JPH04149441A - パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、パターン形成方法に関するものであり、詳
細には、半導体集積回路などを製造するのに用いること
のできる、高解像度かつ高感度で良好なパターン形状を
得ることができるパターン形成方法に関するものである
。

［従来の技術および発明が解決しようとする課題］現在
、ＬＭ、４Ｍダイナミックランダムアクセスメモリ（Ｄ
ＲＡＭ）に代表される大容量集積回路（ＬＳＩ）は、ノ
ボラック樹脂とナフトキノンジアジドからなるポジ型フ
ォトレジストに、水銀ランプのｇ線光（波長４３６ｎ、
ｍ）を選択的に照射し、それから、パターン形成を行な
うことにより、製造されている。その最小パターン寸法
は、１μｍ　〜０．８．ｃｚｍである。しかし、１６Ｍ
ＤＲＡＭなどの見られるように、今後ますますＬＳＩの
集積度が増すと、ハーフミクロンのパターン形成方法が
必要となる。そのため、現在、光源として、より短波長
光源であるＫｒＦエキシマレーザを用いたパターン形成
方法が研究されている。

ＫｒＦエキシマレーザに代表される遠紫外光に用いられ
るレジストとして、ＰＲ１０２４（マグダーミッド社製
品）等のノボラック樹脂−ナフトキノンジアジド系のポ
ジ型フォトレジスト、ポリメチルメタクリレート（ＰＭ
ＭＡ）　、ポリグリシジルメタクリレート（ＰＧＭＡ）
　、ポリクロロメチル化スチレン（ＣＭＳ）などが提案
されている。

ＰＭＭＡ、ＰＧＭＡは感度が低く、ドライエツチング耐
性が悪い。ＣＭＳはドライエツチング耐性は良いが、低
感度である。ＰＲ１０２４はドライエツチング耐性が良
く、その感度は上記のレジストに比べると高いが、ｇ線
での露光時に比べて、その感度は低い。

次に、従来のパターン形成方法について説明する。

第２Ａ図〜第２Ｃ図は、ノボラック−ナフトキノンジア
ジド系のポジ型レジスト（たとえばＰＲ１０２４）を用
いた、従来のパターン形成方法を断面図で示したもので
ある。

第２Ａ図を参照して、被加工基板２上に、ＰＲ１０２４
を塗布し、プリベークし、膜厚１，０μｍのレジスト膜
１を得る。

次に、第２Ｂ図を参照して、レジスト膜１にマスクを用
いて、選択的にＫｒＦエキシマレーザ光４を照射する。

これによりレジスト膜１は照射区域１ａと非照射区域１
ｂに区分される。

その後、第２Ｃ図を参照して、２．３８重量％テトラメ
チルアンモニウムハイドロキシド水溶液を用いて現像を
行なうことによって、照射領域１ａが除去されたレジス
トパターン９を得る。

このように構成される従来のレジストパターン形成法に
おいては、以下に述べる問題点があった。

すなわち、ＰＲ１０２４のようなノボラック−ナフトキ
ノンジアジド系ポジ型レジストは、遠紫外光に対する吸
収が大きいため、第２Ｂ図を参照して、光の吸収がレジ
スト膜１の表面で大きく、レジスト膜１の下層部まで光
が到達しない。その結果、現像後、第２Ｃ図を参照して
、レジストパターン９の断面形状が上方に細る三角形状
となり、微細なパターンを精度良く得ることができない
という問題点かあった。

また、遠紫外光でなく、波長３００〜５００ｎｍの光を
用いる、従来のパターン形成法においては、以下のよう
な問題があった。

第３図を参照して、被加工基板２に段差２ａがあった場
合、光２０が段差２ａにより散乱され、良好なパターン
形状が得られないという問題点があった。このような現
象は、ノツチング現象と呼ばれている。同様に、被加工
基板２の上に、Ａ１等の、光を反射し易い膜が形成され
ている場合にも、反射光の影響で、良好なパターン形状
が得られないという問題点があった。

