JPH03181137A

JPH03181137A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH03181137A
Application number: JP32082189A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Kondo; 茂樹近藤; Hidemasa Mizutani; 英正水谷
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-12-11
Filing date: 1989-12-11
Publication date: 1991-08-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

［従来の技術］従来、絶縁基板上の薄膜トランジスタ（以下ＴＰＴと称
す）は第４図に示すように、ガラスなどの絶縁基板４１
上に、半導体薄膜４２を形成し、そこに素子を作り込ん
で構成されていた。

また、近年、ＴＰＴの特性向上のため、半導体薄膜とし
て、結晶性半導体薄膜を用いることがよく見られる。こ
こで言う結晶性半導体とは、通常使用されている単結晶
ウェハーに比べると、欠陥が数多く存在している単結晶
半導体や、内部に１個以上の結晶粒界を持つ多結晶半導
体を言う。

［発明が解決しようとしている課題］しかしながら、上記従来例では、結晶性半導体薄膜４２
と基板４１との界面や結晶性半導体薄膜４２とゲート絶
縁膜４３との界面に、数多くの界面準位４６．４４が存
在し、例えば、ＭＯＳＦＥＴを形成した場合、この界面
準位の影響でチャネル部でキャリアが準位にトラップさ
れ、いわゆるバックチャネルを形成し、しきい値電圧の
変動や、ｏ　ｎ　／　ｏ　ｆ　ｆ比の低下など、素子特
性の劣化をもたらしていた。

また、結晶性半導体薄膜として、多結晶シリコンを用い
ることがよく見られるが、多結晶シリコン内に存在する
結晶粒界には、数多くの界面準位４５が存在し、これら
が、キャリアをトラップすることにより、チャネル部で
のキャリアの移動度を低下させる。

また、基板にガラスなどの安価な材料を用いると、基板
材料中に含まれるＮａ”？ｚどのアルカリイオンが、プ
ロセス中の熱処理によって移動し、基板との界面やシリ
コン薄膜中に可動イオンとして存在し、素子特性の劣化
や、信頼性に問題を生じさせていた。

これらの問題にたいして、例えば、素子形成後、素子の
保護膜として、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜
による水素パッシベーションを用いて、シリコン薄膜内
の準位を減らし、移動度を高くすることが行なわれてき
た。また、アルカリイオン汚染防止のために、高純度石
英や無アルカリガラスなどを基板として用いる場合もあ
る。

しかしながら、上記の方法によっても、基板との界面の
問題は解決されていない。これは、水素パッシベーショ
ン後の比較的結晶性半導体薄膜表面の水素濃度分布が、
第５図に示されるように、比較的結晶性半導体薄膜表面
にピークを持つような分布となり、薄膜内部および薄膜
と下地界面の準位をパッシベートするのに十分ではない
ためである。

また、高純度石英や無アルカリガラスなどを基板は、高
価で、大面積に基板に安価でＴＰＴを形成するには問題
があった。

［課題を解決するための手段］本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基体上に、結晶
性半導体薄膜を形成して成る半導体装置の製造方法にお
いて、前記基体上に水素を含む第１の絶ＩＡ　ＩｌＭを
形成した後、前記水素を含む絶縁膜を形成した温度と同
程度か、それ以下の温度で前記結晶性半導体薄膜を形成
し、次に、前記結晶性半導体薄膜上面に水素を含む第２
の絶縁膜を形成し、その後、前記水素を含む第１の絶縁
膜および第２の絶縁膜を形成した温度よりも高い温度で
熱処理を行なうことを特徴とする。

［作用］本発明においては、水素を含む絶縁膜を熱処理すること
により、水素が結晶性半導体薄膜中に拡散し、該半導体
薄膜基板との界面に存在する界面準位が水素によってト
ラップされることにより、界面準位の数を減らし、バッ
クチャネルの発生を防止し、ＴＦＴなどの半導体装置の
電気特性を向上させることができる。

また、拮晶神半導体Ｆｉｔ膜中に拡散した水素は、薄膜
中の欠陥準位や、結晶粒界の界面準位にトラップされる
ことにより、バリアハイドを低下させ、ＴＰＴなどの半
導体装置の電気特性を向上させる。

なお、水素を含んだ絶縁膜として、窒化シリコン膜を用
いることにより、基板からのＮａ３などのアルカリイオ
ンにたいするブロッキングの効果が生じ、信頼性の向上
が期待される。

また、水素を含んだ絶縁膜として、窒化シリコン膜を用
いることＣより、水素の拡散にたいしてバリアとなる絶
縁膜を結晶性半導体薄膜上下両面に形成することになり
、薄膜中に拡散した水素の外部拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆ
ｕｓｉｏｎ）を防止し、上述の効果をさらに安定して得
ることができる。

［実施態様］第１図は、本発明を特徴づける半導体装置の断面図であ
る。

本発明の第１の実施態様としては、まず、安価なガラス
などの絶縁基板１１上に、水素を含む第１の絶縁膜とし
て、例えば、プラズマＣＶＤ法で、基板温度２００℃〜
３００℃で窒化シリコン［１２を形成する。この窒化シ
リコン膜１２中には、数％〜数１０％の水素が含まれて
いる。

その後、窒化シリコン膜１２を形成した温度と同程度か
それ以下の温度で結晶性半導体薄膜１３を形成する。結
晶性半導体薄膜としては、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶ
Ｄ法により形成された多結晶シリコンや、本出願人が提
案しているプラズマＣＶＤ法において、成膜雰囲気中へ
のＨＣｌ２などのハロゲン化水素ガスの添加効果によっ
てえられた大粒多結晶シリコンを用いることができる。

（たとえば特願昭６２−７３６３０号）。プロセス塩度
の低温化および電気特性上の観点から本出願人の提案し
ている（特願昭６２−７３６２９号）大粒多結晶シリコ
ン薄膜が本発明に適当である。

次に、前記水素を含む第１の絶縁膜と同様の方法により
、水素を含む第２の絶縁膜を前記結晶性半導体薄膜上に
形成する。

次に、Ｎ２、Ａｒ２、Ｎ２あるいは、それらの混合ガス
の雰囲気下で、水素を含む第１、第２の絶縁膜、例えば
、窒化シリコン膜、を形成した温度より高い温度（３０
０℃〜６００℃）で熱処理を行なう。

この熱処理中に、窒化シリコン膜中に存在する水素が、
結晶性半導体薄膜中の欠陥準位や、結晶性半導体薄膜の
粒界に存在する界面準位にトラップされ、下地界面での
バックチャネルの発生を抑制し、しきい値電圧を抑制し
、かつ、粒界のポテンシャルを小さくし、移動度を大き
くする。

また、熱処理の温度は、水素の拡散が起り始める３００
℃より高く、結晶性半導体薄膜に拡散した水素が再び外
へ拡散しない６００℃よりも低い温度で行なう。

また、基板と結晶性半導体薄膜との間に窒化シリコン膜
を形成することで、基板からのＮａ＋などのアルカリイ
オンにたいしてブロキッングの効果を持たせ、信頼性が
向上する。

また、結晶性半導体薄膜表面に、窒化シリコン膜を形成
することにより、熱処理により結晶性半導体薄膜中に拡
散した水素の外部拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）
を防止でき、上述の効果をさらに安定して得ることがで
きる。

本発明の第２の実施態様としては、まず、安価なガラス
などの基板１１上に、水素を含む第１の絶縁膜として、
例えば、プラズマＣＶＤ法で、基板温度２００℃〜３０
０℃で窒化シリコンｗＡ１２を形成する。この窒化シリ
コン膜１２中には、数％〜数１０％の水素が含まれてい
る。

その後、窒化シリコン膜１２を形成した温度と同程度か
それ以下の温度で非晶質シリコン薄膜１３を形成する。

非晶質シリコン薄膜としては、減圧ＣＶＤ法、プラズマ
ＣＶＤ法により形成された非晶質シリコンや、多結晶シ
リコンにＳ、＋をイオン注入して非晶質化したものなど
が用いられる。

