JPH03176443A - ビフェニル誘導体及び液晶組成物 - Google Patents
ビフェニル誘導体及び液晶組成物Info
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- JPH03176443A JPH03176443A JP1314660A JP31466089A JPH03176443A JP H03176443 A JPH03176443 A JP H03176443A JP 1314660 A JP1314660 A JP 1314660A JP 31466089 A JP31466089 A JP 31466089A JP H03176443 A JPH03176443 A JP H03176443A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なビフェニル系化合物から成るラセミ体
及びそれを用いた液晶材料に係わり、特に応答性、メモ
リー性に優れた強誘電性液晶表示用材料に関するもので
ある。
及びそれを用いた液晶材料に係わり、特に応答性、メモ
リー性に優れた強誘電性液晶表示用材料に関するもので
ある。
液晶表示素子は、その優れた特徴(低電圧作動、低消費
電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目が疲
れない、)によって、現在広く用いられている。しかし
ながら、最も一般的であるTN型表示方式では、CRT
などの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く、
且つ印加電場を切った場合の表示の記憶(メモリー効果
)が得られないため、高速応答の必要な光シヤツター、
プリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビなどの動
画面などへの応用には多くの制約があり、適した表示方
式とは言えなかった。
電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目が疲
れない、)によって、現在広く用いられている。しかし
ながら、最も一般的であるTN型表示方式では、CRT
などの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く、
且つ印加電場を切った場合の表示の記憶(メモリー効果
)が得られないため、高速応答の必要な光シヤツター、
プリンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビなどの動
画面などへの応用には多くの制約があり、適した表示方
式とは言えなかった。
しかしながら最近報告された強誘電性液晶を用いた表示
方式によると、TN型表示方式の100〜1000倍と
いう高速応答性とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在盛んに研究開発が
進められている。
方式によると、TN型表示方式の100〜1000倍と
いう高速応答性とメモリー効果が得られるため、次世代
の液晶表示素子として期待され、現在盛んに研究開発が
進められている。
強誘電性液晶の液晶相は、チルト系のキラルスメクチッ
ク相に属するものであるが、実用的には、その中で最も
低粘性であるキラルスメクチックC(以下、SC”と省
略する。)相が最も望ましい。
ク相に属するものであるが、実用的には、その中で最も
低粘性であるキラルスメクチックC(以下、SC”と省
略する。)相が最も望ましい。
sc’″相を示す液晶化合物は、既に数多く合成され、
検討されているが、強誘電性表示素子として用いるため
の条件としては、(イ)室温を含む広い温度範囲でsc
”相を示すこと、(ロ)良好な配向を得るために、SC
0相の高温側に適当な相系列を有し、かつその螺旋ピッ
チが大きいこと、(ハ)適当なチルト角を有すること、
〈二)粘性が小さいこと、(ホ)自発分極がある程度大
きいこと、が好ましいが、これらを単独で満足するもの
は知られていない。
検討されているが、強誘電性表示素子として用いるため
の条件としては、(イ)室温を含む広い温度範囲でsc
”相を示すこと、(ロ)良好な配向を得るために、SC
0相の高温側に適当な相系列を有し、かつその螺旋ピッ
チが大きいこと、(ハ)適当なチルト角を有すること、
〈二)粘性が小さいこと、(ホ)自発分極がある程度大
きいこと、が好ましいが、これらを単独で満足するもの
は知られていない。
そのため、現在では、他の5011相を示す液晶化合物
(以下、SC0化合物という。)等と混合されてSC0
相を示す液晶&Il戒物(以下、SC1液晶組成物とい