第４Ａ図〜第４Ｄ図は、特開昭６３−２５３３５６号公
報に記載されている、レジストパターン形成方法の他の
従来例を示したものである。

第４Ａ図を参照して、被加工基板２上に、ノボラック−
ナフトキノンジアジド系のレジスト膜１を形成する。次
にマスク５を用いて、レジスト膜１に高圧水銀灯から出
る波長３００〜５００ｎｍの光を選択的に照射する。こ
の光の照射によって、照射区域１ａにおいて、樹脂の架
橋反応が起こる。

次に、第４Ｂ図を参照して、レジスト膜１の全面に、同
じ波長の光を照射することにより、感光剤を完全に分解
させる。

その後、第４Ｃ図を参照して、被加工基板２の全面に、
トリメチルシリルジメチルアミン蒸気を作用させる。こ
れにより、照射区域１ａを除く部分、すなわち非照射区
域１ｂの上層部が選択的にシリル化され、シリル化層１
４に変化する。

次に、第４Ｄ図を参照して、０２ガスを用いる反応性イ
オンエツチング（ＲＩ　Ｅ）により現像すると、シリル
化層１４は、５１０２層１５になって残り、一方照射区
域１ａは除去され、レジストパターン９が被加工基板２
上に形成される。

しかしなから、以上のように構成される他の従来例にお
いては、波長３００〜５００　ｎｍの光を使用している
ため、樹脂の架橋反応が十分に行なわれない。その結果
、第４Ｃ図を参照して、シリル化反応の選択性（照射区
域１ａの上層部におけるシリル化反応と非照射区域１ｂ
の上層部におけるシリル化反応との比率）が低くなり、
ひいては第４Ｄ図を参照して、露光部と未露光部の区別
が不明確になり、微細なパターンを精度よく得られない
という問題点があった。また、この従来の方法において
は、第３図を参照して説明したノツチング効果の問題点
も存在している。

Ｂ、Ｒｏｌａｎｄらの５ＰＩＥ、Ｖｏｌ、９２０、ｐ、
１２０−ｐ、１２７　（１９８８）には、照射区域の表
面をシリル化するパターン形成方法が開示されている。

そのパターン形成方法では、ノボラック−ナフトキノン
ジアジド系をベースとしたレジストが用いられている。

このレジストは、水銀ランプのｇ線光（４３６ｎｍ）ま
たはｉ線光（３６５ｎｍ）用に設計されているため、３
００ｎｍ以下の遠紫外光においては十分に性能を発揮で
きるレジストではない。また、露光部における水酸基の
濃度が十分でないので、露光部におけるシリル化を十分
に行なうことができない。このために露光部と未露光部
におけるシリル化の差が小さく、エツチング時における
選択性を大きくすることかできない。このため高解像度
を得ることができず、寸法制御性に劣っていた。

この発明の目的は、遠紫外光を用いて露光することがで
き、しかも、ハーフミクロン以下の高解像力を達成でき
、パターンプロファイルの良好なパターン形成方法を提
供することにある。

［課題を解決するための手段］ この発明に従うパターン形成方法は、水酸基含有樹脂と
、感光性酸発生剤と、酸性条件下で水酸基を発生する水
酸基生成化合物とを含有する感光性組成物を基板上に塗
布し樹脂膜を形成する工程と、所望のマスクを用いて、
樹脂膜に波長１５０〜３００ｎｍの遠紫外光を選択的に
照射し、それによって該樹脂膜を照射区域と非照射区域
とに区別する工程と、樹脂膜を加熱処理する工程と、樹
脂膜の照射区域に有機金属試剤を反応させかつ結合させ
るために樹脂膜を有機金属試剤で処理する工程と、樹脂
膜の非照射区域を選択的に除去するために酸素プラズマ
で処理する工程とを備えている。

この発明に従えば、水酸基生成化合物は、下記の一般式
［１コ〜［４］で示される少なくとも１種の有機酸化合
物と、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性化合
物との完全または部分エステル化合物、 ＲＩ　　　　　Ｏ −Ｃ−０−Ｃ−ＯＨ ［１つ Ｃ−Ｃ−ＯＨ ［２コ ロ Ｒ７０ Ｒ８−Ｃ−０−Ｓ−ＯＨ［３コ Ｉ Ｒ９０ ＲｌＩ　　　Ｑ Ｒｌ　＋　　（−Ｓ　−ＯＨ［４］ （ここで、Ｒ１−Ｒ１２は、水素、アルキル基またはア
リール基を有し、同一でも異なっていてもよい。） および／または、 下記の一般式〔５コで示される少なくとも１種のアルコ
ールと、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性化
合物との完全または部分エーテル化合物を主成分として
いる。

