JPH03176444A - ビフェニル誘導体 - Google Patents
ビフェニル誘導体Info
- Publication number
- JPH03176444A JPH03176444A JP1315930A JP31593089A JPH03176444A JP H03176444 A JPH03176444 A JP H03176444A JP 1315930 A JP1315930 A JP 1315930A JP 31593089 A JP31593089 A JP 31593089A JP H03176444 A JPH03176444 A JP H03176444A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- phase
- compound
- formula
- compounds
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なビフェニル系化合物から成るラセミ体
及びそれを用いた液晶材料に係わり、特に応答性、メモ
リー性に優れた強誘電性液晶表示用材料に関するもので
ある。
及びそれを用いた液晶材料に係わり、特に応答性、メモ
リー性に優れた強誘電性液晶表示用材料に関するもので
ある。
液晶表示素子は、その優れた特徴(低電圧作動、低消費
電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目が疲
れない。)によって、現在広く用いられている。しかし
ながら、最も一般的であるTN型表示方式では、CRT
などの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く、
かつ印加電場を切った場合の表示の記憶(メモリー効果
)が得られないため、高速応答の必要な光シャター、プ
リンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビなどの動画
面などへの応用には多くの制約があり、適した表示方式
とは言えなかった。
電力、薄型表示が可能、明るい場所でも使用でき目が疲
れない。)によって、現在広く用いられている。しかし
ながら、最も一般的であるTN型表示方式では、CRT
などの発光型表示方式と比較すると応答が極めて遅く、
かつ印加電場を切った場合の表示の記憶(メモリー効果
)が得られないため、高速応答の必要な光シャター、プ
リンターヘッド、時分割駆動の必要なテレビなどの動画
面などへの応用には多くの制約があり、適した表示方式
とは言えなかった。
しかしながら、最近報告された強誘電性液晶を用いた表
示方式によると、TN型表示方式の100〜1000倍
という高速応答性とメモリー効果が得られるため、次世
代の液晶表示素子として期待され、現在盛んに研究が進
められている。
示方式によると、TN型表示方式の100〜1000倍
という高速応答性とメモリー効果が得られるため、次世
代の液晶表示素子として期待され、現在盛んに研究が進
められている。
強誘電性液晶の液晶相は、チルト系のキラルスメクチッ
ク相に属するものであるが、実用的には、その中で最も
低粘性であるキラルスメクチックC(以下、SC9と省
略する。)相が最も望ましい。
ク相に属するものであるが、実用的には、その中で最も
低粘性であるキラルスメクチックC(以下、SC9と省
略する。)相が最も望ましい。
SC1相を示す液晶化合物は、既に数多く合成され、検
討されているが、強誘電性表示素子として用いるための
条件としては、(イ)室温を含む広い温度範囲でsc”
相を示すこと、(ロ)良好な配向を得るために、SC1
相の高温側に適当な相系列を有し、かつその螺旋ピッチ
が大きいこと、(ハ)適当なチルト角を有すること、(
ニ)粘性が小さいこと、(ホ)自発分極がある程度大き
いこと、が好ましいが、これらを単独で満足するものは
知られていない。
討されているが、強誘電性表示素子として用いるための
条件としては、(イ)室温を含む広い温度範囲でsc”
相を示すこと、(ロ)良好な配向を得るために、SC1
相の高温側に適当な相系列を有し、かつその螺旋ピッチ
が大きいこと、(ハ)適当なチルト角を有すること、(
ニ)粘性が小さいこと、(ホ)自発分極がある程度大き
いこと、が好ましいが、これらを単独で満足するものは
知られていない。
そのため、現在では、他のSC“相を示す液晶化合物(
以下、SC0化合物という。)等と混合されてsc”相
を示す液晶組成物(以下、SC0液晶組戒物という。)
が検討用として用いられているが、いずれにせよ、SC
*相を示す液晶化合物としては粘性の小さいことと、あ
る程度以上の大きな自発分極を有することが、特に高速
応答性を実現するためには必要である。
以下、SC0化合物という。)等と混合されてsc”相
を示す液晶組成物(以下、SC0液晶組戒物という。)
が検討用として用いられているが、いずれにせよ、SC
*相を示す液晶化合物としては粘性の小さいことと、あ
る程度以上の大きな自発分極を有することが、特に高速
応答性を実現するためには必要である。
また、キラルドーパントとして、他のスメクチックC(
以下、SCという。)相を示す液晶化合物又は組成物に
添加することによりSC”液晶組成物として用いること
ができ、この場合には、低粘度化が可能であるので、よ
り高速応答が可能となり、この方法が一般的に用いられ
ている。キラルドーパントとして用いる化合物は、単独
では、必ずしもSC′″相を示す必要はないが、SC”
tff1品組成物とした場合に同様の性質を示すことが
必要である。
以下、SCという。)相を示す液晶化合物又は組成物に
添加することによりSC”液晶組成物として用いること
ができ、この場合には、低粘度化が可能であるので、よ
り高速応答が可能となり、この方法が一般的に用いられ
ている。キラルドーパントとして用いる化合物は、単独
では、必ずしもSC′″相を示す必要はないが、SC”
tff1品組成物とした場合に同様の性質を示すことが
必要である。
SC相を示す化合物(以下、SC化合物という、)も既
に多く知られている。しかしながら、SC化合物は、一
般にSC″化合物よりも低粘性であるが、広い温度範囲
を確保しようとすると、その粘性は現在のところでは決
して充分といえるものではない。なぜなら、一般に液晶
化合物の粘性は、3環化合物より2環化合物の方が低い
が、2環化合物ではSC相の上限温度(以下、Tcとい
う、)があまり高くないため、その温度範囲を充分に広
くとることが難しいからである。
に多く知られている。しかしながら、SC化合物は、一
般にSC″化合物よりも低粘性であるが、広い温度範囲
を確保しようとすると、その粘性は現在のところでは決
して充分といえるものではない。なぜなら、一般に液晶
化合物の粘性は、3環化合物より2環化合物の方が低い
が、2環化合物ではSC相の上限温度(以下、Tcとい
う、)があまり高くないため、その温度範囲を充分に広
くとることが難しいからである。
現在のところ、SC相を示す母体液晶組成物(以下、S
C母体液晶という。)の主成分として用いられているS
C化合物は、例えば、下記−形式(A)で表されるよう
なフェニルベンゾエート系化合物や一般式(B)で表さ
れるビリごジン系化合物が主である。
C母体液晶という。)の主成分として用いられているS
C化合物は、例えば、下記−形式(A)で表されるよう
なフェニルベンゾエート系化合物や一般式(B)で表さ
れるビリごジン系化合物が主である。
(式中、R1及びRhは各々独立的に直鎖状又は分岐状
のアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル
基、アルカノイルオキシ基又はアルコキシカルボニルオ
キシ基を表わすが、同時にアルキル基を表わすことはな
い。) (式中、R”及びRbは前記−形式(A)と同し意味を
表わす。) これらの−形式(A)及び(B)等の化合物では、その
SC相の上限温度(Tc)は高々70〜80°Cにすぎ
ず、−形式(A)の化合物の中には80°Cを越すもの
も存在するが、側鎖が長く、粘性も高いものであった。
のアルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル
基、アルカノイルオキシ基又はアルコキシカルボニルオ
キシ基を表わすが、同時にアルキル基を表わすことはな
い。) (式中、R”及びRbは前記−形式(A)と同し意味を
表わす。) これらの−形式(A)及び(B)等の化合物では、その
SC相の上限温度(Tc)は高々70〜80°Cにすぎ
ず、−形式(A)の化合物の中には80°Cを越すもの
も存在するが、側鎖が長く、粘性も高いものであった。
そのため、その温度範囲を充分に広く取れないことが多
(、そのため、Tcが高い次のような3原型化合物も用
いられている。
(、そのため、Tcが高い次のような3原型化合物も用
いられている。
(式中、R1及びRbは前記−形式(A)と同じ意味を
表わし、Rc及びRdは各々独立的にアルキル基又はア
ルコキシル基を表わす。)しかしながら、これら3原型
化合物の粘性は、2原型化合物よりも高く、それらを混
合して得られる母体液晶の粘性は満足できるほど低いも
のではなかった。
表わし、Rc及びRdは各々独立的にアルキル基又はア
ルコキシル基を表わす。)しかしながら、これら3原型
化合物の粘性は、2原型化合物よりも高く、それらを混
合して得られる母体液晶の粘性は満足できるほど低いも
のではなかった。
以上のように、従来のSC化合物からSC母体液晶を調
製するには、その粘性及び温度範囲において不充分であ
り、光学活性化合物から成るキラルドーパントを添加す
ることによって、高速応答性のSC1液晶組成物を提供
するには問題があり、その改善が望まれていた。
製するには、その粘性及び温度範囲において不充分であ
り、光学活性化合物から成るキラルドーパントを添加す
ることによって、高速応答性のSC1液晶組成物を提供
するには問題があり、その改善が望まれていた。
本発明が解決しようとする課題は、SC相あるいはsc
”相を示す母体液晶に用いられるべきTcが高く、かつ
低粘性の化合物を提供し、これにより低粘性のSC母体
液晶を提供し、これに光学活性化合物からなるキラルド
ーパントを添加することにより、高速応答性の強誘電性
液晶組成物を提供することにある。
”相を示す母体液晶に用いられるべきTcが高く、かつ
低粘性の化合物を提供し、これにより低粘性のSC母体
液晶を提供し、これに光学活性化合物からなるキラルド
ーパントを添加することにより、高速応答性の強誘電性
液晶組成物を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、次の一般式(I
)で表される化合物から成るラセミ体を提供するもので
ある。
)で表される化合物から成るラセミ体を提供するもので
ある。
・・・ (1)
式中、R’ は炭素原子数4〜18の直鎖状アルキル基
を表わすが、特に炭素原子数6〜12の直鎖状アルキル
基が好ましい。mは2〜8の整数を表わすが、3〜6の
整数が好ましく、nは1〜3の整数を表わすが1又は2
が好ましく、特に1が好ましい。
を表わすが、特に炭素原子数6〜12の直鎖状アルキル
基が好ましい。mは2〜8の整数を表わすが、3〜6の
整数が好ましく、nは1〜3の整数を表わすが1又は2
が好ましく、特に1が好ましい。
本発明の一般式(1)の化合物は、例えば、以下のよう
にして製造することができる。
にして製造することができる。
即ち、−形式(n)
(式中、R1は炭素原子数4〜18の直鎮状アルキル基
を表わす。) で表わされる4−(4−アルコキシフェニル)フェノー
ルと 一般式([[) %式%() (式中、mは2〜8の整数を表わし、nは1〜3の整数
を表わす。) で表わされる臭化物とを塩基存在下反応させればよい。
を表わす。) で表わされる4−(4−アルコキシフェニル)フェノー
ルと 一般式([[) %式%() (式中、mは2〜8の整数を表わし、nは1〜3の整数
を表わす。) で表わされる臭化物とを塩基存在下反応させればよい。
ここで、−形式(II)の化合物は既知の化合物であり
、−形式(I[[)の化合物は、例えば、以下のように
して製造することができる。
、−形式(I[[)の化合物は、例えば、以下のように
して製造することができる。
即ち、対応する下記−形式(■)′で表わされるアルコ
ールを通常の方法で臭素化することにより得ることがで
きる。−形式(■)′で表わされるアルコールは、一部
市販品もあるが、そのm。
ールを通常の方法で臭素化することにより得ることがで
きる。−形式(■)′で表わされるアルコールは、一部
市販品もあるが、そのm。
nに応じて市販の化合物を原料として容易に台底するこ
とができる。
とができる。
H3
+10 + CHz−+−TCH+ Ctlz÷rcl
I3 ・・・(■)′n=1あるいはn=2の場
合には、市販のCth e11
3110 CHzCll Czllsあるいは11
0 CI(2CII CJbから通常の炭素鎖伸長
反応を行なうことにより得ることができる。
I3 ・・・(■)′n=1あるいはn=2の場
合には、市販のCth e11
3110 CHzCll Czllsあるいは11
0 CI(2CII CJbから通常の炭素鎖伸長
反応を行なうことにより得ることができる。
n=3の場合には、市販の2−ブロモヘキサンをグリニ
ヤール化合物としてついでホルムアルデヒドと反応させ
るか、あるいは二酸化炭素と反応させた後、還元してア
ルコール(2−メチルヘキサノール)とし、以下同様に
して製造することができる。
ヤール化合物としてついでホルムアルデヒドと反応させ
るか、あるいは二酸化炭素と反応させた後、還元してア
ルコール(2−メチルヘキサノール)とし、以下同様に
して製造することができる。
上記のようにして、本発明の一般式(1)で表わされる
化合物が得られるが、これらに属する個々の具体的な化
合物は、融点、相転移温度、赤外線吸収スペクトル(I
R)、核磁気共鳴スペクトル(NMR)等の手段により
確認することができる。
化合物が得られるが、これらに属する個々の具体的な化
合物は、融点、相転移温度、赤外線吸収スペクトル(I
R)、核磁気共鳴スペクトル(NMR)等の手段により
確認することができる。
その代表的化合物の例を第1表に示す。
第
1
表
(上表中、Crは結晶相、SXは帰属不明のチルト系の
スメクチック相、SCはスメクチックC相、■は等方性
液体相を各々表わす。)−形式(1)から明らかなよう
に、本発明のビフェニル誘導体は、−i式(A)で表わ
される化合物のようなエステル結合や、−形式(B)で
表わされる化合物のようなピリミジン環等の粘性の高い
基を含んでいないので、その粘性は比較的低い。
スメクチック相、SCはスメクチックC相、■は等方性
液体相を各々表わす。)−形式(1)から明らかなよう
に、本発明のビフェニル誘導体は、−i式(A)で表わ
される化合物のようなエステル結合や、−形式(B)で
表わされる化合物のようなピリミジン環等の粘性の高い
基を含んでいないので、その粘性は比較的低い。
また、第1表から明らかなように、2環化合物としては
非常に高い温度までSC相を有するので、SC母体液晶
用の化合物として非常に優れている。
非常に高い温度までSC相を有するので、SC母体液晶
用の化合物として非常に優れている。
類似の構造を有するビフェニル誘導体としては、次の一
般式(D−1)及び(D−2)で表わされる化合物が知
られている。
般式(D−1)及び(D−2)で表わされる化合物が知
られている。
(式中、R’及びRfは各々独立的に直鎖状アルキル基
を表わす。)(フリュシゲ クリスターレイン タヘレ
ン P270 (1984))しかしながら、これら
の−形式(D−1)及び(D−2)で表わされる化合物
は、スメクチックB (SB)相、スメクチックE (
SE)相といった非チルト系のスメクチック相のみを示
し、SC相はおろか、チルト系のスメクチック相を全く
示さない。そのため、母体液晶に添加すると、そのSC
(あるいはsc”)相の上限温度(Tc)を大きく降下
させてしまい、使用に適しているとはいえなかった。
を表わす。)(フリュシゲ クリスターレイン タヘレ
ン P270 (1984))しかしながら、これら
の−形式(D−1)及び(D−2)で表わされる化合物
は、スメクチックB (SB)相、スメクチックE (
SE)相といった非チルト系のスメクチック相のみを示
し、SC相はおろか、チルト系のスメクチック相を全く
示さない。そのため、母体液晶に添加すると、そのSC
(あるいはsc”)相の上限温度(Tc)を大きく降下
させてしまい、使用に適しているとはいえなかった。
また、次の一般式(D−3)で表わされる化合物では、
本発明者らの検討によると、結晶性が強く、液晶性を示
さない。
本発明者らの検討によると、結晶性が強く、液晶性を示
さない。
(式中、R8は一般式(D−1)におけると同じ意味を
表わす。) 本発明の化合物に於いては高温域までSC相を発現させ
ることに成功し、これを母体液晶に添加することにより
、粘度を余り高くすることなく、その温度域を高温域ま
で拡大することが可能となったものである。
表わす。) 本発明の化合物に於いては高温域までSC相を発現させ
ることに成功し、これを母体液晶に添加することにより
、粘度を余り高くすることなく、その温度域を高温域ま
で拡大することが可能となったものである。
本発明は、また、液晶組成物を提供する。本発明の液晶
組成物とは、−形式(1)で表わされる化合物から戒る