う、)として用いられているが、いずれにせよ、SC*
相を示す液晶化合物としては粘性の小さいことと、ある
程度以上の大きな自発分極を有することが、特に高速応
答性を実現するためには必要である。
(以下、SC0化合物という。)等と混合されてSC0
相を示す液晶&Il戒物(以下、SC1液晶組成物とい
う、)として用いられているが、いずれにせよ、SC*
相を示す液晶化合物としては粘性の小さいことと、ある
程度以上の大きな自発分極を有することが、特に高速応
答性を実現するためには必要である。
また、キラルドーバントとして他のスメクチックC(以
下、SCという。)相を示す液晶化合物又は組成物に添
加することにより、sc”組成物として用いることがで
き、この場合には低粘度化が可能であるので、より高速
応答が可能となり、この方法が一般的に用いられている
。キラルドーパントとして用いる化合物は、単独では、
必ずしもSC*相を示す必要はないが、SC“液晶組成
物とした場合に同様の性質を示すことが必要である。
下、SCという。)相を示す液晶化合物又は組成物に添
加することにより、sc”組成物として用いることがで
き、この場合には低粘度化が可能であるので、より高速
応答が可能となり、この方法が一般的に用いられている
。キラルドーパントとして用いる化合物は、単独では、
必ずしもSC*相を示す必要はないが、SC“液晶組成
物とした場合に同様の性質を示すことが必要である。
SC相を示す化合物(以下、SC化合物という。
も既に多く知られている。しかしながら、SC化合物は
、一般にSC″I化合物よりも低粘性であるが、広い温
度範囲を確保しようとすると、その粘性は現在のところ
では、決して充分といえるものではない、なぜなら、一
般に液晶化合物の粘性は、) 3環化合物より2環化合物の方が低いが、2環化合物で
はSC相の上限温度があまり高くないため、その温度範
囲を充分に広くとることが難しいからである。
、一般にSC″I化合物よりも低粘性であるが、広い温
度範囲を確保しようとすると、その粘性は現在のところ
では、決して充分といえるものではない、なぜなら、一
般に液晶化合物の粘性は、) 3環化合物より2環化合物の方が低いが、2環化合物で
はSC相の上限温度があまり高くないため、その温度範
囲を充分に広くとることが難しいからである。
現在のところ、SC相を示す母体液晶組成物(以下、S
C母体液晶という。)の主成分として用いられているS
C化合物は、例えば、下記−服代(A)で表されるよう
なフェニルベンゾエート系化合物や一般式(B)で表さ
れるビリ累ジン系化合物が主である。
C母体液晶という。)の主成分として用いられているS
C化合物は、例えば、下記−服代(A)で表されるよう
なフェニルベンゾエート系化合物や一般式(B)で表さ
れるビリ累ジン系化合物が主である。
(式中、R1及びRhは各々独立的に直鎖状又は分岐状
のアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル
基、アルカノイルオキシ基又はアルコキシカルボニルオ
キシ基を表わすが、同時にアルキル基を表わすことはな
い。
のアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル
基、アルカノイルオキシ基又はアルコキシカルボニルオ
キシ基を表わすが、同時にアルキル基を表わすことはな
い。
(式中、R”及びRhは前記−服代Aと同じ意味を表わ
す。) これらの−服代(A)及び(B)等の化合物では、分子
内にエステル結合やピリミジン環等が存在するため、そ
の粘性は決して低いものではなかった・ また、温度範囲を拡大するために、下記−服代(C−1
)〜(C−5)で表わされる3環型化合物も用いられる
が、これらの3環型化合物の粘性は、2環型化合物より
も高く、それらを混合して得られるSC母体液晶の粘性
は満足できるほど低いものではなかった。
す。) これらの−服代(A)及び(B)等の化合物では、分子
内にエステル結合やピリミジン環等が存在するため、そ
の粘性は決して低いものではなかった・ また、温度範囲を拡大するために、下記−服代(C−1
)〜(C−5)で表わされる3環型化合物も用いられる
が、これらの3環型化合物の粘性は、2環型化合物より
も高く、それらを混合して得られるSC母体液晶の粘性
は満足できるほど低いものではなかった。
(式中、R”及びRhは一般式(A)におけると同じ意
味を表わす。〉 (式中、Rc及びR4はアルキル基又はアルコキシル基
を表す。) 〔発明が解決しようとする課題〕 以上のように、従来のSC化合物からSC母体液晶を調
製するには、その粘性及び温度範囲において不充分であ
り、光学活性化合物から威るキラルドーパントを添加す
ることによって高速応答性のSC0液晶組成物を提供す
るには問題があり、その改善が望まれていた。
味を表わす。〉 (式中、Rc及びR4はアルキル基又はアルコキシル基
を表す。) 〔発明が解決しようとする課題〕 以上のように、従来のSC化合物からSC母体液晶を調
製するには、その粘性及び温度範囲において不充分であ
り、光学活性化合物から威るキラルドーパントを添加す
ることによって高速応答性のSC0液晶組成物を提供す
るには問題があり、その改善が望まれていた。
本発明が解決しようとする課題は、SC相あるいはsc
”相を示す母体液晶に用いられるべき低粘性の化合物を
提供し、これにより低粘性の野母体液晶を提供し、これ
に光学活性化合物からなるキラルドーバントを添加する
ことにより、高速応答性の強誘電性液晶me、物を提供
することにある。
”相を示す母体液晶に用いられるべき低粘性の化合物を
提供し、これにより低粘性の野母体液晶を提供し、これ
に光学活性化合物からなるキラルドーバントを添加する
ことにより、高速応答性の強誘電性液晶me、物を提供
することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、次の一般式(1
)で表される化合物から戒るラセミ体を提供するもので
ある。
)で表される化合物から戒るラセミ体を提供するもので
ある。
式中、R1は炭素原子数4〜18の直鎖状アルキル基を
表わすが、特に炭素原子数6〜12の直鎖状アルキル基
が好ましい。mは2〜8の整数を表わすが、3〜6の整
数が好ましく、nは1〜3の整数を表わすが1又は2が
好ましい。
表わすが、特に炭素原子数6〜12の直鎖状アルキル基
が好ましい。mは2〜8の整数を表わすが、3〜6の整
数が好ましく、nは1〜3の整数を表わすが1又は2が
好ましい。
本発明の一般式(1)の化合物は、例えば、以下のよう
にして製造することができる。
にして製造することができる。
即ち、−服代(II)
(式中、R1は炭素原子数4〜18の直鎖アルキル基を
表わす。) で表わされる4−(4−アルキルフェニル)フェノール
と 一般式(III) C)13 Br(CHz+CH←CH2→−、CHs −・−・
・−(I[[)(式中、mは2〜8、nは1〜3の整数
を表わす。
表わす。) で表わされる4−(4−アルキルフェニル)フェノール
と 一般式(III) C)13 Br(CHz+CH←CH2→−、CHs −・−・
・−(I[[)(式中、mは2〜8、nは1〜3の整数
を表わす。
で表わされる臭化物とを塩基存在下反応させればよい。
ここで、−服代(n)の化合物は既知の化合物であり、
−服代(III)の化合物は、例えば、以下のようにし
て製造することができる。
−服代(III)の化合物は、例えば、以下のようにし
て製造することができる。
即ち、対応する一般式(III)
で表されるアルコールを通常の方法で臭素化することに
より得ることができる。−服代(■)′で表されるアル
コールは、一部市版品もあるが、そのm、nに応じて市
販の化合物を原料として容易に台底することができる。
より得ることができる。−服代(■)′で表されるアル
コールは、一部市版品もあるが、そのm、nに応じて市
販の化合物を原料として容易に台底することができる。
n=1あるいはn=2の場合には、市販のの炭素鎖伸長
反応を行うことにより得ることができる。
反応を行うことにより得ることができる。
n=3の場合には、市販の2−ブロモヘキサンをグリニ
ヤール化合物を製造し、次いでホルムアルデヒドと反応
させるか、あるいは二酸化炭素と反応させた後、還元し
てアルコール(2−メチルヘキサノール)とし、以下同
様にして製造することができる。
ヤール化合物を製造し、次いでホルムアルデヒドと反応
させるか、あるいは二酸化炭素と反応させた後、還元し
てアルコール(2−メチルヘキサノール)とし、以下同
様にして製造することができる。
上記のようにして本発明の一般式(I)の化合物が得ら
れるが、これらに属する個々の具体的な化合物は、融点
、相転移温度、赤外線吸収スペクトル(IR)、核磁気
共鳴スペクトル(NMR)等の手段により確認すること
ができる。
れるが、これらに属する個々の具体的な化合物は、融点
、相転移温度、赤外線吸収スペクトル(IR)、核磁気
共鳴スペクトル(NMR)等の手段により確認すること
ができる。
その代表的化合物の例を第1表に示す。
第
1
表
(表中、Crは結晶相、SXは帰属不明のチルト系のス
メクチック相、■は等方性液体相を各々表わす。) 一般式(1)で表わされるビフェニル誘導体は、−形式
(A)で表わされる化合物のようなエステル結合や、−