ＲＩ （−Ｃ ＯＨ 「５コ （Ｒ口は、アルキル基、Ｒ目〜Ｒ口はアルキル基または
アリール基を表わし、同一でも異なっていてもよい。） Ｒ１〜Ｒｌ　ｌは、好ましくは炭素数３以下のアルキル
基であり、さらに好ましくはメチル基である。

この発明の好ましい１つの実施態様によれば、水酸基生
成化合物のアルカリ可溶性化合物は、以下の（ｉ）〜（
ｉｉｉ　）からなるグループより選ばれる少なくとも１
種である。

（ｉ）　　下記の一般式［６コで示されるポリビニルフ
ェノール誘導体 一寸ＣＨ２ −ＣＨす］ｒ （ここでｎは２〜２０の整数、Ｒ１６〜Ｒ２０は、水素
、アルキル基、アリール基、または水酸基を表わし、同
一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ１６〜Ｒ２０の
うち少なくとも１つは水酸基である。） （工１）　　下記の一般式［７コで示される少なくとも
１種のフェノール誘導体と、下記の一般式［８］で示さ
れる少なくとも１種のケトン誘導体またはアルデヒド誘
導体との重縮合物であるノボラック樹脂 （シ丈千余白） （ここで、Ｒ２１〜Ｒ２５は、水素、アルキル基、また
はアリール基を表わし、同一でも異なっていてもよい。

） （ｉｉｉ　）　　下記の一般式［９］で示されるポリ（
Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）マレイミド誘導体 ｈ これらのアルカリ可溶性化合物は、単独で用いてもよい
し１種以上を混合して用いてもよい。

この発明に従えば、水酸基含有樹脂、感光性酸発生剤お
よび水酸基生成化合物を含有する感光性組成物を基板上
に塗布し、露光、加熱処理（ポストエクスポージャーベ
ーク；以下ＦＥＢと略す。）の後、有機金属試剤で処理
し、次に酸素プラズマで処理することにより、パターン
プロファイルの良好なパターンを形成させることができ
る。

この発明に従う、樹脂膜を有機金属試剤で処理する工程
において、有機金属試剤は液体でもよいし気体でもよい
。また、有機金属試剤で行なう処理の前に、前処理とし
て、樹脂膜と有機金属試剤との親和性を高めるために、
樹脂膜の表面を有機金属試剤の液体で湿らせることが好
ましい。また、樹脂膜の表面を有機金属試剤で湿らせる
代わりに、樹脂膜の表面を有機金属試剤の蒸気にさらし
てもよい。

この発明で用いられる水酸基含有樹脂としては、膜厚１
μｍにおいて、１５０〜３００ｎｍの任意の露光波長に
おける透過率が２０％以上の領域を有するものであるこ
とが好ましい。このような樹脂の例としては、ノボラッ
ク樹脂、ポリ　（Ｎ（ｐ−ヒドロキシフェニル）マレイ
ミド）等、ポリビニルフェノールなどが挙げられる。特
に好ましくは、ポリビニルフェノールである。これらの
水酸基含有樹脂は、単一もしくは混合物、または共重合
体として用いることができる。

この発明で用いられる感光性酸発生剤としては、１５０
〜３００　ｎｍの範囲の光で酸を発生する酸発生剤であ
ることが好ましい。このような酸発生剤の例としては、
例えば、ポリメリックマテリアルズ・サイエンス・アン
ド・エンジニアリング第６１巻第６３頁（アメリカンケ
ミカルソサエティ）に、Ｊ、Ｖ、Ｃｒ１ｖｅｌｌｏが開
示しているようなオニウム塩やスルホン酸エステル、な
らびに特開昭５４−２３５７４号公報に開示されている
ような感光性有機ハロゲン化合物などを用いることがで
きる。

