選択したことになり、これはデバイ
ス的には第４図に示す斜線部のアルミニウム配線ｔ−１
０，４−１１，４−１２をつなぐことによりセラミック
発振回路を選択したことになる。第３図においてセラミ
ック発振回路を選択したことにより、ＣＲ発振回路の入
力はＧＮＤに固定され内部出力３−１２はＧＮＤレベル
になる。セラミック発振回路の内部出力３１３とＯＲ素
子３−１４によりセラミック発振回路の信号が内部に供
給される。
ラミック発振回路を選択したことになり、これはデバイ
ス的には第４図に示す斜線部のアルミニウム配線ｔ−１
０，４−１１，４−１２をつなぐことによりセラミック
発振回路を選択したことになる。第３図においてセラミ
ック発振回路を選択したことにより、ＣＲ発振回路の入
力はＧＮＤに固定され内部出力３−１２はＧＮＤレベル
になる。セラミック発振回路の内部出力３１３とＯＲ素
子３−１４によりセラミック発振回路の信号が内部に供
給される。
上述した従来の半導体集積回路は、拡散工程のアルミニ
ウム配線にてセラミック発振回路又はＣＲ発振回路のい
ずれか一方の選択をすることになっているので、これら
の選択を変更するたびに、複数のアルミマスクを作成し
なければならないという欠点がある。
ウム配線にてセラミック発振回路又はＣＲ発振回路のい
ずれか一方の選択をすることになっているので、これら
の選択を変更するたびに、複数のアルミマスクを作成し
なければならないという欠点がある。
本発明の目的はセラミック発振回路とＣＲ発振回路の選
択を複数のアルミマスクを作成することなく容易に行な
えることが可能な半導体集積回路を提供することにある
。
択を複数のアルミマスクを作成することなく容易に行な
えることが可能な半導体集積回路を提供することにある
。
本発明の半導体集積回路は、セラミック発振回路の入力
端に接続された第１のボンディングパッドと、前記セラ
ミック発振回路の出力端に接続された第２のボンディン
グパッドと、ＣＲ発振回路の入力端に接続された第３の
ボンディングパッドと、前記ＣＲ発振回路の出力端に接
続された第４のボンディングパッドと、外部入力端と接
続された第１のリードフレームと、外部出力端と接続さ
れた第２のリードフレームと、外部ＧＮＤ端と接続され
た第３のリードフレームとを備え、前記第１乃至第３の
リードフレームと前記第１乃至第４のボンティングパッ
ドとをボンディングワイヤーにより選択的に接続するこ
とにより前記セラミック発振回路と前記ＣＲ発振回路の
選択をすることを特徴とする。
端に接続された第１のボンディングパッドと、前記セラ
ミック発振回路の出力端に接続された第２のボンディン
グパッドと、ＣＲ発振回路の入力端に接続された第３の
ボンディングパッドと、前記ＣＲ発振回路の出力端に接
続された第４のボンディングパッドと、外部入力端と接
続された第１のリードフレームと、外部出力端と接続さ
れた第２のリードフレームと、外部ＧＮＤ端と接続され
た第３のリードフレームとを備え、前記第１乃至第３の
リードフレームと前記第１乃至第４のボンティングパッ
ドとをボンディングワイヤーにより選択的に接続するこ
とにより前記セラミック発振回路と前記ＣＲ発振回路の
選択をすることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための構成図であ
る。ボンディングパッド１−１はセラミック発振回路１
−２の入力端に接続されている。ボンディングパッドｌ
−３，１−４はＣＲ発振回Ｆ１１ｒ１−５の入力端に接
続されている。ボンディングパッド１−６はセラミック
発振口１ｉＩ８１−２の外部出力につながっている。ボ
ンディングパッド１−７はＣＲ発振回路１−５の外部出
力につながっている。ボンディングパッド１−８はＧＮ
Ｄとして内部につながっている。
る。ボンディングパッド１−１はセラミック発振回路１
−２の入力端に接続されている。ボンディングパッドｌ
−３，１−４はＣＲ発振回Ｆ１１ｒ１−５の入力端に接
続されている。ボンディングパッド１−６はセラミック
発振口１ｉＩ８１−２の外部出力につながっている。ボ
ンディングパッド１−７はＣＲ発振回路１−５の外部出
力につながっている。ボンディングパッド１−８はＧＮ
Ｄとして内部につながっている。
このようにセラミック発振回路１−２と、ＣＲ発振回路
１−５にボンディングパッドが接続された構成において
、まずセラミック発振回路を内蔵したい場合はボンディ
ングパッド１−３．１−８はＧＮＤビンとして外部にで
ているリードフレーム１−９とボンディングワイヤｉｌ
ｏ、１１１で接続し、ボンディングパッド１−１は外部
− から入力電圧が印加されるリードフレーム１１２とボン
ディングワイヤ１−１３で接続し、ボンディングパッド
１−６は外部に出力信号を出力するためのリードフレー
ム１−１４とホンディングワイヤ１−１５と接続する。