形式(B)で表わされる化合物のようなピリミジン環等
の粘性の高い基を含んでいないので、その粘性は比較的
低い。
メクチック相、■は等方性液体相を各々表わす。) 一般式(1)で表わされるビフェニル誘導体は、−形式
(A)で表わされる化合物のようなエステル結合や、−
形式(B)で表わされる化合物のようなピリミジン環等
の粘性の高い基を含んでいないので、その粘性は比較的
低い。
また、第1表から明らかなように、2環化合物としては
非常に高い温度までチルト系のスメクチック相を有する
ので、SC母体液晶用の化合物として非常に優れている
。
非常に高い温度までチルト系のスメクチック相を有する
ので、SC母体液晶用の化合物として非常に優れている
。
類似の構造を有するビフェニル誘導体としては次の一般
式(D−1)及び−形式(D−2)で表わされる化合物
が知られている。
式(D−1)及び−形式(D−2)で表わされる化合物
が知られている。
(式中、R”及びR′は各々独立的に直鎖状アルキル基
を表わす。(フリュシゲ クリスターレイン タベレン
P270 (1984))しかしながら、これら−形
式(D−1)及び−形式(D−2)で表わされる化合物
は、スメクチックB (SB)相、スメクチックE (
SR)相といった非チルト系のスメクチック相のみを示
し、(SC)相はおろか、チルト系のスメクチック相は
全く示さない。そのため、母体液晶に添加すると、その
SC(あるいはsc”)相の上限温度(Tc)を大きく
降下させてしまい、使用に適しているとは言えなかった
。
を表わす。(フリュシゲ クリスターレイン タベレン
P270 (1984))しかしながら、これら−形
式(D−1)及び−形式(D−2)で表わされる化合物
は、スメクチックB (SB)相、スメクチックE (
SR)相といった非チルト系のスメクチック相のみを示
し、(SC)相はおろか、チルト系のスメクチック相は
全く示さない。そのため、母体液晶に添加すると、その
SC(あるいはsc”)相の上限温度(Tc)を大きく
降下させてしまい、使用に適しているとは言えなかった
。
また、次の一般式(D−3)で表わされる化合物では、
本発明者らの検討によると、結晶性が強く液晶性を示さ
なかった。
本発明者らの検討によると、結晶性が強く液晶性を示さ
なかった。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物に於いては、
SC相は示さないが、比較的高い温度まで、チルト系の
スメクチック相を示すため、これを母体液晶に添加する
ことによりSC相の温度域をほとんど狭めることなく、
その粘性を低くすることが可能となったものである。し
かも本発明の化合物の大きな特徴として、その融点が他
のビフェニル系化合物、あるいは母体液晶用化合物に比
べて、低いことをあげることができる。
SC相は示さないが、比較的高い温度まで、チルト系の
スメクチック相を示すため、これを母体液晶に添加する
ことによりSC相の温度域をほとんど狭めることなく、
その粘性を低くすることが可能となったものである。し
かも本発明の化合物の大きな特徴として、その融点が他
のビフェニル系化合物、あるいは母体液晶用化合物に比
べて、低いことをあげることができる。
これは低温域まで広い温度範囲でキラルスメクチック相
を示す組成物を得るために非常に好都合なことである。
を示す組成物を得るために非常に好都合なことである。
また、本発明は、液晶組成物を提供する0本発明の液晶
組成物は、−形式(1)で表わされる化合物から戒るラ
セミ体と、これ以外の液晶組成物とからなるものであっ
て、特に強誘電性液晶表示素子として用いる場合は、−
形式(1)で表わされる化合物以外の物質としては、主
成分としてSC相を示す液晶化合物あるいは液晶組成物
と、少量成分として光学活性化合物からなる組成物が望
ましい、また、ネマチック液晶に少量添加することによ
り、同様に粘度降下用等に用いることもできる。
組成物は、−形式(1)で表わされる化合物から戒るラ
セミ体と、これ以外の液晶組成物とからなるものであっ
て、特に強誘電性液晶表示素子として用いる場合は、−
形式(1)で表わされる化合物以外の物質としては、主
成分としてSC相を示す液晶化合物あるいは液晶組成物
と、少量成分として光学活性化合物からなる組成物が望
ましい、また、ネマチック液晶に少量添加することによ
り、同様に粘度降下用等に用いることもできる。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物と共にSC母
体液晶として用いることができるSC化合物としては、
例えば、前述の一般式(A)で表わされるようなフェニ
ルベンゾエート系化合物や一般式(B)で表わされるピ