この発明に用いられる有機金属試剤としては、例えば、
ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルジメチルア
ミン、テトラクロロシラン、トリメチルクロロシランな
どのシリコン化合物、トリメチルクロロゲルマニウム、
テトラメトキシゲルマニウム、トリ（トリメチルゲルミ
ル）アミン、ジ（トリエトキシゲルミル）アミン、トリ
メチルエトキシゲルマニウム、ジエチルトリメチルゲル
ミルアミンなどのゲルマニウム化合物、または、スズ、
チタン、モリブデン、バナジウム、クロム、およびセレ
ンなどの金属化合物が挙げられる。これらのなかでも、
特にゲルマニウム化合物か好ましい。ゲルマニウム化合
物を用いた場合は、酸素プラズマ処理の後に生成するＧ
ｅＯ２膜を、濃硝酸などの強酸で容易に剥離することが
できる。

この発明において、水酸基含有樹脂、感光性酸発生剤、
および水酸基生成化合物の割合は、水酸基含有樹脂１０
０重量部に対して、好ましくは感光性酸発生剤０．０５
〜２０重量部、さらに好ましくは０．　１〜１０重量部
、好ましくは水酸基生成化合物１〜５０重量部、さらに
好ましくは５〜３０重量部である。

さらに、この発明で用いられる感光性組成物は溶媒に溶
解して使用されるが、その成分に対して十分な溶解度を
持ち、良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に制限され
ない。このような溶媒としては、例えば、メチルセロソ
ルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート
、およびエチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系
溶媒、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸メチル、および乳
酸エチル等のエステル系溶媒、メチルイソブチルケトン
、シクロペンタノン、およびシクロヘキサノン等のケト
ン系溶媒、ジメチルホルムアミド、およびＮ−メチルピ
ロリドン等の高極性溶媒、あるいは、これらの混合溶媒
さらには、芳香族添加水素を添加した混合溶媒等が挙げ
られる。溶媒の使用割合は、固型分の総量に対し重量比
で１〜２０倍の範囲であることが好ましい。

この発明に従うパターン形成方法は、塗布、露光、ＦＥ
Ｂ、有機金属試剤処理、および酸素プラズマによる処理
の各工程を通して行なわれる。

この発明において、露光に用いる光としては、遠紫外光
、例えば低圧水銀灯を光源とする２５４ｎｍの光や、エ
キシマレーザ等を光源とする３０８ｎｍ、２４８ｎｍ、
２２２ｎｍ、１９３ｎｍ。

および１５７ｎｍの光が好適に使用される。露光の際の
光は単色光でなくブロードであってもよい。

この発明において、ＦＥＢの条件は、ホットプレートを
用いて、８０℃〜１５０℃、１分〜１０分程度の条件が
好適に用いられる、。ホットプレートの代わりにコンベ
クションオーブンを用いてもよい。ただし、この場合は
通常ホットプレートを用いた場合より長時間が必要とさ
れる。

［発明の作用効果〕 この発明では、水酸基含有樹脂と感光性酸発生剤と水酸
基生成化合物とを含有する感光性組成物を基板上に塗布
して樹脂膜とし、この樹脂膜に遠紫外光を選択的に照射
して照射区域と非照射区域とを区別している。この発明
によれば、照射区域では、感光性酸発生剤の作用により
、酸が発生し、水酸基生成化合物により水酸基が生成す
る。このため、照射区域では多量の水酸基が存在し、有
機金属試剤と反応し結合する。非照射区域では、水酸基
生成化合物からの水酸基の生成がなく、有機金属試剤と
の反応が抑制されている。このため照射区域と非照射区
域とにおいて有機金属試剤との反応性に大きな差を生じ
る。このため、この発明に従えば、高解像度を得ること
ができる。

したがって、この発明に従えば、１５０ｎｍ〜３００ｎ
ｍの遠紫外光の領域の光を用いて露光でき、しかも、ハ
ーフミクロン以下の高解像度を達成でき、パターンプロ
ファイルの良好なレジストパターンを得ることができる
。

［実施例コ 実施例１〜７ 以下の式（Ｉ）に示すポリビニルフェノール（丸善石油
化学株式会社製；Ｍｎ＝２７００．Ｍｗ＝５１００）を
水酸基含有樹脂として用い、（以下金色） 一＋ＣＨ２ −ＣＨ÷− 以下の式 の感光性酸発生剤と、 表１に示す （ＩＶ） （ＩＸ） の水酸基生成化合物 を、 表２に示す組合せおよび配合量で、 乳酸エチ ルに溶解してレジスト溶液とした。