次に、前記水素を含む第１の絶縁膜と同様の方７去によ
り、水素を含む第２の絶縁膜を前記結晶性半導体薄膜上
に形成する。

次に、Ｎ２．Ａｒ、　、Ｎ２あるいは、それらの混合ガ
スの雰囲気下で、水素を含む絶縁膜、例えば、窒化シリ
コン膜を形成した温度より高い温度（３００℃〜ＳＯＯ
℃）で熱処理を行なう。

この熱処理の温度については、形成した非晶質シリコン
が、固相結晶成長し、多結晶化する温度に設定すること
が、より高性能なＴＰＴを作るうえで望ましい。したが
って、上記熱処理の温度は、より望ましくは、５００℃
〜６００℃に設定することがより高性能なＴＰＴを作る
うえで望ましい。

この熱処理中に、窒化シリコン膜中に存在する水素が、
熱処理により非晶質シリコンが多結晶化したシリコン中
に拡散することにより、下地界面に存在する界面準位や
、多結晶シリコン薄膜中の欠陥準位や、多結晶シリコン
の粒界に存在する界面準位にトラップされ、下地界面で
のバックチャネルの発生を抑制し、しきい値電圧の変動
を抑制し、かつ、粒界のポテンシャルを小さくし、移動
度を大きくする。

また、熱処理の温度は、水素の拡散が起こり始める３０
０℃より高く、多結晶シリコンに拡散しない６００℃よ
りも低い温度で行なうことが好ましい。

また、基板と多結晶シリコン薄膜との間に窒化シリコン
膜を形成することで、基板からのＮａ”などのアルカリ
イオンにたいしてブロッキングの効果を持たせ、信頼性
が向上する。

また、結晶性半導体薄膜表面に、窒化シリコン膜を形成
することにより、熱処理により結晶性半導体薄膜表面に
拡散した水素のｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎを防止でき
、上述の効果をさらに安定して得ることができる。

［実施例］本発明の実施例を、図面を用いて詳細に述べる。

第２図は、本発明を用いて作成したＭＯＳＦＥＴの断面
図である。

（実施例１）ガラス基板上２１に、水素を含む第１の絶縁膜として、
プラズマＣＶＤ法　で、ＳｉＨ４／ＮＨ！混合ガス系に
より、窒化シリコン膜２２を１０００入堆積した。堆積
条件としては、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用い、
ＳｉＨ４（１０％Ｈ２希釈）流量１５　Ｓ　ＣＣｍ　、
　Ｎ　Ｈ、流量１０１０５ｅ、圧力０．１６Ｔｏｒｒ、
放電パワー３．５Ｗ、基板温度３００℃の条件で、３５
分間堆積を行なった。この条件で堆積した窒化シリコン
膜中には、ＩＲ（赤外分光）分析の結果、約１０％の水
素が含まれていることが分かった。

次に、ＲＦプラズマＣＶＤ法により、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｃｆ１２／ＨＣ丑／　Ｈ２混合ガス系にて
、窒化シリコン膜２２上に、多結晶シリコン薄膜２３を
１０００人堆積した。堆積条件としては、ＳｉＨ２Ｃ１
１２０，９ｓｅｃｍ、ＨＣ１１１３０ｓｅｃｍ、圧力２
．０Ｔｏｒｒ、ＲＦｐｏｗｅｒ　　６０Ｗ、基板温度２
３０℃で行なった。この条件では、窒化シリコン膜２２
上には、粒径が約１．０μｍの多結晶シリコン薄膜が堆
積した。

次に、スパッタ法により、ゲート絶縁膜として５ｉ０２
膜２４を５００人堆積させた後、ゲート電極２５を形成
した。

次に、イオン注入法により、Ｐ４を注入し、ソース・ド
レイン領域２６を形成した。

次に、水素を含む第２の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ
法により、窒化シリコン膜２７を前記第１の窒化シリコ
ン膜を形成したときと同様の条件で、５０００人堆積し
た。

次に、Ｎ２＄囲気、５５０℃で熱処理を行なった。

この熱処理により、多結晶シリコン薄膜２３中の水素の
濃度分布は、第３図に示すような、多結晶シリコン薄膜
中にほぼ均一に導入されていることが、ＳＩＭＳの深さ
方向分析で確認された。