リミジン系化合物あるいは一般式(C−1)〜(C−5
)で表わされるような3原型化合物をあげることができ
る。
体液晶として用いることができるSC化合物としては、
例えば、前述の一般式(A)で表わされるようなフェニ
ルベンゾエート系化合物や一般式(B)で表わされるピ
リミジン系化合物あるいは一般式(C−1)〜(C−5
)で表わされるような3原型化合物をあげることができ
る。
こうして得られたSC母体液晶に、光学活性化合物から
なるキラルドーパントを加えることにより、容易に室温
を含む広い温度範囲でsc”相を示すような低粘性の液
晶組成物を得ることができる。
なるキラルドーパントを加えることにより、容易に室温
を含む広い温度範囲でsc”相を示すような低粘性の液
晶組成物を得ることができる。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物を含有する強
誘電性液晶組成物は、2枚の透明ガラス電極間に1〜2
0μm程度の薄膜として封入することにより、表示用セ
ルとして使用できる。良好なコントラストを得るために
は、均一に配向したモノドメインとする必要がある。こ
のために多くの方法が試みられているが、液晶材料とし
ては、螺旋ピッチおよび5C11相の高温域における相
系列が重要である。螺旋ピッチは、主に、用いるキラル
ドーバントに依存するが、液晶の相系列は、用いる化合
初会てに依存する。一般にSC″1相の高温域にSA相
が存在することが必要とされているが、本発明の一般式
(1)で表わされる化合物は、スメクチックA相を拡大
する傾向があるので、その点での問題はない。さらに、
キラルネマチック(N″1)相が必要である場合には、
他の母体用の化合物としてネマチック性の強い化合物を
合わせて用いることにより、望みの相系列を保つことも
可能である。
誘電性液晶組成物は、2枚の透明ガラス電極間に1〜2
0μm程度の薄膜として封入することにより、表示用セ
ルとして使用できる。良好なコントラストを得るために
は、均一に配向したモノドメインとする必要がある。こ
のために多くの方法が試みられているが、液晶材料とし
ては、螺旋ピッチおよび5C11相の高温域における相
系列が重要である。螺旋ピッチは、主に、用いるキラル
ドーバントに依存するが、液晶の相系列は、用いる化合
初会てに依存する。一般にSC″1相の高温域にSA相
が存在することが必要とされているが、本発明の一般式
(1)で表わされる化合物は、スメクチックA相を拡大
する傾向があるので、その点での問題はない。さらに、
キラルネマチック(N″1)相が必要である場合には、
他の母体用の化合物としてネマチック性の強い化合物を
合わせて用いることにより、望みの相系列を保つことも
可能である。
以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明するが、
勿論、本発明の主旨、及び適用範囲はこれらの実施例に
より制限されるものではない。
勿論、本発明の主旨、及び適用範囲はこれらの実施例に
より制限されるものではない。
なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル(NMR)
、及び赤外吸収スペクトル(IR)、質量スペクトル(
MS)により確認した。相転移温度の測定は温度調節ス
テージを備えた偏光顕微鏡、及び、示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
、及び赤外吸収スペクトル(IR)、質量スペクトル(
MS)により確認した。相転移温度の測定は温度調節ス
テージを備えた偏光顕微鏡、及び、示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
IRにおける(KBr)は、錠剤成形による測定を、(
neat)は、液膜による測定を、(Nujol)は、
流動パラフィン中の懸濁状態での測定を各々表わす。
neat)は、液膜による測定を、(Nujol)は、
流動パラフィン中の懸濁状態での測定を各々表わす。
NMRにおける(CDCl 、)は溶媒を、Sは1重線
、dは2重線、tは3重線、qは4重線をmは多重線を
、broadは幅広い吸収を表わし、Jはカップリング
定数を表わす。また、温度は℃を表わす。
、dは2重線、tは3重線、qは4重線をmは多重線を
、broadは幅広い吸収を表わし、Jはカップリング
定数を表わす。また、温度は℃を表わす。
組成物中における「%」はすべて「重量%」を表わす。
実施例1((±)−4−(6−メチルオクチルオキシ)
−4′−デシルビフェニル(第 1表の磁1の化合物)の合成) 4−(4−オクチルフェニル)フェノール439■をジ