（ニス下未白） （ＩＶ） （Ｖ） （ＶＩ） （■） （■） 表１ 母体分枝の 数平均分子量 ６００　（ｎ＝５） ６００　（ｎ＝５） ６００　（ｎ＝５） ９６０　（ｎ＝８） ９６０　（ｎ＝８） エステル化率 ６０％ ８０％ １００％ ６０％ ８０％ 表１におけるエステル化率は、以下の式で表わされる。

エステル化率＝（Ｒ１の数）／　（Ｒ＋の数十水素原子
の数） （ＣＨ２−ＣＨ） Ｒ （Ｒは、 水素、 またはＲ７を示す。） ＣＨ３ ＣＨ３−Ｃ−０−Ｃ− ＣＨ３ 第１Ａ図〜第１Ｅ図は、以上のようにして調製したレジ
スト溶液を用いてパターンを形成するまでの工程を示す
断面図である。

第１Ａ図を参照して、調製したそれぞれのレジスト溶液
をシリコンウェハ２上にスピンコードし、ホットプレー
ト上で、８０℃６０秒間プリベークヲ行ない、膜厚１μ
ｍのレジスト膜１を得た。

次に、第１Ｂ図を参照して、レジスト膜１に、所望のマ
スク５を用いて、選択的にレンズ口径Ｎ。

Ａ、　＝０．　３７、レーザ波長２４８ｎｍのＫｒＦエ
キシマレーザステッパにコン株式会社製）で、ＫｒＦエ
キシマレーザ４を照射し露光した。

第１Ｃ図を参照して、レーザ光が照射された部分は照射
区域１ａとなり、マスクによりレーザ光が遮られレーザ
光が照射されなかった部分は非照射区域１ｂとなり、レ
ジスト膜１が、照射区域１ａと非照射区域１ｂに区分さ
れた。

次に、このレジスト膜１およびシリコンウェハ２をホッ
トプレート上で、１１０℃、９０秒間ＰＥＢを行なった
。ＦＥＢ処理した後のシリコンウェハ２を真空オーブン
中に入れ、温度１１０℃、圧力２００Ｔｏｒｒで２０分
間、第１ＤＩｍを参照して、有機ゲルマニウムガス７と
してのトリ（トリメチルゲルミル）アミンのガスを用い
て、ゲルミル化反応を行なった。

第１Ｄ図に示すように、非照射区域１ｂでは、ポリビニ
ルフェノール中の水酸基が、水酸基生成化合物によりマ
スキングされているので、有機ゲルマニウムガス７との
反応が抑制されており、ゲルミル化反応はほとんど起こ
らない。一方、照射区域１ａでは、感光性酸発生剤から
発生した酸により水酸基生成化合物から生成した水酸基
が多量に存在しているので、有機ゲルマニウムガス７と
の反応が生じる。また水酸基含有樹脂の水酸基生成化合
物によるマスキングが消滅しているので、水酸基含有樹
脂に対して有機ゲルマニウムガスが反応する。このため
、照射区域１ａではゲルミル化反応が起こり、照射区域
１ａの上層部にゲルミル化層８が形成される。表１に示
す水酸基生成化合物１分子からは２分子の水酸基を生成
させることができる。このため、照射区域１ａでは非照
射区域１ｂに比べはるかに多くの水酸基が存在しており
、ゲルミル化反応の選択性に大きな差を生じる。

次に、第１Ｅ図を参照して、０２ガス１２を流し、反応
性イオンエツチングによりドライ現像を行なう。このと
き、ゲルミル化層８は酸化して、ＧｅＯ２膜１３に変化
する。このＧｅ０９膜１３は、酸素ガスプラズマに対し
て協力な遮蔽剤となる。このため、ゲルミル化されてい
ない部分、すなわち非照射区域１ｂのみが選択的にエツ
チングされ、除去される。これらの選択的エツチングの
ため、照射区域１ａと非照射区域１ｂの区別がはっきり
現われ、この結果、高解像度の良好なレジストパターン
９が得られる。