ラセミ体と、これ以外の液晶組成物とから成るものであ
って、特に強誘電性液晶表示素子として用いる場合には
、−形式(1)の化合物以外の物質としては、主成分と
してSC相を示す液晶化合物あるいは液晶組成物と、少
量成分として光学活性化合物から戒る組成物が望ましい
。
組成物とは、−形式(1)で表わされる化合物から戒る
ラセミ体と、これ以外の液晶組成物とから成るものであ
って、特に強誘電性液晶表示素子として用いる場合には
、−形式(1)の化合物以外の物質としては、主成分と
してSC相を示す液晶化合物あるいは液晶組成物と、少
量成分として光学活性化合物から戒る組成物が望ましい
。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物と共に、SC
母体液晶として用いるべきSC化合物としては、例えば
、前述の一般式(A)で表わされるようなフェニルベン
ゾエート系化合物や一般式(B)で表わされるピリミジ
ン系化合物あるいは−a式(C−1)〜(C−4)で表
わされる化合物の様な3原型化合物をあげることができ
る。
母体液晶として用いるべきSC化合物としては、例えば
、前述の一般式(A)で表わされるようなフェニルベン
ゾエート系化合物や一般式(B)で表わされるピリミジ
ン系化合物あるいは−a式(C−1)〜(C−4)で表
わされる化合物の様な3原型化合物をあげることができ
る。
こうして得られたSC母体液晶に、光学活性化合物から
戒るキラルドーパントを加えることにより、容易に室温
を含む広い温度範囲でsc”相を示すような低粘性の液
晶組成物を得ることができる。
戒るキラルドーパントを加えることにより、容易に室温
を含む広い温度範囲でsc”相を示すような低粘性の液
晶組成物を得ることができる。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物を含有する強
誘電性液晶組成物は、2枚の透明ガラス電極間に1〜2
0μm程度の薄膜として封入することにより、表示用セ
ルとして使用できる。良好なコントラストを得るために
は、均一に配向したモノドメインとする必要がある。こ
のために多くの方法が試みられているが、液晶材料とし
ては、螺旋ピッチおよびSC′″相の高温域における相
系列が重要である。螺旋ピッチは、主に、用いるキラル
ドーパントに依存するが、液晶の相系列は、用いる化合
初会てに依存する。一般にSC“相の高温域にSA相が
存在することが必要とされているが、本発明の一般式(
1)で表わされる化合物は、スメクチックA相を拡大す
る傾向があるので、その点での問題はない。さらにキラ
ルネマチック(N9)相が必要である場合には、他の母
体用の化合物としてネマチック性の強い化合物を合わせ
て用いることにより、望みの相系列を保つことも可能で
ある。
誘電性液晶組成物は、2枚の透明ガラス電極間に1〜2
0μm程度の薄膜として封入することにより、表示用セ
ルとして使用できる。良好なコントラストを得るために
は、均一に配向したモノドメインとする必要がある。こ
のために多くの方法が試みられているが、液晶材料とし
ては、螺旋ピッチおよびSC′″相の高温域における相
系列が重要である。螺旋ピッチは、主に、用いるキラル
ドーパントに依存するが、液晶の相系列は、用いる化合
初会てに依存する。一般にSC“相の高温域にSA相が
存在することが必要とされているが、本発明の一般式(
1)で表わされる化合物は、スメクチックA相を拡大す
る傾向があるので、その点での問題はない。さらにキラ
ルネマチック(N9)相が必要である場合には、他の母
体用の化合物としてネマチック性の強い化合物を合わせ
て用いることにより、望みの相系列を保つことも可能で
ある。
〔実施例]
以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説明するが、
勿論、本発明の主旨、及び適用範囲はこれらの実施例に
より制限されるものではない。
勿論、本発明の主旨、及び適用範囲はこれらの実施例に
より制限されるものではない。
なお、化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル(NMR
) 、及び赤外吸収スペクトル(rR)、質量スペクト
ル(MS)により確認した。相転移温度の測定は、温度
調節ステージを備えた偏光顕微鏡、及び、示差走査熱量
