JPH0374178B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0374178B2 JPH0374178B2 JP59032982A JP3298284A JPH0374178B2 JP H0374178 B2 JPH0374178 B2 JP H0374178B2 JP 59032982 A JP59032982 A JP 59032982A JP 3298284 A JP3298284 A JP 3298284A JP H0374178 B2 JPH0374178 B2 JP H0374178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- membrane
- mask
- pellicle
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はマスクに使用されるメンブラン膜の膜
構造に関する。
構造に関する。
従来、メンブラン膜は、単層膜として用いられ
るのが通例であり、マスク保護用のペリクルある
いは、Ｘ線マスク支持体層として用いられるのが
通例であつた。
るのが通例であり、マスク保護用のペリクルある
いは、Ｘ線マスク支持体層として用いられるのが
通例であつた。
第１図は従来技術によるメンブラン膜のマスク
保護体（ペリクル）として使用例を示すペリクル
の断面図である。すなわち、プラスチツク製枠１
の表面には3.2ミクロン層のニトロ・セルロース
膜２が形成されて成る。
保護体（ペリクル）として使用例を示すペリクル
の断面図である。すなわち、プラスチツク製枠１
の表面には3.2ミクロン層のニトロ・セルロース
膜２が形成されて成る。
しかし、上記従来技術によると、ペリクルの表
面にはゴミが付着し、除去できず、マスク保護膜
としての作用が減少する欠点がある。
面にはゴミが付着し、除去できず、マスク保護膜
としての作用が減少する欠点がある。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、マ
スク材あるいはマスク保護材としてゴミ付着のな
いペリクルあるいはマスクを製作できるメンブラ
ン膜構造を提供することを目的とする。
スク材あるいはマスク保護材としてゴミ付着のな
いペリクルあるいはマスクを製作できるメンブラ
ン膜構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構
成は、メンブラン膜に関し、１〜2μmから10μm
程度の極めて薄い絶縁膜表面には帯電防止膜が被
覆されて成ることを特徴とする。
成は、メンブラン膜に関し、１〜2μmから10μm
程度の極めて薄い絶縁膜表面には帯電防止膜が被
覆されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示すペリクルの断
面図である。すなわち、プラスチツク製枠１１の
表面にはニトロ・セルロースから成るメンブラン
膜１２が形成され、該メンブラン膜１２の表面に
はベンゼン・スルフオン酸の単分子膜１３が形成
されて成る。
面図である。すなわち、プラスチツク製枠１１の
表面にはニトロ・セルロースから成るメンブラン
膜１２が形成され、該メンブラン膜１２の表面に
はベンゼン・スルフオン酸の単分子膜１３が形成
されて成る。
第３図は本発明の他の実施例を示す 線マスク
の断面図である。すなわち、枠２１の表面にはメ
ンブラン膜２２が貼付けられ、該メンブラン膜２
２上には図形状金膜２３が形成され、且つ少くと
もメンブラン膜２２表面には100Å程度の極めて
薄いAu膜２４が形成されて成る。
の断面図である。すなわち、枠２１の表面にはメ
ンブラン膜２２が貼付けられ、該メンブラン膜２
２上には図形状金膜２３が形成され、且つ少くと
もメンブラン膜２２表面には100Å程度の極めて
薄いAu膜２４が形成されて成る。
本発明の如く、メンブラン膜上にベンゼン・ス
ルフオン酸等の帯電防止膜や、InO2，SnO2等の
透明導電膜、Au等の金属膜等から成る帯電防止
膜を形成することにより、メンブラン膜の用途に
より必要な基本的機能をそこなうことなく、メン
ブラン膜へのゴミの付着を防止できる効果があ
る。
ルフオン酸等の帯電防止膜や、InO2，SnO2等の
透明導電膜、Au等の金属膜等から成る帯電防止
膜を形成することにより、メンブラン膜の用途に
より必要な基本的機能をそこなうことなく、メン
ブラン膜へのゴミの付着を防止できる効果があ
る。
第１図は従来技術によるペリクルの断面図、第
２図及び第３図は本発明の実施例を示すペリクル
及びＸ線マスクの断面図である。 １，１１，２１……フレーム、２，１２，２２
……メンブラン膜、１３，２４……帯電防止膜、
２３……図形状金膜。
２図及び第３図は本発明の実施例を示すペリクル
及びＸ線マスクの断面図である。 １，１１，２１……フレーム、２，１２，２２
……メンブラン膜、１３，２４……帯電防止膜、
２３……図形状金膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 厚さ１−10μmの絶縁膜上に帯電防止膜が被
覆されているメンブラン膜を有することを特徴と
するマスク。 ２ 前記帯電防止膜はベンゼン・スルフオン酸か
らなる膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のマスク。 ３ 前記帯電防止膜は透明導電性膜からなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマス
ク。 ４ 前記帯電防止膜は金属膜からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032982A JPS60176751A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032982A JPS60176751A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176751A JPS60176751A (ja) | 1985-09-10 |
| JPH0374178B2 true JPH0374178B2 (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=12374081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032982A Granted JPS60176751A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176751A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH066504Y2 (ja) * | 1987-05-20 | 1994-02-16 | 大日本印刷株式会社 | Ｘ線露光用マスク |
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
| JPH02309A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 |
| JPH0652648A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Mitsubishi Kasei Corp | 光記録媒体用カートリッジ |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59032982A patent/JPS60176751A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60176751A (ja) | 1985-09-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |