JPH0650761B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0650761B2
JPH0650761B2 JP61189098A JP18909886A JPH0650761B2 JP H0650761 B2 JPH0650761 B2 JP H0650761B2 JP 61189098 A JP61189098 A JP 61189098A JP 18909886 A JP18909886 A JP 18909886A JP H0650761 B2 JPH0650761 B2 JP H0650761B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
divided
circuit
cell
divided circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61189098A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6344734A (ja
Inventor
善之 末廣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61189098A priority Critical patent/JPH0650761B2/ja
Priority to EP87111634A priority patent/EP0257437B1/en
Priority to DE3750770T priority patent/DE3750770T2/de
Priority to KR1019870008860A priority patent/KR910000623B1/ko
Publication of JPS6344734A publication Critical patent/JPS6344734A/ja
Priority to US07/449,435 priority patent/US4945395A/en
Publication of JPH0650761B2 publication Critical patent/JPH0650761B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/02Shaping pulses by amplifying
    • H03K5/026Shaping pulses by amplifying with a bidirectional operation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/173Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
    • H03K19/1733Controllable logic circuits
    • H03K19/1735Controllable logic circuits by wiring, e.g. uncommitted logic arrays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/90Masterslice integrated circuits
    • H10D84/998Input and output buffer/driver structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/931Shapes of bond pads
    • H10W72/932Plan-view shape, i.e. in top view

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は半導体装置において、 チップコーナ部を有効に利用できず、I/Oセルピン数
を多く設けられず、又、チップコーナ部におけるボンデ
ィングをやりにくい従来装置の問題点を解決するため、 一のI/Oセルを構成する回路部分を複数に分割してそ
の一部をチップ周辺部に配置し、残りの部分をチップ内
部に設けることにより、チップ周辺部に配置するI/O
セルの面積を減らし、 I/Oセルの配置間隔を小さくしてI/Oセルピン数を
増大させ且つチップコーナ部にまでI/Oセルピンを設
け得、又、チップコーナ部におけるボンディングが容易
になるようにボンディングパッドを配置し得るようにし
たものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。半導体装置は、一般に、
第7図に示すように外部回路とのインタフェース回路で
あるI/Oセル1,1,…をチップ2の周辺部に配
置する。この場合、チップコーナ部2aを有効に利用し
得、又、チップ中央部でもI/Oセルピン数を多くとり
得る構成の半導体装置が必要とされる。
〔従来の技術〕
第7図は従来装置の一例の平面図を示す。同図中、
,1,…はI/Oセルで、保護回路部、及び、入
力バッファ及び出力バッファの論理機能を有する論理回
路部(いずれも図示せず)、及び、ボンディングパッド
1aにて構成されており、チップ2の周辺部に配置され
ている。3は配線パターンで、I/Oセル1,1
…とボンディングワイヤ4にて接続されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来装置では、チップコーナ部2a付近に配置され
ているI/Oセル1,1はライン1bのためにチッ
プコーナ部2a方向にこれ以上近接して配置することは
できず、このため、第7図に示す如く、チップコーナ部
2aが無駄な空間として残る。従って、チップコーナ部
2aがある分だけI/Oセルの数を多く配置することが
できず、そしてチップ中央部においてI/Oセルピン数
を多くとり得ず、又、特に、チップコーナ部2a近傍の
I/Oセル1のボンディングワイヤ4が長く引きまわ
され、I/Oセル1と配線パターン3とが遠いために
ボンディングしにくい等の問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明になる半導体装置は、第1図に示す如く、各I/
Oセルを構成する保護回路ならびに論理回路の回路部分
を複数の分割回路(5,6)に分割し、 その一部の分割回路部(5)と、それぞれ対応する前記
一部の分割回路部(5)に接続されるべき複数のボンデ
ィングパッド(1a)とをチップ(2)の周辺部に沿っ