１−５にボンディングパッドが接続された構成において
、まずセラミック発振回路を内蔵したい場合はボンディ
ングパッド１−３．１−８はＧＮＤビンとして外部にで
ているリードフレーム１−９とボンディングワイヤｉｌ
ｏ、１１１で接続し、ボンディングパッド１−１は外部
− から入力電圧が印加されるリードフレーム１１２とボン
ディングワイヤ１−１３で接続し、ボンディングパッド
１−６は外部に出力信号を出力するためのリードフレー
ム１−１４とホンディングワイヤ１−１５と接続する。
このような接続関係にすることによってＣＲ発振回路１
−５の出力はＧＮＤレベルに固定され、ＯＲ素子１−１
６でセラミック発振回路の出力とＯＲを取り、セラミッ
ク発振回路の出力が内部に供給される。
−５の出力はＧＮＤレベルに固定され、ＯＲ素子１−１
６でセラミック発振回路の出力とＯＲを取り、セラミッ
ク発振回路の出力が内部に供給される。
一方、ＣＰＬ発振回路をｉｌ択したい場合は、ボンディ
ングパッド１１．１−８をリードフレーム１−９にボン
ディングパラ１〜１−４をリードフレーム］−１２に、
ボンディングパット１−７をリードフレーム１−１４に
ホンディングワイヤでつなげばよい。
ングパッド１１．１−８をリードフレーム１−９にボン
ディングパラ１〜１−４をリードフレーム］−１２に、
ボンディングパット１−７をリードフレーム１−１４に
ホンディングワイヤでつなげばよい。
本実施例により、ボンディングワイヤの接続を変換する
だけで容易にセラミック発振器とＣＲ発振器の選択が可
能となる。
だけで容易にセラミック発振器とＣＲ発振器の選択が可
能となる。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための構成図
である。ボンディングパッド２−１゜２−３．２−４．
２−６とセラミック発振回路２−２、ＣＲ発振回路２−
４とは第１の実施例と同じ構成となっている。さらに本
実施例ではボンディングパッド２−７をＧＮＤと等電位
の電位点と接続しである。セラミック発振回路を選択し
たい場合は、ボンディングパッド２−１とリードフレー
ム２−８をボンディングワイヤ２−１０でボンディング
パッド２−５とリードフレーム２−９をボンディングワ
イヤ２−１１でつなぎ、ボンディングパッド２−３とボ
ンディングパッド２−７をボンディングワイヤ２−１２
でつなぐことによって第１の実施例のようにＯＲ素子２
−１３からセラミック発振回路の出力が内部に供給され
る。
である。ボンディングパッド２−１゜２−３．２−４．
２−６とセラミック発振回路２−２、ＣＲ発振回路２−
４とは第１の実施例と同じ構成となっている。さらに本
実施例ではボンディングパッド２−７をＧＮＤと等電位
の電位点と接続しである。セラミック発振回路を選択し
たい場合は、ボンディングパッド２−１とリードフレー
ム２−８をボンディングワイヤ２−１０でボンディング
パッド２−５とリードフレーム２−９をボンディングワ
イヤ２−１１でつなぎ、ボンディングパッド２−３とボ
ンディングパッド２−７をボンディングワイヤ２−１２
でつなぐことによって第１の実施例のようにＯＲ素子２
−１３からセラミック発振回路の出力が内部に供給され
る。
本実施例によれば、ＧＮＤを内部から取っているため、
リードフレームが２本でよくなり、リードフレームの数
を減少させることができる。
リードフレームが２本でよくなり、リードフレームの数
を減少させることができる。
以上説明したように本発明は、セラミック発振回路の入
力用ボンディングパッドと出力用ボンディングパッドと
ＣＲ発振回路の入力用ホンディングパッドと出力用ボン
ディングパッドとＧＮＤ用又はＧＮＤと等電位のパッド
を近接して設けることにより、ボンディング工程にてい
ずれか一方は発振回路の内蔵を選択することができ、ア
ルミマスクを１枚作成するたけでよいという効果がある
。
力用ボンディングパッドと出力用ボンディングパッドと
ＣＲ発振回路の入力用ホンディングパッドと出力用ボン
ディングパッドとＧＮＤ用又はＧＮＤと等電位のパッド
を近接して設けることにより、ボンディング工程にてい
ずれか一方は発振回路の内蔵を選択することができ、ア
ルミマスクを１枚作成するたけでよいという効果がある
。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための構成図
、第２図は本発明の第２の実施例を説明するための構成
図、第３図は従来例を説明するための回路図、第４図は
第３図のレイアウト図である。 １−１．１−３．１−４．１−６．１−７１−８．２−
１．２−３．１−５．１−６．２７．４−１．４−３・
・・ボンディングパッド、１２．２−２．３−６・・・
セラミック発振回路、１５．２−４．３−８・・・ＣＲ
発振回路、１−９゜１−１２．１−１４．２−８．２−