計(DSC)を併用して行った。IRにおける(KBr
)は、錠剤成形による測定を、(neaL)は、液膜に
よる測定を、(Nujol)は、流動パラフィン中の懸
濁状態での測定を各々表わす。NMRにおける(CDC
l2)は溶媒を、Sは1重線、dは2重線、tは3重線
、qは4重線を、mは多重線を、broadは幅広い吸
収を表わし、Jはカップリング定数を表わす。また、温
度は°Cを表わす。組成物中における「%」はすべて「
重量%」を表わす。
) 、及び赤外吸収スペクトル(rR)、質量スペクト
ル(MS)により確認した。相転移温度の測定は、温度
調節ステージを備えた偏光顕微鏡、及び、示差走査熱量
計(DSC)を併用して行った。IRにおける(KBr
)は、錠剤成形による測定を、(neaL)は、液膜に
よる測定を、(Nujol)は、流動パラフィン中の懸
濁状態での測定を各々表わす。NMRにおける(CDC
l2)は溶媒を、Sは1重線、dは2重線、tは3重線
、qは4重線を、mは多重線を、broadは幅広い吸
収を表わし、Jはカップリング定数を表わす。また、温
度は°Cを表わす。組成物中における「%」はすべて「
重量%」を表わす。
実施例1((±)−4−(6−メチルオクチルオキシ)
−4′−デシルオキシビフェニ ル(第1表のNo、 1の化合物)の製造]4−(4−
デシルオキシフェニル)フェノール179mgをジメチ
ルホルムアミド(以下、DMFという。)10mf!に
溶解し、この溶液に、165mgのt−ブトキシカリウ
ムを加え、室温で攪拌した。この混合液に、(±)−臭
化6−メチルオクチル161mgの5mlのDMFのン
容ン夜を滴下した。滴下終了後、室温でさらに10時間
反応させた。
−4′−デシルオキシビフェニ ル(第1表のNo、 1の化合物)の製造]4−(4−
デシルオキシフェニル)フェノール179mgをジメチ
ルホルムアミド(以下、DMFという。)10mf!に
溶解し、この溶液に、165mgのt−ブトキシカリウ
ムを加え、室温で攪拌した。この混合液に、(±)−臭
化6−メチルオクチル161mgの5mlのDMFのン
容ン夜を滴下した。滴下終了後、室温でさらに10時間
反応させた。
反応混合物にエーテル及び稀塩酸を水層が酸性となるま
で加え、有機層を分離した。有機層を水、次いで飽和食
塩水で洗滌した。有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水し
、有機層から溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーを用いて精製して、表記化合
物の白色結晶246mgを得た。
で加え、有機層を分離した。有機層を水、次いで飽和食
塩水で洗滌した。有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水し
、有機層から溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーを用いて精製して、表記化合
物の白色結晶246mgを得た。
NMR(CDCl2) :0.80−0.92(m、
9H)、 1.06−1.58(m、 23H)、 1
.84−1.95(m、 4H)、 3.98(t。
9H)、 1.06−1.58(m、 23H)、 1
.84−1.95(m、 4H)、 3.98(t。
J=6.511z、 4H)、 6.93(d、 J=
9Hz、 4H)。
9Hz、 4H)。
7.46(d、 J=911z、 4H)r R(Nu
jol) : 1605.1505.1270.12
50.11B0゜1035、1010.825.810
(cm−’)さらに白色結晶をエタノールから再結晶
させて精製した化合物の相転移温度を測定したところ、
等方性液体(1)相からの冷却時98.5°C以下でS
C相を示し、95°C以下で帰属不明のチルト系のスメ
クチック(SX)相を示した。また、その融点は93.
5’Cであった。
jol) : 1605.1505.1270.12
50.11B0゜1035、1010.825.810
(cm−’)さらに白色結晶をエタノールから再結晶
させて精製した化合物の相転移温度を測定したところ、
等方性液体(1)相からの冷却時98.5°C以下でS
C相を示し、95°C以下で帰属不明のチルト系のスメ
クチック(SX)相を示した。また、その融点は93.