て同じ配列順で配置し、前記チップの辺の中央部に位置
する少なくとも1つの前記一部の分割回路部を、対応す
るボンディングパッドと位置的に整列させ、中央部の一
部の分割回路部よりもチップコーナ部に近い少なくとも
1つの前記一部の分割回路部に対応するボンディングパ
ッドを、一部の分割回路部よりも前記チップコーナ側に
位置的にシフトして配置し、 前記複数の分割回路部の残りの分割回路部(6)をチッ
プ内部の予め定められた領域内に配置してなる。
〔作用〕
本発明では、各工程I/Oセルを複数の分割回路部
(5,6)に分割し、チップコーナ部に近い少なくとも
1つの一部の分割回路部(5)に対応するボンディング
パッドはこの一部の分割回路部に対してチップコーナ側
に位置的にシフトして配置されているので、チップコー
ナ部2aの面積を減少できると共に、チップ周辺部の何
も配置されない面積も減少することができ、更にチップ
コーナ部2aに一部の分割回路部を近づけて配置でき
る。
〔実施例〕
第1図は本発明装置の一実施例の平面図を示し、同図
中、第7図と同一構成部分には同一番号を付す。第3図
(A),(B)は夫々従来周知のI/Oセルの具体的回
路図及び等価ブロック図を示す。本発明装置は、I/O
セルを構成する回路部分を例えば、第1分割回路部及び
第2分割回路部及びボンディングパッドの複数部分に分
割する点に特徴を有する。
第1図中、5はI/Oセルを構成するところの保護回路
部を含む回路にて構成された第1分割回路部、6はI/
Oセルを構成するところの論理回路部を含む回路にて構
成された第2分割回路部であり、内部セル配置領域60
内に設けられている。このように、I/Oセルの保護回
路ならびに論理回路の回路部分を複数に分割することに
より、特に、第1分割回路部5及びボンディングパッド
1aをチップコーナ部2aに配置し得る。
従って、第2図に示す如く、1個のI/Oセルをチップ
の周辺部(5)とチップの内部(6)とに分割して配置
することにより、第3図に示す如く、チップの周辺部に
配置する部面の面積Sを減少し得る。これにより、セ
ルの長さh及び幅wを小にできるので、幅wを小にする
ことによって従来装置のものよりもI/Oセルの数を多
く配置することができ、又、チップコーナ部2aの面積
も減少し、チップコーナ部2aにI/Oセルを従来
装置より近づけて配置できるのでボンディングしやすく
なり、又、ボンディングワイヤ7を短かくし得る。又、
I/Oセルの配置間隔を小さくできるのでI/Oセルピ
ン数を多くとり得る。
ここで、第3図(A),(B)に示すI/Oセルは双方
向性バッファである。同図中、端子Xはボンディングパ
ッド1aに接続される入出力端子、端子INは入力バッ
ファのデータ出力端子、端子OTは出力バッファのデー
タ入力端子、端子Cは出力バッファを高インピーダンス
状態及び出力状態に切換える制御信号の入力端子であ
る。
本発明は第3図(A),(B)に示すものに限定され
ず、た第4図(A),(B)及び第5図(A),(B)
に示す入力バッファや、第6図(A),(B)に示す出
力バッファにも同様に適用し得る。第3図(A)〜第6
図(A)中、5′,5″,5はチップ周辺領域に配置
する回路部、6′,6″,6はチップ内部の所定領域
に配置する回路部である。
なお、I/Oセルの回路部の分割領域は第3図乃至第6
図に示す例に示す領域に限定されるものではなく、チッ
プ設計に応じて適宜行なってよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、一のI/Oセルを構成する保護回路な
らびに論理回路の回路部分を複数の部分に分割してその
一部をチップ周辺部に配置し、残りの部分をチップ内部
の所定領域に配置したため、従来装置よりもI/Oセル
の配置間隔を小さくできると同時にチップコーナ部を有
効に使用でき、これにより、従来装置よりもI/Oセル
のピン数を多く配置し得、又、特に、チップコーナ部近
傍のI/Oセルのボンディングを従来装置に比してボン
ディングしやすいように構成し得る等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一実施例の平面図、 第2図はチップコーナ部の拡大図、 第3図乃至第6図は本発明装置に用いるI/Oセルの回
路の分割例、 第7図は従来装置の一例の平面図である。 第1図において、 1aはボンディングパッド、 2はチップ、 2aはチップコーナ部、 3は配線パターン、 5,5′,5″,5は第1分割回路部、 6,6′,6″,6は第2分割回路部、 7はボンディングワイヤである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】チップ(2)周辺部にI/Oセルを配置し
    た半導体装置において、 各I/Oセルを構成する保護回路ならびに論理回路の回
    路部分を複数の分割回路部(5,6)に分割し、 その一部の分割回路部(5)と、それぞれ対応する前記
    一部の分割回路部(5)に接続されるべき複数のボンデ
    ィングパッド(1a)とをチップ(2)の周辺部に沿っ
    て同じ配列順で配置し、前記チップの辺の中央部に位置
    する少なくとも1つの前記一部の分割回路部を、対応す
    るボンディングパッドと位置的に整列させ、上記中央部
    の一部の分割回路部よりもチップコーナ部に近い少なく
    とも1つの前記一部の分割回路部に対応するボンディン
    グパッドを、一部の分割回路部よりも前記チップコーナ
    側に位置的にシフトして配置し、 前記複数の分割回路部の残りの分割回路部(6)をチッ
    プ内部の予め定められた領域内に配置してなることを特
    徴とする半導体装置。
JP61189098A 1986-08-12 1986-08-12 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0650761B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61189098A JPH0650761B2 (ja) 1986-08-12 1986-08-12 半導体装置
EP87111634A EP0257437B1 (en) 1986-08-12 1987-08-11 Master slice type integrated circuit
DE3750770T DE3750770T2 (de) 1986-08-12 1987-08-11 Integrierte Schaltung in Hauptscheibentechnik.