次に、所望の領域にコンタクトホールを開孔し、ＡＪ２
電極２８を形成した。

本実施例において、ガラス基板上に直接多結晶シリコン
薄膜を形成した基板に形成したＭＯＳＦＥＴと本実施例
により作成したＭＯＳＦＥＴの電気特性測定の比較によ
り、電子移動度は１．５倍以上、しきい値電圧の変動幅
は１／２以下に縮小された。

また、本実施例においては、熱処理温度として５５０℃
を用いたが、３００℃としても、はぼ同様の効果があっ
た。

なお、全く熱処理を加えなかった場合については、電子
移動度、しきい値電圧の変動ともに、殆ど効果は認めら
れなかった。

このことは、熱処理によって、窒化シリコン膜２２．２
７から多結晶シリコン薄ｗＡ２３内に水素が拡散し、ゲ
ート絶縁膜との界面、下地絶縁膜との界面、および、多
結晶シリコン薄膜２３中の結晶粒界に存在する界面準位
にトラップされ、準位の数が減少し、下地界面でのパッ
クチャネルの発生が抑制され、かつ、粒界のポテンシャ
ルバリアが低下したためと考えられる。このことは、Ｅ
ＳＲ（電子スピン共鳴）測定の結果から、多結晶シリコ
ン薄膜中のダングリングボンドの密度が、熱処理によっ
て、１桁以上低下していたことからも明らかである。

また、水素を含む第２の絶縁膜としての窒化シリコンＩ
Ｉ！２７の有無により、電子の移動度は、１．５倍程度
の差があり、その効果が確認された。

これは、水素を含む第２の絶縁膜としての窒化シリコン
膜２７がない場合、多結晶シリコン薄膜中の水素濃度分
布は、主に、下地界面付近に分布していることが、ＳＩ
ＭＳの測定から確認されており、パッシベートするため
の水素の絶対量が不足しているためと考えられる。

また、信頼性試験においたは、高温高温試験によっても
、電気特性の変化は殆ど無く、信頼性も十分なものであ
った。

これらは、窒化シリコン１ｌｊ２２が、ガラス基板から
のアルカリイオンの拡散にたいして、ブロッキングして
いるためと考えられる。

また、５５０℃の熱処理によって、水素が多結晶シリコ
ン中に拡散するのと同時に、ソース・ドレイン領域の活
性化も行なうこともでき、工程がより簡略化できた。

（実施例２）ガラス基板２１上に、水素を含む第１の絶縁膜として、
プラズマＣＶＤ法で、Ｓ　Ｉ　Ｈ４／　Ｎ）ｉ　ｓ混合
ガス系により、窒化シリコン膜２２を１０００人堆積し
た。堆積条件としては、平行平板型プラズマＣＶＤ装置
を用い、ＳｉＨ４（１０％希釈）流量１５ｓｅｃｍ、Ｎ
Ｈ，流量１０ｓ　ｅ　ｃ　ｍ、圧力０．１６Ｔｏｒｒ、
放電パワー３．５Ｗ、基板温度３００℃の条件で、３５
分間堆積を行なった。この条件で堆積した窒化シリコン
膜中には、ＩＲ（赤外分光）分析の結果、約１０％の水
素が含まれていることが分かった。

次に、プラズマＣＶＤ法により、ｓ　ｉ　Ｈ４／Ｈ２混
合ガス系にて、窒化シリコンｌＮ１２２上に、非晶質シ
リコン薄膜２３を１０００人堆積した。

堆積条件としては、ＳｉＨ４流量２ｓｅｃｍ。

Ｈ２流量１８ｓｅｃｍ、圧力０．１２Ｔｏｒｒ。

放電パワー５Ｗ、３０分間堆積させた。

次に、スパッタ法により、ゲート絶縁膜として、５ｉ０
２膜２４を５００人堆積させた後、ゲート電極２５を形
成した。

次に、イオン注入法により、Ｐｏを注入し、ソース・ド
レイン領域２６を形成した。

次に、水素を含む第２の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ
法により、窒化シリコン膜２７を、第２の絶縁膜を形成
したときと同様の方法で、５０００人堆積した。

次に、Ｎ２雰囲気、６００℃で、熱処理を行なった。

この熱処理により、多結晶シリコン薄膜２３中の水素の
濃度分布は、第３図に示すように、多結晶シリコン薄膜
中にほぼ均一に導入されていることが、ＳＩＭＳの深さ
方向分析で確認された。

次に、所望の領域にコンタクトを開孔し、Ａｕ電極２８
を形成した。

本実施例において、６００℃の熱処理により、非晶質シ
リコン薄膜２３は、固相結晶成長し、多結晶化している
ことが、断面ＴＥＭ　（透過電子顕１１２ｉ１ｔ）によ
り確かめられた。

本実施例において、ガラス基板上に直接非晶質シリコン
薄膜を形成し、熱処理を加えて多結晶化した基板に形成
したＭＯＳＦＥＴと、本実施例により作成したＭＯＳ　
Ｆ　ＥＴの電気特性の測定の比較により、電子移動度は
１．５倍以上、しきい値電圧の変動幅は、１／２以下に
縮小された。

このことは、熱処理によって、窒化シリコン膜２２．２
７から、非晶質シリコンが多結晶化した多結晶シリコン
薄膜２３内に水素が拡散し、下地界面、および、多結晶
シリコン薄膜２３中の結晶粒界に存在する界面準位にト
ラップされ、単位の数が減少し、下地界面でのバックチ
ャネルの発生が抑制され、かつ、粒界のポテンシャルバ
リアが低下したためと考えられる。このことは、ＥＳＲ
（電子スピン共鳴）測定の結果から、多結晶シリコン薄
膜中のダングリングボンドの密度が、熱処理によって、
１桁以上低下していたことからも明らかである。

また、本実施例では、熱処理によって非晶質シリコン膜
２３を多結晶化したが、熱処理温度を低くして、例えば
３００℃で熱処理し、非晶質シリコン薄膜のまま用いて
も、非晶質シリコン薄膜を、直接ガラス基板上に形成し
たものと比較して、電気特性の改善が認められた。

また、水素を含む第２の絶縁膜としての窒化シリコン膜
２７の有無により、電子の移動度は、１．５倍程度の差
があり、その効果が確認された。

これは、水素を含む第２の絶、ｉｉ［としての窒化シリ
コン薄膜中の水素濃度分布は主に、下地界面付近に分布
していいることが、ＳＩＭＳの測定から確認されており
、パッシベートするための水素の絶対量が不足している
ためと考えられる。

また、信頼性試験においては、高温高温試験によっても
、電気特性の変化は殆ど無く、信頼性も十分なものであ
った。

これは、窒化シリコン膜２２が、ガラス基板からのアル
カリイオンの拡散にたいして、ブロッキングしているた
めと考えられる。

また、６００℃の熱処理によって、水素が多結晶シリコ
ン中に拡散するのと同時に、ソース・ドレイン領域の活
性化も行なうこともでき、工程がより簡略化できた。

（実施例３）ガラス基板２１上に、水素を含む第１の絶縁膜として、
プラズマＣＶＤ法で、ＳｉＨ４／ＮＨ。

混合ガス系により、第１、第２の実施例と同様の方法に
より、窒化シリコン膜２２を１０００λ堆積した。この
窒化シリコン膜中には、ＩＲ（赤外分光）分析の結果、
約１０％の水素が含まれていることが分かった。

次に、ＲＦプラズマ法により、５ｉＨ２Ｃｎ２／　ＨＣ
Ｉｔ　／　Ｈ２混合ガス系にて、窒化シリコン膜２２上
に、多結晶シリコン薄膜２３を１０００人堆積した。

次に、ゲート絶縁膜２４として、まず、スパッタ法によ
り、５ｉｏｚｔｌｉを２００大つづいて、水素を含む第
２の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコ
ン膜３００人堆積させた後、ゲート電極２５を形成した
。Ｓｉｎ、ｌｌｌを先に堆積させたのは、よく知られた
ように、窒化シリコン膜だけでゲート絶縁膜を構成する
と、膜中の分極により、ＭＯＳＦＥＴの電気特性が劣化
するのを防ぐためである。

