JPH0650761B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0650761B2 JPH0650761B2 JP61189098A JP18909886A JPH0650761B2 JP H0650761 B2 JPH0650761 B2 JP H0650761B2 JP 61189098 A JP61189098 A JP 61189098A JP 18909886 A JP18909886 A JP 18909886A JP H0650761 B2 JPH0650761 B2 JP H0650761B2
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- circuit
- cell
- divided circuit
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/173—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using elementary logic circuits as components
- H03K19/1733—Controllable logic circuits
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/90—Masterslice integrated circuits
- H10D84/998—Input and output buffer/driver structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は半導体装置において、 チップコーナ部を有効に利用できず、I/Oセルピン数
を多く設けられず、又、チップコーナ部におけるボンデ
ィングをやりにくい従来装置の問題点を解決するため、 一のI/Oセルを構成する回路部分を複数に分割してそ
の一部をチップ周辺部に配置し、残りの部分をチップ内
部に設けることにより、チップ周辺部に配置するI/O
セルの面積を減らし、 I/Oセルの配置間隔を小さくしてI/Oセルピン数を
増大させ且つチップコーナ部にまでI/Oセルピンを設
け得、又、チップコーナ部におけるボンディングが容易
になるようにボンディングパッドを配置し得るようにし
たものである。
を多く設けられず、又、チップコーナ部におけるボンデ
ィングをやりにくい従来装置の問題点を解決するため、 一のI/Oセルを構成する回路部分を複数に分割してそ
の一部をチップ周辺部に配置し、残りの部分をチップ内
部に設けることにより、チップ周辺部に配置するI/O
セルの面積を減らし、 I/Oセルの配置間隔を小さくしてI/Oセルピン数を
増大させ且つチップコーナ部にまでI/Oセルピンを設
け得、又、チップコーナ部におけるボンディングが容易
になるようにボンディングパッドを配置し得るようにし
たものである。
本発明は半導体装置に関する。半導体装置は、一般に、
第7図に示すように外部回路とのインタフェース回路で
あるI/Oセル11,12,…をチップ2の周辺部に配
置する。この場合、チップコーナ部2aを有効に利用し
得、又、チップ中央部でもI/Oセルピン数を多くとり
得る構成の半導体装置が必要とされる。
第7図に示すように外部回路とのインタフェース回路で
あるI/Oセル11,12,…をチップ2の周辺部に配
置する。この場合、チップコーナ部2aを有効に利用し
得、又、チップ中央部でもI/Oセルピン数を多くとり
得る構成の半導体装置が必要とされる。
第7図は従来装置の一例の平面図を示す。同図中、
11,12,…はI/Oセルで、保護回路部、及び、入
力バッファ及び出力バッファの論理機能を有する論理回
路部(いずれも図示せず)、及び、ボンディングパッド
1aにて構成されており、チップ2の周辺部に配置され
ている。3は配線パターンで、I/Oセル11,12,
…とボンディングワイヤ4にて接続されている。
11,12,…はI/Oセルで、保護回路部、及び、入
力バッファ及び出力バッファの論理機能を有する論理回
路部(いずれも図示せず)、及び、ボンディングパッド
1aにて構成されており、チップ2の周辺部に配置され
ている。3は配線パターンで、I/Oセル11,12,
…とボンディングワイヤ4にて接続されている。
上記従来装置では、チップコーナ部2a付近に配置され
ているI/Oセル11,13はライン1bのためにチッ
プコーナ部2a方向にこれ以上近接して配置することは
できず、このため、第7図に示す如く、チップコーナ部
2aが無駄な空間として残る。従って、チップコーナ部
2aがある分だけI/Oセルの数を多く配置することが
できず、そしてチップ中央部においてI/Oセルピン数
を多くとり得ず、又、特に、チップコーナ部2a近傍の
I/Oセル11のボンディングワイヤ4が長く引きまわ
され、I/Oセル11と配線パターン3とが遠いために
ボンディングしにくい等の問題点があった。
ているI/Oセル11,13はライン1bのためにチッ
プコーナ部2a方向にこれ以上近接して配置することは
できず、このため、第7図に示す如く、チップコーナ部
2aが無駄な空間として残る。従って、チップコーナ部
2aがある分だけI/Oセルの数を多く配置することが
できず、そしてチップ中央部においてI/Oセルピン数
を多くとり得ず、又、特に、チップコーナ部2a近傍の
I/Oセル11のボンディングワイヤ4が長く引きまわ
され、I/Oセル11と配線パターン3とが遠いために
ボンディングしにくい等の問題点があった。
本発明になる半導体装置は、第1図に示す如く、各I/
Oセルを構成する保護回路ならびに論理回路の回路部分
を複数の分割回路(5,6)に分割し、 その一部の分割回路部(5)と、それぞれ対応する前記
一部の分割回路部(5)に接続されるべき複数のボンデ
ィングパッド(1a)とをチップ(2)の周辺部に沿っ
て同じ配列順で配置し、前記チップの辺の中央部に位置
する少なくとも1つの前記一部の分割回路部を、対応す
るボンディングパッドと位置的に整列させ、中央部の一
部の分割回路部よりもチップコーナ部に近い少なくとも
1つの前記一部の分割回路部に対応するボンディングパ
ッドを、一部の分割回路部よりも前記チップコーナ側に
位置的にシフトして配置し、 前記複数の分割回路部の残りの分割回路部(6)をチッ
プ内部の予め定められた領域内に配置してなる。
Oセルを構成する保護回路ならびに論理回路の回路部分
を複数の分割回路(5,6)に分割し、 その一部の分割回路部(5)と、それぞれ対応する前記
一部の分割回路部(5)に接続されるべき複数のボンデ
ィングパッド(1a)とをチップ(2)の周辺部に沿っ
て同じ配列順で配置し、前記チップの辺の中央部に位置
する少なくとも1つの前記一部の分割回路部を、対応す
るボンディングパッドと位置的に整列させ、中央部の一
部の分割回路部よりもチップコーナ部に近い少なくとも
1つの前記一部の分割回路部に対応するボンディングパ
ッドを、一部の分割回路部よりも前記チップコーナ側に
位置的にシフトして配置し、 前記複数の分割回路部の残りの分割回路部(6)をチッ
プ内部の予め定められた領域内に配置してなる。
本発明では、各工程I/Oセルを複数の分割回路部
(5,6)に分割し、チップコーナ部に近い少なくとも
1つの一部の分割回路部(5)に対応するボンディング
パッドはこの一部の分割回路部に対してチップコーナ側
に位置的にシフトして配置されているので、チップコー
ナ部2aの面積を減少できると共に、チップ周辺部の何
も配置されない面積も減少することができ、更にチップ
コーナ部2aに一部の分割回路部を近づけて配置でき
る。
(5,6)に分割し、チップコーナ部に近い少なくとも
1つの一部の分割回路部(5)に対応するボンディング
パッドはこの一部の分割回路部に対してチップコーナ側
に位置的にシフトして配置されているので、チップコー
ナ部2aの面積を減少できると共に、チップ周辺部の何
も配置されない面積も減少することができ、更にチップ
コーナ部2aに一部の分割回路部を近づけて配置でき
る。
第1図は本発明装置の一実施例の平面図を示し、同図
中、第7図と同一構成部分には同一番号を付す。第3図
(A),(B)は夫々従来周知のI/Oセルの具体的回
路図及び等価ブロック図を示す。本発明装置は、I/O
セルを構成する回路部分を例えば、第1分割回路部及び
第2分割回路部及びボンディングパッドの複数部分に分
割する点に特徴を有する。
中、第7図と同一構成部分には同一番号を付す。第3図
(A),(B)は夫々従来周知のI/Oセルの具体的回
路図及び等価ブロック図を示す。本発明装置は、I/O
セルを構成する回路部分を例えば、第1分割回路部及び
第2分割回路部及びボンディングパッドの複数部分に分
割する点に特徴を有する。
第1図中、5はI/Oセルを構成するところの保護回路
部を含む回路にて構成された第1分割回路部、6はI/
Oセルを構成するところの論理回路部を含む回路にて構
成された第2分割回路部であり、内部セル配置領域60
内に設けられている。このように、I/Oセルの保護回
路ならびに論理回路の回路部分を複数に分割することに
より、特に、第1分割回路部5及びボンディングパッド
1aをチップコーナ部2aに配置し得る。
部を含む回路にて構成された第1分割回路部、6はI/
Oセルを構成するところの論理回路部を含む回路にて構
成された第2分割回路部であり、内部セル配置領域60
内に設けられている。このように、I/Oセルの保護回
路ならびに論理回路の回路部分を複数に分割することに
より、特に、第1分割回路部5及びボンディングパッド
1aをチップコーナ部2aに配置し得る。
従って、第2図に示す如く、1個のI/Oセルをチップ
の周辺部(5)とチップの内部(6)とに分割して配置
することにより、第3図に示す如く、チップの周辺部に
配置する部面の面積S1を減少し得る。これにより、セ
ルの長さh及び幅wを小にできるので、幅wを小にする
ことによって従来装置のものよりもI/Oセルの数を多
く配置することができ、又、チップコーナ部2aの面積
S2も減少し、チップコーナ部2aにI/Oセルを従来
装置より近づけて配置できるのでボンディングしやすく
なり、又、ボンディングワイヤ7を短かくし得る。又、
I/Oセルの配置間隔を小さくできるのでI/Oセルピ
ン数を多くとり得る。
の周辺部(5)とチップの内部(6)とに分割して配置
することにより、第3図に示す如く、チップの周辺部に
配置する部面の面積S1を減少し得る。これにより、セ
ルの長さh及び幅wを小にできるので、幅wを小にする
ことによって従来装置のものよりもI/Oセルの数を多
く配置することができ、又、チップコーナ部2aの面積
S2も減少し、チップコーナ部2aにI/Oセルを従来
装置より近づけて配置できるのでボンディングしやすく
なり、又、ボンディングワイヤ7を短かくし得る。又、
I/Oセルの配置間隔を小さくできるのでI/Oセルピ
ン数を多くとり得る。
ここで、第3図(A),(B)に示すI/Oセルは双方
向性バッファである。同図中、端子Xはボンディングパ
ッド1aに接続される入出力端子、端子INは入力バッ
ファのデータ出力端子、端子OTは出力バッファのデー
タ入力端子、端子Cは出力バッファを高インピーダンス
状態及び出力状態に切換える制御信号の入力端子であ
る。
向性バッファである。同図中、端子Xはボンディングパ
ッド1aに接続される入出力端子、端子INは入力バッ
ファのデータ出力端子、端子OTは出力バッファのデー
タ入力端子、端子Cは出力バッファを高インピーダンス
状態及び出力状態に切換える制御信号の入力端子であ
る。
本発明は第3図(A),(B)に示すものに限定され
ず、た第4図(A),(B)及び第5図(A),(B)
に示す入力バッファや、第6図(A),(B)に示す出
力バッファにも同様に適用し得る。第3図(A)〜第6
図(A)中、5′,5″,5はチップ周辺領域に配置
する回路部、6′,6″,6はチップ内部の所定領域
に配置する回路部である。
ず、た第4図(A),(B)及び第5図(A),(B)
に示す入力バッファや、第6図(A),(B)に示す出
力バッファにも同様に適用し得る。第3図(A)〜第6
図(A)中、5′,5″,5はチップ周辺領域に配置
する回路部、6′,6″,6はチップ内部の所定領域
に配置する回路部である。
なお、I/Oセルの回路部の分割領域は第3図乃至第6
図に示す例に示す領域に限定されるものではなく、チッ
プ設計に応じて適宜行なってよい。
図に示す例に示す領域に限定されるものではなく、チッ
プ設計に応じて適宜行なってよい。
本発明によれば、一のI/Oセルを構成する保護回路な
らびに論理回路の回路部分を複数の部分に分割してその
一部をチップ周辺部に配置し、残りの部分をチップ内部
の所定領域に配置したため、従来装置よりもI/Oセル
の配置間隔を小さくできると同時にチップコーナ部を有
効に使用でき、これにより、従来装置よりもI/Oセル
のピン数を多く配置し得、又、特に、チップコーナ部近
傍のI/Oセルのボンディングを従来装置に比してボン
ディングしやすいように構成し得る等の特長を有する。
らびに論理回路の回路部分を複数の部分に分割してその
一部をチップ周辺部に配置し、残りの部分をチップ内部
の所定領域に配置したため、従来装置よりもI/Oセル
の配置間隔を小さくできると同時にチップコーナ部を有
効に使用でき、これにより、従来装置よりもI/Oセル
のピン数を多く配置し得、又、特に、チップコーナ部近
傍のI/Oセルのボンディングを従来装置に比してボン
ディングしやすいように構成し得る等の特長を有する。
第1図は本発明装置の一実施例の平面図、 第2図はチップコーナ部の拡大図、 第3図乃至第6図は本発明装置に用いるI/Oセルの回
路の分割例、 第7図は従来装置の一例の平面図である。 第1図において、 1aはボンディングパッド、 2はチップ、 2aはチップコーナ部、 3は配線パターン、 5,5′,5″,5は第1分割回路部、 6,6′,6″,6は第2分割回路部、 7はボンディングワイヤである。
路の分割例、 第7図は従来装置の一例の平面図である。 第1図において、 1aはボンディングパッド、 2はチップ、 2aはチップコーナ部、 3は配線パターン、 5,5′,5″,5は第1分割回路部、 6,6′,6″,6は第2分割回路部、 7はボンディングワイヤである。