KR1019870008860A KR910000623B1 (ko) 1986-08-12 1987-08-12 반도체 장치
US07/449,435 US4945395A (en) 1986-08-12 1989-12-11 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61189098A JPH0650761B2 (ja) 1986-08-12 1986-08-12 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6344734A JPS6344734A (ja) 1988-02-25
JPH0650761B2 true JPH0650761B2 (ja) 1994-06-29

Family

ID=16235315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61189098A Expired - Lifetime JPH0650761B2 (ja) 1986-08-12 1986-08-12 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4945395A (ja)
EP (1) EP0257437B1 (ja)
JP (1) JPH0650761B2 (ja)
KR (1) KR910000623B1 (ja)
DE (1) DE3750770T2 (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5162893A (en) * 1988-05-23 1992-11-10 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit device with an enlarged internal logic circuit area
JP2710953B2 (ja) * 1988-06-29 1998-02-10 株式会社日立製作所 半導体装置
US5300796A (en) * 1988-06-29 1994-04-05 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having an internal cell array region and a peripheral region surrounding the internal cell array for providing input/output basic cells
US5208782A (en) * 1989-02-09 1993-05-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a plurality of memory blocks and a lead on chip (LOC) arrangement
JPH0770601B2 (ja) * 1989-06-13 1995-07-31 株式会社東芝 マスタースライス方式の半導体装置
JPH0369141A (ja) * 1989-08-08 1991-03-25 Nec Corp セミカスタム半導体集積回路
US5289021A (en) * 1990-05-15 1994-02-22 Siarc Basic cell architecture for mask programmable gate array with 3 or more size transistors
US5055716A (en) * 1990-05-15 1991-10-08 Siarc Basic cell for bicmos gate array
JP3199808B2 (ja) * 1991-05-14 2001-08-20 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体集積回路装置
WO1993012540A1 (en) * 1991-12-10 1993-06-24 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit with variable pad pitch
US5535084A (en) * 1992-07-24 1996-07-09 Kawasaki Steel Corporation Semiconductor integrated circuit having protection circuits
JP2718345B2 (ja) * 1993-07-30 1998-02-25 日本電気株式会社 半導体装置
FR2715504B1 (fr) * 1994-01-25 1996-04-05 Sgs Thomson Microelectronics Circuit intégré incorporant une protection contre les décharges électrostatiques.