９・・・リードフ− レーム、１−１０．１−１１．１−１３，１１５．２−
１０．２−１１．２−１２・・・ボンディングワイヤ、
１−１６．２−１３．３−１４ＯＲ素子、：３−１．３
−３・・・端子、３−２．３４・・・配線、３−５・・
・セラミック発振回路入力、３−７・・・ＣＲ発振回路
入力、３−９・・・ＧＮＤ、３−１０・・・セラミック
発振回路外部出力、３１１・・・ＣＲ発振回路外部出力
、３−１２・・・ＣＲ発振回路内部出力、３−１３・・
・セラミック発振回路内部出力、４−２．４−４．１−
５．４−６゜４−７．４−８．４−９・・・アルミニウ
ム配線、４−１０．４−１１．−１１２・・・選択切り
換えアルミニウム配線。
、第２図は本発明の第２の実施例を説明するための構成
図、第３図は従来例を説明するための回路図、第４図は
第３図のレイアウト図である。 １−１．１−３．１−４．１−６．１−７１−８．２−
１．２−３．１−５．１−６．２７．４−１．４−３・
・・ボンディングパッド、１２．２−２．３−６・・・
セラミック発振回路、１５．２−４．３−８・・・ＣＲ
発振回路、１−９゜１−１２．１−１４．２−８．２−
９・・・リードフ− レーム、１−１０．１−１１．１−１３，１１５．２−
１０．２−１１．２−１２・・・ボンディングワイヤ、
１−１６．２−１３．３−１４ＯＲ素子、：３−１．３
−３・・・端子、３−２．３４・・・配線、３−５・・
・セラミック発振回路入力、３−７・・・ＣＲ発振回路
入力、３−９・・・ＧＮＤ、３−１０・・・セラミック
発振回路外部出力、３１１・・・ＣＲ発振回路外部出力
、３−１２・・・ＣＲ発振回路内部出力、３−１３・・
・セラミック発振回路内部出力、４−２．４−４．１−
５．４−６゜４−７．４−８．４−９・・・アルミニウ
ム配線、４−１０．４−１１．−１１２・・・選択切り
換えアルミニウム配線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック発振回路の入力端に接続された第１のボ
ンディングパッドと、前記セラミック発振回路の出力端
に接続された第２のボンディングパッドと、ＣＲ発振回
路の入力端に接続された第３のボンディングパッドと、
前記ＣＲ発振回路の出力端に接続された第４のボンディ
ングパッドと、外部入力端と接続された第１のリードフ
レームと、外部出力端と接続された第２のリードフレー
ムと、外部ＧＮＤ端と接続された第３のリードフレーム
とを備え、前記第１乃至第３のリードフレームと前記第
１乃至第４のボンディングパッドとをボンディングワイ
ヤーにより選択的に接続することにより前記セラミック
発振回路と前記ＣＲ発振回路の選択をすることを特徴と
する半導体集積回路。 ２、セラミック発振回路の入力端に接続された第１のボ
ンディングパッドと、前記セラミック発振回路の出力端
に接続された第２のボンディングパッドと、ＣＲ発振回
路の入力端に接続された第３のボンディングパッドと、
前記ＣＲ発振回路の出力端に接続された第４のボンディ
ングパッドと、ＧＮＤと等電位の内部電位点に接続され
た第５のボンディングパッドと、外部入力端と接続され
た第１のリードフレームと、外部出力端と接続された第
２のリードフレームとを備え、前記第１及び第２のリー
ドフレームと前記第１乃至第５のボンディングパッドと
をボンディングワイヤーにより選択的に接続することに
より前記セラミック発振回路と前記ＣＲ発振回路の選択
をすることを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31582289A JPH03175702A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31582289A JPH03175702A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175702A true JPH03175702A (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=18069978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31582289A Pending JPH03175702A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03175702A (ja) |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31582289A patent/JPH03175702A/ja active Pending
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