Claims (1)
- 【請求項1】チップ(2)周辺部にI/Oセルを配置し
た半導体装置において、 各I/Oセルを構成する保護回路ならびに論理回路の回
路部分を複数の分割回路部(5,6)に分割し、 その一部の分割回路部(5)と、それぞれ対応する前記
一部の分割回路部(5)に接続されるべき複数のボンデ
ィングパッド(1a)とをチップ(2)の周辺部に沿っ
て同じ配列順で配置し、前記チップの辺の中央部に位置
する少なくとも1つの前記一部の分割回路部を、対応す
るボンディングパッドと位置的に整列させ、上記中央部
の一部の分割回路部よりもチップコーナ部に近い少なく
とも1つの前記一部の分割回路部に対応するボンディン
グパッドを、一部の分割回路部よりも前記チップコーナ
側に位置的にシフトして配置し、 前記複数の分割回路部の残りの分割回路部(6)をチッ
プ内部の予め定められた領域内に配置してなることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61189098A JPH0650761B2 (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体装置 |
| EP87111634A EP0257437B1 (en) | 1986-08-12 | 1987-08-11 | Master slice type integrated circuit |
| DE3750770T DE3750770T2 (de) | 1986-08-12 | 1987-08-11 | Integrierte Schaltung in Hauptscheibentechnik. |
| KR1019870008860A KR910000623B1 (ko) | 1986-08-12 | 1987-08-12 | 반도체 장치 |
| US07/449,435 US4945395A (en) | 1986-08-12 | 1989-12-11 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61189098A JPH0650761B2 (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344734A JPS6344734A (ja) | 1988-02-25 |
| JPH0650761B2 true JPH0650761B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=16235315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61189098A Expired - Lifetime JPH0650761B2 (ja) | 1986-08-12 | 1986-08-12 | 半導体装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4945395A (ja) |
| EP (1) | EP0257437B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0650761B2 (ja) |
| KR (1) | KR910000623B1 (ja) |
| DE (1) | DE3750770T2 (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5300796A (en) * | 1988-06-29 | 1994-04-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having an internal cell array region and a peripheral region surrounding the internal cell array for providing input/output basic cells |
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| FR2715504B1 (fr) * | 1994-01-25 | 1996-04-05 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit intégré incorporant une protection contre les décharges électrostatiques. |
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