5’Cであった。
実施例2 (SC“液晶組成物の調製と表示素子の作
成〕 次の組成から戒るSC母体液晶を調製した。
成〕 次の組成から戒るSC母体液晶を調製した。
実施例1の化合物 20%次にこの
SC母体液晶80%と下記のキラルドーパント20%か
ら戒るSC*液晶組成物を調製した。
SC母体液晶80%と下記のキラルドーパント20%か
ら戒るSC*液晶組成物を調製した。
ここで用いたキラルドーバントは、次の組成から成るも
ので、誘起する螺旋ピンチは長く、かつSC“相に誘起
する自発分極が非常に大きい組成物である。
ので、誘起する螺旋ピンチは長く、かつSC“相に誘起
する自発分極が非常に大きい組成物である。
このSC“液晶組成物は、63°C以下でSC1相を示
し、67°CまでSA相を示し、それ以上の温度で等方
性液体(1)相となり、また、その融点は明確ではなか
った。
し、67°CまでSA相を示し、それ以上の温度で等方
性液体(1)相となり、また、その融点は明確ではなか
った。
次にこのSC1液晶組成物を■相まで加熱し、これをポ
リイミドコートラビングにより配向処理を施した2枚の
ガラス透明電極板からなる厚さ約2μmのセルに充填し
た。室温まで徐冷を行って、均一に配向したsc”相の
モノドメインのセルを得た。このセルに室温(25°C
)で、電界強度10Vpp/μm・5011zの矩形波
を印加してその電気光学応答速度を測定したところ、3
8μ秒の高速応答性を示した。また、チルト角は28.
5°でコントラストも良好であった。
リイミドコートラビングにより配向処理を施した2枚の
ガラス透明電極板からなる厚さ約2μmのセルに充填し
た。室温まで徐冷を行って、均一に配向したsc”相の
モノドメインのセルを得た。このセルに室温(25°C
)で、電界強度10Vpp/μm・5011zの矩形波
を印加してその電気光学応答速度を測定したところ、3
8μ秒の高速応答性を示した。また、チルト角は28.
5°でコントラストも良好であった。
比較例1
実施例2において、実施例Iの化合物を用いずに、次の
組成から成るSC“液晶組成物を調製した。
組成から成るSC“液晶組成物を調製した。
キラルドーバント
20%
このSC1液晶組成物の相転移温度(°C)及び実施例
2と同様にして測定した25°Cにおける電気光学応答
速度は以下の通りであった。
2と同様にして測定した25°Cにおける電気光学応答
速度は以下の通りであった。
これらの結果から、実施例1の化合物を添加することに
より、その上限温度を5℃も上昇させ、また、その応答
速度があまり変化していないことから、その粘度をほと
んど高くしていないことが理解できる。
より、その上限温度を5℃も上昇させ、また、その応答
速度があまり変化していないことから、その粘度をほと
んど高くしていないことが理解できる。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物は、高い温度
までSC相を示し、かつ比較的低粘性であり、他のSC
1液晶化合物、あるいはSC液晶化合物等と共に母体液
晶として用いることにより、温度範囲が広く、粘性の低
いSC母体液晶を得ることができる。その結果、特にS
C′″液晶m液晶m和物ては、広い温度範囲で高速応答
を可能にすることができる。また、本発明の化合物は、
実施例にも示したように、工業的にも容易に製造でき、
無色で水、光、熱等に対する化学的安定性に優れており
実用的である。
までSC相を示し、かつ比較的低粘性であり、他のSC
1液晶化合物、あるいはSC液晶化合物等と共に母体液
晶として用いることにより、温度範囲が広く、粘性の低
いSC母体液晶を得ることができる。その結果、特にS
C′″液晶m液晶m和物ては、広い温度範囲で高速応答
を可能にすることができる。また、本発明の化合物は、
実施例にも示したように、工業的にも容易に製造でき、
無色で水、光、熱等に対する化学的安定性に優れており
実用的である。
さらに、本発明におけるキラルスメクチック液晶化合物
又は組成物から成る液晶材料では40μ秒以下という高
速応答を実現することも可能であり、表示用光スイツチ
ング素子として極めて有用である。
又は組成物から成る液晶材料では40μ秒以下という高
速応答を実現することも可能であり、表示用光スイツチ
ング素子として極めて有用である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は炭素原子数4〜18の直鎖状アルキル
基を表わし、mは2〜8の整数を表わし、nは1〜3の
整数を表わす。) で表わされる化合物から成るラセミ体。 2、nが1である請求項1記載のラセミ体。 3、請求項1記載のラセミ体を含有する液晶組成物。 4、強誘電性キラルスメクチック相を示す請求項3記載
の液晶組成物。 5、請求項3又は4記載の液晶組成物を用いて構成され
る液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315930A JPH03176444A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | ビフェニル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315930A JPH03176444A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | ビフェニル誘導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03176444A true JPH03176444A (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=18071312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1315930A Pending JPH03176444A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | ビフェニル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03176444A (ja) |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1315930A patent/JPH03176444A/ja active Pending
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