JPH0318178B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0318178B2 JPH0318178B2 JP10815583A JP10815583A JPH0318178B2 JP H0318178 B2 JPH0318178 B2 JP H0318178B2 JP 10815583 A JP10815583 A JP 10815583A JP 10815583 A JP10815583 A JP 10815583A JP H0318178 B2 JPH0318178 B2 JP H0318178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- layer
- processed
- resin film
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程などにおけ
る微細間隔を含む複数種の間隔を有するパターン
の形成方法に関するものである。
る微細間隔を含む複数種の間隔を有するパターン
の形成方法に関するものである。
従来、基板上に形成された被加工層上の感光性
樹脂膜に、２種類以上の大きさの間隔を有するパ
ターンを転写する方法としては第１図に示すもの
があつた。図において、１は基板、２は被加工
層、３は感光性樹脂膜である。
樹脂膜に、２種類以上の大きさの間隔を有するパ
ターンを転写する方法としては第１図に示すもの
があつた。図において、１は基板、２は被加工
層、３は感光性樹脂膜である。
次に従来のパターン形成法について説明する。
基板１上に形成された被加工層２上に感光性樹脂
膜３を例えば回転塗布法により形成すると第１図
ａに示すようになる。その後、通常の露光装置を
用いて、図示しない所望のパターンが描かれたマ
スク板を重ねて光線を当てると、マスク板を通過
した光線が感光性樹脂膜３に照射される。その後
の現像工程において、感光性樹脂膜３がポジテイ
ブ形の場合には照射された部分の、またネガテイ
ブ形の場合には未照射の部分の感光性樹脂膜３が
現像液により除去される。ここにおいて、マスク
板に描かれたパターンの中に２種類以上の大きさ
の異なる間隔４および５を有するパターンがある
場合、特に小さい方の開隔５が2μm以下の場合に
は、現像液のしみ込みが悪いので、大きなパター
ン間隔４での現像が完了した時点でも小さいパタ
ーン間隔５では完了していないため第１図ｂに示
すように現像不足による現像残６を生ずる。第２
図はその状況の平面図である。この場合、小さい
方のパターン間隔５の現像完了に合わせて現像を
行なつていくと、大きい方のパターン間隔４では
現像過多となりパターンの寸法に大きな狂いを生
じてしまう。その後、この現像された感光性樹脂
膜３をマスクとして被加工層２をエツチングする
のであるが、第１図ｂおよび第２図に示した現像
残６は、このエツチング工程でのエツチング残７
を引き起こす。エツチング後、感光性樹脂膜３を
除去した時のパターンの断面図の例を第１図ｃに
示す。このエツチング残７は隣接するパターンを
短絡させてしまうことになる。
基板１上に形成された被加工層２上に感光性樹脂
膜３を例えば回転塗布法により形成すると第１図
ａに示すようになる。その後、通常の露光装置を
用いて、図示しない所望のパターンが描かれたマ
スク板を重ねて光線を当てると、マスク板を通過
した光線が感光性樹脂膜３に照射される。その後
の現像工程において、感光性樹脂膜３がポジテイ
ブ形の場合には照射された部分の、またネガテイ
ブ形の場合には未照射の部分の感光性樹脂膜３が
現像液により除去される。ここにおいて、マスク
板に描かれたパターンの中に２種類以上の大きさ
の異なる間隔４および５を有するパターンがある
場合、特に小さい方の開隔５が2μm以下の場合に
は、現像液のしみ込みが悪いので、大きなパター
ン間隔４での現像が完了した時点でも小さいパタ
ーン間隔５では完了していないため第１図ｂに示
すように現像不足による現像残６を生ずる。第２
図はその状況の平面図である。この場合、小さい
方のパターン間隔５の現像完了に合わせて現像を
行なつていくと、大きい方のパターン間隔４では
現像過多となりパターンの寸法に大きな狂いを生
じてしまう。その後、この現像された感光性樹脂
膜３をマスクとして被加工層２をエツチングする
のであるが、第１図ｂおよび第２図に示した現像
残６は、このエツチング工程でのエツチング残７
を引き起こす。エツチング後、感光性樹脂膜３を
除去した時のパターンの断面図の例を第１図ｃに
示す。このエツチング残７は隣接するパターンを
短絡させてしまうことになる。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので小さなパターン間隔
を転写する部分の被加工層の下層に予め凸部パタ
ーンを形成しておくことにより隣接するパターン
間を確実に分離することを目的としている。
去するためになされたもので小さなパターン間隔
を転写する部分の被加工層の下層に予め凸部パタ
ーンを形成しておくことにより隣接するパターン
間を確実に分離することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を第３図および第４
図について説明する。図において、１は基板、２