次に、イオン注入法により、Ｐ＋を注入し、ソース・ド
レイン領域２６形成した。

次に、Ｎ、雰囲気、５５０℃で、熱処理を行なった。

次に、保護膜として、プラズマＣＶＤ法にて、酸化シリ
コン膜の膜厚を５０００人堆積した。

次に、所望の領域にコンタクトを開孔し、Ａｊ２電極２
８を形成した。

本実施例において、水素を含む第２の絶縁膜として窒化
シリコン膜の膜厚を３００人としても、多結晶シリコン
薄膜中の水素の密度は、窒化シリコン膜厚を５０００人
とした場合と全く変化無かった。

また、保護膜として、Ｓ　ｉ　Ｏ２＠５０００人を用い
たが、水素の密度に変化無かったことから、窒化シリコ
ン膜３００人でも十分水素の拡散にたいしてバリアとし
て作用していることが分かった。

また、ゲート絶縁膜として窒化シリコン膜と酸化シリコ
ン膜の２層構造を用いたが、これについても、５ｉ０２
膜を用いた場合と比較して、電気特性の劣化は、殆ど認
められなかった。

また、５５０℃の熱処理によって、水素が多結晶シリコ
ン中に拡散するのと同時に、ソース・ドレイン領域の活
性化も行なうことができ、工程がより簡略化できた。

（実施例４）ガラス基板２１上に、水素を含む第１の絶縁膜とシテ、
プラズマＣＶＤ法で、Ｓ　ｔ　Ｏ２／　Ｎ　Ｈ３混合ガ
ス系により、窒化シリコン膜２２を１０００人堆積した
。

次に、ゲート絶縁膜２４、および、水素を含む第２の絶
縁膜としてプラズマＣＶＤ法により窒化酸化シリコン膜
５００人堆積させた後、ゲート電８ｉ２５を形成した。

窒化酸化シリコン膜は、よく知られているように、膜中
の窒素と酸素の組戒比をうまく選ぶことで、窒化シリコ
ン膜と酸化シリコン膜の両方の性質を兼ね備えることが
可能である。ここでは、Ｓ　ｉ　Ｈ４／ＮＨ３／Ｎ２０
混合ガス系を用いて、堆積条件を最適化することにより
、膜の組成比をＳｉにたいしてＮ〜３、Ｏ〜２になるよ
うにした。

次に、Ｎ２雰囲気、５５０℃で、熱処理を行なった。

つぎに、保護膜として、プラズマＣＶＤ法にて、酸化シ
リコン膜５０００人堆積した。

次に、所望の領域にコンタクトを開孔し、ＡＪ２電８ｉ
２８を形成した。

本実施例において、水素を含む第２の絶縁膜として、窒
化酸化シリコン膜を用いたが、多結晶シリコン薄膜中の
水素の密度は、窒化シリコン薄膜を用いた場合と殆ど変
化無かった。

また、ゲート絶縁膜として窒化酸化シリコン膜を用いた
が、これについても、５ｉｎ２膜を用いた場合と比較し
て、電気特性の劣化は殆ど認められなかった。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁基体上に、結晶性半導体薄膜を形成して成る
半導体装置の製造方法において、前記基体上に水素を含
む第１の絶縁膜を形成した後、前記水素を含む絶縁膜を
形成した温度と同程度か、それ以下の温度で前記結晶性
半導体薄膜を形成し、次に、前記結晶性半導体薄膜上面
に水素を含む第２の絶縁膜を形成し、その後、前記水素
を含む第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を形成した温度
よりも高い温度で熱処理を行なうことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
（２）水素を含む絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法で形
成した窒化シリコン膜を用いることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。
（３）熱処理の温度が、３００℃〜６００℃であること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
（４）結晶性半導体薄膜材料が、シリコンであることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
（５）熱処理の温度は、非晶質シリコンが多結晶化する
温度であることを特徴とする請求項１、請求項３または
４記載の半導体装置の製造方法。