メチルホルムア逅ド(以下、DMFという。)10 に
溶解した。この溶液に290■のt−ブトキシカリウム
を加え室温で撹拌した。この混合液に、ラセミ体の臭化
6−メチルオクチル351■を5 のDMFに溶解した
溶液を5分間かけて滴下し、更に40℃で6時間撹拌し
た。反応混合液に酢酸エチルを加え、稀塩酸で酸性とし
た後、有機層を分離し、水、飽和食塩水で順次洗滌し、
無水硫酸ナトリウムで脱水した。
−4′−デシルビフェニル(第 1表の磁1の化合物)の合成) 4−(4−オクチルフェニル)フェノール439■をジ
メチルホルムア逅ド(以下、DMFという。)10 に
溶解した。この溶液に290■のt−ブトキシカリウム
を加え室温で撹拌した。この混合液に、ラセミ体の臭化
6−メチルオクチル351■を5 のDMFに溶解した
溶液を5分間かけて滴下し、更に40℃で6時間撹拌し
た。反応混合液に酢酸エチルを加え、稀塩酸で酸性とし
た後、有機層を分離し、水、飽和食塩水で順次洗滌し、
無水硫酸ナトリウムで脱水した。
溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーを用いて精製して、表記化合物542■を
得た。この化合物をエタノールから再結晶させて得た精
製品の融点を測定すると27℃であった。また昇温時6
9.5℃まで帰属不明のチルト系のスメクチック相を示
した。
トグラフィーを用いて精製して、表記化合物542■を
得た。この化合物をエタノールから再結晶させて得た精
製品の融点を測定すると27℃であった。また昇温時6
9.5℃まで帰属不明のチルト系のスメクチック相を示
した。
NMR(CDC1s) ;0.78−0.94 (m、
9H) 、 1.07−1.07 (m、 25H)
。
9H) 、 1.07−1.07 (m、 25H)
。
1.85−1.96(n+、2)1)、2.62(t、
J=8Hz、2H)、3.98(t。
J=8Hz、2H)、3.98(t。
J=6.5Hz、2H)、6.94(d、J=9Hz、
2B)、7.21(d、J=9Hz、2H)、7.45
(d、J=9Hz、2f()、7.49(d、J=9H
z、2H)IR(Nujol);1605,1580,
1505.1275,1245,1180,1040゜
810(cm−’) 実施例2〔(±)−4−(5−メチルオクチルオキシ)
−4′−デシルビフェニル(第 1表のIl&L2の化合物)の合成〕 実施例1において、臭化6−メチルオクチルに代えて、
ラセミ体の臭化5−メチルオクチルを用いた以外は実施
例1と同様にして、表記化合物を得た。
2B)、7.21(d、J=9Hz、2H)、7.45
(d、J=9Hz、2f()、7.49(d、J=9H
z、2H)IR(Nujol);1605,1580,
1505.1275,1245,1180,1040゜
810(cm−’) 実施例2〔(±)−4−(5−メチルオクチルオキシ)
−4′−デシルビフェニル(第 1表のIl&L2の化合物)の合成〕 実施例1において、臭化6−メチルオクチルに代えて、
ラセミ体の臭化5−メチルオクチルを用いた以外は実施
例1と同様にして、表記化合物を得た。
その相転移温度は第1表に示した。
実施例3 (SC”液晶組成物の調製と表示素子の作t
c) 以下の組成から成るsc”液晶組成物を調製した。
c) 以下の組成から成るsc”液晶組成物を調製した。
第1表のll&11の化合物 40%このS
01液晶組戒物は、わずか4成分ではあるが室温以下ま
で安定的にSC*相を示した。昇温時61を以下でsc
”相、69.5℃以下でSA相を各々示した。
01液晶組戒物は、わずか4成分ではあるが室温以下ま
で安定的にSC*相を示した。昇温時61を以下でsc
”相、69.5℃以下でSA相を各々示した。
このsc”液晶組成物を加熱して等方性液体(I)相と
し、これを配向処理(ポリイミドコート−ラビング)を
施した2枚のガラス透明電極からなるセル(セル4約2
μm)に充填し、次いで徐冷を行うことにより均一に配
向したSC0相のモノドメインを得た。
し、これを配向処理(ポリイミドコート−ラビング)を
施した2枚のガラス透明電極からなるセル(セル4約2
μm)に充填し、次いで徐冷を行うことにより均一に配
向したSC0相のモノドメインを得た。
電界強度10vp−p / μM 50 Hzの矩形波
を印加して、このセルの電気光学応答速度を測定したと
ころ、25℃において、57μ秒という高速応答性を示
した。
を印加して、このセルの電気光学応答速度を測定したと
ころ、25℃において、57μ秒という高速応答性を示
した。
この時のチルト角は26.2@、自発分極は31.9n
C/c11!であり、コントラストは良好であった。
C/c11!であり、コントラストは良好であった。
比較例
実施例3において第1表の階1の化合物を用い物の割合
を80%として用いたところ室温付近では結晶化して、
電気光学応答速度の測定はできなかった。
を80%として用いたところ室温付近では結晶化して、
電気光学応答速度の測定はできなかった。
また、実施例3において、第1表の+iの化合物に代え
て、(D−2)の化合物から、式いた以外は実施例3と
同様に組成物を調製したところ、室温付近では他のスメ
クチック相となりSC1相は示さなかった。
て、(D−2)の化合物から、式いた以外は実施例3と
同様に組成物を調製したところ、室温付近では他のスメ
クチック相となりSC1相は示さなかった。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物(ラセミ体)
は、高い温度までチルト系のスメクチック相を示し、か
つ、融点が非常に低くかつ比較的低粘性であり、他のS
C“液晶化合物、あるいはSC液晶化合物等と共に母体
液晶として用いることにより、温度範囲が広く、粘性の
低い組成物を得ることができる。その結果、特にSC0
液晶組成物においては、広い温度範囲で高速応答を可能
にすることができる。また、本発明の化合物は、実施例
にも示したように工業的にも容易に製造でき、無色で水
、光、熱等に対する化学的安定性に優れており実用的で
ある。
は、高い温度までチルト系のスメクチック相を示し、か
つ、融点が非常に低くかつ比較的低粘性であり、他のS
C“液晶化合物、あるいはSC液晶化合物等と共に母体
液晶として用いることにより、温度範囲が広く、粘性の
低い組成物を得ることができる。その結果、特にSC0
液晶組成物においては、広い温度範囲で高速応答を可能
にすることができる。また、本発明の化合物は、実施例
にも示したように工業的にも容易に製造でき、無色で水
、光、熱等に対する化学的安定性に優れており実用的で
ある。
さらに、本発明におけるキラルスメクチック液晶化合物
又は組成物から成る液晶材料では60μ秒以下という高
速応答を実現することも可能であり、表示用光スインチ
ング素子として極めて有用である。
又は組成物から成る液晶材料では60μ秒以下という高
速応答を実現することも可能であり、表示用光スインチ
ング素子として極めて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は炭素原子数4〜18の直鎖状アルキル
基を表わし、mは2〜8の整数を表わし、nは1〜3の
整数を表わす。) で表わされる化合物から成るラセミ体。 2、nが1又は2である請求項1記載のラセミ体。 3、請求項1記載のラセミ体を含有する液晶組成物。 4、強誘電性キラルスメクチック相を示す請求項3記載
の液晶組成物。 5、請求項3又は4記載の液晶組成物を用いて構成され
る液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1314660A JPH03176443A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | ビフェニル誘導体及び液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1314660A JPH03176443A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | ビフェニル誘導体及び液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03176443A true JPH03176443A (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=18056005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1314660A Pending JPH03176443A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | ビフェニル誘導体及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03176443A (ja) |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP1314660A patent/JPH03176443A/ja active Pending
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