また、照射区域１ａの上層部に形成されている膜がＧａ
Ｏ２膜であるので、このレジストパターンは、濃硝酸な
どの強酸で容易に剥離することができる。

実施例１〜７のパターン形成の際の感度と解像度、なら
びに０．３μｍライン・アンド・スペースパターンの断
面形状を表２に示す。表２において、感度は、露光部分
の残膜がＯとなる露光エネルギを、解像度はライン・ア
ンド・スペースパターンで解像し得る最小のパターン寸
法である。

実施例８ この実施例では、水酸基生成化合物として、数平均分子
量（Ｍｎ）が６００であるメタクレゾールノボラック樹
脂と、Ｒ１とのエステル化合物（ＩＸ）を用いた。この
エステル化合物（ＩＸ）のエステル化率は８０％であっ
た。このエステル化合物（ＩＸ）を水酸基生成化合物と
して用い、表２に示す組み合わせおよび配合量で、上記
の実施例と同様にパターンを形成し、上記の実施例と同
様に評価した。その結果を表２に示す。

実施例９ この実施例では、水酸基含有樹脂としてノボラック樹脂
を用いた。ノボラック樹脂の組成は、メタクレゾールと
パラクレゾールのユニットの組成比が６＝４で、数平均
分子量Ｍｎが１２００、重量平均分子量Ｍｗが７０００
のものを用いた。

上記の実施例と同様にパターンを形成し、パターン形成
能を評価した。その結果を表２に示す。

（以下余白） 表２から明らかなように、この発明に従う実施例では、
いずれもハーフミクロン以下の高解像度が達成されてお
り、パターンプロファイルの良好なレジストパターンが
形成された。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図〜第１Ｅ図は、この発明に従う実施例の工程を
説明するための断面図である。 第２Ａ図〜第２Ｃ図は、ノボラック−ナフトキノンジア
ジド系ポジ型レジストを用いた従来のパターン形成方法
を示す断面図である。 第３図は、従来の方法において観測されたノツチング効
果を示す断面図である。 第４Ａ図〜第４Ｄ図は、レジストパターン形成方法の他
の従来例を示す断面図である。 図において、１はレジスト膜、２は被加工基板、４はＫ
ｒＦエキシマレーザ、５はマスク、７は有機ゲルマニウ
ムガス、８はゲルミル化層、１２は酸素ガス、１３はＧ
ｅＯ２膜、１ａは照射区域、１ｂは非照射区域を示す。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１Ａ図 第１Ｃ図 第３図 第４Ｍ 第４ＤＧ り

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）水酸基含有樹脂と、感光性酸発生剤と、酸性条件
   下で水酸基を生成する水酸基生成化合物とを含有する感
   光性組成物を基板上に塗布し、樹脂膜を形成する工程と
   、 所望のマスクを用いて、前記樹脂膜に、波長１５０〜３
   ００ｎｍの遠紫外光を選択的に照射し、それによって該
   樹脂膜を照射区域と非照射区域とに区別する工程と、 前記樹脂膜を加熱処理する工程と、 前記樹脂膜の照射区域に有機金属試剤を反応させかつ結
   合させるために、前記樹脂膜を有機金属試剤で処理する
   工程と、 前記樹脂膜の非照射区域を選択的に除去するために、酸
   素プラズマで処理する工程とを備え、前記水酸基生成化
   合物が、下記の一般式［１］〜［４］で示される少なく
   とも一種の有機酸化合物と、フェノール性水酸基を有す
   るアルカリ可溶性化合物との完全または部分エステル化
   合物、▲数式、化学式、表等があります▼［１］ ▲数式、化学式、表等があります▼［２］ ▲数式、化学式、表等があります▼［３］ ▲数式、化学式、表等があります▼［４］ （ここで、Ｒ＾１〜Ｒ＾１＾２は、水素、アルキル基ま
   たはアリール基を表わし、同一でも異なっていてもよい
   。） および／または、 下記の一般式［５］で示される少なくとも一種のアルコ
   ールと、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性化
   合物との完全または部分エーテル化合物を主成分とする
   、パターン形成方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼［５］ （ここで、Ｒ＾１＾３は、アルキル基、Ｒ＾１＾４およ
   びＲ＾１＾５はアルキル基またはアリール基を表わし、
   同一でも異なっていてもよい。）