JP2912174B2 (ja) * 1994-12-27 1999-06-28 日本電気株式会社 ライブラリ群及びそれを用いた半導体集積回路
US6172590B1 (en) 1996-01-22 2001-01-09 Surgx Corporation Over-voltage protection device and method for making same
US5760428A (en) * 1996-01-25 1998-06-02 Lsi Logic Corporation Variable width low profile gate array input/output architecture
US5721658A (en) * 1996-04-01 1998-02-24 Micron Technology, Inc. Input/output electrostatic discharge protection for devices with multiple individual power groups
US5870408A (en) * 1996-04-30 1999-02-09 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for on die testing
US5744870A (en) * 1996-06-07 1998-04-28 Micron Technology, Inc. Memory device with multiple input/output connections
US6130459A (en) * 1998-03-10 2000-10-10 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection device for integrated circuits
US6064094A (en) * 1998-03-10 2000-05-16 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection system for integrated circuits using the bonding pads and passivation layer
US6114731A (en) * 1998-03-27 2000-09-05 Adaptec, Inc. Low capacitance ESD structure having a source inside a well and the bottom portion of the drain inside a substrate
US6078068A (en) * 1998-07-15 2000-06-20 Adaptec, Inc. Electrostatic discharge protection bus/die edge seal
JP3914649B2 (ja) * 1999-02-10 2007-05-16 株式会社東芝 半導体装置
JP2001053155A (ja) * 1999-06-04 2001-02-23 Seiko Epson Corp 半導体集積回路装置
US6427079B1 (en) 1999-08-09 2002-07-30 Cormedica Corporation Position and orientation measuring with magnetic fields
US6496058B1 (en) 2001-07-24 2002-12-17 Virtual Ip Group Method for designing an integrated circuit containing multiple integrated circuit designs and an integrated circuit so designed
US7948725B2 (en) * 2001-09-06 2011-05-24 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Composite integrated semiconductor device
DE10241086B4 (de) * 2001-09-06 2016-02-18 Fuji Electric Co., Ltd Zusammengesetztes integriertes Halbleiterbauteil
JP3680040B2 (ja) * 2002-04-22 2005-08-10 三菱電機株式会社 ヒートパイプ
JP4146290B2 (ja) 2003-06-06 2008-09-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2005268245A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
US7808115B2 (en) * 2004-05-03 2010-10-05 Broadcom Corporation Test circuit under pad
JP4671739B2 (ja) * 2005-04-05 2011-04-20 パナソニック株式会社 半導体集積回路装置及びこれに備えるi/oセル
JP5147234B2 (ja) 2006-12-28 2013-02-20 パナソニック株式会社 半導体集積回路装置
JP5530439B2 (ja) * 2009-11-30 2014-06-25 パナソニック株式会社 半導体集積回路
KR101255289B1 (ko) * 2009-12-31 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP5896682B2 (ja) * 2011-10-18 2016-03-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
US9288905B2 (en) * 2013-11-11 2016-03-15 Seagate Technology Llc Shaped internal leads for a printed circuit substrate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS593950A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Fujitsu Ltd ゲ−トアレイチツプ
JPS59115540A (ja) * 1982-12-23 1984-07-04 Nec Corp マスタスライス方式半導体集積回路装置
JPS59220948A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6027145A (ja) * 1983-07-25 1985-02-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPS6035532A (ja) * 1983-07-29 1985-02-23 Fujitsu Ltd マスタスライス集積回路装置
JPS6074644A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 Fujitsu Ltd Cmosゲ−トアレ−
JPS60251643A (ja) * 1984-05-28 1985-12-12 Sharp Corp 半導体ゲ−トアレイ装置
JPH0626234B2 (ja) * 1985-01-31 1994-04-06 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
JPS61225845A (ja) * 1985-03-30 1986-10-07 Toshiba Corp 半導体装置
JPS624343A (ja) * 1985-07-01 1987-01-10 Nec Corp マスタ−スライス型半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3750770T2 (de) 1995-05-18
KR880003484A (ko) 1988-05-17
JPS6344734A (ja) 1988-02-25
DE3750770D1 (de) 1995-01-05
KR910000623B1 (ko) 1991-01-28
EP0257437A2 (en) 1988-03-02
EP0257437B1 (en) 1994-11-23
EP0257437A3 (en) 1990-06-20
US4945395A (en) 1990-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0650761B2 (ja) 半導体装置
JP2855975B2 (ja) 半導体集積回路
JPH1140754A (ja) 半導体装置
JPH0519989B2 (ja)
JP2859223B2 (ja) 半導体装置
JPH02219254A (ja) 半導体集積回路装置
JP2681427B2 (ja) 半導体装置
JPH0648715B2 (ja) 集積回路チツプ
JPH11121505A (ja) 半導体集積回路装置
JPH06283604A (ja) 半導体装置
JP3646970B2 (ja) 半導体集積回路及び半導体集積回路装置
JPH05343525A (ja) 半導体集積回路
JPS59139660A (ja) 半導体装置
JPH06177322A (ja) メモリ素子
JPH01293647A (ja) 半導体装置
JPH0513582A (ja) 半導体装置の電源配線
JPS59167036A (ja) 半導体集積回路
JPH02306650A (ja) 半導体装置
JP2977138B2 (ja) 半導体装置
JPH03106043A (ja) 半導体装置
JPH0684915A (ja) 半導体集積回路
KR0172418B1 (ko) 신호 보호를 위한 브랜치형 리드 프레임을 구비한 반도체 메모리 장치
JPS6127654A (ja) マスタスライス方式集積回路装置
JPS6366059B2 (ja)
JPH0536948A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term