は被加工層、３は感光性樹脂膜、８は被加工層の
下層に形成された凸部パターンである。
図について説明する。図において、１は基板、２
は被加工層、３は感光性樹脂膜、８は被加工層の
下層に形成された凸部パターンである。
第３図ａに示すように、基板１の上に、後に小
さなパターン間隔が描かれる位置に凸部パターン
８を形成しておく。しかる後に被加工層２を形成
し、その上に感光性樹脂膜３を例えば回転塗布法
により形成すると、下層に凸部パターン８を形成
しておいた部分の感光性樹脂膜３の膜厚は、同図
ｂに示すように他の部分に比べてかなり薄くな
る。その後、従来法と同様な露光工程および現像
工程を経ると同図ｃのようになる。図ｃからわか
るように、大きなパターン間隔４における現像完
了とほぼ同時に小さなパターン間隔５において現
像を完了することができる。第４図は第３図ｃの
平面図であり、従来法でみられた現像残は生じな
い。このパターンを形成した感光性樹脂膜３をマ
スクとして被加工層２をエツチングした後、感光
性樹脂膜３を除去した時のパターンの断面図の例
を第３図ｄに示す。
さなパターン間隔が描かれる位置に凸部パターン
８を形成しておく。しかる後に被加工層２を形成
し、その上に感光性樹脂膜３を例えば回転塗布法
により形成すると、下層に凸部パターン８を形成
しておいた部分の感光性樹脂膜３の膜厚は、同図
ｂに示すように他の部分に比べてかなり薄くな
る。その後、従来法と同様な露光工程および現像
工程を経ると同図ｃのようになる。図ｃからわか
るように、大きなパターン間隔４における現像完
了とほぼ同時に小さなパターン間隔５において現
像を完了することができる。第４図は第３図ｃの
平面図であり、従来法でみられた現像残は生じな
い。このパターンを形成した感光性樹脂膜３をマ
スクとして被加工層２をエツチングした後、感光
性樹脂膜３を除去した時のパターンの断面図の例
を第３図ｄに示す。
以上のように、この発明によれば小さなパター
ン間隔が転写される部分に予め凸部パターンを形
成しておいたので各種の大きさのものが混在する
パターンの形成も確実に行なうことができる。
ン間隔が転写される部分に予め凸部パターンを形
成しておいたので各種の大きさのものが混在する
パターンの形成も確実に行なうことができる。
第１図は従来のパターン形成方法の一例を説明
するための各段階における状態を示す断面側面
図、第２図は第１図ｂの段階での平面図、第３図
はこの発明の一実施例によるパターン形成方法を
説明するための各段階における状態を示す断面側
面図、第４図は第３図ｃの段階での平面図であ
る。 図において、１は基板、２は被加工層、３は感
光性樹脂膜、４は大きいパターン間隔、５は微小
パターン間隔、８は凸部パターンである。なお、
図中同一符号は同一または相当部分を示す。
するための各段階における状態を示す断面側面
図、第２図は第１図ｂの段階での平面図、第３図
はこの発明の一実施例によるパターン形成方法を
説明するための各段階における状態を示す断面側
面図、第４図は第３図ｃの段階での平面図であ
る。 図において、１は基板、２は被加工層、３は感
光性樹脂膜、４は大きいパターン間隔、５は微小
パターン間隔、８は凸部パターンである。なお、
図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 基板上に形成された被加工層に微小間隔を含
む複数種の間隔を有するパターンを形成するに際
して、上記被加工層の上記微小間隔を形成すべき
部位の上記基板上に凸部パターンを形成し、この
凸部パターンの上を含めて上記基板上に上記被加
工層を形成し、この被加工層上に形成された感光
性樹脂膜を用いた写真食刻法によつて上記被加工
層に上記所望のパターンを形成することを特徴と
するパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10815583A JPS59231535A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10815583A JPS59231535A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231535A JPS59231535A (ja) | 1984-12-26 |
| JPH0318178B2 true JPH0318178B2 (ja) | 1991-03-11 |
Family
ID=14477340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10815583A Granted JPS59231535A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231535A (ja) |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP10815583A patent/JPS59231535A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59231535A (ja) | 1984-12-26 |
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